專利名稱：雙向移位寄存器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種雙向移位寄存器(bidirectional shift register)，特別涉及一種內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參閱圖1，圖1為現(xiàn)有一應(yīng)用低溫多晶硅(low temperature polysilicon，LTPS)技術(shù)實(shí)現(xiàn)于一玻璃基板上的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(CMOS)雙向移位寄存器(bidirectional shift register)10的電路圖。
雙向移位寄存器10包含一前級(jí)SR閂鎖(latch)電路12、一對(duì)應(yīng)于前級(jí)SR閂鎖電路12的前級(jí)雙向控制電路14、一后級(jí)SR閂鎖電路16、以及一對(duì)應(yīng)于后級(jí)SR閂鎖電路16的后級(jí)雙向控制電路18，其中，前級(jí)雙向控制電路14是耦接于前級(jí)SR閂鎖電路12及后級(jí)SR閂鎖電路16之間，而后級(jí)雙向控制電路18是耦接于后級(jí)SR閂鎖電路16及接續(xù)于后級(jí)SR閂鎖電路16后的其它SR閂鎖電路之間，另外，前級(jí)SR閂鎖電路12及后級(jí)SR閂鎖電路16皆連接至一正向時(shí)鐘CK及一反向時(shí)鐘XCK。前級(jí)雙向控制電路14包含一正向CMOS20、及一反向CMOS22，而后級(jí)雙向控制電路18亦包含一正向CMOS24、及一反向CMOS26，其中，正向COMS20、24內(nèi)的N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵極及反向COMS22、26內(nèi)的P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵極是用來(lái)接收一正向控制信號(hào)FW_control，而正向COMS20、24內(nèi)的P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵極及反向COMS22、26內(nèi)的N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵極是用來(lái)接收一反向控制信號(hào)BW_control。
雙向移位寄存器10的運(yùn)作過(guò)程略述如后當(dāng)正向控制信號(hào)FW_control為一邏輯高電壓(logic high voltage)時(shí)，相應(yīng)地，互補(bǔ)于正向控制信號(hào)FW_control的反向控制信號(hào)BW_control為一邏輯低電壓(logic low voltage)時(shí)，前級(jí)雙向控制電路14的正向CMOS20及后級(jí)雙向控制電路18的正向CMOS24是導(dǎo)通的，而前級(jí)雙向控制電路14的反向CMOS22及后級(jí)雙向控制電路18的反向CMOS26是不導(dǎo)通的，如圖2所示，其中，為了清楚說(shuō)明起見(jiàn)，不導(dǎo)通的前級(jí)雙向控制電路14的反向CMOS22及后級(jí)雙向控制電路18的反向CMOS26是省略的，如此一來(lái)，輸入于雙向移位寄存器10的正向輸入端INPUT_FW上的信號(hào)便可依序經(jīng)由前級(jí)SR閂鎖電路12的輸入端IN、前級(jí)SR閂鎖電路12的輸出端OUT、前級(jí)雙向控制電路14的正向COMS20、后級(jí)SR閂鎖電路16的輸入端IN、后級(jí)SR閂鎖電路16的輸出端OUT、以及后級(jí)雙向控制電路18的正向COMS24，到達(dá)雙向移位寄存器10的正向輸出端OUTPUT_FW；另一方面，當(dāng)正向控制信號(hào)FW_control為該邏輯低電壓時(shí)，相應(yīng)地，反向控制信號(hào)BW_control為該邏輯高電壓時(shí)，前級(jí)雙向控制電路14的正向CMOS20及后級(jí)雙向控制電路18的正向CMOS24是不導(dǎo)通的，而前級(jí)雙向控制電路14的反向CMOS22及后級(jí)雙向控制電路18的反向CMOS26是導(dǎo)通的，如圖3所示，其中，為了清楚說(shuō)明起見(jiàn)，不導(dǎo)通的前級(jí)雙向控制電路14的正向CMOS20及后級(jí)雙向控制電路18的正向CMOS24是省略的，如此一來(lái)，輸入于雙向移位寄存器10的反向輸入端INPUT_BW上的信號(hào)便可依序經(jīng)由后級(jí)雙向控制電路18的反向COMS26、后級(jí)SR閂鎖電路16的輸入端IN、后級(jí)SR閂鎖電路16的輸出端OUT、前級(jí)雙向控制電路14的反向COMS22、前級(jí)SR閂鎖電路12的輸入端IN、以及前級(jí)SR閂鎖電路12的輸出端OUT，到達(dá)雙向移位寄存器10的反向輸出端OUTPUT_BW。
然而，由于雙向移位寄存器10內(nèi)是包含CMOS，例如正向CMOS20及反向CMOS26等，所以，在制作雙向移位寄存器10的過(guò)程中，需要使用到兩組不同的光掩膜(photo mask)，間接地，增加了雙向移位寄存器10的制作成本。
發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的主要目的在于提供一種內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器(bidirectional shift register)，以解決先前技術(shù)的缺點(diǎn)。
本發(fā)明的內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器是包含一前級(jí)多路復(fù)用器、一前級(jí)全振幅移位寄存器(full swing shift register)、一后級(jí)多路復(fù)用器、以及一后級(jí)全振幅移位寄存器。該前級(jí)多路復(fù)用器包含一第一晶體管，其源極是用來(lái)輸入信號(hào)，柵極是用來(lái)接收一正向時(shí)鐘；一第二晶體管，其源極是耦接于該第一晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收一正向控制信號(hào)，該第二晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；一第三晶體管，其漏極是耦接于該第二晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收一反向控制信號(hào)，該第三晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；以及一第四晶體管，其漏極是耦接于該第三晶體管的源極，柵極是用來(lái)接收該正向時(shí)鐘，該第四晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)。該前級(jí)全振幅移位寄存器包含一第五晶體管，其柵極是耦接于該第二晶體管的漏極，源極是用來(lái)接收一反向時(shí)鐘，該第五晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；一第六晶體管，其源極是耦接于該第五晶體管的漏極，柵極是耦接于該第一晶體管的柵極，漏極是用來(lái)耦接于一第一電壓源，該第六晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；以及一前級(jí)電容，其第一端是耦接于該第五晶體管的柵極，第二端是接地。該后級(jí)多路復(fù)用器包含一第七晶體管，其源極是用來(lái)輸入信號(hào)，柵極是用來(lái)接收該反向時(shí)鐘，該第七晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；一第八晶體管，其源極是耦接于該第七晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收該反向控制信號(hào)，該第八晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；一第九晶體管，其漏極是耦接于該第八晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收該正向控制信號(hào)，該第九晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；以及一第十晶體管，其漏極是耦接于該第九晶體管的源極，柵極是用來(lái)接收該反向時(shí)鐘，源極是耦接于該前級(jí)全振幅移位寄存器的第五晶體管的漏極，該第十晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)。該后級(jí)全振幅移位寄存器包含一第十一晶體管，其柵極是耦接于該第八晶體管的漏極，源極是用來(lái)接收該正向時(shí)鐘，漏極是耦接于該前級(jí)多路復(fù)用器的第四晶體管的源極，該第十一晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；一第十二晶體管，其源極是耦接于該第十一晶體管的漏極，柵極是耦接于該第七晶體管的柵極，漏極是用來(lái)耦接于該第一電壓源，該第十二晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；以及一后級(jí)電容，其第一端是耦接于該第十一晶體管的柵極，第二端是接地。
本發(fā)明的內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的另一雙向移位寄存器亦是包含一前級(jí)多路復(fù)用器、一前級(jí)全振幅移位寄存器、一后級(jí)多路復(fù)用器、以及一后級(jí)全振幅移位寄存器。該前級(jí)多路復(fù)用器包含一第二晶體管，其源極是用來(lái)輸入信號(hào)，柵極是用來(lái)接收一正向控制信號(hào)；一第三晶體管，其漏極是耦接于該第二晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收一反向控制信號(hào)，該第三晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)；以及一第四晶體管，其源極是耦接于該第三晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收一正向時(shí)鐘，該第四晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)。該前級(jí)全振幅移位寄存器包含一第五晶體管，其柵極是耦接于該第四晶體管的漏極，源極是用來(lái)接收一反向時(shí)鐘，該第五晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)；一第六晶體管，其源極是耦接于該第五晶體管的漏極，柵極是耦接于該第四晶體管的柵極，漏極是用來(lái)耦接于一第一電壓源，該第六晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；以及一前級(jí)電容，其第一端是耦接于該第五晶體管的柵極，第二端是接地。該后級(jí)多路復(fù)用器包含一第八晶體管，其源極是用來(lái)輸入信號(hào)，柵極是用來(lái)接收該反向控制信號(hào)，該第八晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)；一第九晶體管，其漏極是耦接于該第八晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收該正向控制信號(hào)，源極是耦接于該前級(jí)全振幅移位寄存器的第五晶體管的漏極，該第九晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)；以及一第十晶體管，其源極是耦接于該第九晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收該反向時(shí)鐘，該第十晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)。該后級(jí)全振幅移位寄存器包含一第一晶體管，其柵極是耦接于該第十晶體管的漏極，源極是用來(lái)接收該正向時(shí)鐘，該第一晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)；一第七晶體管，其源極是耦接于該第一晶體管的漏極，柵極是耦接于該第十晶體管的柵極，漏極是用來(lái)耦接于該第一電壓源，該第七晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)；以及一后級(jí)電容，其第一端是耦接于該第一晶體管的柵極，第二端是接地。
本發(fā)明的內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的另一雙向移位寄存器亦是包含一前級(jí)多路復(fù)用器、一前級(jí)全振幅移位寄存器、一后級(jí)多路復(fù)用器、以及一后級(jí)全振幅移位寄存器。該前級(jí)多路復(fù)用器包含一第一開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入一正向時(shí)鐘，該第一開(kāi)關(guān)是受控于一正向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的正向時(shí)鐘傳送至該第一開(kāi)關(guān)的第二端；一第二開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入一禁止(disable)信號(hào)，第二端是耦接于該第一開(kāi)關(guān)的第二端，該第二開(kāi)關(guān)是受控于一反向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的禁止信號(hào)傳送至該第二開(kāi)關(guān)的第二端，該第二開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管是型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一第三開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入信號(hào)，該第三開(kāi)關(guān)是受控于該第一開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的正向時(shí)鐘及該第二開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的禁止信號(hào)，以將輸入于該第一端的信號(hào)傳送至該第三開(kāi)關(guān)的第二端，該第三開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一第四開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入該正向時(shí)鐘，該第四開(kāi)關(guān)是受控于該反向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的正向時(shí)鐘傳送至該第四開(kāi)關(guān)的第二端，該第四開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一第五開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入該禁止信號(hào)，第二端是耦接于該第四開(kāi)關(guān)的第二端，該第五開(kāi)關(guān)是受控于該正向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的禁止信號(hào)傳送至該第五開(kāi)關(guān)的第二端，該第五開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；以及一第六開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入信號(hào)，第二端是耦接于該第三開(kāi)關(guān)的第二端，該第六開(kāi)關(guān)是受控于該第四開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的正向時(shí)鐘及該第五開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的禁止信號(hào)，以將輸入于該第一端的信號(hào)傳送至該第六開(kāi)關(guān)的第二端，該第六開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)。該前級(jí)全振幅移位寄存器的輸入端是耦接于該前級(jí)多路復(fù)用器的第三開(kāi)關(guān)的第二端，用來(lái)寄存該第三開(kāi)關(guān)及該第六開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送來(lái)的信號(hào)。該后級(jí)多路復(fù)用器包含一第七開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入一反向時(shí)鐘，該第七開(kāi)關(guān)是受控于該正向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的反向時(shí)鐘傳送至該第七開(kāi)關(guān)的第二端，該第七開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一第八開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入該禁止信號(hào)，第二端是耦接于該第七開(kāi)關(guān)的第二端，該第八開(kāi)關(guān)是受控于該反向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的禁止信號(hào)傳送至該第八開(kāi)關(guān)的第二端，該第八開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一第九開(kāi)關(guān)，其第一端是耦接于該前級(jí)全振幅移位寄存器的輸出端，該第九開(kāi)關(guān)是受控于該第七開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的反向時(shí)鐘及該第八開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的禁止信號(hào)，以將輸入于該第一端的信號(hào)傳送至該第九開(kāi)關(guān)的第二端，該第九開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一第十開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入該反向時(shí)鐘，該第十開(kāi)關(guān)是受控于該反向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的反向時(shí)鐘傳送至該第十開(kāi)關(guān)的第二端，該第十開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一第十一開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入該禁止信號(hào)，第二端是耦接于該第十開(kāi)關(guān)的第二端，該第十一開(kāi)關(guān)是受控于該正向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的禁止信號(hào)傳送至該第十一開(kāi)關(guān)的第二端，該第十一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；以及一第十二開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入信號(hào)，第二端是耦接于該第九開(kāi)關(guān)的第二端，該第十二開(kāi)關(guān)是受控于該第十開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的反向時(shí)鐘及該第十一開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的禁止信號(hào)，以將輸入于該第一端的信號(hào)傳送至該第十二開(kāi)關(guān)的第二端，該第十二開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)。該后級(jí)全振幅移位寄存器的輸入端是耦接于該后級(jí)多路復(fù)用器的第九開(kāi)關(guān)的第二端，輸出端是耦接于該前級(jí)多路復(fù)用器的第六開(kāi)關(guān)的第一端，該后級(jí)全振幅移位寄存器是用來(lái)寄存該第九開(kāi)關(guān)及該第十二開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送來(lái)的信號(hào)。
本發(fā)明的內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的另一雙向移位寄存器亦是包含一前級(jí)多路復(fù)用器、一前級(jí)全振幅移位寄存器、一后級(jí)多路復(fù)用器、及一后級(jí)全振幅移位寄存器。該前級(jí)多路復(fù)用器是用來(lái)接收一正向時(shí)鐘、一正向控制信號(hào)、一反向控制信號(hào)、一前級(jí)正向輸入信號(hào)及一前級(jí)反向輸入信號(hào)，并用來(lái)依據(jù)該正向時(shí)鐘、該正向控制信號(hào)及該反向控制信號(hào)選擇性地輸出該前級(jí)正向輸入信號(hào)或該前級(jí)反向輸入信號(hào)；該前級(jí)全振幅移位寄存器是用來(lái)接收該正向時(shí)鐘、一反向時(shí)鐘及該前級(jí)多路復(fù)用器所輸出的該前級(jí)正向輸入信號(hào)或該前級(jí)反向輸入信號(hào)，并用來(lái)依據(jù)該正向時(shí)鐘及該反向時(shí)鐘輸出所接收的該前級(jí)正向輸入信號(hào)或該前級(jí)反向輸入信號(hào)；該后級(jí)多路復(fù)用器是用來(lái)接收該正向時(shí)鐘、該正向控制信號(hào)、該反向控制信號(hào)、一后級(jí)正向輸入信號(hào)及一后級(jí)反向輸入信號(hào)，并用來(lái)依據(jù)該正向時(shí)鐘、該正向控制信號(hào)及該反向控制信號(hào)選擇性地輸出該后級(jí)正向輸入信號(hào)或該后級(jí)反向輸入信號(hào)；該后級(jí)全振幅移位寄存器是用來(lái)接收該正向時(shí)鐘、該反向時(shí)鐘及該后級(jí)多路復(fù)用器所輸出的該后級(jí)正向輸入信號(hào)或該后級(jí)反向輸入信號(hào)，并用來(lái)依據(jù)該正向時(shí)鐘及該反向時(shí)鐘輸出所接收的該后級(jí)正向輸入信號(hào)或該后級(jí)反向輸入信號(hào)。其中，該前級(jí)全振幅移位寄存器所輸出的該前級(jí)正向輸入信號(hào)或該前級(jí)反向輸入信號(hào)作為該后級(jí)正向輸入信號(hào)，而該后級(jí)全振幅移位寄存器所輸出的該后級(jí)正向輸入信號(hào)或該后級(jí)反向輸入信號(hào)作為該前級(jí)反向輸入信號(hào)。
圖1為現(xiàn)有一應(yīng)用低溫多晶硅(low temperature poly silicon，LTPS)技術(shù)實(shí)現(xiàn)于一玻璃基板上的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(CMOS)雙向移位寄存器(bidirectional shift register)的電路圖。
圖2為圖1所顯示的雙向移位寄存器于正向傳送信號(hào)時(shí)的等效電路圖。
圖3為圖1所顯示的雙向移位寄存器于反向傳送信號(hào)時(shí)的等效電路圖。
圖4為本發(fā)明的第一實(shí)施例中一內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器的電路圖。
圖5為圖4所顯示的雙向移位寄存器在正向傳送信號(hào)時(shí)的波形圖。
圖6為圖4所顯示的雙向移位寄存器在正向傳送信號(hào)時(shí)的波形圖。
圖7為本發(fā)明的第二實(shí)施例中一內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器的電路圖。
圖8為本發(fā)明的第三實(shí)施例中一內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器的電路圖。
圖9為本發(fā)明的第四實(shí)施例中一內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器的電路圖。
圖10為本發(fā)明的第五實(shí)施例中一內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器的電路圖。
圖11為圖10所顯示的雙向移位寄存器中一前級(jí)多路復(fù)用器的電路圖。
圖12為圖10所顯示的雙向移位寄存器中一全振幅移位寄存器的多路復(fù)用器的電路圖。
附圖符號(hào)說(shuō)明10、50、250、 12 前級(jí)閂鎖電路；350、450、550 雙向移位寄存器；14前級(jí)雙向控制電 16 后級(jí)閂鎖電路；路；18后級(jí)雙向控制電 20、24 正向CMOS；路；22、26反向CMOS； 52、352、452前級(jí)多路復(fù)用器；54、254 前級(jí)全振幅移位寄56、356、456后級(jí)多路復(fù)用器；存器；58、258 后級(jí)全振幅移位寄60 第一P型金屬氧存器；化物半導(dǎo)體晶體管；62第二P型金屬氧化 64 第三P型金屬氧物半導(dǎo)體晶體管； 化物半導(dǎo)體晶體管；66 第四P型金屬氧化 68、74、80、物半導(dǎo)體晶體管 86、30、36、168、174、180、186、130、136、260、266、360、366；源極；70、76、82、 72、78、88、32、38、 84、90、34、170、176、 40、172、178、182、188、 184、190、132、138、 134、140、262、268、 264、270、362、368 柵極； 364、370漏極；92 第五P型金屬氧化 94 第六P型金屬氧物半導(dǎo)體晶體管； 化物半導(dǎo)體晶體管；96 前級(jí)電容； 42、142 第一端；44、144；第二端；160 第七P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；162 第八p型金屬氧化 164 第九P型金屬氧物半導(dǎo)體晶體管； 化物半導(dǎo)體晶體管；166 第十P型金屬氧化 192 第十一P型金屬物半導(dǎo)體晶體管； 氧化物半導(dǎo)體晶體管；194 第十二P型金屬氧 196 后級(jí)電容；化物半導(dǎo)體晶體管；98 前級(jí)輸出端； 198 后級(jí)輸出端；252 第十三P型金屬氧256 第十五P型金屬化物半導(dǎo)體晶體 氧化物半導(dǎo)體晶管； 體管；354 第十四P型金屬氧358 第十六P型金屬化物半導(dǎo)體晶體 氧化物半導(dǎo)體晶管； 體管；454 第一開(kāi)關(guān)； 458 第二開(kāi)關(guān)；460 第三開(kāi)關(guān)； 462 第四開(kāi)關(guān)；464 第五開(kāi)關(guān)； 466 第六開(kāi)關(guān)；468； 正向輸入端； 470 反向輸入端；552 正向多路復(fù)用器； 554 反向多路復(fù)用器；556、558、 564、588多路復(fù)用器；560、562全振幅移位寄存器組；566 全振幅移位寄存 568 正向信號(hào)端；器；570 反向信號(hào)端； 572 時(shí)鐘端；574 第一輸出端； 576 第二輸出端；578 第一輸入端； 580 第二輸入端；582 正向輸入端； 584 反向輸入端；586； 輸出端； Vdd 第一電壓源；Vss； 第二電壓源；具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖4，圖4為本發(fā)明的第一實(shí)施例中一內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器(bidirectional shift register)50的電路圖。雙向移位寄存器50包含一前級(jí)多路復(fù)用器52、一前級(jí)全振幅移位寄存器(full swing shiftregister)54、一后級(jí)多路復(fù)用器56、以及一后級(jí)全振幅移位寄存器58。
在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，前級(jí)多路復(fù)用器52是包含一第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管60、一第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管62、一第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管64、以及一第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管66。第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管60的源極68是用來(lái)輸入信號(hào)(如現(xiàn)有的雙向移位寄存器10的正向輸入端INPUT_FW)，柵極70是用來(lái)接收正向時(shí)鐘CK；第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管62的源極74是耦接于第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管60的漏極72，柵極76是用來(lái)接收正向控制信號(hào)FW_control；第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管64的漏極84是耦接于第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管62的漏極78，柵極82是用來(lái)接收反向控制信號(hào)BW_control；第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管66的漏極90是耦接于第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管64的源極80，柵極88是用來(lái)接收正向時(shí)鐘CK。
在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，前級(jí)全振幅移位寄存器54是包含一第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管92、一第六P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管94、以及一前級(jí)電容96。第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管92的柵極32是耦接于第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管62的漏極78，源極30是用來(lái)接收反向時(shí)鐘XCK；第六P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管94的源極36是耦接于第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管92的漏極34，柵極38是耦接于第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管60的柵極70，漏極40是用來(lái)耦接于一第一電壓源Vdd；前級(jí)電容96的第一端42是耦接于第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管92的柵極32，第二端44是接地。
在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，后級(jí)多路復(fù)用器56包含一第七P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管160、一第八P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管162、一第九P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管164、以及一第十P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管166。第七P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管160的源極168是用來(lái)輸入信號(hào)(如現(xiàn)有的雙向移位寄存器10的反向輸入端INPUT_BW)，柵極170是用來(lái)接收反向時(shí)鐘XCK；第八P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管162的源極174是耦接于第七P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管160的漏極172，柵極176是用來(lái)接收反向控制信號(hào)BW_control；第九P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管164的漏極184是耦接于第八P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管162的漏極178，柵極182是用來(lái)接收正向控制信號(hào)FW_control；第十P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管166的漏極190是耦接于第九P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管164的源極180，柵極188是用來(lái)接收反向時(shí)鐘XCK，源極186是耦接于前級(jí)全振幅移位寄存器54的第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管92的漏極34。
在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，后級(jí)全振幅移位寄存器58是包含一第十一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管192、一第十二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管194、以及一后級(jí)電容196。第十一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管192的柵極132是耦接于第八P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管162的漏極178，源極130是用來(lái)接收正向時(shí)鐘CK，漏極134是耦接于前級(jí)多路復(fù)用器52的第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管66的源極86；第十二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管194的源極136是耦接于第十一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管192的漏極134，柵極138是耦接于第七P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管160的柵極170，漏極140是用來(lái)耦接于第一電壓源Vdd；后級(jí)電容196的第一端142是耦接于第十一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管192的柵極132，第二端144是接地。
雙向移位寄存器50的運(yùn)作過(guò)程略述如后當(dāng)正向控制信號(hào)FW_control該邏輯低電壓時(shí)，相應(yīng)地，反向控制信號(hào)BW_control為該邏輯高電壓時(shí)，如圖5所示，前級(jí)多路復(fù)用器52的第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管64及后級(jí)多路復(fù)用器56的第八P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管162是不導(dǎo)通的，而前級(jí)多路復(fù)用器52的第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管62及后級(jí)多路復(fù)用器56的第九P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管164是導(dǎo)通的，等效上，前級(jí)多路復(fù)用器52的第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管66的源極86是未耦接于后級(jí)全振幅移位寄存器58的第十一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管192的漏極134，如此一來(lái)，輸入于雙向移位寄存器50的正向輸入端INPUT_FW(也就是前級(jí)多路復(fù)用器52的第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管60的源極68)上的信號(hào)便可先于反向時(shí)鐘XCK為該邏輯低電壓時(shí)，到達(dá)前級(jí)全振幅移位寄存器54的前級(jí)輸出端98，再于正向時(shí)鐘CK為該邏輯低電壓時(shí)，到達(dá)后級(jí)全振幅移位寄存器58的后級(jí)輸出端198，以于一個(gè)完整的正向時(shí)鐘CK(或反向時(shí)鐘XCK)內(nèi)正向地由正向輸入端INPUT_FW被傳送至正向輸出端OUTPUT_FW；另一方面，當(dāng)正向控制信號(hào)FW_control該邏輯高電壓時(shí)，相應(yīng)地，反向控制信號(hào)BW_control為該邏輯低電壓時(shí)，如圖6所示，前級(jí)多路復(fù)用器52的第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管62及后級(jí)多路復(fù)用器56的第九P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管164是不導(dǎo)通的，而前級(jí)多路復(fù)用器52的第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管64及后級(jí)多路復(fù)用器56的第八P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管162是導(dǎo)通的，等效上，后級(jí)多路復(fù)用器56的第十P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管166的源極186是未耦接于前級(jí)全振幅移位寄存器52的第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管92的漏極34，如此一來(lái)，輸入于雙向移位寄存器50的反向輸入端INPUT_BW(也就是后級(jí)多路復(fù)用器56的第七P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管160的源極168)上的信號(hào)便可先于反向時(shí)鐘XCK為該邏輯低電壓時(shí)，到達(dá)后級(jí)全振幅移位寄存器58的后級(jí)輸出端198，再于正向時(shí)鐘CK為該邏輯低電壓時(shí)，到達(dá)前級(jí)全振幅移位寄存器54的前級(jí)輸出端98，以在一個(gè)完整的正向時(shí)鐘CK(或反向時(shí)鐘XCK)反向地由反向輸入端INPUT_BW被傳送至反向輸出端OUTPUT_BW。
在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，雙向移位寄存器50內(nèi)所包含的晶體管皆為P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，然而，本發(fā)明的雙向移位寄存器內(nèi)也可皆包含N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。此外，雙向移位寄存器50內(nèi)任一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管皆可視為一開(kāi)關(guān)，該開(kāi)關(guān)是受控于該P(yáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵極所接收的信號(hào)。舉例來(lái)說(shuō)，第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管60可視為一開(kāi)關(guān)，而該開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通或不導(dǎo)通是受控于第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管60的柵極70所接收的正向時(shí)鐘CK。最后，在前級(jí)全振幅移位寄存器54中(后級(jí)全振幅移位寄存器58亦同)，前級(jí)電容96的設(shè)置，可使前級(jí)輸出端98輸出全振幅的信號(hào)。
請(qǐng)參閱圖7，圖7為本發(fā)明的第二實(shí)施例中一內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器250的電路圖。雙向移位寄存器250包含前級(jí)多路復(fù)用器52、一前級(jí)全振幅移位寄存器254、后級(jí)多路復(fù)用器56、以及一后級(jí)全振幅移位寄存器258。
在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，前級(jí)全振幅移位寄存器254除了第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管92、第六P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管94、及前級(jí)電容96外，另包含一第十三P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管252，其源極260是耦接于前級(jí)多路復(fù)用器52的第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管62的漏極78，柵極262是耦接于第六P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管94的柵極38，漏極264是耦接于第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管92的柵極32。由于第十三P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管252的柵極262是耦接于前級(jí)多路復(fù)用器52的第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管60的柵極70(因?yàn)榈谝籔型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管60的柵極70是耦接于第六P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管94的柵極38)，所以，第十三P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管252與第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管60是同時(shí)導(dǎo)通及不導(dǎo)通的。換言之，在雙向移位寄存器250中，輸入于前級(jí)多路復(fù)用器52的第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管60的源極68上的信號(hào)，仍可于正向時(shí)鐘CK為該邏輯低電壓時(shí)(此時(shí)，第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管60及第十三P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管252皆為導(dǎo)通的)，到達(dá)第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管92的漏極34，絲毫不會(huì)受到第十三P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管252的額外設(shè)置，而受到影響。
在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，后級(jí)全振幅移位寄存器258除了第十一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管192、第十二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管194、及后級(jí)電容196外，另包含一第十五P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管256，其源極266是耦接于后級(jí)多路復(fù)用器56的第九P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管164的漏極184，柵極268是用來(lái)耦接于一第二電壓源Vss，漏極270是耦接于第十一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管192的柵極132。由于第二電壓源Vss使第十五P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管256恒處于導(dǎo)通的狀態(tài)，所以，第十五P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管256的額外設(shè)置，絲毫不會(huì)影響到后級(jí)多路復(fù)用器56的第九P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管164的漏極164上的信號(hào)，到達(dá)第十一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管192的柵極132。
請(qǐng)參閱圖8，圖8為本發(fā)明的第三實(shí)施例中一內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器350的電路圖。雙向移位寄存器350包含一前級(jí)多路復(fù)用器352、前級(jí)全振幅移位寄存器54、一后級(jí)多路復(fù)用器356、以及后級(jí)全振幅移位寄存器58。
在本發(fā)明的第三實(shí)施例中，前級(jí)多路復(fù)用器352是包含雙向移位寄存器50的前級(jí)多路復(fù)用器52中的第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管62及第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管64，但不包含第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管60及第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管66，取而代之的是一第十四P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管354。
前級(jí)多路復(fù)用器352的第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管62的源極68是用來(lái)輸入信號(hào)，以取代前級(jí)多路復(fù)用器52的第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管60；第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管64的源極80是耦接于后級(jí)全振幅移位寄存器58的后極輸出端198，以取代第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管66；第十四P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管354的源極360是耦接于第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管62的漏極78，柵極362是接地K，漏極364是耦接于第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管92的柵極32。由于第十四P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管354的柵極362是接地，所以，第十四P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管354是恒導(dǎo)通的。
在本發(fā)明的第三實(shí)施例中，后級(jí)多路復(fù)用器356是包含雙向移位寄存器50的后級(jí)多路復(fù)用器56中的第八P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管162及第九P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管164，但不包含第七P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管160及第十P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管166，取而代之的是一第十六P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管358。
后級(jí)多路復(fù)用器356的第八P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管162的源極174是用來(lái)輸入信號(hào)，以取代后級(jí)多路復(fù)用器56的第七P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管160；第九P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管164的源極180是耦接于前級(jí)全振幅移位寄存器54的前極輸出端98，以取代第十P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管166；第十六P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管358的源極366是耦接于第八P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管162的漏極178，柵極368是接地XCK，漏極370是耦接于第十一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管192的柵極132。由于第十六P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管358的柵極368是接地，所以，第十六P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管358是恒導(dǎo)通的。
第三實(shí)施例中的雙向移位寄存器350的運(yùn)作方式是相似于第一實(shí)施例中的雙向移位寄存器50的運(yùn)作方式，茲不贅述。
前已言之，雙向移位寄存器50(當(dāng)然亦包括雙向移位寄存器250、350)內(nèi)任一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管皆可視為一開(kāi)關(guān)，該開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通或不導(dǎo)通是受控于該P(yáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵極所接收的信號(hào)。請(qǐng)參閱圖9，圖9為本發(fā)明的第四實(shí)施例中一雙向移位寄存器450的電路圖。雙向移位寄存器450包含一前級(jí)多路復(fù)用器452、前級(jí)全振幅移位寄存器54、一后級(jí)多路復(fù)用器456、以及后級(jí)全振幅移位寄存器58。
在本發(fā)明的第四實(shí)施例中，前級(jí)多路復(fù)用器452是包含一第一開(kāi)關(guān)454、一第二開(kāi)關(guān)458、一第三開(kāi)關(guān)460、一第四開(kāi)關(guān)462、一第五開(kāi)關(guān)464、以及一第六開(kāi)關(guān)466，其中，第一開(kāi)關(guān)454及第五開(kāi)關(guān)464的導(dǎo)通或不導(dǎo)通是受控于正向控制信號(hào)FW_control，第二開(kāi)關(guān)458及第四開(kāi)關(guān)464的導(dǎo)通或不導(dǎo)通是受控于反向控制信號(hào)BW_control，第三開(kāi)關(guān)460的導(dǎo)通或不導(dǎo)通是分別受控于第一開(kāi)關(guān)454在導(dǎo)通時(shí)所傳送的正向時(shí)鐘CK及第二開(kāi)關(guān)458在導(dǎo)通時(shí)所傳送的禁止信號(hào)Disable，而第六開(kāi)關(guān)466的導(dǎo)通或不導(dǎo)通是分別受控于第四開(kāi)關(guān)462在導(dǎo)通時(shí)所傳送的正向時(shí)鐘CK及第五開(kāi)關(guān)464在導(dǎo)通時(shí)所傳送的禁止信號(hào)Disable，當(dāng)?shù)谌_(kāi)關(guān)460及第六開(kāi)關(guān)466受控于禁止信號(hào)Disable時(shí)，是皆不導(dǎo)通的。
雙向移位寄存器450的前級(jí)多路復(fù)用器452的運(yùn)作過(guò)程說(shuō)明如后當(dāng)正向控制信號(hào)FW_control為使能(enable)時(shí)，相當(dāng)于雙向移位寄存器50中的正向控制信號(hào)FW_control為該邏輯低電壓時(shí)，相應(yīng)地，反向控制信號(hào)BW_control為禁止時(shí)，相當(dāng)于雙向移位寄存器50中的反向控制信號(hào)BW_control為該邏輯高電壓時(shí)，第一開(kāi)關(guān)454及第五開(kāi)關(guān)464是導(dǎo)通的，而第二開(kāi)關(guān)458及第四開(kāi)關(guān)462是不導(dǎo)通的，如此一來(lái)，第三開(kāi)關(guān)460在正向時(shí)鐘CK等于該邏輯低電壓時(shí)是導(dǎo)通的，所以，輸入于前級(jí)多路復(fù)用器452的正向輸入端468的信號(hào)，便可經(jīng)由導(dǎo)通的第三開(kāi)關(guān)460，到達(dá)前級(jí)全振幅移位寄存器54，反之，由于第六開(kāi)關(guān)466是恒不導(dǎo)通的，所以，輸入于前級(jí)多路復(fù)用器452的反向輸入端470的信號(hào)(其是由后級(jí)全振幅移位寄存器58的后級(jí)輸出端198所傳來(lái)的)，便無(wú)法到達(dá)前級(jí)全振幅移位寄存器54；另一方面，當(dāng)正向控制信號(hào)FW_control為禁止時(shí)，相應(yīng)地，反向控制信號(hào)BW_control為使能時(shí)，第一開(kāi)關(guān)454及第五開(kāi)關(guān)464是不導(dǎo)通的，而第二開(kāi)關(guān)458及第四開(kāi)關(guān)462是導(dǎo)通的，如此一來(lái)，輸入于前級(jí)多路復(fù)用器452的正向輸入端468的信號(hào)，便無(wú)法到達(dá)前級(jí)全振幅移位寄存器54，因?yàn)榈谌_(kāi)關(guān)460是恒不導(dǎo)通的，反之，輸入于前級(jí)多路復(fù)用器452的反向輸入端470的信號(hào)，便可經(jīng)由導(dǎo)通的第六開(kāi)關(guān)466，到達(dá)前級(jí)全振幅移位寄存器54。
在本發(fā)明的第四實(shí)施例中，后級(jí)多路復(fù)用器456的結(jié)構(gòu)及運(yùn)作方式是相似于前級(jí)多路復(fù)用器452的結(jié)構(gòu)及運(yùn)作方式，茲不贅述。但需注意的是，前級(jí)多路復(fù)用器452的第一開(kāi)關(guān)454及第四開(kāi)關(guān)462是接收正向時(shí)鐘CK，然而后級(jí)多路復(fù)用器456中對(duì)應(yīng)于前級(jí)多路復(fù)用器452的第一開(kāi)關(guān)454及第四開(kāi)關(guān)462的開(kāi)關(guān)是接收反向時(shí)鐘XCK。
請(qǐng)參閱圖10，圖10為本發(fā)明的第五實(shí)施例中一雙向移位寄存器550的電路圖。雙向移位寄存器550包含一正向多路復(fù)用器552、一反向多路復(fù)用器554、以及多組相互串接的移位寄存器組556、558、560、562。每一移位寄存器組皆包含一多路復(fù)用器、以及一全振幅移位寄存器。舉例來(lái)說(shuō)，移位寄存器組556包含一多路復(fù)用器564、及一全振幅移位寄存器566。
在本發(fā)明的第五實(shí)施例中，正向多路復(fù)用器552及反向多路復(fù)用器554皆包含一正向信號(hào)端568、一反向信號(hào)端570、一時(shí)鐘端572、一第一輸出端574、以及一第二輸出端576，用來(lái)依據(jù)輸入于正向信號(hào)端568的正向控制信號(hào)FW_control、輸入于反向信號(hào)端570的反向控制信號(hào)BW_control、及輸入于時(shí)鐘端572的時(shí)鐘(對(duì)于正向多路復(fù)用器552而言，該時(shí)鐘為正向時(shí)鐘CK，對(duì)于反向多路復(fù)用器554而言，該時(shí)鐘為反向時(shí)鐘XCK)，在第一輸出端574及第二輸出端576，分別輸出正向控制信號(hào)FW_control及反向控制信號(hào)BW_control。多路復(fù)用器564包含一耦接于正向多路復(fù)用器552的第一輸出端574的第一輸入端578、一耦接于第二輸出端576的第二輸入端580、一正向輸入端582、一反向輸入端584、以及一輸出端586，其中，正向輸入端582是用來(lái)接收多路復(fù)用器564所在的全振幅移位寄存器組556的前一級(jí)全振幅移位寄存器組所傳來(lái)的信號(hào)，反向輸入端584是用來(lái)接收全振幅移位寄存器558所傳來(lái)的信號(hào)，也就是用來(lái)接收全振幅移位寄存器組556的后一級(jí)全振幅移位寄存器組所傳來(lái)的信號(hào)，而輸出端586是用來(lái)依據(jù)第一輸入端578及第二輸入端580所接收的時(shí)鐘，選擇性地將正向輸入端582或反向輸入端584所接收的信號(hào)，傳送至全振幅移位寄存器組558或全振幅移位寄存器組556的前一級(jí)全振幅移位寄存器。
請(qǐng)參閱圖11，圖11為正向多路復(fù)用器552(反向多路復(fù)用器554亦同)的電路圖。正向多路復(fù)用器552包含第一開(kāi)關(guān)454、第二開(kāi)關(guān)458、第四開(kāi)關(guān)462、及第五開(kāi)關(guān)464。相同于雙向移位寄存器450的前級(jí)多路復(fù)用器452中的第一開(kāi)關(guān)454及第五開(kāi)關(guān)464，正向多路復(fù)用器552中的第一開(kāi)關(guān)454及第五開(kāi)關(guān)464的導(dǎo)通或不導(dǎo)通亦是受控于正向控制信號(hào)FW_control，此外，相同于雙向移位寄存器450的前級(jí)多路復(fù)用器452中的第二開(kāi)關(guān)458及第四開(kāi)關(guān)462，正向多路復(fù)用器552中的第二開(kāi)關(guān)458及第四開(kāi)關(guān)462的導(dǎo)通或不導(dǎo)通亦是受控于反向控制信號(hào)BW_control。
請(qǐng)參閱圖12，圖12為多路復(fù)用器564的電路圖。多路復(fù)用器564包含第三開(kāi)關(guān)460、以及第六開(kāi)關(guān)466。相同于雙向移位寄存器450的前級(jí)多路復(fù)用器452中的第三開(kāi)關(guān)460及第六開(kāi)關(guān)466，多路復(fù)用器564中的第三開(kāi)關(guān)460及第六開(kāi)關(guān)466的導(dǎo)通或不導(dǎo)通亦是分別受控于第一開(kāi)關(guān)454及第四開(kāi)關(guān)462在導(dǎo)通時(shí)所傳送的正向時(shí)鐘CK。
由于雙向移位寄存器550的結(jié)構(gòu)是相同于顯示于圖9的雙向移位寄存器450的結(jié)構(gòu)，具體言之，雙向移位寄存器550中的正向多路復(fù)用器552及多路復(fù)用器562等效上是等同于雙向移位寄存器450中的前級(jí)多路復(fù)用器452，而雙向移位寄存器550中的反向多路復(fù)用器554及全振幅移位寄存器組558中的多路復(fù)用器588等效上是等同于雙向移位寄存器450中的后級(jí)多路復(fù)用器456，所以，雙向移位寄存器550中的運(yùn)作方式是相同于顯示于雙向移位寄存器450的運(yùn)作方式，茲不贅述。
相較于先前技術(shù)，本發(fā)明的雙向移位寄存器內(nèi)是包含同型態(tài)的晶體管，如此一來(lái)，在制作該雙向移位寄存器的過(guò)程中，僅需要使用到一組光掩膜，間接地，降低了該雙向移位寄存器的制作成本。此外，本發(fā)明可將現(xiàn)行SCANDRIVER及SOURCE DRIVER移位寄存器電路輕易地實(shí)現(xiàn)于玻璃基板上，該等移位寄存器是具備方向切換功能，也就是可正反掃描。最后，本發(fā)明另可應(yīng)用于各種主動(dòng)矩陣式平面顯示器上，例如像是AMLCD、及AMOLED等。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器，其包含一前級(jí)多路復(fù)用器，其包含一第一晶體管，其源極是用來(lái)輸入信號(hào)，柵極是用來(lái)接收一正向時(shí)鐘；一第二晶體管，其源極是耦接于該第一晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收一正向控制信號(hào)，該第二晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；一第三晶體管，其漏極是耦接于該第二晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收一反向控制信號(hào)，該第三晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；以及一第四晶體管，其漏極是耦接于該第三晶體管的源極，柵極是用來(lái)接收該正向時(shí)鐘，該第四晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；一前級(jí)全振幅移位寄存器，其包含一第五晶體管，其柵極是耦接于該第二晶體管的漏極，源極是用來(lái)接收一反向時(shí)鐘，該第五晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；一第六晶體管，其源極是耦接于該第五晶體管的漏極，柵極是耦接于該第一晶體管的柵極，漏極是用來(lái)耦接于一第一電壓源，該第六晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；以及一前級(jí)電容，其第一端是耦接于該第五晶體管的柵極，第二端是接地；一后級(jí)多路復(fù)用器，其包含一第七晶體管，其源極是用來(lái)輸入信號(hào)，柵極是用來(lái)接收該反向時(shí)鐘，該第七晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；一第八晶體管，其源極是耦接于該第七晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收該反向控制信號(hào)，該第八晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；一第九晶體管，其漏極是耦接于該第八晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收該正向控制信號(hào)，該第九晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；以及一第十晶體管，其漏極是耦接于該第九晶體管的源極，柵極是用來(lái)接收該反向時(shí)鐘，源極是耦接于該前級(jí)全振幅移位寄存器的第五晶體管的漏極，該第十晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；以及一后級(jí)全振幅移位寄存器，其包含一第十一晶體管，其柵極是耦接于該第八晶體管的漏極，源極是用來(lái)接收該正向時(shí)鐘，漏極是耦接于該前級(jí)多路復(fù)用器的第四晶體管的源極，該第十一晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；一第十二晶體管，其源極是耦接于該第十一晶體管的漏極，柵極是耦接于該第七晶體管的柵極，漏極是用來(lái)耦接于該第一電壓源，該第十二晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；以及一后級(jí)電容，其第一端是耦接于該第十一晶體管的柵極，第二端是接地。
2.如請(qǐng)求項(xiàng)1所述的雙向移位寄存器，其中，該前級(jí)全振幅移位寄存器另包含一第十三晶體管，其源極是耦接于該第二晶體管的漏極，柵極是耦接于該第六晶體管的柵極，漏極是耦接于該第五晶體管的柵極，該第十三晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)。
3.如請(qǐng)求項(xiàng)1所述的雙向移位寄存器，其中，該后級(jí)全振幅移位寄存器另包含一第十四晶體管，其源極是耦接于該第八晶體管的漏極，柵極是耦接于該第十二晶體管的柵極，漏極是耦接于該第十一晶體管的柵極，該第十四晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)。
4.如請(qǐng)求項(xiàng)1所述的雙向移位寄存器，其中，該前級(jí)全振幅移位寄存器另包含一第十五晶體管，其源極是耦接于該第二晶體管的漏極，柵極是用來(lái)耦接于一第二電壓源，漏極是耦接于該第五晶體管的柵極，該第十五晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)。
5.如請(qǐng)求項(xiàng)1所述的雙向移位寄存器，其中，該后級(jí)全振幅移位寄存器另包含一第十六晶體管，其源極是耦接于該第八晶體管的漏極，柵極是用來(lái)耦接于一第二電壓源，漏極是耦接于該第十一晶體管的柵極，該第十六晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)。
6.一種內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器，其包含一前級(jí)多路復(fù)用器，其包含一第二晶體管，其源極是用來(lái)輸入信號(hào)，柵極是用來(lái)接收一正向控制信號(hào)；一第三晶體管，其漏極是耦接于該第二晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收一反向控制信號(hào)，該第三晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)；以及一第四晶體管，其源極是耦接于該第三晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收一正向時(shí)鐘，該第四晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)；一前級(jí)全振幅移位寄存器，其包含一第五晶體管，其柵極是耦接于該第四晶體管的漏極，源極是用來(lái)接收一反向時(shí)鐘，該第五晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)；一第六晶體管，其源極是耦接于該第五晶體管的漏極，柵極是耦接于該第四晶體管的柵極，漏極是用來(lái)耦接于一第一電壓源，該第六晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；以及一前級(jí)電容，其第一端是耦接于該第五晶體管的柵極，第二端是接地；一后級(jí)多路復(fù)用器，其包含一第八晶體管，其源極是用來(lái)輸入信號(hào)，柵極是用來(lái)接收該反向控制信號(hào)，該第八晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)；一第九晶體管，其漏極是耦接于該第八晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收該正向控制信號(hào)，源極是耦接于該前級(jí)全振幅移位寄存器的第五晶體管的漏極，該第九晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)；以及一第十晶體管，其源極是耦接于該第九晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收該反向時(shí)鐘，該第十晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)；以及一后級(jí)全振幅移位寄存器，其包含一第一晶體管，其柵極是耦接于該第十晶體管的漏極，源極是用來(lái)接收該正向時(shí)鐘，該第一晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)；一第七晶體管，其源極是耦接于該第一晶體管的漏極，柵極是耦接于該第十晶體管的柵極，漏極是用來(lái)耦接于該第一電壓源，該第七晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)；以及一后級(jí)電容，其第一端是耦接于該第一晶體管的柵極，第二端是接地。
7.如請(qǐng)求項(xiàng)6所述的雙向移位寄存器，其中，該前級(jí)全振幅移位寄存器另包含一第十一晶體管，其源極是耦接于該第二晶體管的漏極，柵極是耦接于該第六晶體管的柵極，漏極是耦接于該第五晶體管的柵極，該第十一晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)。
8.如請(qǐng)求項(xiàng)6所述的雙向移位寄存器，其中，該后級(jí)全振幅移位寄存器另包含一第十二晶體管，其源極是耦接于該第八晶體管的漏極，柵極是耦接于該第七晶體管的柵極，漏極是耦接于該第一晶體管的柵極，該第十二晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)。
9.如請(qǐng)求項(xiàng)6所述的雙向移位寄存器，其中，該前級(jí)全振幅移位寄存器另包含一第十三晶體管，其源極是耦接于該第二晶體管的漏極，柵極是用來(lái)耦接于一第二電壓源，漏極是耦接于該第五晶體管的柵極，該第十三晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)。
10.如請(qǐng)求項(xiàng)6所述的雙向移位寄存器，其中，該后級(jí)全振幅移位寄存器另包含一第十四晶體管，其源極是耦接于該第八晶體管的漏極，柵極是用來(lái)耦接于一第二電壓源，漏極是耦接于該第一晶體管的柵極，該第十四晶體管的型態(tài)是相同于該第二晶體管的型態(tài)。
11.一種內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器，其包含一前級(jí)多路復(fù)用器，其包含一第一開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入一正向時(shí)鐘，該第一開(kāi)關(guān)是受控于一正向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的正向時(shí)鐘傳送至該第一開(kāi)關(guān)的第二端；一第二開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入一禁止信號(hào)，第二端是耦接于該第一開(kāi)關(guān)的第二端，該第二開(kāi)關(guān)是受控于一反向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的禁止信號(hào)傳送至該第二開(kāi)關(guān)的第二端，該第二開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一第三開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入信號(hào)，該第三開(kāi)關(guān)是受控于該第一開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的正向時(shí)鐘及該第二開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的禁止信號(hào)，以將輸入于該第一端的信號(hào)傳送至該第三開(kāi)關(guān)的第二端，該第三開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一第四開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入該正向時(shí)鐘，該第四開(kāi)關(guān)是受控于該反向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的正向時(shí)鐘傳送至該第四開(kāi)關(guān)的第二端，該第四開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一第五開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入該禁止信號(hào)，第二端是耦接于該第四開(kāi)關(guān)的第二端，該第五開(kāi)關(guān)是受控于該正向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的禁止信號(hào)傳送至該第五開(kāi)關(guān)的第二端，該第五開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；以及一第六開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入信號(hào)，第二端是耦接于該第三開(kāi)關(guān)的第二端，該第六開(kāi)關(guān)是受控于該第四開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的正向時(shí)鐘及該第五開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的禁止信號(hào)，以將輸入于該第一端的信號(hào)傳送至該第六開(kāi)關(guān)的第二端，該第六開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一前級(jí)全振幅移位寄存器，其輸入端是耦接于該前級(jí)多路復(fù)用器的第三開(kāi)關(guān)的第二端，用來(lái)寄存該第三開(kāi)關(guān)及該第六開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送來(lái)的信號(hào)；一后級(jí)多路復(fù)用器，其包含一第七開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入一反向時(shí)鐘，該第七開(kāi)關(guān)是受控于該正向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的反向時(shí)鐘傳送至該第七開(kāi)關(guān)的第二端，該第七開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一第八開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入該禁止信號(hào)，第二端是耦接于該第七開(kāi)關(guān)的第二端，該第八開(kāi)關(guān)是受控于該反向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的禁止信號(hào)傳送至該第八開(kāi)關(guān)的第二端，該第八開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一第九開(kāi)關(guān)，其第一端是耦接于該前級(jí)全振幅移位寄存器的輸出端，該第九開(kāi)關(guān)是受控于該第七開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的反向時(shí)鐘及該第八開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的禁止信號(hào)，以將輸入于該第一端的信號(hào)傳送至該第九開(kāi)關(guān)的第二端，該第九開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一第十開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入該反向時(shí)鐘，該第十開(kāi)關(guān)是受控于該反向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的反向時(shí)鐘傳送至該第十開(kāi)關(guān)的第二端，該第十開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；一第十一開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入該禁止信號(hào)，第二端是耦接于該第十開(kāi)關(guān)的第二端，該第十一開(kāi)關(guān)是受控于該正向控制信號(hào)，以將輸入于該第一端的禁止信號(hào)傳送至該第十一開(kāi)關(guān)的第二端，該第十一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；以及一第十二開(kāi)關(guān)，其第一端是用來(lái)輸入信號(hào)，第二端是耦接于該第九開(kāi)關(guān)的第二端，該第十二開(kāi)關(guān)是受控于該第十開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的反向時(shí)鐘及該第十一開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送的禁止信號(hào)，以將輸入于該第一端的信號(hào)傳送至該第十二開(kāi)關(guān)的第二端，該第十二開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)是相同于該第一開(kāi)關(guān)內(nèi)所包含的晶體管的型態(tài)；以及一后級(jí)全振幅移位寄存器，其輸入端是耦接于該后級(jí)多路復(fù)用器的第九開(kāi)關(guān)的第二端，輸出端是耦接于該前級(jí)多路復(fù)用器的第六開(kāi)關(guān)的第一端，該后級(jí)全振幅移位寄存器是用來(lái)寄存該第九開(kāi)關(guān)及該第十二開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通時(shí)所傳送來(lái)的信號(hào)。
12.一種內(nèi)含單一型態(tài)晶體管的雙向移位寄存器，其包含一前級(jí)多路復(fù)用器，用來(lái)接收一正向時(shí)鐘、一正向控制信號(hào)、一反向控制信號(hào)、一前級(jí)正向輸入信號(hào)及一前級(jí)反向輸入信號(hào)，并用來(lái)依據(jù)該正向時(shí)鐘、該正向控制信號(hào)及該反向控制信號(hào)選擇性地輸出該前級(jí)正向輸入信號(hào)或該前級(jí)反向輸入信號(hào)；一前級(jí)全振幅移位寄存器，用來(lái)接收該正向時(shí)鐘、一反向時(shí)鐘及該前級(jí)多路復(fù)用器所輸出的該前級(jí)正向輸入信號(hào)或該前級(jí)反向輸入信號(hào)，并用來(lái)依據(jù)該正向時(shí)鐘及該反向時(shí)鐘輸出所接收的該前級(jí)正向輸入信號(hào)或該前級(jí)反向輸入信號(hào)；一后級(jí)多路復(fù)用器，用來(lái)接收該正向時(shí)鐘、該正向控制信號(hào)、該反向控制信號(hào)、一后級(jí)正向輸入信號(hào)及一后級(jí)反向輸入信號(hào)，并用來(lái)依據(jù)該正向時(shí)鐘、該正向控制信號(hào)及該反向控制信號(hào)選擇性地輸出該后級(jí)正向輸入信號(hào)或該后級(jí)反向輸入信號(hào)；以及一后級(jí)全振幅移位寄存器，用來(lái)接收該正向時(shí)鐘、該反向時(shí)鐘及該后級(jí)多路復(fù)用器所輸出的該后級(jí)正向輸入信號(hào)或該后級(jí)反向輸入信號(hào)，并用來(lái)依據(jù)該正向時(shí)鐘及該反向時(shí)鐘輸出所接收的該后級(jí)正向輸入信號(hào)或該后級(jí)反向輸入信號(hào)；其中，該前級(jí)全振幅移位寄存器所輸出的該前級(jí)正向輸入信號(hào)或該前級(jí)反向輸入信號(hào)作為該后級(jí)正向輸入信號(hào)，而該后級(jí)全振幅移位寄存器所輸出的該后級(jí)正向輸入信號(hào)或該后級(jí)反向輸入信號(hào)作為該前級(jí)反向輸入信號(hào)。
13.如請(qǐng)求項(xiàng)12所述的雙向移位寄存器，其中，該前級(jí)多路復(fù)用器包含一第一晶體管，其源極是用來(lái)接收該前級(jí)正向輸入信號(hào)，柵極是用來(lái)接收該正向時(shí)鐘；一第二晶體管，其源極是耦接于該第一晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收該正向控制信號(hào)，該第二晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；一第三晶體管，其漏極是耦接于該第二晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收該反向控制信號(hào)，該第三晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)；以及一第四晶體管，其漏極是耦接于該第三晶體管的源極，柵極是用來(lái)接收該正向時(shí)鐘，源極是用來(lái)接收該前級(jí)反向輸入信號(hào)，該第四晶體管的型態(tài)是相同于該第一晶體管的型態(tài)。
14.如請(qǐng)求項(xiàng)12所述的雙向移位寄存器，其中，該前級(jí)全振幅移位寄存器包含一第五晶體管，其柵極是用來(lái)接收該前級(jí)多路復(fù)用器所輸出的該前級(jí)正向輸入信號(hào)或該前級(jí)反向輸入信號(hào)，源極是用來(lái)接收該反向時(shí)鐘，漏極是用來(lái)輸出該前級(jí)正向輸入信號(hào)或前級(jí)反向輸入信號(hào)，以作為該后級(jí)正向輸入信號(hào)；一第六晶體管，其源極是耦接于該第五晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收該正向時(shí)鐘，漏極是用來(lái)耦接于一第一電壓源，該第六晶體管的型態(tài)是相同于該第五晶體管的型態(tài)；以及一前級(jí)電容，其第一端是耦接于該第五晶體管的柵極，第二端是接地。
15.如請(qǐng)求項(xiàng)12所述的雙向移位寄存器，其中，該后級(jí)多路復(fù)用器包含一第七晶體管，其源極是用來(lái)接收該后級(jí)反向輸入信號(hào)，柵極是用來(lái)接收該反向時(shí)鐘；一第八晶體管，其源極是耦接于該第七晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收該反向控制信號(hào)，該第八晶體管的型態(tài)是相同于該第七晶體管的型態(tài)；一第九晶體管，其漏極是耦接于該第八晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收該正向控制信號(hào)，該第九晶體管的型態(tài)是相同于該第七晶體管的型態(tài)；以及一第十晶體管，其漏極是耦接于該第九晶體管的源極，柵極是用來(lái)接收該反向時(shí)鐘，源極是用來(lái)接收該前級(jí)全振幅移位寄存器所輸出的前級(jí)正向輸入信號(hào)或前級(jí)反向輸入信號(hào)，該第十晶體管的型態(tài)是相同于該第七晶體管的型態(tài)。
16.如請(qǐng)求項(xiàng)12所述的雙向移位寄存器，其中該后級(jí)全振幅移位寄存器包含一第十一晶體管，其柵極是用來(lái)接收該后級(jí)多路復(fù)用器所輸出的后級(jí)正向輸入信號(hào)或后級(jí)反向輸入信號(hào)，源極是用來(lái)接收該正向時(shí)鐘，漏極是用來(lái)輸出該后級(jí)正向輸入信號(hào)或后級(jí)反向輸入信號(hào)，以作為該前級(jí)反向輸入信號(hào)；一第十二晶體管，其源極是耦接于該第十一晶體管的漏極，柵極是用來(lái)接收該反向時(shí)鐘，漏極是用來(lái)耦接于一第一電壓源，該第十二晶體管的型態(tài)是相同于該第十一晶體管的型態(tài)；以及一后級(jí)電容，其第一端是耦接于該第十一晶體管的柵極，第二端是接地。
17.如請(qǐng)求項(xiàng)14所述的雙向移位寄存器，其中，該前級(jí)全振幅移位寄存器另包含一第十三晶體管，其源極是用來(lái)接收該前級(jí)多路復(fù)用器所輸出的前級(jí)正向輸入信號(hào)或前級(jí)反向輸入信號(hào)，柵極是耦接于該第六晶體管的柵極，漏極是耦接于該第五晶體管的柵極，該第十三晶體管的型態(tài)是相同于該第五晶體管的型態(tài)。
18.如請(qǐng)求項(xiàng)16所述的雙向移位寄存器，其中，該后級(jí)全振幅移位寄存器另包含一第十四晶體管，其源極是用來(lái)接收該后級(jí)多路復(fù)用器所輸出的后級(jí)正向輸入信號(hào)或后級(jí)反向輸入信號(hào)，柵極是耦接于該第十二晶體管的柵極，漏極是耦接于該第十一晶體管的柵極，該第十四晶體管的型態(tài)是相同于該第十一晶體管的型態(tài)。
19.如請(qǐng)求項(xiàng)14所述的雙向移位寄存器，其中，該前級(jí)全振幅移位寄存器另包含一第十五晶體管，其源極是用來(lái)接收該前級(jí)多路復(fù)用器所輸出的前級(jí)正向輸入信號(hào)或前級(jí)反向輸入信號(hào)，柵極是用來(lái)耦接于一第二電壓源，漏極是耦接于該第五晶體管的柵極，該第十五晶體管的型態(tài)是相同于該第五晶體管的型態(tài)。
20.如請(qǐng)求項(xiàng)16所述的雙向移位寄存器，其中，該后級(jí)全振幅移位寄存器另包含一第十六晶體管，其源極是用來(lái)接收該后級(jí)多路復(fù)用器所輸出的后級(jí)正向輸入信號(hào)或后級(jí)反向輸入信號(hào)，柵極是用來(lái)耦接于一第二電壓源，漏極是耦接于該第十一晶體管的柵極，該第十六晶體管的型態(tài)是相同于該第十一晶體管的型態(tài)。
全文摘要
雙向移位寄存器包含一前級(jí)多路復(fù)用器、一前級(jí)全振幅移位寄存器、一后級(jí)多路復(fù)用器、以及一后級(jí)全振幅移位寄存器，該前級(jí)多路復(fù)用器、該前級(jí)全振幅移位寄存器、該后級(jí)多路復(fù)用器、以及該后級(jí)全振幅移位寄存器內(nèi)所包含的晶體管皆屬同一型態(tài)。該前級(jí)多路復(fù)用器及該后級(jí)多路復(fù)用器是用來(lái)依據(jù)一正向時(shí)鐘、一反向時(shí)鐘、一正向控制信號(hào)、以及一反向控制信號(hào)，選擇性地輸出信號(hào)，而該前級(jí)全振幅移位寄存器及該后級(jí)全振幅移位寄存器是分別用來(lái)寄存該前級(jí)多路復(fù)用器及該后級(jí)多路復(fù)用器輸出的信號(hào)。
文檔編號(hào)G11C19/28GK101017709SQ20061000711
公開(kāi)日2007年8月15日 申請(qǐng)日期2006年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月9日
發(fā)明者曾名駿, 郭鴻儒, 黃建翔 申請(qǐng)人:奇晶光電股份有限公司, 奇美電子股份有限公司