專(zhuān)利名稱(chēng)：一種用于探測(cè)磁頭浮動(dòng)塊－磁盤(pán)沖突的集成磨損墊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及了磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中的磁換能器(transducer)的制作，具體而言，涉及了提高換能器的氣承表面(ABS，Air-Bearing-Surface)在磁盤(pán)表面上方的懸置高度的可靠性的一種方法。
背景技術(shù)：
在磁記錄磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，至少具有一磁換能器，該換能器包括一讀磁頭和一寫(xiě)磁頭，它們被結(jié)合在一磁頭浮動(dòng)塊(slider)中。這樣的一個(gè)磁換能器和與它相關(guān)聯(lián)的磁盤(pán)在圖1a示出。在該圖中，換能器(10)的下表面與磁頭浮動(dòng)塊(30)的一光滑表面共面并被包含在該光滑表面之內(nèi)，該光滑表面被稱(chēng)作氣承表面。注意，磁頭浮動(dòng)塊被安裝在一磁頭-萬(wàn)向接頭組件(50)上，它在圖1a中以高度示意的形式被示出。在包括多個(gè)磁頭浮動(dòng)塊和磁盤(pán)的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，圖1a示出的系統(tǒng)在豎直方向上重復(fù)，如(現(xiàn)有技術(shù))圖1b所示。
在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的工作過(guò)程中，磁頭浮動(dòng)塊精確地懸置在快速旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)表面上方，被空氣流懸浮在磁盤(pán)表面上方的一“懸置高度”處。磁頭浮動(dòng)塊后邊緣(45)，即給定的磁盤(pán)部分最后經(jīng)過(guò)的邊緣，與磁盤(pán)表面非常接近，以10納米(nm)的量級(jí)被懸浮。磁頭浮動(dòng)塊的前邊緣(47)，即給定的磁盤(pán)部分最先經(jīng)過(guò)的邊緣，顯著更高，量級(jí)在100納米。盡管低懸置高度是實(shí)現(xiàn)換能器的高磁分辨率所希望的，但是它會(huì)對(duì)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的可靠性有很顯著的負(fù)面影響。具體而言，低懸置高度造成磁頭浮動(dòng)塊和磁盤(pán)之間發(fā)生頻繁且嚴(yán)重的沖突，損害了換能器和ABS。
為最大化低懸置高度的益處，換能器被安裝成非常靠近磁頭浮動(dòng)塊后邊緣。在典型的晶片制作處理中，換能器被定位成距離經(jīng)拋光的晶片表面的頂部大約20微米。當(dāng)這樣的晶片被切割成磁頭浮動(dòng)塊時(shí)，換能器距離磁頭浮動(dòng)塊的后邊緣大約20微米。由于磁頭浮動(dòng)塊ABS的典型傾斜角(ABS相對(duì)于磁盤(pán)表面的角度)在100和350微弧度之間，所以對(duì)應(yīng)20微米的換能器-后邊緣距離的懸置高度差在2至7納米之間。當(dāng)希望得到的懸置高度本身在10納米量級(jí)時(shí)，這是一個(gè)非常大的差值。
因?yàn)樵谥谱鞯倪^(guò)程中很難將換能器移至與后邊緣更靠近，所以通過(guò)下面的方法有效地將后邊緣移至與換能器更靠近。在現(xiàn)有技術(shù)中，磁頭浮動(dòng)塊ABS在換能器和磁頭浮動(dòng)塊后邊緣之間的部分在磁頭浮動(dòng)塊制作過(guò)程中利用刻蝕或者其他手段被凹入。這樣，最低的懸置高度不再位于磁頭浮動(dòng)塊的實(shí)際物理邊緣處，而是現(xiàn)在處于凹入?yún)^(qū)域的邊緣處。該凹入被使得更靠近換能器，靠近的量在5微米的量級(jí)上。
參照現(xiàn)有技術(shù)圖2a，其示出了ABS的示意圖，其中一橫向定向的換能器(10)出現(xiàn)在磁頭浮動(dòng)塊ABS上，該圖示出了換能器相對(duì)于磁頭浮動(dòng)塊的橫向后邊緣(45)的位置。磁頭浮動(dòng)塊ABS的包括換能器ABS的部分(20)由鋁形成，磁頭浮動(dòng)塊在換能器上方的部分(13)(被簡(jiǎn)略示出)由碳鈦化鋁(AlTiC)形成。整個(gè)圖表示單一平面表面。
參照?qǐng)D2b，其示出了通過(guò)添加一大致矩形的凹入(向圖示的平面內(nèi)凹入)部分(25)而被修改的圖2a的基本結(jié)構(gòu)，該凹入部分具有兩個(gè)橫向邊緣(26)和(27)。為了清晰，凹入部分被以陰影示出，并且它是通過(guò)刻蝕形成的、位于ABS平面的平面表面下方的一大致平面的表面。此處被稱(chēng)作第一邊緣的凹入部分的一橫向邊緣比第二邊緣更靠近換能器(10)，其中第二邊緣也是磁頭浮動(dòng)塊的后邊緣。
表面上，形成一個(gè)凹入?yún)^(qū)域的上述方案似乎使得換能器在不產(chǎn)生負(fù)面效應(yīng)的情況下降低大約2納米(即更靠近磁盤(pán)表面)懸置。實(shí)際上，通過(guò)如上所示的使換能器下游的(即向后邊緣方向的)ABS凹入，換能器在不增加磁盤(pán)上的機(jī)械應(yīng)力的情況下能降低大約2納米懸置。然而，換能器上的機(jī)械應(yīng)力卻增加了，這可以通過(guò)如下的推理來(lái)說(shuō)明。首先，忽略換能器和后邊緣的凹入部分，并認(rèn)為平面的ABS以一正傾斜角懸置。在一個(gè)典型的磁頭浮動(dòng)塊ABS和磁盤(pán)表面之間的沖突中，不論該沖突是因?yàn)榇疟P(pán)的表面粗糙度或者因?yàn)榇疟P(pán)表面上的外來(lái)顆粒引起的，隨著降低懸置高度，機(jī)械應(yīng)力會(huì)單調(diào)升高。這樣，應(yīng)力在ABS的后邊緣處達(dá)到峰值。在ABS包括一換能器表面并且ABS具有一凹入?yún)^(qū)域的時(shí)候，情況也是這樣。這樣，在相同的后邊緣懸置高度的情況下，更靠近ABS后邊緣的換能器就會(huì)承受更大的機(jī)械應(yīng)力。
磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的可靠性受到換能器和磁盤(pán)上的機(jī)械應(yīng)力的影響。最先進(jìn)的GMR(巨磁阻)讀磁頭尤其易受機(jī)械應(yīng)力的影響。這樣，現(xiàn)有技術(shù)中的凹入方法并沒(méi)有象期望的那樣有效地保持驅(qū)動(dòng)器的可靠性。另外，更為復(fù)雜的ABS形狀和設(shè)計(jì)被提出，以試圖緩解低懸置高度的影響，特別是在低懸置高度涉及磁頭浮動(dòng)塊的傾斜和擺動(dòng)的時(shí)候。在這個(gè)方面，Bolsana等人(美國(guó)專(zhuān)利No.5825587)提出了一種有著支撐結(jié)構(gòu)和經(jīng)刻蝕的側(cè)軌的磁頭浮動(dòng)塊，以使磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器工作時(shí)的懸置高度最小化。Park等人(美國(guó)專(zhuān)利No.6477012)提出了一種磁頭浮動(dòng)塊ABS，其上形成有多個(gè)負(fù)壓空氣腔，以實(shí)現(xiàn)磁頭浮動(dòng)塊在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器工作時(shí)的穩(wěn)定的懸置高度。Alexopoulos等人提出了一種ABS接觸表面磁頭浮動(dòng)塊，其中，一可忽略尺寸的磨損墊與磁盤(pán)表面接觸并使磁頭浮動(dòng)塊保持在適當(dāng)?shù)母叨取?br>
本發(fā)明并不針對(duì)具有復(fù)雜空氣動(dòng)力學(xué)表面結(jié)構(gòu)的磁頭浮動(dòng)塊或者通過(guò)磁盤(pán)接觸機(jī)構(gòu)被保持在安裝高度的磁頭浮動(dòng)塊。本發(fā)明針對(duì)的是更為標(biāo)準(zhǔn)和容易制作的磁頭浮動(dòng)塊，其中該磁頭浮動(dòng)塊有著必須懸置在通過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試機(jī)制被保持在給定的容差之內(nèi)的高度的一大致的ABS平面表面。
然后，回到圖2b所示的凹入的后邊緣浮動(dòng)塊，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，后邊緣凹入只會(huì)使平均換能器懸置高度下降一有限的量，它不會(huì)影響懸置高度分布的標(biāo)準(zhǔn)偏差。眾所周知，具有標(biāo)稱(chēng)(平均)懸置高度的磁頭浮動(dòng)塊很少會(huì)失效，但是具有低于平均懸置高度的磁頭浮動(dòng)塊失效的可能大得多。顯然，這種潛在的失效應(yīng)該被發(fā)現(xiàn)到并被排除。
現(xiàn)在，篩選產(chǎn)品磁頭浮動(dòng)塊的懸置高度分布是極為困難的。Wen等人(美國(guó)專(zhuān)利No.6317210)提出了用于測(cè)量懸置高度的光學(xué)裝置的一個(gè)示例。光學(xué)懸置高度測(cè)試器在所感興趣的10納米以及以下的懸置高度范圍是不準(zhǔn)確的。通過(guò)聲波發(fā)射、摩擦或者回讀(readback)信號(hào)調(diào)制實(shí)現(xiàn)的對(duì)磁頭浮動(dòng)塊和磁盤(pán)間沖突的直接探測(cè)只有在沖突比較頻繁而且強(qiáng)烈的情況下才有意義。Stimiman等人(美國(guó)專(zhuān)利No.6665077)提出了用于測(cè)量懸置高度的干涉測(cè)量方法的一個(gè)示例。
以上提及的已有懸置高度或沖突篩選方法都不能完全地排除“低懸置器”。為在生產(chǎn)水平上確保磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的可靠性，必須將標(biāo)稱(chēng)(平均)懸置高度設(shè)置成充分地(例如兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差)高于最小的可接受懸置高度。
人們非常希望能提高沖突探測(cè)方法的靈敏度，以便于標(biāo)稱(chēng)懸置高度可以被設(shè)置得更接近最小可接受的懸置高度。通過(guò)這種方法，換能器的磁分辨率就能在不犧牲磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器可靠性的情況下得到提高。本發(fā)明提供了一種新穎、集成的磨損墊，它能在產(chǎn)品的篩選過(guò)程中放大磁頭浮動(dòng)塊-磁盤(pán)之間的沖突，使得能排除低懸置器，從而使得標(biāo)稱(chēng)懸置高度能被設(shè)置在更低的水平。磨損墊在篩選過(guò)程后很快就磨損掉了，這樣它本身就不會(huì)引起隨后磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器工作過(guò)程中磁頭浮動(dòng)塊-磁盤(pán)之間沖突。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種用于在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器測(cè)試過(guò)程中對(duì)安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器的ABS和其下方運(yùn)動(dòng)著的磁盤(pán)表面之間的沖突進(jìn)行探測(cè)的方法，以便能夠能篩選出懸置高度低于一最小可接受值的磁頭浮動(dòng)塊，以及能夠設(shè)定并監(jiān)視對(duì)于磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的可靠性而言的最小懸置高度閾值。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的方法是形成與磁頭浮動(dòng)塊ABS一體的一犧牲磨損墊，該方法將參照?qǐng)D3a、3b、4a、4b和5被詳細(xì)描述。這個(gè)磨損墊放大了安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器和磁盤(pán)之間的沖突，使得沖突可以被容易的探測(cè)到。磨損墊是從ABS伸出的一小突起(大約2納米)，它提高了與磁盤(pán)表面的不規(guī)則部分、磁盤(pán)粗糙部分或者磁盤(pán)上的異物沖突的閾值。由于該突起具有非常小的體積，所以它能很快的磨損掉而不產(chǎn)生過(guò)多的殘屑。該較小的體積決定了，突起在測(cè)試過(guò)程中能被完全的磨損掉。它可以通過(guò)有意地讓磁頭浮動(dòng)塊以一較低的高度懸置而被磨損掉，或者它可以用一激光束去除。
在第一優(yōu)選實(shí)施例中，該突起是ABS的一狹窄的條狀體，它被允許保留在磁頭浮動(dòng)塊ABS的凹入?yún)^(qū)域內(nèi)。狹窄條狀體縱向定向，即垂直于換能器的橫向方向，并大體平分凹入?yún)^(qū)域(圖3a)。該狹窄條狀體的另一有利之處在于沖突情況發(fā)生后殘留的殘余部分通過(guò)使最大應(yīng)力集中區(qū)域從讀磁頭處移開(kāi)，起到減小換能器中的機(jī)械應(yīng)力的作用(圖3b)。
在第二優(yōu)選實(shí)施例(圖4a)中，所述的條狀體處于凹入?yún)^(qū)域內(nèi)，垂直于換能器，但是偏離凹入?yún)^(qū)域中的中心處。因?yàn)樵摋l狀體不是直接處于換能器的下游，所以殘余部分并不會(huì)減小機(jī)械應(yīng)力。然而，偏離中心的位置使條狀體能更有效地探測(cè)擺動(dòng)的低懸置磁頭浮動(dòng)塊。第一和第二實(shí)施例中的條狀體可以組合起來(lái)形成一包括多個(gè)條狀體的磨損墊(圖4b)。然而，對(duì)于這樣的情況，條狀體的總體積不應(yīng)該大得使得在測(cè)試結(jié)束后它們不能被基本上磨損掉。
在第三優(yōu)選實(shí)施例(圖5)中，條狀體不是凹入?yún)^(qū)域內(nèi)的一未刻蝕部分，而是由施加在均勻刻蝕的凹入?yún)^(qū)域或者該凹入?yún)^(qū)域內(nèi)的被進(jìn)一步刻蝕的區(qū)域內(nèi)的碳覆蓋層構(gòu)成的條狀體或襯墊。碳覆蓋層構(gòu)成條狀體相對(duì)于刻蝕區(qū)域深度的高度是靈活的。
在如下陳述的具體實(shí)施方式
的上下文中可以理解本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。
具體實(shí)施方式
將結(jié)合附圖來(lái)理解，所述附圖中圖1a和1b是示意性側(cè)視圖，其中，圖1a示出了懸置在旋轉(zhuǎn)的碟盤(pán)表面上方的單個(gè)現(xiàn)有技術(shù)磁頭浮動(dòng)塊，圖1b示出了多個(gè)這樣的系統(tǒng)。
圖2a和2b(傳統(tǒng)技術(shù))是示意性圖示，其中，圖2a示出了安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的(slider-mounted)換能器的ABS，圖2b示出了包括一凹入?yún)^(qū)域的安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器的ABS。
圖3a是本發(fā)明的第一實(shí)施例磨損墊的示意圖。
圖3b是本發(fā)明的第一實(shí)施例磨損墊在被部分磨損掉后的示意圖。
圖4a是本發(fā)明的第二實(shí)施例磨損墊的示意圖。
圖4b是本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例磨損墊的組合的示意圖。
圖5是本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例磨損墊的示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例設(shè)置了與安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器的ABS一體形成的犧牲磨損墊。這樣設(shè)置的磨損墊使得在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器測(cè)試過(guò)程中，當(dāng)ABS相對(duì)于磁盤(pán)表面處于一個(gè)較低的懸置高度時(shí)，能夠探測(cè)磁頭浮動(dòng)塊和移動(dòng)的磁盤(pán)表面之間的沖突，從而能夠設(shè)置可以確保磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器在之后的正常使用中的可靠性的一較低的懸置高度閾值。
首先參照?qǐng)D3a，其示出了本發(fā)明的第一實(shí)施例，其中，垂直于換能器(10)的橫向方向的一薄的未被刻蝕的鋁條(15)大致平分形成在磁頭浮動(dòng)塊ABS內(nèi)的凹入?yún)^(qū)域(25)。鋁條(15)的寬度(橫向尺寸)小于10微米，其長(zhǎng)度(即凹入?yún)^(qū)域從第一邊緣(26)到后邊緣(27)的縱向尺寸)大約在5到20微米之間，而凹入?yún)^(qū)域(25)的深度大約在0.05到0.2微米之間。由于ABS的傾斜，鋁條的后邊緣比換能器更靠近磁盤(pán)表面約1到2納米。
然后如圖3b，圖示出了現(xiàn)在由于在測(cè)試過(guò)程中與磁盤(pán)的沖突而被部分磨損的圖3a的條狀體(17)。如前面已經(jīng)提到的，對(duì)稱(chēng)地位于換能器下游的條狀體的殘余部分當(dāng)其存在時(shí)實(shí)際上起到應(yīng)力減小機(jī)構(gòu)的作用，但是，無(wú)論如何，在隨后的組裝和使用過(guò)程中它將被很快地磨損掉。
然后參照?qǐng)D4a，其示出了本發(fā)明的第二實(shí)施例，其中，兩個(gè)未被刻蝕的鋁條(19)現(xiàn)在分別位于磁頭浮動(dòng)塊ABS中的凹入?yún)^(qū)域(25)的兩個(gè)相對(duì)側(cè)邊緣處。在該實(shí)施例中，可以有單個(gè)條狀體，也可以有多個(gè)條狀體，但是相對(duì)于磁頭浮動(dòng)塊寬度(橫向尺度)，這些條狀體將被設(shè)置成偏離中心。每一個(gè)條狀體的尺寸基本上與圖3a中的單個(gè)條狀體的尺寸相同，但是隨著這些條狀體的數(shù)量增加(如果形成不止一個(gè)條狀體)，總體積不應(yīng)該增加得超過(guò)單個(gè)條狀體的體積很多，以便于條狀體的磨損能正常進(jìn)行。還應(yīng)注意的是，條狀體的偏離中心的位置使得它們成為非常有效的磁頭浮動(dòng)塊相對(duì)于磁盤(pán)表面擺動(dòng)(橫向上ABS平面之間的角度變化)以及懸置高度的探測(cè)器。此外，與圖3b所示的中心條狀體的情況相比，由于這些條狀體的非對(duì)稱(chēng)下游位置，偏離中心的條狀體的部分磨損不會(huì)減小換能器的機(jī)械應(yīng)力。
然后參照?qǐng)D4b，其示出了第一實(shí)施例的中心定位的條狀體(15)與第二實(shí)施例的偏離中心定位的單個(gè)條狀體(19)組合，形成了本發(fā)明的第三實(shí)施例。
最后參照?qǐng)D5，其示出了一沉積得到的磨損墊(35)，該磨損墊并不簡(jiǎn)單地是磁頭浮動(dòng)塊ABS的一未刻蝕部分。該磨損墊被示為具有近似圓形的橫截面，但實(shí)際上橫截面形狀是任意的，該磨損墊是通過(guò)在靠近磁頭浮動(dòng)塊后邊緣的磁頭浮動(dòng)塊表面上沉積一碳覆蓋層而形成的。在這里該磨損墊可以直接被沉積在刻蝕的凹入表面(25)上，或者被沉積在刻蝕表面內(nèi)的進(jìn)一步被凹入的區(qū)域內(nèi)。碳覆蓋層的厚度以及其上形成有該碳覆蓋層的刻蝕區(qū)域的深度相對(duì)較靈活，但是覆蓋層磨損墊相對(duì)于換能器ABS表面的突起高度應(yīng)該足以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。在這個(gè)實(shí)施例中，突起高度小于2納米。
在以上優(yōu)選實(shí)施例以及本領(lǐng)域技術(shù)人員可能想到的變形中的任一個(gè)中，應(yīng)該注意，磨損墊的最大突起出現(xiàn)在它的首次使用中，即，磁頭浮動(dòng)塊第一次懸置在磁盤(pán)表面上方時(shí)。在本發(fā)明的任一實(shí)施例中，本發(fā)明的應(yīng)用并不排除同時(shí)使用已知的用于減小懸置高度并由此加劇了磁頭浮動(dòng)塊-磁盤(pán)沖突的其他方法。例如，磁頭浮動(dòng)塊可以有意地以一偏斜角度懸置，磁盤(pán)速度可以有意地被改變，或者可以改變氣壓和/或氣體成份。這些方法也可以用于在實(shí)現(xiàn)其目的之后去除磨損墊。
在包括多個(gè)磁頭浮動(dòng)塊和相關(guān)聯(lián)的磁盤(pán)的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，磨損墊也可以如下在正常使用過(guò)程中被完全磨損掉。當(dāng)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器被格式化時(shí)，磁頭浮動(dòng)塊應(yīng)該根據(jù)它們遇到的沖突的強(qiáng)度的順序被排序。這可以通過(guò)例如在磁盤(pán)伺服記錄中記錄位置誤差信號(hào)(PES)的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。有著最少?zèng)_突的磁頭浮動(dòng)塊首先被用于進(jìn)行讀/寫(xiě)操作，有著最多沖突的磁頭浮動(dòng)塊則最后被使用。到磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器足夠充滿(mǎn)以至于最后的磁頭浮動(dòng)塊也已經(jīng)被使用時(shí)，磨損墊則已經(jīng)被充分的磨損掉，使得它可以正常地、甚至高性能地工作。
為得到類(lèi)似的結(jié)果，在有著多個(gè)磁頭浮動(dòng)塊和磁盤(pán)的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，磁盤(pán)可以按照這樣的順序被格式化，即使得有著最少的磁頭-磁盤(pán)沖突的磁盤(pán)表面最先被格式化。如果磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的一個(gè)表面首先利用一外部設(shè)備(即編碼器)被格式化，而剩余的表面在沒(méi)有這樣的外部設(shè)置的情況下順序地被格式化(即自格式化)，則這種策略尤其有用。
正如本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的那樣，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明是說(shuō)明性的，而非限制性的。根據(jù)所附權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的精神和范圍，在用于在測(cè)試過(guò)程中探測(cè)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)內(nèi)安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器和旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)之間的沖突的集成的犧牲磨損墊的形成中，可以對(duì)方法、材料、結(jié)構(gòu)以及尺寸進(jìn)行修改和變形，而仍然提供這樣一種用于在測(cè)試過(guò)程中探測(cè)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)內(nèi)安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器和旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)之間的沖突的集成的犧牲磨損墊。
權(quán)利要求
1.一安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，該換能器具有用于探測(cè)所述安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器和磁盤(pán)表面之間的沖突的一集成的磨損墊，所述換能器包括一安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，所述磁頭浮動(dòng)塊以?xún)蓚€(gè)平行的側(cè)邊緣和一垂直于所述側(cè)邊緣的橫向后邊緣為邊界，并且所述磁頭浮動(dòng)塊具有一氣承表面并進(jìn)一步包括一平面部分和相對(duì)于所述平面部分被凹入的一大致矩形的凹入部分，所述凹入部分以所述側(cè)邊緣和分開(kāi)且平行的第一和第二橫向邊緣為邊界，所述第二橫向邊緣是所述磁頭浮動(dòng)塊的后邊緣，所述第一橫向邊緣位于所述換能器和所述第二邊緣之間；和在所述凹入表面上被形成為一縱向條狀體的一磨損墊，所述條狀體從所述第一邊緣垂直地延伸至所述第二邊緣，并平分所述矩形凹入?yún)^(qū)域，所述條狀體具有一橫向?qū)挾群突旧吓c所述氣承表面共面的一上表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，其中，所述凹入?yún)^(qū)域是通過(guò)刻蝕所述氣承表面而形成的，而所述縱向條狀體是一未刻蝕區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，其中，所述凹入表面在所述氣承表面的平面部分以下約0.05到0.2微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，其中，所述條狀體的橫向?qū)挾刃∮诖蠹s10微米。
5.一安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，該換能器具有用于探測(cè)所述安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器和磁盤(pán)表面之間的沖突的一集成的磨損墊，所述換能器包括一安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，所述磁頭浮動(dòng)塊以?xún)蓚€(gè)平行的側(cè)邊緣和一垂直于所述側(cè)邊緣的橫向后邊緣為邊界，并且所述磁頭浮動(dòng)塊具有一氣承表面并進(jìn)一步包括一平面部分和相對(duì)于所述平面部分被凹入的一大致矩形的凹入部分，所述凹入部分以所述側(cè)邊緣和分開(kāi)且平行的第一和第二橫向邊緣為邊界，所述第二橫向邊緣是所述磁頭浮動(dòng)塊的后邊緣，所述第一橫向邊緣位于所述換能器和所述第二邊緣之間；和在所述凹入表面上被形成為縱向條狀體的多個(gè)磨損墊，所述條狀體從所述第一邊緣垂直地延伸至所述第二邊緣，并平分所述矩形凹入?yún)^(qū)域，每一個(gè)所述條狀體具有一橫向?qū)挾群突旧吓c所述氣承表面共面的一上表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，其中，所述凹入?yún)^(qū)域是通過(guò)刻蝕所述氣承表面而形成的，而所述縱向條狀體是一未刻蝕區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，其中，所述凹入表面在所述氣承表面的平面部分以下約0.05到0.2微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，其中，每一個(gè)所述條狀體的橫向?qū)挾缺贿x擇為使得所有所述條狀體在測(cè)試過(guò)程中要被去除的總體積大約在0.05和0.2立方微米之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，其中，所述多個(gè)條狀體中的一個(gè)平分所述凹入?yún)^(qū)域。
10.一安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，該換能器具有用于探測(cè)所述安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器和磁盤(pán)表面之間的沖突的一集成的磨損墊，所述換能器包括一安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，所述磁頭浮動(dòng)塊以?xún)蓚€(gè)平行的側(cè)邊緣和一垂直于所述側(cè)邊緣的橫向后邊緣為邊界，并且所述磁頭浮動(dòng)塊具有一氣承表面并進(jìn)一步包括一平面部分和相對(duì)于所述平面部分被凹入的一大致矩形的凹入部分，所述凹入部分以所述側(cè)邊緣和分開(kāi)且平行的第一和第二橫向邊緣為邊界，所述第二橫向邊緣是所述磁頭浮動(dòng)塊的后邊緣，所述第一橫向邊緣位于所述換能器和所述第二邊緣之間；和形成在所述凹入表面上的一磨損墊，所述磨損墊位于橫向的中心處，大體上接觸所述第二橫向邊緣，并且所述磨損墊是一具有規(guī)則幾何橫截面、其上沉積有一覆蓋層的區(qū)域，所述覆蓋層具有一厚度和高出所述平面氣承表面部分的一上表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，其中，所述凹入?yún)^(qū)域是通過(guò)刻蝕所述氣承表面而形成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，其中，所述凹入表面在所述氣承表面的平面部分以下約0.05到0.2微米。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，其中，所述磨損墊是半徑約在5到10微米之間的一圓形區(qū)域，在其表面上沉積有一碳覆蓋層，所述碳覆蓋層的厚度足以使其上表面高出所述平面氣承表面部分不到2納米。
14.一包括了多個(gè)安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器和相關(guān)聯(lián)的磁盤(pán)的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，每一個(gè)所述安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器包括用于探測(cè)所述換能器和所述相關(guān)磁盤(pán)表面之間的沖突的一集成的磨損墊，并且其中，每一個(gè)所述安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器進(jìn)一步包括一安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，所述磁頭浮動(dòng)塊以?xún)蓚€(gè)平行的側(cè)邊緣和一垂直于所述側(cè)邊緣的橫向后邊緣為邊界，并且所述磁頭浮動(dòng)塊具有一氣承表面并進(jìn)一步包括一平面部分和一相對(duì)于所述平面部分被凹入的大致矩形的凹入部分，所述凹入部分以所述側(cè)邊緣和分開(kāi)且平行的第一和第二橫向邊緣為邊界，所述第二橫向邊緣是所述磁頭浮動(dòng)塊的后邊緣，所述第一橫向邊緣位于所述換能器和所述第二邊緣之間；和形成在所述凹入表面上的一磨損墊，所述磨損墊位于橫向的中心處，大體上接觸所述第二橫向邊緣，并且所述磨損墊是一具有規(guī)則幾何橫截面、其上沉積有一覆蓋層的區(qū)域，所述覆蓋層具有一厚度和高出所述平面氣承表面部分的一上表面。
15.一種用于在測(cè)試磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器以確定最小懸置高度閾值的過(guò)程中集成的磨損墊已經(jīng)被使用過(guò)之后，在正常使用過(guò)程中，從磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的多個(gè)安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器上去除所述磨損墊的方法，其包括在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器測(cè)試過(guò)程中，按照磁頭浮動(dòng)塊一磁盤(pán)沖突情況的強(qiáng)度順序?qū)γ恳粋€(gè)所述安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器進(jìn)行排序，所述強(qiáng)度是利用一位置誤差信號(hào)伺服記錄確定的；在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器正常使用過(guò)程中，首先使用有著最小沖突強(qiáng)度的安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器進(jìn)行讀/寫(xiě)操作，然后按照沖突強(qiáng)度增大的順序使用其余的安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，最后使用有著最大沖突強(qiáng)度的安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器。
16.一種用于在測(cè)試磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器以確定最小懸置高度閾值的過(guò)程中集成的磨損墊已經(jīng)被使用過(guò)之后，在磁盤(pán)格式化過(guò)程中，從磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的多個(gè)安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器上去除所述磨損墊的方法，其包括在磁盤(pán)格式化過(guò)程中，首先使用一外部設(shè)備格式化表現(xiàn)出最少量的磁頭-磁盤(pán)沖突的磁盤(pán)；然后，在不使用這種外部設(shè)備的情況下格式化其余的磁盤(pán)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一安裝在磁頭浮動(dòng)塊上的換能器，其有一用于確定換能器和磁盤(pán)表面之間沖突的一集成磨損墊。所述磨損墊加劇了磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器測(cè)試過(guò)程中的沖突情況，并使得磁頭浮動(dòng)塊懸置高度的閾值能夠被設(shè)置在一更低的水平。這反過(guò)來(lái)提高了磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器在正常使用過(guò)程中的可靠性。所述磨損墊可以是沉積在磁頭浮動(dòng)塊后邊緣附近的一碳覆蓋層，或者可以是磁頭浮動(dòng)塊的凹入?yún)^(qū)域內(nèi)的一未刻蝕的鋁條。磨損墊在測(cè)試期間基本上被磨損掉，因此它不會(huì)影響磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器隨后的工作。
文檔編號(hào)G11B21/21GK1737908SQ20051007372
公開(kāi)日2006年2月22日 申請(qǐng)日期2005年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月25日
發(fā)明者朱立彥 申請(qǐng)人:Sae磁學(xué)(H.K.)股份有限公司