專利名稱：測試裝置的制作方法
技術領域：
本發明關于一種測試裝置。特別是關于一種對被測試元件進行測試的測試裝置。而且，本申請與申請日為2003年4月16日的日本專利的申請案2003-112124有關。對文獻的參照及組入承認的指定國而言，參照下述申請所記述的內容是組入本申請，并作為本申請的記述的一部分。
背景技術：
記憶體測試裝置將圖形生成器產生的位址信號及測試信號施加在被測試記憶體上并進行寫入。然后，將從被測試記憶體讀出的測試信號，與圖形生成器對應測試信號而產生的期望值信號進行比較，并將比較結果儲存于不良解析記憶體。然后，對不良解析記憶體中所儲存的比較結果進行解析，并判定被測試記憶體的好壞。
近年，隨著MPU的動作頻率的高速化，DRAM等被測試記憶體的動作速度也呈高速化。對此，習知的記憶體測試裝置所使用的不良解析記憶體，由與DRAM相比儲存容量的提高緩慢的SRAM構成。因此，藉由利用復數個SRAM構成不良解析記憶體并使其進行交叉存取動作，可實現一種與被測試記憶體具有同等的動作速度及儲存容量的不良解析記憶體。
但是，DRAM等被測試記憶體的動作速度，目前正在不斷地向高速化發展，為了利用復數個SRAM的交叉存取動作而實現與被測試記憶體相同的動作速度，需要非常多的SRAM。
例如，如使用4個SRAM而利用4路交叉存取動作實現動作頻率125MHz的被測試記憶體的測試，則為了實現動作頻率1GHz的測試記憶體的測試，必須使用32個SRAM而進行32路交叉存取動作。而且，由于一般每個SRAM的儲存容量為每個DRAM的儲存容量的1/16～1/8，所以為了實現動作頻率1GHz的測試記憶體的測試，至少需要256個SRAM。
另外，在記憶體測試裝置中，同時進行多個被測試記憶體的測試以降低測試成本是一種常識，多是同時對128個被測試記憶體進行測試。因此，在對1個被測試記憶體需要256個SRAM的情況下，當同時測試128個被測試元件時，就需要32768個SRAM。因此，如再加上周邊電路，則存在只是不良解析記憶體就形成非常大型且高價的裝置的問題。
發明內容
因此，本發明的目的是提供一種能夠解決上述課題的測試裝置。該目的藉由申請專利范圍中的獨立項所記述的特征的組合而達成。而且，從屬項規定了本發明的更加有利的具體例子。
為了達成該目的，本發明的形態所提供的對被測試元件進行測試的測試裝置，包括產生供給至被測試元件位址信號及測試信號，以及被供給測試信號的被測試元件應輸出的期望值信號的圖形生成器、依據測試信號將被測試元件輸出的輸出信號和期望值信號進行比較，并在輸出信號和期望值信號不一致的情況下產生失效信號的邏輯比較器、在圖形生成器產生的位址信號所表示的位址區域，儲存邏輯比較器產生的失效信號的不良解析記憶體。其中不良解析記憶體具有將圖形生成器產生的位址信號的值即失效位址值，及邏輯比較器產生的失效信號的值即失效數據值，作為1組數據依次在不同的位址區域進行儲存的第1儲存部、從第1儲存部讀出失效位址值及失效數據值的組合，并在失效位址值表示的位址區域將失效數據值進行儲存的第2儲存部。
不良解析記憶體具有復數個第1儲存部，復數個第1儲存部也可利用交叉存取動作，將圖形生成器產生的位址信號的值即失效位址值，及邏輯比較器產生的失效信號的值即失效數據值作為1組數據依次在不同的位址區域中進行儲存。
第2儲存部也可讀出從第1儲存部讀出的失效位址值表示的位址區域所保持的數據，并將該數據和從第1儲存部讀出的失效數據值的邏輯和，在從第1儲存部讀出的失效位址值所表示的位址區域中進行儲存。
不良解析記憶體還可具有對第1儲存部儲存的失效數據值的個數即儲存個數，或第2儲存部從第1儲存部讀出并儲存的失效數據值的個數即讀出個數進行計數的數據計數部、將數據計數部計算的儲存個數進行保存的數據數保存部、在數據數保存部保存儲存個數并初始化數據計數部以后，將數據數保存部所保存的儲存個數和數據計數部所計算的讀出個數進行比較，在儲存個數和讀出個數一致的情況下，用于產生使第2儲存部從第1儲存部讀出失效數據值的處理停止的停止信號的停止信號生成部。
也可還具有對第1儲存部儲存的失效數據值的個數即儲存個數進行計數的數據計數部、對第1儲存部應儲存的失效數據值的個數即必要儲存個數進行保存的數據數保存部、將數據計數部計算的儲存個數和數據數保存部保存的必要儲存個數進行比較，并在儲存個數和必要儲存個數一致的情況下，產生用于使第1儲存部儲存失效數據值的處理停止的停止信號的停止信號生成部。其中在數據數保存部保存之前述必要儲存個數大于第1儲存部可儲存的失效數據值的個數即可儲存個數的狀態下，進行被測試元件的測試，從而使第1儲存部在儲存了可儲存個數的失效數據值后，在超過可儲存個數之前所取得并儲存的失效數據值上進行重寫，并將超過可儲存個數之后取得的失效數據值進行儲存。第2儲存部讀出第1儲存部所儲存的失效數據值并進行儲存，然后，在數據數保存部將可保存個數以下的個數作為必要儲存個數而進行保存的狀態下，再次進行被測試元件的測試，從而使第1儲存部再次儲存必要儲存個數的失效數據值，第2儲存部再次讀出第1儲存部所儲存的失效數據值。
也可還具有對被測試元件的測試中所產生的失效數據值的個數即產生個數進行計數的第1數據計數部、藉由以第1儲存部能夠儲存的失效數據值的個數即可儲存個數，除第1數據計數部所計算的產生個數，而計算出所必須的測試次數，用于使第2儲存部對在被測試元件的測試中產生的所有的失效數據值進行儲存的測試次數計算部、對第1儲存部應儲存的失效數據值的個數即必要儲存個數進行保存的數據保存部、對第1儲存部儲存的失效數據值的個數即儲存個數進行計算的第2數據計數部、將數據數保持部保持的必要儲存個數和第2數據計數部計算的儲存個數進行比較，在必要儲存個數和儲存個數一致時，產生用于使第1儲存部儲存失效數據值的處理停止的停止信號的停止信號生成部。其中在數據數保存部將可保存個數作為必要儲存個數而保存的狀態下，進行被測試元件的測試，而使第1儲存部將可儲存個數的失效數據進行儲存，第2儲存部讀出第1儲存部儲存的失效數據值并進行儲存，然后，在數據數保存部將可儲存個數的2倍作為必要儲存個數而保存的狀態下，再次進行被測試元件的測試，而使第1儲存部儲存可儲存個數的失效數據值后，再重寫可儲存個數的失效數據值并進行儲存。第2儲存部讀出第1儲存部儲存的失效數據值并進行儲存，然后，一面使數據數保存部所保存的必要儲存個數以可儲存個數為單位增加，且反復進行被測試元件的測試直到個數達到可儲存個數乘測試次數為止，一面使第2儲存部反復讀出第1儲存部所儲存的失效數據值并進行儲存，且將被測試元件的測試中所產生的全部失效數據值進行儲存。
第2儲存部也可在第1儲存部將失效數據值依次進行儲存的同時而被初始化。也可還配備有在第1儲存部依次儲存失效數據值時，讀出第2儲存部儲存的失效數據值并進行解析的解析裝置。
另外，上述的發明概要并沒有列舉本發明所有的必要特征，這些特征群的子集也為本發明的范疇。
圖1所示為測試裝置10的構成的一個例子。
圖2所示為不良解析記憶體108的構成的第1個例子。
圖3所示為不良解析記憶體108的構成的第2個例子。
圖4所示為位址生成部202的構成的第1個例子。
圖5所示為位址生成部202的構成的第2個例子。
10測試裝置20被測試元件100定時脈沖生成器102圖形生成器104波形整形器106邏輯比較器108不良解析記憶體110解析裝置200位址格式部202位址生成部202a、202b位址生成部204寫入控制部206第1儲存部206a、206b第1儲存部208第2儲存部210多工器300數據計數部300a、300b數據計數部302數據數保存部304停止信號生成部具體實施方式
下面通過發明的實施形態對本發明進行說明，但是以下的實施形態并不對關于權限要求范圍的發明進行限定，而且實施形態中所說明的全部的特征的組合也未必是發明的必須解決方法。
圖1所示為關于本發明的一實施形態的測試裝置10的構成的一個例子。測試裝置10包括定時脈沖生成器100、圖形生成器102、波形整形器104、邏輯比較器106、不良解析記憶體108及解析裝置110。測試裝置10藉由在被測試元件20上施加測試信號而進行測試。被測試元件20為例如DRAM系列的記憶體等被測試記憶體。
圖形生成器102依據定時脈沖生成器100產生的基準時脈，產生向被測試元件20供給的位址信號，以及包括數據信號及控制信號的測試信號。而且，圖形生成器102產生被供給測試信號的被測試元件20依據所供給的測試信號而應輸出的期望值信號。圖形生成器102向波形整形器104供給位址信號及測試信號，并向不良解析記憶體108供給位址信號，且向邏輯比較器106供給期望值信號。波形整形器104將從圖形生成器102取得的位址信號及測試信號進行整形，并供向被測試元件20。
邏輯比較器106依據波形整形器104所供給的測試信號，將被測試元件20輸出的輸出信號和從圖形生成器102取得的期望值信號進行比較，并判定被測試元件20的好壞。而且，邏輯比較器106在被測試元件20輸出的輸出信號和從圖形生成器102取得的期望值信號不一致時，產生失效信號。邏輯比較器106將失效信號供向不良解析記憶體108。不良解析記憶體取得圖形生成器102產生的位址信號，并在位址信號表示的位址區域中，將邏輯比較器106產生的失效信號進行儲存。
解析裝置110可為例如工作站，在被測試元件20的測試結束后，讀出不良解析記憶體中所儲存的失效信號，并求不良儲存單元的指定、不良儲存單元的分布等，且進行不良原因的解析。而且，將解析結果反饋至記憶體制造流程，而謀求成品率的提高。
圖2所示為關于本實施形態的不良解析記憶體108的構成的第1個例子。關于本發明的不良解析記憶體108包括位址格式部200、位址生成部202、寫入(write)控制部204、第1儲存部206及第2儲存部208。
位址格式部200從圖形生成器102取得位址信號，并供向第1儲存部206。位址信號包括行位址和列位址。寫入控制部204在從邏輯比較器106取得失效信號的情況下，輸出對位址生成部202的INC命令及對第1儲存部206的寫入命令。位址生成部202依據寫入控制部204發出的INC命令，增加位址且供向第1儲存部206。
第1儲存部206為在被測試元件20的測試中臨時保存失效信號的記憶體，將圖形生成器102產生的位址信號的值即失效位址值及邏輯比較器106產生的失效信號的值即失效數據值作為一組數據，根據位址生成部202產生的位址，依次在不同的位址區域中進行儲存。
第1儲存部206的動作速度，即例如儲存數據的速度，與被測試元件20的動作速度，即例如儲存數據的速度相等為佳。而且，第1儲存部206的儲存容量也可小于被測試元件20的儲存容量。
第2儲存部208為在被測試元件20的測試后從第1儲存部206讀出失效信號并進行保存的SRAM等記憶體，從第1儲存部206讀出失效位址值及失效數據值的組合，并在失效位址值所示的位址區域儲存失效數據值。具體地說，第2儲存部208將從第1儲存部206讀出的失效數據值表示的位址區域所保存的數據讀出，并將該數據與從第1儲存部206讀出的失效數據值的邏輯和，在從第1儲存部206所讀出的失效位址值表示的位址區域中進行儲存。即，第2儲存部208利用讀數修正寫入動作而寫入失效數據值。
第2儲存部208的動作速度也可慢于被測試元件20的動作速度。而且，第2儲存部208的動作速度也可慢于第1儲存部206的動作速度。而且，第2儲存部208的儲存容量大于第1儲存部206的儲存容量，且與被測試元件20的儲存容量相同為佳。
這樣，藉由利用將失效位址值及失效數據值隨著測試依次進行儲存的第1儲存部206、從測試結束開始從第1儲存部206讀出失效數據值并進行儲存的第2儲存部208而構成不良解析記憶體108，可使測試裝置10有效地進行動作。即，可在第1儲存部206依次儲存失效數據值的同時，使第2儲存部208初始化。而且，在第1儲存部206依次儲存失效數據值的同時，解析裝置110可從第2儲存部208讀出失效數據值并進行解析。因為第2儲存部208是在與利用習知技術的不良解析記憶體相同的狀態下對失效數據值進行儲存，所以解析裝置110可利用與習知技術相同的軟件等進行被測試元件20的解析。
圖3為關于本實施形態的不良解析記憶體108的構成的第2個例子。關于本發明的不良解析記憶體108包括位址格式部200、復數個位址生成部202a及202b、寫入控制部204、復數個第1儲存部206a及206b、第2儲存部208以及多工器210。除了以下所說明的部分以外，關于本例的不良解析記憶體108的構成及動作，與圖2所示的關于第1個例子的不良解析記憶體108的構成及動作是相同的，所以省略部分說明。另外，位址生成部202a及202b與位址生成部202具有相同的機能，第1儲存部206a及206b與第1儲存部206具有相同的機能。
位址格式部200從圖形生成器102取得位址信號，并供向第1儲存部206a及206b。寫入控制部104在從邏輯比較器106取得失效信號時，輸出對位址生成部202a及202b的INC命令、對第1儲存部206a及206b的寫入命令及對多工器210的選擇命令。位址生成部202a依據來自寫入控制器204的INC命令，對供給第1儲存部206a的位址進行計數并輸出。位址生成部202b依據來自寫入控制器204的INC命令，對供給第1儲存部206a的位址進行計數并輸出。
復數個第1儲存部206a及206b利用交叉存取動作，將失效位址值及失效數據值作為1組數據，根據位址生成部202a或202b產生的位址，依次在不同的位址區域中進行儲存。具體地說，復數個第1儲存部206a及206b根據寫入控制部204的控制，依次將失效位址值及失效數據值進行儲存。多工器210依據寫入控制部204的選擇命令，從第1儲存部206a或206b讀出失效位址值及失效數據值的組合，并供向第2儲存部208。
而且，在另一例子中，首先第1儲存部206a將失效位址值及失效數據值依次進行保存。然后，在第1儲存部206a的儲存容量小于一定的大小時，寫入控制部204進行控制以替代第1儲存部206a而使第1儲存部206b保存失效位址值及失效數據值，且第1儲存部206b將失效位址值及失效數據值依次進行保存。第2儲存部208也可在寫入動作由第1儲存部206a轉移至第1儲存部206b，且第1儲存部206b將失效位址值及失效數據值進行儲存時，從第1儲存部206a讀出數據并進行儲存。藉此，能夠降低從被測試元件20的測試結束后的第1儲存部206a及206向第2儲存部208進行數據儲存所需的時間。
圖4所示為關于本實施形態的位址生成部202的構成的第1個例子。關于本例的位址生成部202具有數據計數部300、數據數保存部302及停止信號生成部304。
數據計數部300一面對第1儲存部206儲存的失效數據值的個數即儲存個數進行計數，一面指定第1儲存部206的位址，并在第1儲存部206寫入失效數據值。而且，在被測試元件20的測試結束后，數據保存部302在被測試元件20的測試中，取得數據計數部300計算的儲存個數并進行保存。
接著，在數據計數部300被初始化后，當第2儲存部208將第1儲存部206保存的失效數據值讀出并儲存時，數據計數部300一面對第2儲存部208從第1儲存部206讀出并儲存的失效數據值的讀出個數進行計數，一面指定第1儲存部206的位址，并向第1儲存部206輸出失效數據值。停止信號生成部304將數據保存部300所保存的儲存個數、數據計數部300所計算的讀出個數進行比較。而且，停止信號生成部304在儲存個數與讀出個數一致的情況下，產生用于使第2儲存部208從第1儲存部206讀出失效數據值的處理停止的停止信號，并供向數據計數部300。
當數據計數部300取得停止信號生成部304所產生的停止信號時，停止讀出個數的計數，即對第1儲存部206的位址的計數。藉此，可使利用第2儲存部208的從第1儲存部206的失效數據值的讀出停止。因此，第2儲存部208可只將第1儲存部206儲存的失效數據值進行讀出寫入，能夠省略多余的讀出及寫入動作，可降低從被測試元件20的測試結束后的第1儲存部206a及206向第2儲存部208進行數據儲存所需的時間。
而且，在另一例子中，數據保存部302也可將第1儲存部206應儲存的失效數據值的個數即必要儲存個數進行保存。然后，數據計數部300一面將第1儲存部206儲存的失效數據值的儲存個數進行計數，一面指定第1儲存部206的位址，并在第1儲存部206寫入失效數據值。停止信號生成部304將數據保存部300所保存的必要儲存個數和數據計數部300所計算的儲存個數進行比較。然后，停止信號生成部304在必要儲存個數和儲存個數一致的情況下，產生用于使第1儲存部206寫入失效數據值的處理停止的停止信號，并供向數據計數部300。數據計數部300在取得停止信號生成部304產生的停止信號后，停止儲存個數的計數，即對第1儲存部206的位址的計數。藉此，使利用第1儲存部206的失效數據值的寫入停止。
在數據數保存部302保存大于第1儲存部206可儲存的失效數據值的個數即可儲存個數的必要儲存個數的狀態下，進行被測試元件20的測試。藉此，第1儲存部206在將可儲存個數的失效數據值進行儲存后，在超過可儲存個數前取得并儲存的失效數據值上進行重寫，并將超過可儲存個數后取得的失效數據值進行儲存。然后，在被測試元件20的測試結束后，第2儲存部208將第1儲存部206儲存的失效數據值讀出并儲存。
這里，因為第1儲存部206中儲存有被重寫的失效數據值，所以第2儲存部208不能取得被重寫前第1儲存部206所儲存的部分的失效數據值。因此，在數據數保存部302將可儲存個數以下、被重寫的失效數據值的個數以上的個數作為必要可能個數進行保存的狀態下，再次進行被測試元件20的測試。藉此，第1儲存部206再次儲存必要儲存個數的失效數據值。然后，在被測試元件20的測試再次完成之后，第2儲存部208再次讀出第1儲存部206所儲存的失效數據值并進行儲存。利用這種方法，可輕松地取得第1儲存部206能夠儲存的失效數據值以上的數據。
圖5所示為關于本實施形態的位址生成部202的構成的第2個例子。關于本例的位址生成部202具有數據計數部300a及300b、數據數保存部302以及停止信號生成部304。
數據計數部300a對在被測試元件20的測試中所產生的失效數據值的個數即產生個數進行計數，并供向解析裝置110。解析裝置110為本發明的測試次數計算部的一個例子，藉由利用第1儲存部206能夠儲存的失效數據值的個數即可儲存個數，除數據計數部300a所計算的產生個數，可算出所需的被測試元件20的測試次數，用于使第2儲存部208儲存在被測試元件20的測試中產生的全部失效數據值。
在數據保存部302將第1儲存部206可儲存的失效數據值的個數即可儲存個數作為必要儲存個數進行保存的狀態下，進行被測試元件20的測試。數據計數部300b一面對第1儲存部206所儲存的失效數據值的儲存個數進行計數，一面指定第1儲存部206的位址，并在第1儲存部206中寫入失效數據值。停止信號生成部304將數據保存部302所保存的必要儲存個數和數據計數部300b所計算的儲存個數進行比較。然后，停止信號生成部304在必要儲存個數和儲存個數一致的情況下，產生用于使第1儲存部206寫入失效數據值的處理停止的停止信號，并供向數據計數部300b。數據計數部300b在取得停止信號生成部304產生的停止信號后，停止儲存個數的計數，即對第1儲存部206的位址的計數。藉此，使利用第1儲存部206的失效數據值的寫入停止。利用以上的動作，第1儲存部206將可儲存個數的失效數據值進行儲存。然后，在被測試元件20的測試結束之后，第2儲存部208讀出第1儲存部206所儲存的可儲存個數的失效數據值并進行儲存。
接著，在數據保存部302將第1儲存部206可儲存的失效數據值的個數即可儲存個數的2部作為必要儲存個數進行保存的狀態下，進行被測試元件20的測試。藉此，第1儲存部206在將可儲存個數的失效數據值進行儲存之后，再次重寫可儲存個數的失效數據值并進行儲存。然后，在被測試元件20的測試結束之后，第2儲存部208讀出第1儲存部206所儲存的可儲存個數的失效數據值并進行儲存。
然后，一面使數據數保存部302所保存的必要儲存個數以可儲存個數為單位增加，且反復進行被測試元件20的測試直到個數達到可儲存個數乘解析裝置110計算出的測試次數為止，一面使第2儲存部208以可儲存個數為單位反復讀出第1儲存部206所儲存的失效數據值并進行儲存。而且，第2儲存部208將被測試元件20的測試中所產生的全部失效數據值進行儲存。利用這種方法，即使在第1儲存部206可儲存的失效數據值小的情況下，也能夠取得在被測試元件20的測試中所產生的全部的失效數據值。
在本例中，一面使數據數保存部302所保存的必要儲存個數以可儲存個數為單位增加，且反復進行被測試元件20的測試，一面使第2儲存部208以可儲存個數為單位反復讀出第1儲存部206所儲存的失效數據值并進行儲存，但是在另外的例子中，也可一面使數據數保存部302所保存的必要儲存個數以小于可儲存個數的個數為單位增加，且反復進行被測試元件20的測試，一面使第2儲存部208以可儲存個數為單位反復讀出第1儲存部206所儲存的失效數據值并進行儲存。而且，也可邊一面變化使數據數保存部302所保存的必要儲存個數增加的個數一面進行增加，且反復進行被測試元件20的測試，邊使第2儲存部208以可儲存個數為單位反復讀出第1儲存部206所儲存的失效數據值并進行儲存。
如利用本實施形態的測試裝置10，第1儲存部206將失效位址值及失效數據值作為1組數據依次進行儲存，所以能夠有效地活用儲存容量，從而可降低第1儲存部206的個數。另外，由于是將第1儲存部206所儲存的失效位址值及失效數據值的組合在第2儲存部208進行展開，并與利用習知技術的不良解析記憶體以相同的狀態儲存失效數據值，所以解析裝置110可利用與習知技術相同的軟件等，對被測試元件20進行解析。
上面利用實施形態對本發明進行了說明，但是本發明的技術范圍并不限定于上述實施形態所記述的范圍。可在上述實施形態上加以多種多樣的變更或改良。這種加以變更或改良的形態也可包含在本發明的技術范疇中，這一點由專利申請專利范圍的記述中可清楚得知。
由以上說明可知，如利用本發明，可提供一種能夠小型且廉價地實現動作速度高速的被測試元件20的測試的測試裝置。
權利要求
1.一種測試裝置，適用于對一被測試元件進行測試，其特征在于其包括一圖形生成器，產生供給至前述被測試元件的位址信號及測試信號，以及被供給前述測試信號的前述被測試元件應輸出的期望值信號；一邏輯比較器，依據前述測試信號將前述被測試元件輸出的輸出信號和前述期望值信號進行比較，并在前述輸出信號和前述期望值信號不一致的情況下產生失效信號；以及一不良解析記憶體，在前述圖形生成器產生的前述位址信號所表示的位址區域，儲存前述邏輯比較器產生的前述失效信號，其特征在于，前述不良解析記憶體包括一第1儲存部，將前述圖形生成器產生的前述位址信號的值，即失效位址值，及前述邏輯比較器產生的前述失效信號的值，即失效數據值，作為1組數據依次在不同的位址區域進行儲存；以及一第2儲存部，從前述第1儲存部讀出前述失效位址值及前述失效數據值的組合，并在前述失效位址值表示的位址區域將前述失效數據值進行儲存。
2.根據權利要求1所述的測試裝置，其特征在于前述不良解析記憶體具有復數個前述第1儲存部，且前述復數個第1儲存部利用交叉存取動作，將前述圖形生成器產生的前述位址信號的值即失效位址值，及前述邏輯比較器產生的前述失效信號的值即失效數據值作為1組數據依次在不同的位址區域中進行儲存。
3.根據權利要求1所述的測試裝置，其特征在于前述第2儲存部是把從前述第1儲存部讀出的前述失效位址值表示的位址區域所保持的數據讀出，并將該數據和從前述第1儲存部讀出的前述失效數據值的邏輯和，儲存在從前述第1儲存部讀出的前述失效位址值所表示的位址區域中。
4.根據權利要求1所述的測試裝置，其特征在于前述不良解析記憶體更包括一數據計數部，對前述第1儲存部儲存的前述失效數據值的個數即儲存個數，或前述第2儲存部從前述第1儲存部讀出并儲存的前述失效數據值的個數即讀出個數進行計數；一數據數保存部，將前述數據計數部計算的前述儲存個數進行保存；以及一停止信號生成部，在前述數據數保存部保存前述儲存個數，并初始化前述數據計數部以后，將前述數據數保存部所保存的前述儲存個數和前述數據計數部所計算的前述讀出個數進行比較，在前述儲存個數和前述讀出個數一致的情況下，產生一停止信號，用于使前述第2儲存部從前述第1儲存部讀出前述失效數據值的處理停止。
5.根據權利要求1所述的測試裝置，其特征在于更包括一數據計數部，對前述第1儲存部儲存的前述失效數據值的個數即儲存個數進行計數；一數據數保存部，對前述第1儲存部應儲存的前述失效數據值的個數即必要儲存個數進行保存；以及一停止信號生成部，將前述數據計數部計算的前述儲存個數和前述數據數保存部保存的前述必要儲存個數進行比較，并在前述儲存個數和前述必要儲存個數一致的情況下，產生一停止信號，用于使前述第1儲存部儲存前述失效數據值的處理停止，其中在前述數據數保存部保存之前述必要儲存個數大于前述第1儲存部可儲存的前述失效數據值的個數即可儲存個數的狀態下，進行前述被測試元件的測試，且使前述第1儲存部在儲存了前述可儲存個數的前述失效數據值后，在超過前述可儲存個數之前所取得并儲存的前述失效數據值上進行重寫，并將超過前述可儲存個數之后取得的前述失效數據值進行儲存，且前述第2儲存部讀出前述第1儲存部所儲存的前述失效數據值并進行儲存，然后，在前述數據數保存部將前述可保存個數以下的個數作為前述必要儲存個數而保存的狀態下，再次進行前述被測試元件的測試，且使前述第1儲存部再次儲存前述必要儲存個數的前述失效數據值，且前述第2儲存部再次讀出前述第1儲存部所儲存的前述失效數據值。
6.根據權利要求1所述的測試裝置，其特征在于更包括一第1數據計數部，對前述被測試元件的測試中所產生的前述失效數據值的個數即產生個數進行計數；一測試次數計算部，藉由以前述第1儲存部能夠儲存的前述失效數據值的個數即可儲存個數，除前述第1數據計數部所計算的前述產生個數，而計算出一必須的測試次數，用于使前述第2儲存部對在前述被測試元件的測試中產生的所有的前述失效數據值進行儲存；一數據保存部，對前述第1儲存部應儲存的前述失效數據值的個數即必要儲存個數進行保存數據；一第2數據計數部，對前述第1儲存部儲存的前述失效數據值的個數即儲存個數進行計算數據；以及一停止信號生成部，將前述數據數保持部保持的前述必要儲存個數和前述第2數據計數部計算的前述儲存個數進行比較，在前述必要儲存個數和前述儲存個數一致時，產生一停止信號，用于使前述第1儲存部儲存前述失效數據值的處理停止，其中在前述數據數保存部將前述可保存個數作為前述必要儲存個數進行保存的狀態下，進行前述被測試元件的測試，且使前述第1儲存部將前述可儲存個數的前述失效數據進行儲存，且前述第2儲存部讀出前述第1儲存部儲存的前述失效數據值并進行儲存，然后，在前述數據數保存部將前述可儲存個數的2倍作為前述必要儲存個數而保存的狀態下，再次進行前述被測試元件的測試，且使前述第1儲存部儲存前述可儲存個數的前述失效數據值后，再重寫前述可儲存個數的前述失效數據值并進行儲存，且前述第2儲存部讀出前述第1儲存部儲存的前述失效數據值并進行儲存，然后，一面使前述數據數保存部所保存的前述必要儲存個數以前述可儲存個數為單位增加，且反復進行前述被測試元件的測試直到個數達到前述可儲存個數乘前述測試次數為止，一面使前述第2儲存部反復讀出前述第1儲存部所儲存的前述失效數據值并進行儲存，且將前述被測試元件的測試中所產生的前述全部失效數據值進行儲存。
7.根據權利要求1所述的測試裝置，其特征在于前述第2儲存部在前述第1儲存部將前述失效數據值依次進行儲存的同時而被初始化。
8.根據權利要求1所述的測試裝置，其特征在于更包括一解析裝置，在前述第1儲存部依次儲存前述失效數據值時，讀出前述第2儲存部儲存的前述失效數據值并進行解析。
全文摘要
一種測試裝置，包括產生向被測試元件供給的位址信號及測試信號，以及被供給測試信號的被測試元件應輸出的期望值信號的圖形生成器、將被測試元件輸出的輸出信號和期望值信號進行比較，并在不一致的情況下產生失效信號的邏輯比較器、儲存邏輯比較器產生的失效信號的不良解析記憶體。不良解析記憶體具有將圖形生成器產生的位址信號的值即失效位址值，及邏輯比較器產生的失效信號的值即失效數據值，作為1組數據依次進行儲存的第1儲存部、從第1儲存部讀出失效位址值及失效數據值的組合，并在失效位址值表示的位址將失效數據值進行儲存的第2儲存部。
文檔編號G11C29/00GK1774641SQ20048001003
公開日2006年5月17日 申請日期2004年3月24日 優先權日2003年4月16日
發明者藤崎健一 申請人:愛德萬測試株式會社