專利名稱：退火設備和退火方法
技術領域：
本發明涉及對其應用磁感應超分辨率(MSR)技術的磁光記錄介質，更具體地說，涉及適合于對應用磁疇壁移動檢測(DWDD)系統的磁光記錄介質實現退火處理的退火設備和退火方法。
本申請要求日本專利申請No.2003-143872(2003年5月21日)的優先權，該專利申請整體作為參考包含于此。
背景技術：
在磁光盤中，使用沿線密度方向增大記錄密度的磁感應超分辨率(MSR)技術，從而使得能夠在不受再現光學系統的空間頻率限制的情況下，增大信息記錄容量。特別地，認為磁疇壁移動檢測(DWDD)系統是一種能夠有效增大磁光盤的記錄密度的系統。
DWDD系統的磁光盤包括均由記錄層，轉換層和再現層構成的磁性層。在記錄層，記錄有小于再現光線的光斑直徑的記錄標記。在室溫狀態下，借助交換結合力，通過中間轉換層，記錄層的記錄標記被轉移到再現層。
當再現光線的光斑被射到記錄信息的軌道上時，在溫度等于或高于轉換層的居里溫度的區域中失去磁化。從而，在相應各層之間施加的交換結合力被消除。當交換結合力被消除時，圍繞形成再現層的記錄標記的磁疇的疇壁被移動，從而小的記錄標記被放大。因此，再現光線能夠再現記錄標記。
在DWDD系統的磁光盤中，進行除了將記錄信息的軌道(凸臺，land)之外的磁性體(材料)，即引導凹槽(guide groove)(凹槽)的激光退火(anneal)處理，以消除垂直磁各向異性，從而允許上述將被移動的疇壁只是與凸臺部分垂直方向上的疇壁。當這樣進行激光退火處理時，能夠在不改變能量的情況下，沿軌道方向自由移動與凸臺部分垂直方向上的疇壁，因為沿凸臺部分的疇壁并不存在，如日本專利申請特許公開No.1994-290496中所述。
消除磁光盤中的垂直磁各向異性的激光退火處理是在生產磁光盤工藝中的成膜步驟之后執行的非常重要的處理。
由于不是對于磁光盤的所有磁性層進行如上所述的激光退火處理，而是對每個光盤的引導凹槽進行如上所述的激光退火處理，因此它需要許多時間。
此外，在現有技術中，只關于磁光盤的凸臺記錄信息。但是，為了實現較大的容量，使用還關于引導凹槽記錄信息的凸臺/凹槽記錄系統。
因此，在適合于進行凸臺/凹槽記錄的磁光盤中，必須進行激光退火處理，以消除垂直磁各向異性的部分只會在充當記錄軌道的凸臺和凹槽之間的邊界部分的附近導致較小的區域。難以對這樣窄的區域準確地進行激光退火處理，并且在生產過程中，這花費大量的時間。
發明內容
本發明的一個目的是提供一種能夠消除現有技術的問題的新穎退火設備和退火方法。
本發明的另一目的是提供一種能夠在短時間內準確地進行在生產磁光盤的過程時執行的，用于消除記錄軌道之間的垂直磁各向異性的激光退火處理的退火設備和退火方法。
本發明的目的在于一種適合于使磁光記錄介質的磁性層退火的退火設備，它包括發出具有預定波長的光束的光源；把從光源發出的光束光學分離成作為0階衍射光束的第一光束，和作為1階衍射光束的第二及第三光束的衍射光學裝置，其中在使第二和第三光束的每個光束輸出成為使磁性層退火所必需的光束輸出的情況下，衍射光學裝置用于調節第一光束與第二和第三光束之間的光通量比，以致第一光束的光束輸出等于或小于進行退火處理所必需的光束輸出，從而光學分離這樣獲得的光束；會聚在衍射光學裝置光學分離的第一光束，把這樣會聚的第一光束照射到已在磁光記錄介質上形成的引導凹槽或在引導凹槽兩側形成的凸臺部分的磁性層上，以及會聚第二和第三光束，把這樣會聚的第二和第三光束照射到引導凹槽和凸臺部分之間的邊界部分附近的磁性層上的照射裝置；檢測已照射到引導凹槽的磁性層上的第一光束的返回光線的光通量的強度分布的第一強度分布檢測裝置；根據第一檢測裝置檢測的第一強度光束的返回光線的光通量的強度分布，產生第一跟蹤誤差信號的第一跟蹤誤差信號產生裝置；和根據第一跟蹤誤差信號產生裝置產生的第一跟蹤誤差信號的線形特性，以使第一光束沿著引導凹槽或凸臺部分而行的方式，控制照射裝置的控制裝置。
另外，本發明的目的在于一種使磁光記錄介質的磁性層退火的退火方法；所述退火方法包括把從光源發出的光束光學分離成作為0階衍射光束的第一光束，和作為1階衍射光束的第二及第三光束，使這樣光學分離的光束被射到照射裝置上；允許照射裝置會聚這樣光學分離的第一光束，把這樣會聚的第一光束照射到已在磁光記錄介質上形成的引導凹槽或在引導凹槽兩側形成的凸臺部分的磁性層上；允許照射裝置會聚光學分離的第二和第三光束，把這樣會聚的第二和第三光束照射到引導凹槽和凸臺部分之間的邊界部分附近的磁性層上；檢測照射到引導凹槽的磁性層上的第一光束的返回光線的光通量的強度分布；根據檢測的第一光束的返回光線的光通量的強度分布，產生第一跟蹤誤差信號；和以使第一光束沿著引導凹槽或凸臺部分而行的方式，根據產生的第一跟蹤誤差信號的線形特性，控制照射裝置。
參考附圖，根據下面給出的實施例的說明，本發明的其它目的，以及本發明獲得的實際優點將變得更明顯。
圖1是表示根據本發明的激光退火設備的結構的方框圖。
圖2是表示由激光退火設備對其進行激光退火處理的磁光盤的結構的局部橫截面圖。
圖3是表示激光退火設備具有的光柵的平面圖。
圖4表示從激光退火設備射到磁光盤上的光束的光斑。
圖5是表示從激光退火設備射到磁光盤上的光束的光通量比的特性曲線圖。
圖6說明從激光退火設備射到磁光盤上的0階衍射光束的光斑直徑。
圖7是表示對其中凹槽的寬度和凸臺的寬度具有相同百分率的磁光盤進行激光退火處理的狀態的平面圖。
圖8是表示對其中凹槽的寬度和凸臺的寬度具有不同百分率的磁光盤進行激光退火處理的狀態的平面圖。
圖9用于說明光柵調節。
具體實施例方式
下面參考附圖，詳細說明根據本發明的退火設備和退火方法。
首先，將參考圖1說明根據本發明的激光退火設備(激光退火處理器)。激光退火設備20執行安裝在借助主軸馬達21一體旋轉的旋轉臺(未示出)上的磁光盤30的預定區域的激光退火處理。
這里，將說明由根據本發明的激光退火設備20對其進行激光退火處理的磁光盤30。
在磁光盤30上，如圖2中所示，在由通過利用形成引導凹槽(下面稱為凹槽)的壓模射出成形(injection molded)的聚碳酸酯構成的基板(基體)30a上，在按順序濺射之后，以薄膜形式形成介電層30b，再現層30c，控制層30d，轉換層30e，記錄層30f和介電層30g。此外，在介電層30g的上層上面涂上紫外線固化樹脂30h。
在涂上紫外線固化樹脂30h之前，進行激光退火設備20的激光退火處理。
在磁光盤30上，為了增大記錄容量，采用還在除凸臺之外的凹槽記錄數據的凸臺/凹槽記錄系統。因此，由根據本發明的激光退火設備對其進行激光退火處理，以便消除垂直磁各向異性的區域是存在于凸臺和凹槽之間的邊界部分附近的小區域。在下面的說明中，存在于由激光退火設備20對其進行激光退火處理的磁光盤30的凸臺和凹槽之間的邊界部分附近的這種小區域被稱為斜坡(slope)。為了準確地進行磁光盤30的斜坡的激光退火處理，激光退火設備20用于沿著凸臺或凹槽進行跟蹤控制。
在激光退火設備20的激光退火處理中，用于激光退火的光束從與磁光盤30的基板30a相反的介電層30g一側射出。因此，在把磁光盤30安裝在激光退火設備20的旋轉臺(未示出)中，以使基板30a為頂面的狀態安裝磁光盤30。
下面將參考圖1說明根據本發明的激光退火設備20。除了旋轉臺(未示出)和主軸馬達21之外，激光退火設備20還包括由激光光源1射出的激光束，通過一個以上的光學部件(組件)，產生用于跟蹤控制的光束，和用于激光退火的激光束，以便把這些激光束射到磁光盤30上的光學拾取器10。
此外，激光退火設備20包含根據從已射到磁光盤30上的，用于跟蹤控制的光束的返回光線檢測到的跟蹤誤差信號，進行光學拾取器10的跟蹤控制的跟蹤伺服系統，和調節光柵3的角度，以便把從激光光源1射出的激光束光學分離成用于跟蹤控制的光束和激光退火的光束的光柵調節系統。
首先，說明激光退火設備20的光學拾取器10。光學拾取器10包括激光光源1，準直透鏡2，光柵3，分光鏡(beam splitter)4，物鏡5，雙軸促動器單元6，會聚透鏡7和光電檢測器8。
激光光源1產生(振蕩)具有預定波長的激光束，把這樣產生的激光束射向下一級的準直透鏡2。
由于要求從光學拾取器10射到磁光盤30上的，用于激光退火的激光束被射到與將記錄信息的凸臺和/或凹槽相比很小的區域上，因此射到磁光盤30上的光束的光斑(spot)直徑必須小于進行記錄/再現過程中，射到磁光盤30上的激光束的光斑直徑。因此，當用于對磁光盤30進行信息信號的記錄/再現的激光束的波長為650nm時，采用激光光源1產生(振蕩)波長小于記錄/再現時使用的激光束的波長的激光束，例如波長約為405nm的激光束。
準直透鏡2被布置在激光光源1的下一級，用于使從激光光源1射出的激光束成為具有預定光束直徑的平行光束，從而把這樣獲得的平行光束射向光柵3。
光柵3是把從準直透鏡2射出的光束光學分離成三個光束的衍射光柵。如圖3中所示，光柵3是其中使從半徑為a的圓3a除去半徑為b的同心圓3b所獲得的區域S成為光柵結構的衍射光柵。光柵3的圓3a的區域是透明的，并適合準直透鏡2射出的光束的一部分從其透過。
從準直透鏡2射到這種光柵3上的光束被光學分離成0階衍射光束和兩個1階衍射光束。這樣光學分離的0階衍射光束是射到磁光盤30的凸臺R或凹槽G上，并被用于跟蹤控制的光束(下面稱為主光束Lm)。另一方面，這樣光學分離的兩個1階衍射光束是射到磁光盤30的斜坡S上，并被用于激光退火處理的光束(下面稱為第一子光束Ls1和第二子光束Ls2)。
光柵3光學分離的主光束，第一子光束和第二子光束通過后面說明的會聚透鏡7，射到磁光盤30上，如圖4中所示。
圖5中表示了主光束Lm和第一及第二子光束Ls1、Ls2之間的光通量的關系。圖5中的A表示主光束Lm的光通量的強度分布，B表示第一及第二子光束Ls1、Ls2的光通量的強度分布。主光束Lm和第一及第二子光束Ls1、Ls2之間的光通量比是這樣的光通量比，即當激光功率被設置成使得得到足以允許第一和第二子光束Ls1、Ls2進行激光退火處理的光通量時，主光束L的光通量并不高于這樣的光通量。由于主光束Lm和第一和第二子光束Ls1、Ls2之間的光通量比由光柵3的衍射光柵部分的光柵凹槽的深度確定，因此在光柵3指定光柵凹槽的深度，得到上述光通量比。
隨后，將說明主光束Lm，第一子光束Ls1和第二子光束Ls2的光斑確定。如圖4中所示，與第一和第二子光束Ls1、Ls2的光斑直徑相比，主光束Lm的光斑直徑較高。
如上所述，由于與凸臺R或凹槽G相比，由激光退火設備20對其進行激光退火處理的磁光盤30的斑點是很窄的區域，因此使從激光光源1射出的激光束的波長小于用于記錄/再現的激光束的波長，以便減小要輻射的激光束的光斑。此外，如后所述，另外就物鏡的NA來說，出于相同的原因，使用NA比在用于記錄/再現的光學拾取器中使用的物鏡的NA大的透鏡。從而，光柵3光學分離的第一和第二子光束的光斑直徑均產生不在磁光盤30的斜坡的區域之外進行激光退火處理的大小。
但是，當使光柵3光學分離的光束的主光束Lm具有與第一和第二子光束Ls1、Ls2的光斑直徑相同的光斑直徑時，會在推挽信號中產生較高的諧波分量，它是跟蹤誤差信號。從而，在作為控制目標位置的記錄軌道的中心，不能保持跟蹤誤差信號的線性。這種情況下，要注意的是由于凸臺/凹槽記錄的緣故，記錄軌道的中心產生凸臺和凹槽的中心位置。
圖6中在a表示了理想的跟蹤誤差信號，在使主光束Lm的光斑直徑與第一和第二子光束Ls1、Ls2的光斑直徑相同的情況下，獲得的跟蹤誤差信號表示在b。如圖6中的b所示，在作為跟蹤誤差信號的控制目標位置的記錄軌道的中心的附近，產生鞍形部分E，以致失去線性。在這種跟蹤誤差信號中，不能準確地應用跟蹤伺服。鑒于此，為了如圖6中a所示，在控制目標位置獲得具有線性的跟蹤誤差信號，與凸臺或凹槽的寬度相一致地使主光束的光斑直徑大于第一和第二子光束Ls1、Ls2的光斑直徑。
由于主光束Lm的光斑直徑可由圖3中所示的光柵3的圓3b的半徑b調節，因此在設計光柵3的階段進行所述調節。
在光柵3光學分離的主光束Lm與第一和第二子光束Ls1、Ls2入射到分光鏡4上。
第二次返回圖1，繼續光學拾取器10的說明。分光鏡4布置在光柵3的下一級，允許從光柵射出的主光束Lm與第一和第二子光束Ls1、Ls2從其透過，從而使這樣獲得的透射光入射到物鏡5上。另外，分光鏡4用于分別把通過物鏡5射向磁光盤30的主光束Lm與第一和第二子光束Ls1、Ls2的返回光線反射向會聚透鏡7。
物鏡5用于分別會聚在分光鏡4透過的主光束Lm與第一和第二子光束Ls1、Ls2，把這樣會聚的光束射到磁光盤30上。此外，由雙軸促動器單元6沿跟蹤方向和聚焦方向進行物鏡5的驅動移動。
會聚透鏡7用于分別把通過物鏡5在分光鏡4反射的主光束Lm與第一和第二子光束Ls1、Ls2的返回光線會聚到光電檢測器8。由于上面說明的原因，使物鏡5的NA大于在適合于發射記錄/再現用光束的光學拾取器中使用的會聚透鏡的NA。物鏡5的NA被表示成，例如NA＝0.85。
光電檢測器8是光電轉換部件，用于接收由會聚透鏡7分別會聚的主光束Lm的返回光線，第一子光束Ls1的返回光線和第二子光束Ls2的返回光線，從而以電流值的形式檢測光通量的強度分布。光電檢測器8由例如分別檢測主光束Lm的返回光線，第一子光束Ls1的返回光線和第二子光束Ls2的返回光線的光通量的強度分布的三個四等分檢測器構成。
光電檢測器8用于根據在四等分檢測器檢測的主光束Lm的返回光線的光通量的強度分布，計算主推挽信號，根據分別在四等分檢測器檢測的第一和第二子光束的返回光線的光通量的強度分布，計算第一子推挽信號和第二子推挽信號。
在光電檢測器8計算的主推挽信號，第一子推挽信號和第二子推挽信號被傳送給后面說明的跟蹤伺服系統。特別地，主推挽信號被用作跟蹤控制中的跟蹤誤差信號。
下面，說明執行上述光學拾取器10的跟蹤控制的跟蹤伺服系統。
跟蹤伺服系統包括電流·電壓(I-V)轉換單元11，矩陣(matrix)12，相位補償電路13和雙軸促動器驅動電路14。
電流·電壓(I-V)轉換單元11把從光電檢測器8傳送來的主推挽信號，第一和第二子推挽信號轉換成電壓值，并把它們傳送給矩陣12。
矩陣12分別把從電流·電壓(I-V)轉換單元11傳送來的主推挽信號，第一和第二子推挽信號傳送給相位補償電路13和后面將說明的光柵調節系統的最佳角度檢測單元15。
相位補償電路13是適合于改進跟蹤伺服系統中的相位延遲的電路，并用于提前(lead)從矩陣12傳來的主推挽信號的電壓值的相位，從而把這樣獲得的電壓值傳送給雙軸促動器驅動電路14。
雙軸促動器驅動電路14把從相位補償電路13傳來的相位補償的主推挽信號的電壓值傳送給雙軸促動器單元6，以驅動雙軸促動器6。
這樣的激光退火設備20根據從自光學拾取器10射到磁光盤30的凹槽G或凸臺R上的主光束Lm的返回光線檢測到的主推挽信號，由跟蹤伺服系統進行跟蹤方向上的，光學拾取器10的物鏡5的跟蹤控制，從而使得能夠分別準確地把在光柵3光學分離的第一子光束Ls1和第二子光束Ls2射到磁光盤30的斜坡S上。
下面，將說明光柵調節系統。光柵調節系統包括最佳角度檢測單元15，光柵旋轉驅動單元16和馬達17，用于根據從矩陣12傳來的第一和第二子推挽信號，以從激光光源1射向光柵3的激光束的光軸為旋轉中心，旋轉光柵3，從而改變由光柵3光學分離的第一和第二子光束Ls1和Ls2在磁光盤30上的照射位置的設置。
首先，說明光柵調節系統改變第一和第二子光束Ls1和Ls2在磁光盤30上的照射位置的設置的原因。
在磁光盤30上形成的凹槽G的寬度并不局限于與由于形成凹槽G的結果而形成的凸臺R的寬度完全相等。
例如，如圖7中所示，在磁光盤30上形成的凹槽G的寬度和凸臺R的寬度可以是1∶1(占空率50％∶50％)。如圖8中所示，凹槽的寬度和凸臺的寬度可以是3∶2(占空率60％∶40％)。如上所述，凹槽G的寬度和凸臺R的寬度因要生產的磁光盤30而變化。
假定在凹槽G的寬度和凸臺R的寬度具有1∶1的關系(如圖7中所示)，激光退火設備20能夠用由光柵3光學分離的第一和第二子光束Ls1和Ls2，準確地進行作為磁光盤30的凹槽G和凸臺R之間的邊界部分的斜坡S的激光退火處理。
此時，在不改變激光退火設備20的設置，進行凹槽G的寬度和凸臺R的寬度具有3∶2的關系(如圖8中所示)的磁光盤30的激光退火處理的情況下，會在光柵3光學分離的第一和第二子光束Ls1和Ls2未照射到斜坡S上的狀態下，在凹槽G上進行激光退火處理。
在如上所述，形成于磁光盤30上的凹槽G的寬度和凸臺R的寬度具有不同百分率的情況下，通過以光軸作為中心旋轉光柵3，能夠進行調節。
假定在如上所述，磁光盤的凹槽G的寬度和凸臺R的寬度之間的比值為1∶1的情況下，光柵3被設置使得第一和第二子光束Ls1、Ls2被照射到斜坡S上。為了在按照這種方式設置激光退火設備20的光柵3的情況下，第一和第二子光束Ls1、Ls2被照射到磁光盤30的斜坡S上，凹槽G的寬度和凸臺R的寬度之間的比值為3∶2，以光軸作為中心把光柵3旋轉預定的角度，第二次進行設置，從而使得能夠解決該問題。
具體地說，光柵調節系統通過參考從矩陣12傳來的第一和第二子推挽信號，由最佳角度檢測單元15確定光柵3以光軸為中心將被旋轉的角度，從而根據在最佳角度檢測單元15檢測的最佳角度，由光柵旋轉驅動單元16進行馬達17的驅動控制，使光柵3的角度最佳。
從凹槽G的寬度和凸臺R的寬度具有相同百分率的磁光盤30獲得的主推挽信號，第一子推挽信號和第二子推挽信號分別用圖9中(a)、(b)和(c)處的實線表示。此外，從凹槽G的寬度和凸臺R的寬度具有不同百分率的磁光盤30獲得的第一子推挽信號和第二子推挽信號分別用圖9中(b)和(c)處的虛線表示。
如圖9(b)和(c)處的實線所示，第一子推挽信號和第二子推挽信號表示在跟蹤控制中的控制目標位置，即在凹槽和凸臺的中心位置的最大值和最小值。此外，顯然由于激光退火設備20的光柵3的角度未被最佳調節，因此第一和第二子推挽信號的最大值和最小值偏離凹槽G和凸臺R的中心位置，如圖9中(b)和(c)處的虛線所示。
因此，最佳角度檢測單元15用于參考從矩陣12傳來的第一和第二子推挽信號，旋轉光柵3，從而得到位于凹槽G和凸臺R的中心位置的最大值和最小值，以確定最佳角度。
如上所述，在激光退火設備20中，由于能夠借助光柵調節系統，調節用于進行激光退火處理的第一和第二子光束Ls1和Ls2的照射位置，因此能夠把第一和第二子光束Ls1和Ls2照射到除磁光盤30的斜坡S之外的部分。
例如，在不僅對磁光盤30的斜坡S，而且對磁光盤30的凹槽G和凸臺R進行激光退火處理，以致可提高磁光盤30的特性的可能的情況下，通過參考第一和第二子推挽信號的最大值和最小值，以光軸為中心旋轉光柵3，由光柵調節系統進行調節，從而能夠應付這樣的情形。
光柵調節系統進行的光柵3的調節是在激光退火設備20中進行激光退火處理時首先執行的操作。由于磁光盤30的凹槽G的寬度和凸臺R的寬度之間的比值由壓模確定，只在磁光盤30的生產過程中改變壓模的情況下，才進行光柵調節系統的光柵3的角度調節。
要注意的是已根據附圖中圖解說明，并且詳細描述的本發明的優選實施例說明了本發明，但是本領域的普通技術人員應明白本發明并不局限于這些實施例，相反，在不脫離由附加權利要求限定的本發明的范圍和精神的情況下，可實現各種修改、備選結構或等同物。
工業可應用性如上所述，在本發明中，使光學分離的0階衍射光束成為用于跟蹤控制的光束，使兩個1階衍射光束成為用于激光退火的光束，根據照射到磁光記錄介質上的0階衍射光束的返回光線產生跟蹤誤差信號，從而進行跟蹤控制，以便沿磁光記錄介質的引導凹槽或凸臺部分而行。通過進行跟蹤控制以便沿引導凹槽或凸臺部分而行，在衍射光學裝置光學分離的兩個1階衍射光束被照射到磁光記錄介質的引導凹槽和凸臺部分之間的邊界部分附近的磁性層上。從而，執行激光退火處理。
從而，由于在進行跟蹤控制的時候，可由用于激光退火的兩個激光束同時進行所需區域的退火處理，因此能夠實現準確和高速的退火處理。因此，磁光記錄介質的生產過程被縮短。于是，能夠以低成本提供具有很高記錄容量的磁光記錄介質。
另外，由于以從光源入射到衍射光學裝置的光束的光軸作為旋轉中心，旋轉衍射光柵，以致能夠改變照射到磁光記錄介質上的第二和第三光束的照射位置，因此能夠準確地進行退火處理，而不論引導凹槽和凸臺部分之間的比值為多少。
權利要求
1.一種適合于使磁光記錄介質的磁性層退火的退火設備，所述退火設備包括發出具有預定波長的光束的光源；把從光源發出的光束光學分離成作為0階衍射光束的第一光束，和作為1階衍射光束的第二及第三光束的衍射光學裝置，其中在使第二和第三光束的每個光束輸出成為使磁性層退火所必需的光束輸出的情況下，衍射光學裝置用于調節第一光束與第二和第三光束之間的光通量比，以致第一光束的光束輸出等于或小于進行退火處理所必需的光束輸出，從而光學分離這樣獲得的光束；會聚在衍射光學裝置光學分離的第一光束，把這樣會聚的第一光束照射到已在磁光記錄介質上形成的引導凹槽或在引導凹槽兩側形成的凸臺部分的磁性層上，以及會聚第二和第三光束，把這樣會聚的第二和第三光束照射到引導凹槽和凸臺部分之間的邊界部分附近的磁性層上的照射裝置；檢測已照射到引導凹槽的磁性層上的第一光束的返回光線的光通量的強度分布的第一強度分布檢測裝置；根據第一檢測裝置檢測的第一光束的返回光線的光通量的強度分布，產生第一跟蹤誤差信號的第一跟蹤誤差信號產生裝置；和根據第一跟蹤誤差信號產生裝置產生的第一跟蹤誤差信號的線形特性，以使第一光束沿著引導凹槽或凸臺部分而行的方式，控制照射裝置的控制裝置。
2.按照權利要求1所述的退火設備，其中在衍射光學裝置光學分離的第一光束的光束直徑是這樣的大小，以保持跟蹤誤差信號產生裝置產生的跟蹤誤差信號的線性。
3.按照權利要求2所述的退火設備，其中第二和第三光束的每個光束直徑小于第一光束的光束直徑。
4.按照權利要求1所述的退火設備，還包括分別檢測第二和第三光束的返回光線的光通量的強度分布的第二強度分布檢測裝置。
5.按照權利要求4所述的退火設備，還包括根據第二強度分布檢測裝置檢測的第二和第三光束的返回光線的光通量的強度分布，產生第二跟蹤誤差信號和第三跟蹤誤差信號的第二跟蹤誤差信號產生裝置。
6.按照權利要求5所述的退火設備，還包括以從光源射向衍射光學裝置的光束的光軸作為旋轉中心，旋轉衍射光學裝置的旋轉裝置。
7.按照權利要求1所述的退火設備，包括通過參考當衍射光學裝置被旋轉裝置旋轉時，改變某一角度的第二和第三跟蹤誤差信號的相應最大值和最小值，根據基于第一跟蹤誤差信號的線形特性的控制裝置的控制，確定當照射裝置沿著引導凹槽或凸臺部分而行時，第二和第三光束在磁光記錄介質上的照射位置的照射位置確定裝置。
8.一種使磁光記錄介質的磁性層退火的退火方法，所述退火方法包括把從光源發出的光束光學分離成作為0階衍射光束的第一光束，和作為1階衍射光束的第二及第三光束，使這樣光學分離的光束入射到照射裝置上；使照射裝置會聚這樣光學分離的第一光束，把這樣會聚的第一光束照射到已在磁光記錄介質上形成的引導凹槽或在引導凹槽兩側形成的凸臺部分的磁性層上；使照射裝置會聚光學分離的第二和第三光束，把這樣會聚的第二和第三光束照射到引導凹槽和凸臺部分之間的邊界部分附近的磁性層上；檢測照射到引導凹槽的磁性層上的第一光束的返回光線的光通量的強度分布；根據檢測的第一光束的返回光線的光通量的強度分布，產生第一跟蹤誤差信號；和根據產生的第一跟蹤誤差信號的線形特性，以使第一光束沿著引導凹槽或凸臺部分而行的方式，控制照射裝置。
9.按照權利要求8所述的退火方法，其中光學分離的第一光束的光束直徑是這樣的大小，以保持跟蹤誤差信號的線性。
10.按照權利要求9所述的退火方法，其中第二和第三光束的每個光束直徑小于第一光束的光束直徑。
11.按照權利要求8所述的退火方法，還包括檢測第二和第三光束的返回光線的光通量的強度分布。
12.按照權利要求11所述的退火方法，還包括根據第二和第三光束的返回光線的光通量的強度分布，產生第二跟蹤誤差信號和第三跟蹤誤差信號。
13.按照權利要求12所述的退火方法，其中以光束的光軸作為旋轉中心，旋轉第一、第二和第三光束的從光源發出的并被光學分離和射出的光束。
14.按照權利要求13所述的退火方法，包括通過參考當借助光束的旋轉，旋轉衍射光學裝置時，按照一個角度而改變的第二和第三跟蹤誤差信號的相應最大值和最小值，根據基于第一跟蹤誤差信號的線形特性的控制，確定當照射裝置沿著引導凹槽或凸臺部分而行時，第二和第三光束在磁光記錄介質上的照射位置。
全文摘要
一種適合于對磁光記錄介質進行退火處理的退火設備，它包括把從激光光源(1)發出的光束光學分離成作為0階衍射光束的第一光束，和作為1階衍射光束的第二及第三光束的衍射光學單元(3)，會聚第一光束，把這樣會聚的第一光束照射到引導凹槽或在引導凹槽兩側形成的凸臺部分的磁性層上，以及會聚第二和第三光束，把這樣會聚的第二和第三光束照射到引導凹槽和凸臺部分之間的邊界部分附近的磁性層上的物鏡(5)，和根據基于第一光束的返回光線的光通量的強度分布產生的第一跟蹤誤差信號的線形特性，控制物鏡(5)，從而第一光束沿引導凹槽或凸臺部分而行的雙軸促動器單元(6)。
文檔編號G11B7/09GK1698110SQ20048000052
公開日2005年11月16日 申請日期2004年5月21日 優先權日2003年5月21日
發明者藤田五郎, 三木剛, 田中靖人, 坂本哲洋, 藤家和彥 申請人:索尼株式會社