增強性能的介質的頂蓋層的制作方法

專利名稱：增強性能的介質的頂蓋層的制作方法
技術領域：
本發明一般涉及高密度數據介質的熱寫入領域，更具體地說，涉及用于近場光學和電子束寫入的高密度數據記錄產品的具體組成及形成方法。
背景技術：
相變介質是提供高密度數據存儲的應用廣泛的裝置，這種介質包括CD-RW、DVD-RAM和DVD-RW格式。在這類介質中，數據存儲在通常為微米大小的特定位置，并根據目標區域的微結構進行存儲和擦除。微結構可以是結晶態或非晶態。在結晶態介質中進行位寫入需要將所需區域熔融，并快速將所述區域急冷(淬火)到玻璃態。位擦除則涉及利用較緩慢和溫和的加熱轉換所述玻璃態，使之產生再結晶。所以寫入和擦除過程都要求將相當大量的能量加到相變介質中，也稱為相變層或數據層中，所述層在過去通常是鍺、銻和碲的三元化合物GeSbTe，又稱為GST。
在這種設置中，相變介質的燒蝕或引入介質中的化學變化可能非常不合乎需要，并會在介質中引入缺陷和/或妨礙在介質上寫入和擦除數據位的能力。在過去為防止不需要的燒蝕或化學變化需將GST層包復在非晶硫化鋅-氧化硅(ZnS-SiO2)介質材料的厚膜中。包復層可以防止對相變介質的燒蝕和化學變化，且由于其對可見光的透明性而與記錄過程兼容。此外，包復層對從低熔融溫度GST層傳導的熱量有顯著的熱阻。這種光學堆疊還可包括鋁(Al)層或金(Au)層，它們用作鏡面并對其它層提供高傳導散熱。典型的ZnS-SiO2/GST/ZnS-SiO2/Al堆疊可以嵌入在聚碳酸酯中，既耐用又方便最終用戶使用。
最新的存儲器設計已開始采用近場光學系統或電子束進行熱寫入。例如，參閱美國專利5557596，”Ultra High Density StorageDevice(超高密度存儲裝置)”，1996年9月17日授予發明人Gary AGibson。所述`596專利向可移動平臺上的信息存儲介質區域提供產生電子束的多個電子發射器，以便存儲和檢索信息。一個基于微機電系統(MEMS)技術的微移動器相對于電子發射器移動平臺，以便能夠與平臺上所選的存儲介質區域進行并行通信。在所述`596專利中，數據存儲介質包括二極管，其頂層是相變材料，能在結晶態和非晶態之間(或在電性能不同的兩個結晶態之間)進行可逆變化。利用電子束局部影響相變層中的狀態變化來寫入數據。通過利用電子束查詢位同時監測在二極管中引發的電流來檢測位。所述引發的電流取決于查詢區域中相變層的局部狀態。
在近場光學和電子束熱寫入系統中，由于各種原因不能使用上述厚堆疊(ZnS-SiO2/GST/ZnS-SiO2/Al或ZnS-SiO2/GST/ZnS-SiO2)。首先，近場寫入要求光學探頭在介質表面的比一個波長小得多的范圍內通過，這一般與所采用的典型ZnS-SiO2覆蓋層厚度不兼容，與用來覆蓋介質的聚碳酸酯也不兼容。在電子束熱寫入時，電子束通常不能穿透比較厚的覆蓋層，除非采用極高的電子束能量，而這是不實際的。而且，厚覆蓋層會使電子束充電和偏轉，這也不合乎要求。
但是，數據層的燒蝕和化學改變的問題依然存在于近場光學和電子束熱記錄方案中。
最好能提供一種設計，它具有在高密度和超高密度介質中抑制燒蝕和化學改變的優點，同時又能以較有效的方式對所述介質進行近場光學和電子束熱寫入和擦除。

發明內容
本發明的第一方面提供一種數據存儲和檢索介質。所述數據存儲和檢索介質包括數據層，它能借助于施加能量束來存儲和擦除數據；以及淀積在數據層上的單獨頂蓋層，所述單獨頂蓋層對于能量束是比較透明的并包括以下材料組中的至少一種材料外延材料、導電材料、堅固高熔點材料以及堅固高熔點材料和薄介質層的組合。
本發明的第二方面提供一種數據存儲和檢索介質，它包括可變數據層，它具有被能量束改變的能力；以及淀積在數據層上的單獨頂蓋層，所述單獨頂蓋層對于能量束是比較透明的包括以下材料組中的至少一種材料堅固高熔點材料、導電材料、外延材料以及堅固高熔點材料和薄介質層的組合。
本發明的第三方面提供數據存儲和檢索介質的制造方法，所述方法包括提供能夠借助于施加能量束而發生變化的數據層；以及在數據層上淀積頂蓋層，所述頂蓋層對于能量束是比較透明的并包括以下材料組中的至少一種材料堅固高熔點材料、導電材料、高度各向異性分層材料以及外延材料。
本發明的第四方面提供數據存儲和檢索介質的制造方法，所述方法包括提供能夠借助于施加能量束而發生變化的數據層；以及在數據層上淀積頂蓋層，所述頂蓋層對于能量束是比較透明的并包括以下材料組中的至少一種材料外延材料、導電材料、高度各向異性分層材料、堅固高熔點材料以及堅固高熔點材料和薄介質層的組合。
對于本專業的技術人員來說，在讀了對附圖中所示的優選實施例的詳細說明后，對本發明各方面的這些和其它優點就可一目了然。


附圖中以實例方式而非限制的方式說明本發明，附圖中圖1示出典型的光電二極管(光束)或陰極二極管(電子束)數據存儲和檢索器件；圖2示出傳統光學記錄介質所采用的以前的分層結構，具體地說是ZnS-SiO2/GST/ZnS-SiO2/Al結構；圖3示出采用外延層作為頂蓋層的介質結構；圖4示出采用導電頂蓋層(例如多晶或導電非晶頂蓋層)的介質分層結構；圖5示出采用高度各向異性頂蓋層(例如由分層硫屬元素化物組成)的介質分層結構；以及圖6示出形成可重寫光學介質分層材料，采用由超薄層堅固高熔點材料(例如鉬)構成的頂蓋層，其上可任選地覆蓋有薄介質層。
具體實施例方式
本發明包括采用不同材料的各種頂蓋層，其中，使用這些材料有助于在具有近場和電子束記錄裝置時提高介質的寫入和讀出總效率。在本文中，詞語”材料”包括所有種類的化合物、合金和元素的其它組合。而且，詞語”包復層”和”頂蓋層”可以互換，二者都指基層以外或以上堆疊的最頂層或最外層。另外，詞語”數據層”可以理解為相似或不同材料的多個物理層。實際上，”數據層”在許多情況下可包括由不同材料組成的多個薄膜層。
數據存儲和檢索器件的不同形式包括例如光電二極管和陰極二極管、光電晶體管和陰極晶體管、光電導和陰極電導器件、光致發光和陰極發光器件以及它們的組合和變型。此外，也可與一個或多個上述器件形成各種類型的結，例如異質結，以便獲得所需的檢測結果。在異質結中，在結的相對兩側使用兩種不同的半導體。這些結的形成以及它們的性質可以得益于采用本發明的介質，并且本發明在某些方面使用這些器件和結的結構來提供對以前所用的介質的改進。
圖1示出典型的光電二極管(光束)或陰極二極管(電子束)數據存儲和檢索器件130。數據存儲層132放置在附加層134上，形成二極管135。二極管可以是能提供內置場以分離電荷載流子的任何類型，例如p-n結，pin-結，或蕭特基阻擋層器件，依所用材料而定。
發射器138將光束或電子束導向存儲層132。所述系統通過局部改變存儲層132上區域142的狀態來寫入數據位。存儲區域142的不同狀態在讀出功能時提供位檢測的對比。
在讀出功能時，發射器138發射較低功率密度的束，局部激勵二極管135的存儲區141和142中的電荷載流子。如果在存儲層132中載流子被激勵，所產生的載流子數量(“產生效率”)將取決于光束或電子束入射的存儲區141、142的狀態。
影響產生效率的因素有存儲層的帶結構和成對復合。所產生的一種符號載流子(電子或空穴)的一部分在內置場的作用下將掃掠過二極管界面136(“聚集效率”)。可以通過電壓源144在界面136上施加附加場。可以通過在界面136兩端取得的檢測信號來監測載流子通過二極管界面136而產生的電流，以確定數據存儲區141、142的狀態。聚集效率取決于讀出光子入射的區域內和周圍的復合速率和遷移率以及內置場的影響。
因此，讀出光子或電子在二極管135兩端所產生的電流變化就取決于局部產生效率和局部聚集效率。這兩種因素都受光子或電子入射區域的狀態的影響。存儲層132的相變材料可以包括許多種相變材料，例如具有適當電特性(例如帶隙、遷移率、載流子壽命以及載流子密度等)的基于硫屬元素化物的相變材料。
本發明用能與近場光學記錄的近距要求或電子束記錄的電子透明度要求兼容的覆蓋層來取代在傳統光學記錄介質中通常采用的Zn-SiO2覆蓋層。對于光學記錄，頂蓋或覆蓋層如果對器件寫入或讀出束盡可能透明則對設計會十分有利。覆蓋層可在高溫熔融，而不受寫入過程的影響，與數據層沒有化學反應，與數據層沒有相互擴散，并可提供良好的機械質量，例如機械穩定性。對于近場記錄，覆蓋層可以很薄。對于電子束記錄，覆蓋層可以很薄并由低原子序數元素和/或低質量密度元素組成，可對電子有最大的透明度。在本文中，具有”低”原子序數的元素或材料是指原子序數一般低于75的元素或材料，如果不涉及到鎢，通常低于45。在本文中，詞語”低質量密度”一般是指低于或類似于Si(硅)的質量密度，大約為2.33g/cm3，原子序數為28。與傳統光學記錄以前所采用的覆蓋層相比，近場光學和電子束記錄中可以采用不同類型的頂蓋層。在本文中，詞語”能量束”用來表示聚焦的能量束，例如近場光學無衍射有限光束或電子束，以便與傳統光學記錄中所使用的束相區別。
圖2示出傳統光學記錄介質所采用的以前的分層結構。圖中示出ZnS-SiO2/GST/ZnS-SiO2/Al結構，鋁層201在底部，上面是ZnS-SiO2層202，GST相變層淀積在ZnS-SiO2層202上面，第二ZnS-SiO2層204淀積在GST相變層上面。
如果用這些二維材料作為相變層，這種層主要但不完全包括基于柳屬元素的材料。這些二維分層材料包括以下各類材料III-VI族化合物InTe，InSe，GaSe，GaS，以及GaTe的六方晶(亞穩)形式，VI-VI族化合物GeS，GeSe，SnS，SnSe，SnS2，SnSe2，以及SnSe2-xSx，金屬雙硫屬元素化物SnS3，ShSe2，WS2，WSe2，MoS2，和MoSe2，過渡金屬硫屬元素化物TiS2，TiS3，ZrS2，ZrS3，ZrSe2，ZrSe3，HfS2，HfS3，HfSe2，和HfSe3，Ga2S3，Ga2Se3，Ga2Te3，In2S3，In2Se3，In2Te3，GeS2，GeAs2，以及Fe2S4的某些變形，例如某些結晶結構，以及具有二維層結構的所有三元材料，包括具有二維層結構的三元硫屬元素化物，例如ZnIn2S4和MnIn2S4。堆疊中可以用的其它材料在目前待批的美國專利申請序列號10/286,010(2002年10月31日提交，發明人Gary AGibson，題目為”Two-Dimesional Materials andMethods for Ultra-High Density and Data Storage”)中有所討論。
通常。在上述材料和材料組合上的頂蓋層可以對存儲和檢索介質提供某些好處。第一，頂蓋層可以防止在對介質寫入、擦除或讀出數據的過程中因諸如燒蝕或與環境污染物反應等有害情況造成的損壞。一般來說，寫入(非晶化)過程對介質的損害最大，其次是擦除(再結晶)，再次是讀出。頂蓋也可防止介質在不使用時的緩慢而不可逆的變化。這種緩慢而不可逆的變化包括組成物的放氣，室溫下與環境污染物的反應以及其它有害效應。
第二，頂蓋層可以提供延伸在整個介質上的導電觸點。當相變層的電阻率相當高時，頂蓋中的電導率很重要。當相變層具有較高電阻時，與二極管頂層(頂部相變層)的觸點(所述觸點遠離發生數據存儲的區域或偏離在其一側)在數據區和觸點之間提供相當高的串接電阻，這是有利的。
第三，頂蓋層有助于寫入或擦除過程。例如，頂蓋層可以提供在這些過程中產生較好的溫度分布的熱性能，或在某些情況下，在擦除時可用作相變層再結晶的模板。
頂蓋層的結構和性能取決于上述三個潛在好處中哪一個適用于所面臨的特定情況。在所有情況下，除非大部分電子束穿透頂蓋，否則位就不能讀出，所以頂蓋一般必需或者較薄或者用具有長穿透深度的材料制成。長穿透深度通常要求材料具有較低的平均原子序數和/或低質量密度。一般來說，材料越薄，質量密度和/或可采用的原子序數越大。而且，束能量越高，質量密度越大，且原子序數的要求可以放松。而且，頂蓋層在許多實例中必需較好地附著到相變層上。為了防止損壞，頂蓋層材料需要比較堅固，并具有較高的熔點，以耐受寫入和擦除過程。
基于上述，鉬(Mo)是比較堅固的難熔材料。Mo可以用較薄的分層工藝分層，并能經受寫入過程。Mo也有適當的導電率。可用作頂蓋層的某些低質量密度，低Z材料一般不如Mo堅固，所以使用這些材料就要求有較大的厚度，以經受寫入過程，從而中和了與低質量密度相關聯的好處。
在目前的設計中，頂蓋構造成有利于超高密度探頭(近場光學探頭或聚焦的電子束)。一般來說，如果導電材料對于適當波長的光子或適當能量的電子不是足夠透明，所述導電材料的工作可能就不能滿足要求。在這種情況下關鍵的設計參數是所采用的層的特性，而不僅是所用的材料。一種材料對于給定能量的電子可具有長穿透深度，但一層只有在具有適當的穿透深度和厚度的組合時才能對電子有足夠的透明并在給定條件下工作得符合要求。
本發明采用的分層可以提供上述好處，并具有以下屬性外延材料、導電材料、具有較低的平均原子序數和/或低質量密度的材料、和/或堅固的高熔點材料要足夠薄以便對電子有適當的透明，例如Mo。某些以前的分層設計例如前述ZnS-SiO2設計，可以具有低Z水平，但這些層通常使用時厚度太大，對在例如電子束應用中所采用的低能量電子不夠透明。
通常低質量密度和低Z材料對應于趨向提供較長電子穿透深度的情況。電子穿透深度的長度取決于這兩項因素質量密度和原子序數，以及入射電子的能量。所以，本發明可適用于對能量束比較透明的頂蓋層，此處”比較透明”表示能量束的大部分能量都能穿透頂蓋層。當能量束是電子束時，低質量密度和低原子序數特性是主要有關的。一般來說，低質量密度/低原子序數屬性對光不提供長穿透深度。但應理解在本發明中采用的材料和層對所采用的能量束一般”比較透明”。
在本發明中采用的外延材料可包括例如外延立方晶系材料，比如氟化鈣(CaF2)。CaF2在Si(111)上以單晶形式生長，常用的硅襯底具有平行于材料表面的硅111平面。CaF2對于在Si(111)上外延生長的薄膜提供晶格匹配的頂蓋層。在Si(111)上外延生長的薄膜實例包括InSe和GaSe。CaF2通常在大約1400℃熔融，一般不起反應，由原子序數較低的元素組成，且通常對可見光透明。CaF2也可用作緩沖層(如果需要這種緩沖層的話)，以便在InSe/GaSe異質結和襯底硅之間提供電隔離。
圖3示出利用外延立方晶系材料(例如CaF2)的介質的典型結構。由圖3可見，Si(111)層301形成底層。在Si(111)層301上生長p型GaSe的第一薄膜層302。盡管晶格失配，但GaSe很易在Si(111)層上外延生長。然后在GaSe的第一薄膜層302上生長n型InSe的第二薄膜層303。或者InSe可直接生長在GaSe晶體上，不用硅襯底。
在這種配置中，InSe第二薄膜層303形成介質的相變層或記錄層。此時所得到的結構是三維各向異性結構，而頂蓋材料可以直接設置在所述三維結構上方的InSe第二薄膜層303上。
InSe/GaSe/Si組合在InSe/GaSe和GaSe/Si界面304和305形成結，它們具有低的界面和表面復合，高空間均勻度，比較高的遷移率，長載流子壽命，以及很少的晶粒邊界。InSe/GaSe/Si堆疊還具有較低缺陷密度的平滑表面。
在相變層或InSe第二薄膜層303上設置外延立方晶系材料的頂蓋層，在此實例中為CaF2。外延頂蓋層在非晶位再結晶時可用作生長模板。這個模板可以增加擦除速度或促使再結晶材料具有和周圍矩陣相同的定向。再結晶的正確定向可以減少某些種類缺陷的形成。例如，在再結晶材料和矩陣之間的大角度晶粒邊界可以防止恢復起始電性能，從而防止全擦除。高角度晶粒邊界在各向異性的材料例如InSe中特別有害。
在設計中也可采用特性類似于CaF2的其它立方晶系材料，只要它們與InSe/GaSe層晶格匹配，并能根據光學介質的應用提供必需的有利特性，例如不發生反應，具有低質量密度，由較低序數的原子元素組成，以及對可見光有適當的透明度等。
可以采用的第二類頂蓋層是導電多晶或非晶頂蓋層，例如石墨或sp2-鍵接的非晶碳。sp2-鍵接的非晶碳通常不發生反應，在較高的溫度熔融，并具有適當的導電率。石墨是半金屬，它能強烈吸收可見光且具有適中的導電率。
可以采用的另一類頂蓋層是電絕緣頂蓋層，例如鈹、sp2-鍵接的非晶碳或非晶氮化硼。鈹是電絕緣體，且和sp2-鍵接的非晶碳一樣是良導熱體。
對應電子束記錄，sp2-鍵接的非晶碳和鈹以及它們的混合物，由于它們較低的原子序數和較低的質量密度，在這種結構中可以提供某些優勢。其它低原子序數的材料，例如鋁，由于可能與數據層相變材料發生反應，因而不是最佳的選擇。
導電頂蓋層降低了對橫向載流子傳輸的需求且能使任何二極管偏壓在橫向上更為均勻，從而可改進異質結二極管的聚集效率。頂蓋層的高導熱性在寫入和擦除過程中使位深度上的溫度更為均勻從而提高了介質結構的整體可靠性，防止了因表面溫度過高而造成的損壞。換句話說，在執行讀出或寫入任務時，具有高導熱性的材料可以較好地散熱，因此，由于防止了因高溫導致的損壞或材料的過度改變而可以進行更受控的位寫入或讀出。但是，太高的熱傳導會限制位的最小尺寸和間隔。
圖4示出使用導電多晶或非晶頂蓋層的器件的典型結構。還是硅Si(111)層401形成底層。在Si(111)層401上生長p型GaSe的第一薄膜層402。然后在GaSe的第一薄膜層402上生長n型InSe的第二薄膜層403。或者InSe可直接生長在GaSe晶體上，不用硅襯底。除InSe和GaSe外的其它相變材料也可用在存儲介質上。
在這種配置中，InSe第二薄膜層403形成介質的相變層或記錄層。此時所得到的結構是三維各向異性結構，頂蓋材料可直接設置在所述三維結構上方的InSe第二薄膜層403上。
InSe/GaSe/Si組合在InSe/GaSe和GaSe/Si界面404和405形成結，它們具有上述有利的特性。在相變層或InSe第二薄膜層403上設置石墨或sp2-鍵接非晶碳的導電頂蓋層406。在某些實例中石墨可以和鈹組合在一起形成頂蓋層406。對于電子束寫入和讀出，可優選采用sp2-鍵接的非晶材料。或者，在相變層或InSe第二薄膜層403上設置由sp3-鍵接的非晶碳，或鈹，或非晶氮化硼構成的絕緣頂蓋層406。sp3-鍵接的非晶碳通常不導電，因此使用這種材料可以提供某些好處(化學惰性和低質量密度)，但也有不導電的缺點。
在這種配置中可以用作頂蓋層的第三種分層結構是高度各向異性的分層材料，例如石墨。可以采用各種分層硫屬元素化物，包括(但不限于)GaSe，WSe2，MoS2，MoTe2，GaS，和InS。對于分層硫屬元素化物的詳盡討論可參閱W.Jaegermann等人的文章“Electronicproperties of van der Waals-epitaxy films and interfaces”，發表在”Electron Spectroscopies Applied to Low-DimensionalMaterials”，由H.P.Hughes and H.I.Starberg編輯，Kluwer AcademicPublishers，Dordrecht，2000。這些六方晶材料具有很強的熱力學趨勢生長成單一方向和連續層。這樣在某些情況下，比之用非晶或多晶各向同性材料所構建的層，這些各向異性材料可構建更薄的連續層。與上述各向異性材料的連續層相比，非晶或多晶各向同性薄膜較為粗糙。各向異性材料在其終端表面還具有較低密度的懸掛鍵，所以很不易發生反應，并有低的界面復合速率。此外，許多分層材料，例如石墨、MoTe2和SnSe2都具有較小的帶隙，在層平面內是相對導電的。這種導電率有助于設計異質結器件，這些異質結器件基于難于以薄膜形式摻雜的半導體(例如InSe和GaSe)。數種這些分層各向異性材料可以像GaSe一樣在數據層材料例如InSe上生長，并可提供針對上述外延立方晶系材料所述的有利效應。
圖5示出利用高度各向異性材料例如分層硫屬元素化物作為頂蓋層的設計。硅Si(111)層501形成底層。在Si(111)層501上生長p型GaSe的第一薄膜層502。然后在GaSe的第一薄膜層502上生長n型InSe的第二薄膜層503。InSe可直接生長在GaSe晶體上，不用硅襯底。
InSe的第二薄膜層503形成介質的相變層或記錄層。InSe/GaSe/Si組合在InSe/GaSe和GaSe/Si界面504和505形成結，它們具有上述有利的特性。在相變層或InSe第二薄膜層503上淀積類似于石墨的高度各向異性材料或各種分層硫屬元素化物的頂蓋層506，分層硫屬元素化物包括(但不限于)GaSe，WSe2，MoS2，MoTe2，GaS，和InS。
在某些情況下所述設計可包括超薄層堅固導電材料，例如鉬(Mo)，加上可選的薄介質層，例如二氧化硅(SiO2)，以獲得附加的化學和機械穩定性，如圖6所示。由圖6可見，硅Si(111)層601上覆蓋有GaSe薄膜層602，其上覆蓋有InSe組成的數據層603。淀積在InSe數據層603上的是堅固的導電層604，其上覆蓋有薄介質層605。在所述結構中，Mo具有較高的原子序數，且不利地限制著電子的傳輸。但，Mo加上SiO2介質頂蓋就有可能完全擦除位，并在有反復的寫入-擦除循環時可限制損壞。將薄介質層與堅固的Mo層一起使用，就可用較薄的Mo層。使用較薄的Mo層就可改進電子或光的傳輸，而同時仍保持頂蓋層有足夠的整體堅固性。而且，介質層有助于保護Mo層在寫入或擦除過程中不與周圍環境發生破壞性的反應。
所述設計還可采用由兩種或多種所列材料組成的頂蓋層，例如碳-SiO2雙層。所以本專業的技術人員應理解，本設計可應用于利用具有上述特性和功能的其它材料的其它分層設計來進行高速和高密度的光學寫入和擦除。
雖然以上已對用特殊的頂蓋層實現相變介質增強性能的方法作了說明，目的是示明本發明可以最有利地使用的方式，但應理解本發明不僅限于此。所以，本專業的技術人員所作的任何修改、變化或等效結構均應視為在所附權利要求書所限定的本發明的范圍之內。
權利要求
1.一種數據存儲和檢索介質，它包括能夠借助于施加能量束來存儲和擦除數據的數據層，以及淀積在所述數據層上的單獨的頂蓋層，所述單獨頂蓋層對所述能量束相對透明并包括以下材料組中的至少一種材料外延材料；導電材料；堅固高熔點材料；和與薄介質層結合的堅固高熔點材料。
2.如權利要求1所述的數據存儲和檢索介質，其特征在于所述外延層包括能以單晶形式在Si(111)上生長的外延材料。
3.如權利要求2所述的數據存儲和檢索介質，其特征在于所述外延材料是氟化鈣。
4.如權利要求1所述的數據存儲和檢索介質，其特征在于所述導電材料包括石墨。
5.如權利要求1所述的數據存儲和檢索介質，其特征在于所述導電材料包括碳。
6.如權利要求1所述的數據存儲和檢索介質，其特征在于所述能量束包括近場光學無衍射有限電子束。
7.如權利要求1所述的數據存儲和檢索介質，其特征在于所述能量束包括電子束。
8.如權利要求1所述的數據存儲和檢索介質，其特征在于所述堅固高熔點材料包括Mo。
9.一種制造數據存儲和檢索介質的方法，所述方法包括形成可以借助于施加能量束來改變的數據層；以及在所述數據層上淀積頂蓋層，所述頂蓋層對于所述能量束是相對透明的并包括以下材料組中的至少一種材料外延材料；導電材料；堅固高熔點材料；和與薄介質層結合的堅固高熔點材料。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于所述堅固高熔點材料包括鉬。
全文摘要
提供一種介質存儲器件及所述器件的制造方法。所述器件包括數據層(303，403，503，603)，它能夠借助于施加能量束(140)例如近場光學無衍射有限束或電子束來存儲和擦除數據。將單獨的頂蓋層(306，406，506)淀積在數據層(303，403，503，603)上。單獨的頂蓋層(306，406，506)對所述能量束(140)相對透明并可由各種材料形成，包括(但不限于)外延材料、導電材料和堅固高熔點材料，例如鉬。
文檔編號G11B7/243GK1604213SQ200410056369
公開日2005年4月6日 申請日期2004年8月3日 優先權日2003年10月3日
發明者A·柴肯, G·吉布森 申請人:惠普開發有限公司