專利名稱：：硅儲存媒體及其控制器、控制方法以及應用資料框架格式的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種硅儲存媒體控制器，特別是涉及一種以可變長度資料框架為基礎的硅儲存媒體控制器。具體的說，本發明是有關于一種硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法、資料框架為格式的儲存媒體(SILICONSTORAGEMEDIAANDCONTROLLERTHEREOF，CONTROLLINGMETHODTHEREOF，ANDDATAFRAMEBASEDSTORAGEMEDIA)。
背景技術：
：目前采用硅芯片制成的記憶體作為硅儲存媒體已日漸普及，大部份均是通過一控制器連接系統端介面，將資訊寫入記憶體，或自記憶體讀取并傳輸至系統端。其中硅儲存媒體因具備耗電低、可靠度高、容量大、存取速度快等特點，而廣泛的應用于各種可攜式數字電子裝置，例如數字相機、數字隨身聽、個人數字助理(PersonalDigitalAssistant，PDA)等產品，使用量迅速成長。硅儲存媒體亦因而衍生出多種不同的型態，目前主要有CompactFlashCard(CF)、MemoryStickCard(MS)、SecureDigitalCard(SD)、SmartMediaCard(SM)等多種形式。此外，在個人計算機的應用領域，可輕易通過通用序列匯流排(UniversalSerialBus，USB)介面安裝使用的USB隨身碟亦在近年演變成備受歡迎的新興產品。上述多種采用硅芯片制成的記憶體作為硅儲存媒體的可攜式儲存裝置，其儲存容量均受限于所采用內建的記憶體量。其內部控制器僅具備連接系統端介面，接受系統所下達的指令，并且據以存取記憶體的內容。因此，上述可攜式儲存裝置的主要成本為硅芯片記憶體。故為達降低成本的目的，主要的課題為充分發揮記憶體有限的容量。現有習知的硅儲存媒體控制器，是以直接記錄原始資料至記憶體中為主，其對照方式均是以記憶體進行讀取或寫入作業的最低單位容量即“記憶頁”(page)為基礎，并且利用該記憶頁容量的“冗余區間”(redundantarea)，記錄邏輯位址對照碼，修正碼等資訊。單一區段的容量，通常以儲存裝置最常采用的單位容量528位元為主，相當于一個單位磁區(sector)的容量；另亦提供單一記憶頁容量達2048位元組(字節)、冗余區容量達64位元組的新式記憶體，但是控制器仍是以相同的方式進行管理，意即在單一記憶頁中記錄對應的邏輯位址對照碼，亦未有導入資料壓縮/解壓縮的功能。請參閱圖1A所示，是現有習知的硅儲存媒體的內部架構方塊圖。該硅儲存媒體100是由控制器110與一個或多個記憶體120構成，控制器110內部具有微處理器114，通過系統介面112與存取硅儲存媒體的系統溝通傳輸指令與資料，將資料暫存于資料緩沖區116后，通過記憶體介面118寫入記憶體120；或者是自記憶體120讀取資料并將資料暫存于資料緩沖區116后，通過系統介面112傳回要求讀取資料的系統端。系統端傳入的原始資料在記錄至記憶體中時，除原始資料以外，須同時記錄資料區塊狀態屬性旗標(statusflag)、錯誤修正碼(errorcorrectioncode)、邏輯定址記錄(logicaddress)等相關控制用資訊(即信息，以下均稱為資訊)。在此定義相關控制用資訊各位元，其中資料區塊狀態屬性旗標用以標示一記憶體區塊記憶體放的資料所屬狀態是為“抹寫后”(erased)、“使用中”、或“區塊不良”(bad)。若為抹寫后，則可用于記錄更新的資料并且將旗標變更為“使用中”。若在寫入過程發現區塊內記錄資料所用的記憶體不良而無法正確保存資料時，則將此區塊標示為“區塊不良”。標示為“使用中”的資料區塊在所存放的資料更新并轉移到其它“抹寫后”區塊之后，即可經過抹寫作業而還原為“抹寫后”狀態。錯誤修正碼通過特定的演算法，依原始資料產生出數個位元組的錯誤修正碼。在根據檢驗錯誤修正碼而偵測出記錄原始資料的記憶單元發生錯誤時，可以據以修正錯誤，并將正確的資料傳回系統端。微控制器發現記錄原始資料的記憶單元發生錯誤時，會隨即將正確的資料轉移復制到其它“抹寫后”資料區塊，并且將故障的資料區塊標示為“區塊不良”。邏輯定址記錄原始資料存放于記憶體時，微處理器必須配合記憶體適用的實體定址方式進行適當的規劃、配置與利用。因而其配置順序與系統端存取時所采用的邏輯定址順序有相當大的差異。因而在控制器內部即需具備定址轉換電路或定址轉換控制流程，并依據記憶體空間規劃作業方式，產生一個在系統端傳入的邏輯定址與記憶體端的實體定址之間的轉換對照表。為了在系統端關閉記憶卡電源以后仍舊能持續保留此種對照系，因此必須同時保存原始資料以及其對應的邏輯定址記錄。如上所述，茲以應用較廣泛的NAND閃存(快閃記憶體)為例，描述記憶體中資料區塊的記錄格式，如圖1B所示。以儲存單位為528位元的NAND閃存為例，即是以其中512位元組作為記錄原始資料的儲存空間，其余16位元組(稱為控制資訊記錄區)則用于記錄前述的控制資訊。一般在存放所有必要的控制的資訊之后，控制資訊記錄區通常尚有部分保留空間并未加以使用。綜上所述，上述現有習知的硅儲存媒體控制器的架構與記錄資料的結構中，原始資料未經壓縮處理，直接儲存至記憶體中規劃的位置，使得該種硅儲存媒體僅能以增加記憶體硬件的方式才得以提高存儲量，而無法經由如壓縮等方式產生記憶卡儲存容量提升之感。且傳統的硅儲存媒體是以“記憶頁”為讀寫存取的單位，即便增加壓縮機制，亦因為讀寫存取的單位過小而使壓縮效能不佳，另外，有關對照指標與錯誤偵測修正碼等控制資訊雖然均注記在各“記憶頁”保留的冗余區段中，但是其中尚有若干空間未加以利用。另外其關聯對照表是以長度固定的原始資料對應至記憶體“記憶頁”的關系而建立。換句話說，從讀取、寫入與更新資料，直到更新關聯對照表的種種作業過程，都是以長度固定的原始資料為基準。但是此種固定長度的儲存架構，卻無法在具備壓縮機制的硅儲存媒體中以既有的關聯對照表進行資料的讀寫對應。由此可見，上述現有的硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法在結構、方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發展完成，而一般產品又沒有適切的結構能夠解決上述問題，此顯然是相關業者急欲解決的問題。有鑒于上述現有的硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法存在的缺陷，本發明人基于從事此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業知識，并配合學理的運用，積極加以研究創新，以期創設一種新型結構的硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法、資料框架為格式的儲存媒體，能夠改進一般現有的硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計，并經反復試作樣品及改進后，終于創設出確具實用價值的本發明。
發明內容本發明的目的在于，克服現有的硅儲存媒體控制器存在的缺陷，而提供一種新型結構的硅儲存媒體控制器，所要解決的技術問題是使其中以較大的存取單位，如記憶區塊，作為資料框架的資料記錄格式與對照模式，同時在控制器增設一“關聯對照表緩沖區”(translationtablebuffer)，以記錄關聯對照表提供后續存取作業參考，從而更加適于實用。本發明的另一目的在于，克服現有的硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法存在的缺陷，而提供一種新的硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法、資料框架為格式的儲存媒體，所要解決的技術問題是使其提供一種新的硅儲存媒體及其控制器的架構、控制方法、資料記錄格式與對照模式，其中的控制器更新資料框架時，同步更新記錄于“關聯對照表緩沖區”的關聯對照表，并將其對照關系標注于更新后資料框架的前置描述元，從而更加適于實用。本發明的再一目的在于，克服現有的硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法、資料框架為格式的儲存媒體存在的缺陷，而提供一種新的硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法、資料框架為格式的儲存媒體，所要解決的技術問題是使其提供一種新的硅儲存媒體及其控制器的架構、控制方法、資料記錄格式與對照模式，為加速于關聯對照表緩沖區，依據系統端下達的讀寫存取指令住址搜尋資料對照碼，取得對應的記憶體區塊位址，以迅速讀資料框架進行資料傳回系統或更新作業，可在控制器中增設一“定址對照模塊”(addressmappingmodule)，從而更加適于實用。本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種硅儲存媒體，適用于與一系統之間資料的讀取與寫入，其包括一記憶體，包括多數個記憶區塊，每一該些記憶區塊包括以一資料框架為單位的儲存資料，該資料框架包括一前置描述元、復數個磁區資料以及一錯誤檢查碼，其中該前置描述元位于該資料框架的最前端；以及一控制單元，其包括一關聯對照表緩沖區；以及一定址對照模塊，其中當該控制單元更新該資料框架時，亦更新該關聯對照表緩沖區，并將一對照關系記錄于該前置描述元，該定址對照模塊記錄一原始資料的位址，依據該系統下達的一讀寫存取指令位址搜尋該關聯對照表緩沖區，取得對應的該記憶區塊，并自對應的該記憶區塊中讀取所包含的該資料框架。本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。前述的硅儲存媒體，其中所述的控制單元更包括一系統端介面，是該系統與該控制單元之間資料交換管道；一第一系統端資料緩沖區，用來暫存資料；一微處理器，是用來執行讀取、寫入與抹寫的相關作業；一第一資料端資料緩沖區，用來暫存資料；以及一記憶體介面，是該些記憶體與該控制單元之間的資料交換管道。前述的硅儲存媒體，其中所述的控制單元更包括一資料壓縮/解壓縮模塊。前述的硅儲存媒體，其中所述的控制單元更包括一第二系統端資料緩沖區及一第二記憶體資料緩沖區，作為該資料壓縮/解壓縮模塊分別與該系統端介面及該記憶體介面之間的資料暫存。本發明的目的及解決其技術問題還采用以下的技術方案來實現。依據本發明提出的一種硅儲存媒體控制器，適用于依照一系統下的一存取指令控制與至少一記憶體之間的資料存取，該硅儲存媒體控制器包括一系統端介面，是該系統與該硅儲存媒體控制器之間資料交換管道；一第一系統端資料緩沖區，用來暫存資料；一微處理器，是用來執行讀取、寫入與抹寫的相關作業；一關聯對照表緩沖區，以記錄一關聯對照表作為資料存取參考；一定址對照模塊，以作為該系統端下達的該存取指令的依據，取得對應的該記憶體的一記憶區塊位址，并讀取該資料框架進行資料傳回系統或更新作業；一第一資料端資料緩沖區，用來暫存資料；以及一記憶體介面，是該些記憶體與該硅儲存媒體控制器之間的資料交換管道。本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。前述的硅儲存媒體控制器，其更包括一資料壓縮/解壓縮模塊。前述的硅儲存媒體控制器，其更包括一第二系統端資料緩沖區及一第二記憶體資料緩沖區，作為該資料壓縮/解壓縮模塊分別與該系統端介面及該記憶體介面之間的資料暫存。本發明的目的及解決其技術問題還采用以下的技術方案來實現。依據本發明提出的一種硅儲存媒體控制方法，包括一控制單元與至少一用以記錄資料框架的記憶體，該硅儲存媒體控制方法包括以下步驟根據讀取該資料框架時所取得的一前置描述元，建立一關聯對照表；根據該關聯對照表，決定該資料框架所對應的一原始資料的容量與儲存位置，其中，該前置描述元位于該資料框架的最前端，且該資料框架的資料儲存量是依據該儲存媒體的基本抹寫單位而定。本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。前述的硅儲存媒體控制方法，其中所述的前置描述元包括一記憶區塊狀態；一對應原始資料的資料框架的記憶體起始位址；以及一原始資料長度。前述的硅儲存媒體控制方法，其中所述的關聯對照表其是由復數個對照記錄元所組成，而每一該些對照記錄元儲存的資訊包括一記憶區塊狀態；一對應原始資料的資料框架的記憶體起始位址；一原始資料長度；前一資料框架的對照記錄元位址；以及下一資料框架的對照記錄元位址。前述的硅儲存媒體控制方法，其中當該原始資料是經壓縮而以該資料框架格式儲存于該抹寫單位中，則該前置描述元與該對照記錄元儲存的資訊更包括一壓縮演算法指標；以及一參數表指標，其中，壓縮該原始資料時所用的演算法種類是根據該壓縮演算法指標而得，且壓縮該原始資料時所用的參數是由該參數表指標而得。前述的硅儲存媒體控制方法，其中所述的關聯對照表的建立更包括建立一未使用區塊串列連結表；建立一使用區塊串列連結表；以及視存取狀況更新該未使用區塊串列連結表與該使用區塊串列連結表。前述的硅儲存媒體控制方法，其中所述的建立該未使用區塊串列連結表的步驟包括a、循序搜尋該些記憶區塊；b、當找到一個未使用的記憶區塊，且當該未使用區塊串列連結表為空時，則設定此未使用的記憶區塊為該未使用區塊串列連結表的一起始區塊與一最后區塊，并將該未使用區塊的一前一區塊與一后一區塊的值設定為一默認值；c、當找到一個未使用的記憶區塊，且該未使用區塊串列連結表中的該最后區塊已指向一個合法的未使用記憶區塊時，則進行下列步驟c1.將該最后區塊設定為此次所找到的未使用的記憶區塊；c2.將該合法的未使用記憶區塊的該后一區塊的值設定為此次所找到的未使用的記憶區塊；c3.將此次所找到的未使用的記憶區塊的該前一區塊的值設定為該合法的未使用記憶區塊；以及c4.將此次所找到的未使用的記憶區塊的該后一區塊的值設定為該默認值；以及d、根據該些未使用的記憶區塊間的連結關系來建立該未使用記憶區塊串列連結表。前述的硅儲存媒體控制方法，其中所述的默認值為FFF。前述的硅儲存媒體控制方法，其中所述的建立該使用區塊串列連結表的步驟包括a、循序搜尋該些記憶區塊；b、依據已使用的該些記憶區塊所儲存的該些資料框架中的該些前置描述元所標注的該些原始資料起始位址與該些原始資料長度，判斷已使用的該些記憶區塊的排列順序；c、根據已使用的該些記憶區塊的排列順序來建立該使用區塊串列連結表。前述的硅儲存媒體控制方法，其中所述的步驟b包括b1、搜尋一此筆對照記錄元插入該使用區塊串列連結表的位置；b2、更新一前一對照記錄元的指標，以及一后一對照記錄元的指標；以及b3、同時將該前一對照記錄元的位址登錄為該此筆對照記錄元的該后一對照記錄元，將該后一筆對照記錄元的位址登錄為該此筆對照記錄元的該前一對照記錄元。前述的硅儲存媒體控制方法，其中所述的系統端傳送一讀取指令時，該硅儲存媒體控制方法包括在該關聯對照表中搜尋對應于該系統端讀取位址的該記憶區塊與該資料框架的一對應位址；若取得該對應位址，則讀取該資料框架進行解壓縮，并將該原始資料傳回該系統端；以及若未能取得該對應位址，則傳回一預設資料形式。前述的硅儲存媒體控制方法，其中所述的系統端傳送一寫入指令時，該硅儲存媒體控制方法包括在該關聯對照表中搜尋對應于該系統端讀取位址的該記憶區塊與該資料框架的一對應位址；若能取得該對應位址，則讀取該資料框架進入該資料緩沖區進行解壓縮，以該系統端傳入的一更新資料更新該資料框架；取得一未使用的記憶區塊記錄更新后的該資料框架，用于記錄更新前該資料框架的該記憶區塊，則予以抹寫，并更新該關聯對照表；以及若未能取得該對應位址，則將該系統端寫入資料組建成該資料框架，并取得一未使用的記憶區塊記錄儲存新建立的該資料框架，并更新該關聯對照表。前述的硅儲存媒體控制方法，其中當該系統端傳輸該資料的一資料起點與一資料范圍在該資料框架外時，該系統端傳入的該資料進行壓縮以組成該資料框架，更新一使用中的關聯對照表，并插入新的該原始資料起始位置。前述的硅儲存媒體控制方法，其中當該系統端傳輸的該資料起點在該資料框架外，該資料范圍在該資料框架內時，調整該系統端傳入該資料的長度，再針對該資料進行壓縮以組成該資料框架，更新一使用中的關聯對照表，并插入新的該原始資料起始位置。前述的硅儲存媒體控制方法，其中當該系統端傳輸的該資料起點與該資料范圍在該資料框架內時，讀取該資料框架并解壓縮還原該資料，將系統端傳送的資料與該還原資料一并壓縮重組成一資料框架大小，更新一使用中的關聯對照表，并插入新的該原始資料起始位址，更新一未使用的關聯對照表。前述的硅儲存媒體控制方法，其中當該系統端傳輸的該資料起點在該資料框架內，該資料范圍在該資料框架外時，調整該原始資料長度，再讀取該資料框架并解壓縮還原該資料，將系統端傳送的資料與該還原資料一并壓縮重組成一資料框架大小，更新一使用中的關聯對照表，并插入新的該原始資料起始位址，更新一未使用的關聯對照表。前述的硅儲存媒體控制方法，其中當該系統端傳輸的該資料起點與該資料范圍在該資料框架外且落于最后的該資料框架的后方時，該系統端傳入該資料以進行壓縮并組建該資料框架，更新一未使用的關聯對照表，再更新一使用中的關聯對照表。本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。由以上技術方案可知，為了達到前述發明目的，本發明的主要技術內容如下本發明所提供的硅儲存媒體控制器，若為提升儲存媒體的儲存容量，可以另外包括有資料壓縮/解壓縮單元，且在資料儲存前加以壓縮并在資料讀取時加以解壓縮。因此，本發明(一)、可以使原始資料經過壓縮的程序而縮小其所占用的儲存空間，并且經過控制器壓縮后的資料前端增設“前置描述元”，后端增設“后置資料錯誤檢查碼”而構成一儲存記錄容量接近一“記憶區塊”儲存容量的“資料框架”之后，才記錄至記憶體中所規劃的位置。(二)、以“記憶區塊”中存放的“資料框架”為基礎，在“資料框架”中的“前置描述元”中統一注記對照指標與錯誤偵測修正碼，可進一步減少該等資訊占用每一個記憶頁的儲存空間，藉以提高硅儲存媒體記錄容量實際應用于儲存系統端可用資訊的有效空間。(三)、其關聯對照表須配合對應長度可變的原始資料構成“資料框架”為基礎的關系而建立。其進行讀取、寫入與資料，以及更關聯對照表的作業，均須以對應原始資料長度不等的“資料框架”為基準。本發明中的資料框架得存放于記憶體中任意位置，控制器在啟動時進行掃描并建立關聯對照表時，即可依此前描述元的標示，重建此資料框架與原始資料之間的對照關聯。“關聯對照表”是由控制器在啟動時掃描記憶體內所有記憶體內所有記憶區塊所儲存的資料框架所建立而成，建立后并須在系統端寫入或更新資料時，持續進行更新，以維持對照關聯的正確性。“關聯對照表”是由“對照記錄元”(mappingentry)所組成，每一組對照記錄元可記錄記憶體中一組記憶區塊的狀態。視控制器內建關聯對照表緩沖區容量大小，以及適配的記憶體內含記憶區塊數量的多寡，控制器可視狀況一次建立完整的關聯對照表，或視系統當時存取區間建立部分的關聯對照表，或為提高存取效率于緩沖區中，以分區方式劃分特定范圍，分別建立兩組或以上的部分關聯對照表。對照記錄元內，須依據對應的記憶區塊的狀態，或其間儲存資料框架標示的資訊，注記其內容。控制器啟動后，讀取記憶體內各記憶區塊中標注的區塊狀態與資料框架的前置描述元，并將資訊記錄至關聯對照表中對照該記憶區塊的對照記錄元。關聯對照表可采用雙向串列連結的方式。使控制器可以自起始位址開始向下連結資料框架對應的系統端位址與記錄的記憶區塊位置，或以反向為之。當控制器組建關聯對照表完成后，即可接受系統端下達存取指令。若系統端下達讀取指令時，控制器隨即在關聯對照表中搜尋，檢查是否能在對照表中取得對應系統端讀取位址的記憶區塊與資料框架的位址。若能取得對照的資料框架位址，則讀取資料框架進入資料緩沖區，進行解壓縮后，將原始資料傳回系統端。若未能取得對照的資料框架位址，則徑行傳回預設的資料形式。另一方面，若系統端下達寫入指令時，控制器隨即在關聯對照表中搜尋，檢查是否能在對照表中取得對應系統端讀取位址的記憶區塊與資料框架的位址。若能取得對照的資料框架位址，則讀取資料框架進入資料緩沖區，進行解壓縮后，以系統端所傳入的更新資料更新資料框架，然后取得未使用記憶區塊記錄更新后的資料框架，用于記錄更新前資料框架的記憶區塊，則予以抹寫；進行上述作業時，同步更新關聯對照表。若未能取得對照的資料框架位址，則直接將系統端寫入的資料組建成資料框架，并取得未使用的記憶區塊記錄儲存新建立的資料框架；進行上述作業時，并同步更新關聯對照表。綜上所述，若能夠在資料框架為基礎的硅儲存媒體中結合壓縮原始資料，或解壓縮記錄在記憶體內容的“資料框架”，均配合本發明所述的對照方法，在啟動時建立關聯對照表，在存取時進行更新，現有習知的硅儲存媒體控制器雖亦有類似的機制，然而其是為直接記錄、存儲原始資料的方法，對于資料進行壓縮后所產生的狀況與因應的方法并無前例，由此對于日益普及的硅儲存媒體應用而言，高速非揮發性記憶體往往占產品成本結構中相當高的百分比，若能結合壓縮/解壓縮方法與本發明，應用于硅儲存媒體，即可使用較低容量的記憶體，達到提高實際記錄容量的目的，進而可以降低成本及提高產品價值。又者，本發明的作業流程得通過控制器執行韌體實作來達到，為了提高系統端存取資料的速度，亦可以硬件線路將部分功能內建于定址對照模塊中，使控制器可以迅速搜尋判斷系統端存取目標位址對照于關聯對照表之中的狀況，并執行后續作業。經由上述可知，本發明是關于一種硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法、資料框架為格式的儲存媒體。該硅儲存媒體控制器，能充分利用儲存空間，由增加關聯對照表緩沖區以及定址對照模塊，以包括系統端記錄的前置描述元的資料框架，提供硅儲存體控制器依據上述對照碼產生系統存取位址與資料框架之間的關聯對照表，藉以在進行存取作業時，迅速判斷所對應資料框架實際儲存位置，以進行后續讀取或更新作業。在前置描述元中，除“資料框架”的對照碼、起始位址、以及標示框架資料長度之外，更可包括壓縮演算法區別碼、參照資料表的指標等資訊，提供硅儲存媒體控制器具有壓縮/解壓縮功能時作為建立關聯對表的依據。借由上述技術方案，本發明硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法、資料框架為格式的儲存媒體至少具有下列優點1、本發明的硅儲存媒體控制器，其以較大的存取單位，如記憶區塊，作為資料框架的資料記錄格式與對照模式，同時在控制器增設一“關聯對照表緩沖區”(translationtablebuffer)，而可記錄關聯對照表提供后續存取作業參考。2、本發明提供了一種新的硅儲存媒體及控制器的架構、控制方法、資料記錄格式與對照模式，其中的控制器更新資料框架時，可以同步更新記錄于“關聯對照表緩沖區”的關聯對照表，并可以將其對照關系標注于更新后資料框架的前置描述元，從而更加適于實用。3、本發明提供了一種新的硅儲存媒體及控制器的架構、控制方法、資料記錄格式與對照模式，為加速于關聯對照表緩沖區，依據系統端下達的讀寫存取指令住址搜尋資料對照碼，取得對應的記憶體區塊位址，而可迅速讀資料框架進行資料傳回系統或更新作業，并可在控制器中增設一“定址對照模塊”(addressmappingmodule)，從而更加適于實用。綜上所述，本發明特殊的硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法、資料框架為格式的儲存媒體，具有上述諸多優點及實用價值，并在同類產品及方法中未見有類似結構設計及方法公開發表或使用而確屬創新，其不論在產品結構、方法或功能上皆有較大改進，在技術上有較大進步，并產生了好用及實用的效果，且較現有的硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法具有增進的多項功效，從而更加適于實用，而具有產業的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設計。上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本發明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。圖1A是依照現有技術所繪示的硅儲存媒體及其系統內部架構示意圖。圖1B是依照NAND型閃存所繪示的記憶體中資料區塊記錄格式示意圖。圖2是依照現有技術所繪示具備資料壓縮功能的硅儲存媒體示意圖。圖3是依照本發明中一較佳實施例所繪示的以標示對照的資料框架為基礎的硅儲存媒體及其控制器的示意圖。圖4A是依照本發明中較佳實施例所繪示的資料框架及其前置描述元的格式示意圖。圖4B是依照本發明中一較佳實施例所繪示的硅儲存媒體初始化后的關聯對照情形示意圖。圖5是依照本發明中一較佳實施例所繪示的以標示對照的資料框架為基礎的硅儲存媒體控制器放啟動后組建關聯對照表的流程示意圖。圖6是依照本發明中一較佳實施例所繪示當記憶體區塊未使用時更新未使用區塊的串列聯結表方法的流程示意圖。圖7是依照本發明中一較佳實施例所繪示當記憶體區塊使用中時新使用中區塊的串結表方法的流程示意圖。圖8是依照本發明中一較佳實施例所繪示當系統端讀取資料的作業流程圖示意圖。圖9是依照本發明中一較佳實施例所繪示當系統端寫入資料的作業流程圖示意圖。圖10是依照本發明中一較佳實施例所繪示當系統端寫入資料時一些情況的作業流程圖示意圖。圖11是依照本發明中一較佳實施例所繪示當系統端寫入資料時再一些情況的作業流程圖示意圖。圖12是依照本發明中一較佳實施例所繪示當系統端寫入資料時又一些情況的作業流程圖示意圖。100硅儲存媒體110控制器112系統介面(系統接口)114微處理器116資料緩沖區118記憶體介面(內存界面)120記憶體(存儲介質，存儲器，內存)200具有資料壓縮功能的硅儲存媒體210控制器211系統端介面(系統端接口)213a第一系統端資料緩沖區213b第二系統端資料(數據)緩沖區214a資料(數據)壓縮器214b資料解壓縮器(數據解壓縮器)215a第一記憶體資料緩沖區215b第二記憶體資料(數據)緩沖區216記憶體介面220記憶體(存儲介質，存儲器，內存)300資料框架為基礎的硅儲存媒體310硅儲存媒體控制器311系統端介面(系統端接口)313a第一系統端資料緩沖區313b第二系統端資料緩沖區314a資料(數據)壓縮器314b資料(數據)解壓縮器315a第一記憶體資料緩沖區315b第二記憶體資料緩沖區316記憶體介面317關聯對照表緩沖區318定址(尋址)對照模塊320記憶體(存儲介質，存儲器，內存)500以標示對照的資料框架為基礎的硅儲存媒體控制器放啟動后組建關聯對照表的流程圖600當記憶體區塊未使用時更新未使用區塊的串列聯結表方法流程圖700當記憶體區塊使用中時新使用中區塊的串結表方法的流程圖800當系統端讀取資料的作業流程圖900當系統端寫入資料的作業流程圖1000當系統端寫入資料時一些情況的作業流程圖1100當系統端寫入資料時再一些情況的作業流程圖1200當系統端寫入資料時又一些情況的作業流程圖具體實施方式為更進一步闡述本發明為達成預定發明目的所采取的技術手段及其功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發明所提出的硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法、資料框架為格式的儲存媒體其具體的實施方式、結構、方法、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。請參閱圖2所示，是本發明提供一可變長資料框架為基礎的硅儲存媒體及其控制器的架構，其中具資料壓縮功能的硅儲存媒體200，包括一控制器210與至少一記憶體220，該控制器210內包括一系統與硅儲存媒體控制器之間資料交換管道的系統端介面211、一進行讀取、寫入與抹寫的相關作業的微處理器212、一作為記憶體220與硅儲存媒體控制器210之間資料交換管道的記憶體介面216；另外，為實現資料壓縮功能，控制器210更包括一資料壓縮/解壓縮模塊214；而為了與系統以及記憶體220間資料存取速度加快，控制器210更包括暫存與系統間交換資料用的第一、第二系統端資料緩沖區213a、213b以及暫存與記憶體220間交換資料用的第一、第二記憶體資料緩沖區215a、215b；另一方面，亦可以僅以單一的系統端資料緩沖區213a與記憶體資料緩沖區215a作為暫存資料的緩沖區即可，端看設計時的考慮方向。請參閱圖3所示，為支持前述壓縮架構下的硅儲存媒體，本發明在控制器310內亦內建一關聯對照表緩沖區317，其內儲存一種記錄固定資料長度(由系統端傳送)與可變資料長度(由壓縮機制產生)間位址轉換關系的關聯對照表(將在后續說明中描述如何建立該關聯對照表)，供作資料存取參考用，另外，為加速資料搜尋作業，更內建一定址對照模塊318，作為系統端下達的存取指令的依據，取得對應的記憶體220的一記憶區塊位址，并讀取資料框架進行資料傳回系統或更新作業。該硅儲存媒體310包括一記憶體320，該記憶體320包括多數個記憶區塊，每一記憶區塊包括僅以一資料框架格式作為資料儲存、存取的依據，其中每一資料框架包含的資料型態是經資料壓縮器314a壓縮系統端傳送的固定長度資料而成的可變資料長度，而為統一管理該些壓縮資料，在該資料框架前端設立一前置描述元、后端設立一錯誤檢查碼，請參閱圖4A所示。藉此結構設計，即可不需在每一記憶頁皆放置控制資訊，亦可增加未使用空間的使用率，而在前置描述元與錯誤檢查碼間則記錄復數個壓縮后的磁區資料。其中，“前置描述元”中標示有壓縮后資料對應的原始資料起始位址與資料長度，其資料框架前置描述元格式如表1所列表1需要注意的是，本發明中的硅儲存媒體控制器，在具備壓縮/解壓縮功能時才需要在前置描述元內加入壓縮演算法指標及參數表指標。此外，該前置描述元的格式不限于表1中所列示，各位所記載的資料屬性及資料長度只要能成功對照到原始資料，均在本發明所可應用的范圍之內。在前述關于關聯對照表的建立，即是依據讀取資料框架的前置描述元而建立，該關聯對照表是由復數個對照記錄元(mappingentry)所構成(請參閱圖4B所示)，藉此決定資料框架所對應的原始資料的容量與儲存位置，同時作為系統端線性連續位址與硅儲存媒體端記憶體的非線性片段化的定址對應模式。在一實施例中，對照記錄元內依據對應的記憶區塊所儲存的前置描述元，構成的格式與代表意義如下表2所列示。表2其中，視控制器310內建關聯對照表緩沖區317容量大小，以及適配的記憶體320內含記憶區塊數量的多寡，控制器310可視狀況一次建立完整的關聯對照表，同時視系統端當時存取區間而可以建立部分的關聯對照表，以分區方式劃分特定范圍，分別建立兩組或以上的部分關聯對照表。當存在一特定的硅儲存媒體，其記憶體中僅存放有系統初始化后加載的基礎資料。在此采用現有習知的FAT12檔案系統為例，硅儲存媒體中所記錄的原始資料至少包括主開機記錄磁區(masterbootrecord)、磁區分割表(partitiontable)、分割區開機記錄(partitionbootsector)、根目錄(rootdirectory)、檔案配置表(fileallocationtable)等資訊。例如該硅儲存媒體采用容量為16MB(百萬位元組)的記憶體，每一記憶頁容量為528B(位元組)，每一記憶區塊的容量為32記憶頁相當于16KB(仟位元組)。則上述原始資料依系統端線性連續定址方式，占用位址0-47合計48個磁區，容量相當于24KB的區間。其分布的情形如表3所列示。表3若將上述資訊壓縮后，因為其中原始資料位址1至26之間并未記錄任何資訊，其內容全部設定為初始值0xFF，因而可達到相當高的壓縮比，其余資訊僅占用22個磁區，相當于11KB容量的原始資料。由此可知，上述初始化原始資訊，將可輕易的再壓縮構成容量低于16KB的資料框架。此時，該等系統初始化后加載的基礎資料僅需一資料框架即可加以儲存，其中因對應的原始起始位址為0，資料長度48，即以下面表4說明該資料框架的前置描述元記錄狀況。表4其中的AI、PI依控制器視原始資料特性選定的最適壓縮方法而定，以0xmm、0xnn表示。請再次參閱圖4B所示，當控制器310掃描到上述的表3的前置記錄元時，因為是硅儲存媒體初始化的狀態，因此以區塊位址為0的第一記憶區塊記錄此資料框架時，則線性連續原始資料與資料框架之間的關系則如圖4B所繪示。在“系統端線性連續定址”部份代表硅儲存媒體依據前述進行初始化后，僅有LBA＝0至LBA＝47的區間48磁區記錄有意義資訊時的情形，其中已使用的區塊是以填滿的深色表示。而在圖4B中“記憶體端非線性片段化定址”部份代表記憶體內部，以記憶區塊為單位存放資料框架以儲存縮后資料的情形。另外，在圖4B中的“控制器內部關聯對照表”部份表示控制器內部，在硅儲媒體啟體后，建立關聯對照表連結系統端線性連續定址至記憶體端的非線性片段化定址的情形。由于是第一個使用中的記憶區塊，其在關聯對照表中對應建置一對照記錄元，其內記錄的資訊如下面表5表5以下將對關聯對照表的建立作一更詳細的說明。請參閱圖5所示，是繪示控制器在啟動(S502)后組建關聯對照表的流程示意圖。首先偵測適配記憶體形式與容量(S504)，其中先定義最末區塊為last_block，接著規劃與初始化關聯對照表緩沖區(S506)，并開始讀取掃描記憶區塊BA＝0(S508)。接下來讀取每一記憶區塊狀的前置描述元(S510)以及將讀取的標注區塊狀態記錄于對照記錄元(S512)。此時判別記憶區塊狀態(S501)，若區塊處于使用中，則對照記錄元標注起始位址(SA)及資料長度(DL)(S514)，并更新關聯對照表使用中區塊串列連結(S516)及更新關聯對照表未使用區塊串列連結(S518)。若判別記憶區塊狀態處于未使用，則直接更新關聯對照表未使用區塊串列連結(S518)。此時若發現區塊不良，則折回判定記憶區塊狀態步驟(S501)。若無發現不良狀況，則判別最末區塊是否符合BA＝last_block(S503)，若是，則關聯對照表組建完成(S522)；若否，則掃描下一記憶區塊BA＝BA+1，且繼續讀取記憶區塊的前置描述元(S510)。其中因為關聯對照表的建立牽涉到一未使用區塊串列連結表以及一使用區塊串列連結表，以本發明的一較佳實施例而言，是采用雙向串列連結的資料結構方式，使控制器得以自起始位址開始向下或反向連結資料框架對應的系統端位址與記錄的記憶區塊位置。以下再詳細說明該兩種串列連結表的建立過程。首先請合并參閱圖4B與圖6所示，所繪示的是記憶區塊未使用時，更新“未使用區塊”的串列聯結表的方式。建立此未使用的串列連結表是以圖4B所示的EMPTY與EMP_END兩個指標作為參考指標，首先先初始化該兩個指標值為一默認值(如FFF)，同時將記憶體的BA(BlockAddress)設為0(S602)，當在步驟S601發現有未使用的記憶區塊(BS＝FF)，則先判斷EMPTY指標是否為一默認值(步驟S603)，若是，則表示是首次發現未使用的記憶區塊，因此將該兩個指標皆設為此首次未使用區塊的位址(EMPTY＝BA與EMP_END＝BA)，同時在對應該區塊的對照記錄元中記錄PE(BA)＝FFF以及NE(BA)＝FFF(S604)，但當判斷為一非首次未使用區塊，則同樣更新該未使用區塊對應的對照記錄元，包括將PE(BA)設為EMP_END以及將NE(BA)設為FFF，同時將指標EMP_END指向該記憶區塊的位址(BA)(S606)；不論進行上述的S604或S606步驟，接著會判斷該區塊是否為一最后區塊(S605)，若否，則繼續針對下一區塊進行上述S601后續的動作，若已是最后的區塊，則表示未使用記憶區塊的串列連結表已建立完成(S610)。請合并參閱圖4B與圖7所示，其繪示的是記憶區塊使用時，更新“使用區塊”的串列聯結表的方式。建立此使用區塊的串列連結表是以圖4B所示的START與END兩個指標作為參考指標。同樣一開始先初始化START與END指標為一默認值(如FFF)，同時將記憶體的BA(BlockAddress)設為0(S702)，須依據資料框架前置描述元標注的起始位址(SA)與資料長度(DL)參數，搜尋將該對照記錄元插入串列連結資料結構的位置，并更新前一第對照記錄元的NE指標，以及后一筆對照記錄元的PE指標，同時將前一筆對照記錄元的BA登錄為此筆對照記錄元的NE，將后一筆對照記錄元的BA登錄為此筆對照記錄元的PE。接著再判別是否發現使用中區塊BS＝F0(S701)，若是，判別是否為首次發現(S703)。若是為首次發現，則設START＝BA，END＝BA，PE(BA)＝FFF，NE(BA)＝FFF(S704)，但若非為首次發現，則搜尋一插入點，其中先將一代表插入點指標BA_INS設為START指標所指向的對照記錄元(S710)，在插入前尚需判斷搜尋到的非首次的使用區塊SA值是否小于該插入點指標BA_INS所指向的值，若是，則判斷BA_INS指標值的前一對照記錄元是否為一第一個使用區塊(S707)，若是，則需先更新START指標為此搜尋到的區塊位址，再將記錄元插入串列連結(S706)，若否即直接進行記錄元的插入(S706)；但當該搜尋到的使用區塊SA值大于或等于該插入點指標BA_INS所指向的值(S705)，則續判斷該BA_INS的下一對照記錄元是否為最后的使用區塊(S709)，若是，則更新END指標并且將搜尋到的使用區塊標記為最后的使用區塊(S714)，再將對照該最后區塊的對照記錄元插入至使用中串列連結中(S708)，但當BA_INS的下一對照記錄元非為最后的使用區塊，則針對下一個BA_INS進行判斷，當上述掃描作業至最后一塊區塊時即完成使用中區塊的串列連結表。記要注意的是，本發明一較佳實施例中的關聯對照表是采用雙向串列連結的方式以建立使用中記憶區塊與系統端定址之間的對照關系。惟若為減少控制器須內建的緩沖區大小，或為了提高搜尋對應記憶區塊位址的效能，亦可采用其它適用的資料結構。請參閱圖8所示，當上述控制器組建關聯對照表完成(S802)后，即可待命接受系統端下的存取指令(S804)。當系統端下讀取指令時會將所需資料的LBA位址與資料長度傳送至硅儲存媒體(S806)時，此時硅儲存媒體的控制器從START所指向的記憶區塊位址開始在關聯對照表中搜尋對照的資料框架(S808)，其中當欲讀取的資料起點與資料長度非座落在最開始記憶區塊的位址起點時(S801與S803)，則進入B結點而傳回默認值，代表欲讀取的資料非在該記憶體中，但當部分資料長度座落在最開始記憶區塊的位址起點后時(S801與S803)，則傳回部份默認值及部分讀取的資料至系統端(S810與S805、S812)，另外，當欲讀取資料的起始位址與資料區段皆座落在最開始記憶區塊的位址起點與其資料框架大小范圍內時(S805與S807)，則讀取資料框架進入資料緩沖區，進行解壓縮后(S812)，將原始資料傳回系統端(S816)。但當欲讀取資料的起始位址座落在最開始記憶區塊的位址起點，但其部分欲讀取資料范圍座落于資料框架大小范圍外時(S805與S807)，則傳回部份資料長度，同時更新起始位址以在下一次將剩余資料傳輸完成，而在其它狀況時，則表示未能取得對照的資料框架位址，可徑行傳回預設的資料形式(S818)。其中當控制器更新資料框架時，亦更新關聯對照表緩沖區，并將一種對照關系記錄于前置描述元中，而定址對照模塊記錄原始資料的位址，并依據該系統下達的讀寫存取指令位址搜尋關聯對照表緩沖區，取得對應的記憶區塊，并自對應的記憶區塊中讀取所包含的資料框架。請參閱圖9-圖12所示，其中圖9為寫入作業主流程示意圖，圖10-圖12為依據傳輸起點與傳輸范圍與資料框架的相對關系不同所示的副流程示意圖。首先請參閱圖9所示，當控制器組建關聯對照表完成后(S902)，即可待命接受系統端下存取指令(S904)。當系統端下達寫入指令時(S906)，控制器隨即在關聯對照表中搜尋，檢查是否能在對照表中取得對應系統端讀取位址的記憶區塊位址(S908)。然后以步驟S901、S903、S905、S907、S909與S911，分別判斷欲寫入的資料是為一更新資料或為新寫入的資料，因此共有五種可能的狀態，其分別為傳輸起點與資料范圍在框架外的ConditionA(S910)、傳輸起點在框架外但資料范圍在框架內的ConditionB(S912)、傳輸起點與資料范圍皆在框架內的ConditionC(S914)、傳輸起點在框架內但部份資料范圍在框架外的ConditionD(S916)以及傳輸起點與資料范圍在框架外且座落于最后框架后方的ConditionE(S920)，以下將再詳細說明該五種狀況。值得注意的是，前述作業流程得透控制器執行韌體實作達成，為提高系統端存取資料的速度，亦可以硬件線路將部份功能內建于定址對照模塊中，使控制器得迅速搜尋判斷系統端存取目標位址對照于關聯對照表之中的狀況，并執行后續作業。在此說明圖10-圖12中的A、B、C、D、E五種狀況狀況A請參閱圖10所示，搜尋關聯對照表結果，系統寫入目標位址起點，以及傳輸資料長度范圍，均落在既有資料框架外，且起始位址在資料框架BA注記的資料長度。因此直接自未使用記憶區塊關聯對照表取得EMPTY儲存記錄新資料框架。若BA恰為使用中關聯對照表起始位置START，則新增的資料框架NEW插入至使用中關聯對照表最前方，否則插入使用中關聯對照表BA前，PE(BA)后；并更新各項相關指標。狀況B請參閱圖10所示，系統寫入目標起始位址起點在既有資料框架外，但傳輸資料長度范圍則有部份落在既有資料框架。此時，針對前段未落入既有資料框架的部份處理方式與狀況A相同，針對后段落返回主流程進行后續處理。狀況C請參閱圖11所示，搜尋關聯對照表結果，系統寫入目標位址起點，以及傳輸資料長度范圍，均落在既有資料框架。因此直接自使用中的記憶區塊關聯對照表取得對應的記憶區塊BA讀取資料進行解壓縮。自系統端傳原始資料XFR_Length更新原始資料后，重新進行壓縮組件新資料框架。自未使用記憶區塊關聯對照表取得EMPTY，將更新后資料框架儲存記錄至記憶區塊EMPTY。若BA恰為使用中關聯對照表起始位置START，則更新后的資料框架NEW插入至使用中關聯對照表最前，否則插入使用中關聯對照表BA、PE(BA)后；并更新各項相關指標。BA記憶區塊則予以抹寫，并插入未使用記憶區塊關聯對照表最后方。狀況D請參閱圖11所示，搜尋關聯對照表結果，系統寫入目標位址起點，落在既有資料框架；但是資料傳輸范圍則超出對照資料框架原始資料長度以外。此時，針對前段落入既有資料框架的部份處理方式與ConditionC相同，針對后段超出既有資料框架的部份，則在調整傳輸起始位址Start_LBA與資料傳輸長度XFR_Length后返回主流程進行后續處理。狀況E請參閱圖12所示，搜尋關聯對照表結果，系統寫入目標位址起點，以及傳輸資料長度范圍，均落在既有資料框架以外，且起始住址在最后一組資料框架BA(意即PE(BA)＝＝FFF)的資料長度后。因此直接自未使用記憶區塊關聯對照表取得EMPTY，并自系統端傳入原始資料組件資料框架儲存記錄至NEW插入至使用中關聯對照表最后，并更新各項相關指標。以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發明，任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本發明技術方案范圍內，當可利用上述揭示的方法及技術內容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但是凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發明技術方案的范圍內。權利要求1.一種硅儲存媒體，適用于與一系統之間資料的讀取與寫入，其特征在于其包括一記憶體，包括多數個記憶區塊，每一該些記憶區塊包括以一資料框架為單位的儲存資料，該資料框架包括一前置描述元、復數個磁區資料以及一錯誤檢查碼，其中該前置描述元位于該資料框架的最前端；以及一控制單元，其包括一關聯對照表緩沖區；以及一定址對照模塊，其中當該控制單元更新該資料框架時，亦更新該關聯對照表緩沖區，并將一對照關系記錄于該前置描述元，該定址對照模塊記錄一原始資料的位址，依據該系統下達的一讀寫存取指令位址搜尋該關聯對照表緩沖區，取得對應的該記憶區塊，并自對應的該記憶區塊中讀取所包含的該資料框架。2.根據權利要求1所述的硅儲存媒體，其特征在于其中所述的控制單元更包括一系統端介面，是該系統與該控制單元之間資料交換管道；一第一系統端資料緩沖區，用來暫存資料；一微處理器，是用來執行讀取、寫入與抹寫的相關作業；一第一資料端資料緩沖區，用來暫存資料；以及一記憶體介面，是該些記憶體與該控制單元之間的資料交換管道。3.根據權利要求1所述的硅儲存媒體，其特征在于其中所述的控制單元更包括一資料壓縮/解壓縮模塊。4.根據權利要求3所述的硅儲存媒體，其特征在于其中所述的控制單元更包括一第二系統端資料緩沖區及一第二記憶體資料緩沖區，作為該資料壓縮/解壓縮模塊分別與該系統端介面及該記憶體介面之間的資料暫存。5.一種硅儲存媒體控制器，適用于依照一系統下的一存取指令控制與至少一記憶體之間的資料存取，其特征在于該硅儲存媒體控制器包括一系統端介面，是該系統與該硅儲存媒體控制器之間資料交換管道；一第一系統端資料緩沖區，用來暫存資料；一微處理器，是用來執行讀取、寫入與抹寫的相關作業；一關聯對照表緩沖區，以記錄一關聯對照表作為資料存取參考；一定址對照模塊，以作為該系統端下達的該存取指令的依據，取得對應的該記憶體的一記憶區塊位址，并讀取該資料框架進行資料傳回系統或更新作業；一第一資料端資料緩沖區，用來暫存資料；以及一記憶體介面，是該些記憶體與該硅儲存媒體控制器之間的資料交換管道。6.根據權利要求5所述的硅儲存媒體控制器，其特征在于其更包括一資料壓縮/解壓縮模塊。7.根據權利要求6所述的硅儲存媒體控制器，其特征在于其更包括一第二系統端資料緩沖區及一第二記憶體資料緩沖區，作為該資料壓縮/解壓縮模塊分別與該系統端介面及該記憶體介面之間的資料暫存。8.一種硅儲存媒體控制方法，包括一控制單元與至少一用以記錄資料框架的記憶體，其特征在于該硅儲存媒體控制方法包括以下步驟根據讀取該資料框架時所取得的一前置描述元，建立一關聯對照表；根據該關聯對照表，決定該資料框架所對應的一原始資料的容量與儲存位置，其中，該前置描述元位于該資料框架的最前端，且該資料框架的資料儲存量是依據該儲存媒體的基本抹寫單位而定。9.根據權利要求8所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中所述的前置描述元包括一記憶區塊狀態；一對應原始資料的資料框架的記憶體起始位址；以及一原始資料長度。10.根據權利要求9所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中所述的關聯對照表是由復數個對照記錄元所組成，而每一該些對照記錄元儲存的資訊包括一記憶區塊狀態；一對應原始資料的資料框架的記憶體起始位址；一原始資料長度；前一資料框架的對照記錄元位址；以及下一資料框架的對照記錄元位址。11.根據權利要求10所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中當該原始資料是經壓縮而以該資料框架格式儲存于該抹寫單位中，則該前置描述元與該對照記錄元儲存的資訊更包括一壓縮演算法指標；以及一參數表指標，其中，壓縮該原始資料時所用的演算法種類是根據該壓縮演算法指標而得，且壓縮該原始資料時所用的參數是由該參數表指標而得。12.根據權利要求8所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中所述的關聯對照表的建立更包括建立一未使用區塊串列連結表；建立一使用區塊串列連結表；以及視存取狀況更新該未使用區塊串列連結表與該使用區塊串列連結表。13.根據權利要求12所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中所述的建立該未使用區塊串列連結表的步驟包括a、循序搜尋該些記憶區塊；b、當找到一個未使用的記憶區塊，且當該未使用區塊串列連結表為空時，則設定此未使用的記憶區塊為該未使用區塊串列連結表的一起始區塊與一最后區塊，并將該未使用區塊的一前一區塊與一后一區塊的值設定為一默認值；c、當找到一個未使用的記憶區塊，且該未使用區塊串列連結表中的該最后區塊已指向一個合法的未使用記憶區塊時，則進行下列步驟c1.將該最后區塊設定為此次所找到的未使用的記憶區塊；c2.將該合法的未使用記憶區塊的該后一區塊的值設定為此次所找到的未使用的記憶區塊；c3.將此次所找到的未使用的記憶區塊的該前一區塊的值設定為該合法的未使用記憶區塊；以及c4.將此次所找到的未使用的記憶區塊的該后一區塊的值設定為該默認值；以及d、根據該些未使用的記憶區塊間的連結關系來建立該未使用記憶區塊串列連結表。14.根據權利要求13所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中所述的默認值為FFF。15.根據權利要求12所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中所述的建立該使用區塊串列連結表的步驟包括a、循序搜尋該些記憶區塊；b、依據已使用的該些記憶區塊所儲存的該些資料框架中的該些前置描述元所標注的該些原始資料起始位址與該些原始資料長度，判斷已使用的該些記憶區塊的排列順序；c、根據已使用的該些記憶區塊的排列順序來建立該使用區塊串列連結表。16.根據權利要求15所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中所述的步驟b包括b1、搜尋一此筆對照記錄元插入該使用區塊串列連結表的位置；b2、更新一前一對照記錄元的指標，以及一后一對照記錄元的指標；以及b3、同時將該前一對照記錄元的位址登錄為該此筆對照記錄元的該后一對照記錄元，將該后一筆對照記錄元的位址登錄為該此筆對照記錄元的該前一對照記錄元。17.根據權利要求8所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中所述的系統端傳送一讀取指令時，該硅儲存媒體控制方法包括在該關聯對照表中搜尋對應于該系統端讀取位址的該記憶區塊與該資料框架的一對應位址；若取得該對應位址，則讀取該資料框架進行解壓縮，并將該原始資料傳回該系統端；以及若未能取得該對應位址，則傳回一預設資料形式。18.根據權利要求8所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中所述的系統端傳送一寫入指令時，該硅儲存媒體控制方法包括在該關聯對照表中搜尋對應于該系統端讀取位址的該記憶區塊與該資料框架的一對應位址；若能取得該對應位址，則讀取該資料框架進入該資料緩沖區進行解壓縮，以該系統端傳入的一更新資料更新該資料框架；取得一未使用的記憶區塊記錄更新后的該資料框架，用于記錄更新前該資料框架的該記憶區塊，則予以抹寫，并更新該關聯對照表；以及若未能取得該對應位址，則將該系統端寫入資料組建成該資料框架，并取得一未使用的記憶區塊記錄儲存新建立的該資料框架，并更新該關聯對照表。19.根據權利要求18所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中當該系統端傳輸該資料的一資料起點與一資料范圍在該資料框架外時，該系統端傳入的該資料進行壓縮以組成該資料框架，更新一使用中的關聯對照表，并插入新的該原始資料起始位置。20.根據權利要求18所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中當該系統端傳輸的該資料起點在該資料框架外，該資料范圍在該資料框架內時，調整該系統端傳入該資料的長度，再針對該資料進行壓縮以組成該資料框架，更新一使用中的關聯對照表，并插入新的該原始資料起始位置。21.根據權利要求18所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中當該系統端傳輸的該資料起點與該資料范圍在該資料框架內時，讀取該資料框架并解壓縮還原該資料，將系統端傳送的資料與該還原資料一并壓縮重組成一資料框架大小，更新一使用中的關聯對照表，并插入新的該原始資料起始位址，更新一未使用的關聯對照表。22.根據權利要求18所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中當該系統端傳輸的該資料起點在該資料框架內，該資料范圍在該資料框架外時，調整該原始資料長度，再讀取該資料框架并解壓縮還原該資料，將系統端傳送的資料與該還原資料一并壓縮重組成一資料框架大小，更新一使用中的關聯對照表，并插入新的該原始資料起始位址，更新一未使用的關聯對照表。23.根據權利要求18所述的硅儲存媒體控制方法，其特征在于其中當該系統端傳輸的該資料起點與該資料范圍在該資料框架外且落于最后的該資料框架的后方時，該系統端傳入該資料以進行壓縮并組建該資料框架，更新一未使用的關聯對照表，再更新一使用中的關聯對照表。全文摘要本發明是關于一種硅儲存媒體、硅儲存媒體控制器及其控制方法、資料框架為格式的儲存媒體。該硅儲存媒體控制器，能充分利用儲存空間，由增加關聯對照表緩沖區以及定址對照模塊，以包括系統端記錄的前置描述元的資料框架，提供硅儲存體控制器依據上述對照碼產生系統存取位址與資料框架之間的關聯對照表，藉以在進行存取作業時，迅速判斷所對應資料框架實際儲存位置，以進行后續讀取或更新作業。在前置描述元中，除“資料框架”的對照碼、起始位址、以及標示框架資料長度之外，更可包括壓縮演算法區別碼、參照資料表的指標等資訊，提供硅儲存媒體控制器具有壓縮/解壓縮功能時作為建立關聯對照表的依據。文檔編號G11C8/12GK1700348SQ20041004232公開日2005年11月23日申請日期2004年5月17日優先權日2004年5月17日發明者謝祥安申請人:萬國電腦股份有限公司