只寫一次記錄介質和其缺陷區域管理方法及裝置的制作方法

專利名稱：只寫一次記錄介質和其缺陷區域管理方法及裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及只寫一次的光學記錄介質，用于管理其中缺陷管理信息的方法和裝置，尤其涉及用于分配臨時缺陷管理區域的方法和裝置、用于對缺陷管理分配備用區域的方法、以及光學記錄介質，其中在諸如Blu-ray(藍射線)盤的只寫一次類型的光學記錄介質上分配臨時缺陷管理區域和備用區域。
背景技術：
作為一類光學記錄介質，光盤可記錄大量數據并得到了廣泛的使用。當前，諸如藍射線(Blu-ray)盤的一類新穎的高密度數字多功能盤(HD-DVD)正在開發中。該類介質可長時間地記錄并存儲高質量的視頻數據和高保真的音頻數據。
Blu-ray盤是可存儲比常規DVD更多數據量的新一代光學記錄方案。
Blu-ray盤一般采用波長為405納米的紫光藍激光。該波長比常規DVD上使用的紅色激光短。紅色激光的波長是650納米。Blu-ray盤厚度為1.2毫米直徑為12厘米，并包括厚度約為0.1毫米的光線傳送層。因此，Blu-ray盤可存儲比常規DVD更多的數據量。
用于讀寫Blu-ray盤上數據的光盤裝置如圖1所示。它包括用于從光盤10中讀寫信號的光學采集器11、用于將從光學采集器11中讀取的信號處理成重放信號，或用于將外部輸入數據流調制并處理成適于記錄的記錄信號的視頻盤記錄儀(VDR)系統12、以及用于編碼外部輸入的模擬信號并將已編碼的模擬信號輸出到VDR系統12的編碼器13。
Blu-ray盤可以是可改寫類型的，在此稱為Blu-ray可改寫盤(BD-RE)。BD-RE具有可改寫功能，使得視頻和音頻數據能在其上重復寫入、擦除、并改寫。
如圖2所示的BD-RE分成導入區域(LIA)、數據區域和導出區域(LOA)，且數據區域的前后都分配有內部備用區域(ISA)和外部備用區域(OSA)。
使用以上述方式配置的BD-RE，圖1所示的光盤裝置的VDR系統12將外部輸入的數據編碼并調制成適于記錄的信號，并按對應于錯誤校正塊單元的簇單元進行記錄。如果在BD-RE上記錄數據時在數據區域中出現了缺陷區域，則根據線性替換操作在缺陷區域上記錄的一個簇單元數據也被記錄在備用區域上(例如BD-RE上的內部備用區域)。可執行一系列的線性替換操作。
因此，即使在可改寫Blu-ray盤的數據區域中出現了缺陷區域，光盤裝置的VDR系統12仍然將在缺陷區域上記錄的簇單元數據記錄到備用區域上。當對可改寫Blu-ray盤執行回放操作時，讀取并重放記錄在備用區域上的數據從而可防止數據錄制出錯。
有關Blu-ray盤的各種標準正在開發中。
在這方面，數據不能改寫(不可改寫的)而只能寫一次的第二類Blu-ray盤，在此稱為只寫一次的Blu-ray盤(BD-WO)。當不需要重復改寫數據時，只寫一次的Blu-ray盤就有用了。在BD-WO中，需要管理缺陷區域。
但是由于可在BD-RE上重復記錄數據(因為BD-RE的特征)，可改寫Blu-ray盤的缺陷管理區域(DMA)的大小相對較小(參見圖2中的DMA1～DMA4)。相反，由于在只寫一次Blu-ray盤上只能記錄數據一次，BD-WO中管理缺陷區域所需的區域比只寫一次Blu-ray盤所需區域大。因此，應將足夠大的缺陷管理區域分配給BD-WO。
當應用了橫截面雙層記錄技術使得該盤一側上具有0.85NA(透鏡數字孔徑)的兩個記錄層時，具有足夠大的缺陷管理區域的諸如BD-WO的Blu-ray盤可存儲比常規DVD更大量的數據。存儲容量的增長通過經透鏡到達光盤的近距離輻射射線來獲取。
Blu-ray盤一般具有高數字孔徑透鏡、增大的密度、以及0.32μm的磁跡間距。使用Blu-ray盤技術制造的光盤能以比DVD ROM和CD ROM快得多的速度來傳送數據。在格式化視頻和音頻數據時，當前應用于DVD的諸如MPEG2(視頻)、AC3、MPEG1和層2(音頻)的格式化方法應當用來保持與常規方法的兼容性。有效保護數據的HD-DVD類盤(諸如BD-WO)的特征應當是使得其數據可在大多數當前使用的常規DVD盤上存儲并從其中進行復制。

發明內容
因此，本發明涉及諸如BD-WO的只寫一次光學記錄介質、其缺陷管理信息管理方法、以及用于實現該方法的裝置，基本上避免了因背景技術的限制和缺點而引起的一個或多個問題。
本發明的一個目的是要提供用于管理只寫一次光學記錄介質上的缺陷管理信息的方法，以及包括缺陷管理信息的記錄區域的記錄介質。
本發明的另一目的是要提供對只寫一次Blu-ray盤的缺陷管理方法，以及包括缺陷管理信息的記錄區域的記錄介質。
本發明的其它優點、目的和特征將在隨后的說明書中進行部分地陳述，且它們對本領域技術人員而言在仔細閱讀隨后的內容之后將部分地變得更為顯然，或者可從本發明的實踐中學習。本發明的目的和其它優點可通過在說明書及其權利要求書以及附圖中特別指出的結構來實現并獲取。
為了達到這些目的和其它優點并根據本發明的目的，如在此包括并廣泛描述地，對只寫一次記錄介質的缺陷管理方法包括管理具有至少一個記錄層的只寫一次的光學記錄介質上的缺陷的方法，該方法包括將至少一個替換區域和多個臨時缺陷管理區域分配到光學記錄介質的步驟，其中臨時缺陷管理區域是分別提供的；并將缺陷管理信息記錄在多個臨時缺陷管理區域的至少之一上。
在本發明的另一方面中，管理只寫一次的光學記錄介質上的缺陷的裝置具有至少一個記錄層，該裝置包括用于將至少一個替換區域和多個臨時缺陷管理區域分配到光學記錄介質的步驟，其中臨時缺陷管理區域被分別提供；以及用于將缺陷管理信息記錄在多個臨時缺陷管理區域的至少之一上的裝置。
在本方面的又一方面中，只寫一次的光學記錄介質包括至少一個替換區域；以及多個分配到光學記錄介質的臨時缺陷管理區域，其中臨時缺陷管理區域被分別提供。
可以理解，本發明的前面一般描述和隨后詳細描述都是示例性和解釋性的，并且旨在提供本發明的如權利要求聲明的進一步解釋。


參閱附圖和以下詳細說明書，本發明的其它目標和優點可得到更全面的理解，其中圖1是一般光盤裝置的示意配置；圖2示出BD-RE記錄區域的配置；圖3示出本發明BD-WO的光盤裝置的示意配置；圖4示出根據本發明一實施例的只寫一次光學記錄介質的記錄區域的一個示例；圖5示出根據本發明另一實施例的只寫一次光學記錄介質的記錄區域的另一示例；圖6示出根據本發明又一實施例的只寫一次光學記錄介質的記錄區域的又一示例；圖7示出根據本發明一實施例的只寫一次光學記錄介質的記錄區域的另一示例；圖8示出本發明的臨時缺陷管理區域使用方法的一個示例；圖9示出本發明的臨時缺陷管理區域使用方法的另一示例；圖10示出本發明的臨時缺陷管理信息的合成方法的一個示例；圖11示出本發明的臨時缺陷管理信息的合成方法的另一示例；圖12根據本發明一實施例示出TDDS的配置和信息內容的一個示例；圖13是示出本發明的臨時缺陷管理區域的已滿標記配置的一個示例的示圖。
具體實施例方式
現在將詳細引用本發明的優選實施例，其示例在附圖中示出。可能時，相同的標號將在所有附圖中使用以指相同或相似的部件。
參見圖13，根據本發明的BD-WO的光盤記錄/復制裝置20包括光學采集器22，用于從諸如BD-WO的光學記錄介質21中讀/寫數據、用于控制光學采集器22以保持光學采集器22中物鏡和光學記錄介質21之間距離并用于跟蹤附著軌跡的的采集伺服單元23、用于處理輸入數據并將其提供給光學采集器22的數據處理器24、用于與外部主機30交換數據的接口25、用于擦除有關缺陷管理的信息的存儲器27、以及用于控制以上單元的微型計算機26。裝置20的所有組件在操作上都可耦合。主機30與裝置20的接口25相連，用于記錄/復制送往/來自光學記錄介質21的數據以交換命令和數據。
當載入諸如BD-WO的光學記錄介質時，裝置20將諸如DMA(缺陷管理區域)信息、TDMA(臨時缺陷管理區域)信息等的有關缺陷管理的信息載入存儲器27或其它適當存儲器。在操作期間，存儲器27根據缺陷管理操作周期性地更新。現有方法可使用圖1和圖3中所示的裝置或其它適當裝置或系統來實現。
圖4示出根據本發明一實施例的BD-WO的記錄區域配置的一個示例。圖4中所示的BD-WO具有單層盤的結構(即它具有單個記錄層)。此外，圖4中所示的BD-WO包括導入區域(LIA)、數據區域和導出區域(LOA)。用戶數據區域位于數據區域。導入和導出區域包括最終的或持久的缺陷管理區域(DMA 1～DMA4)。每個區域中所示箭頭分別表示數據記錄方向的示例。
根據本發明，臨時缺陷管理區域(TDMA1或TDMA2)在BD-WO的導入區域和數據區域中提供。在此，TDMA(臨時缺陷管理區域)可與最終缺陷管理區域(DMA1、DMA2、DMA3、DMA4)區分開。特別地，臨時缺陷管理區域(TDMA)是在BD-WO完成之前用來“臨時”記錄并管理缺陷管理信息的BD-WO區域。然后，缺陷管理信息被記錄到圖4所示記錄層的多個缺陷管理區域至少一個上，例如DMA1～DMA4。例如當已經完成將數據記錄在BD-WO的用戶數據區域時，BD-WO被視為要完成了。
圖4所示BD-WO的數據區域包括用戶數據區域、內部備用區域(ISA0)和外部備用區域(OSA0)。在OSA0中提供了第二個TDMA2。OSA0還可包括一個替換區域R/A，用于替換記錄對應于用戶數據區域中缺陷的數據。整個ISA0可用作R/A。即，在圖4所示實施例中，可在BD-WO上的指定區域分開提供多個臨時缺陷管理區域(TDMA1、TDMA2)。例如，TDMA1在導入區域中提供，而TDMA2在外部備用區域中提供。這種指定區域的一個示例是BD-WO的內部圓周區域和外部圓周區域。特別地，圖4示意地示出內部圓周區域在內部圓周區域提供而外部圓周區域在數據區域的末端部分提供。
在BD-WO外部圓周區域中提供的TDMA2的大小可以是固定的。另一方面，TDMA2的大小可根據備用區域(例如OSA0)的大小而改變。在更具體的示例中，當OSA的大小是N×256簇時，TDMA2的大小是M×256簇。在此，M是根據N/4確定的整數(M＝N/4)。例如，當N＝64時，備用區域(OSA0)的大小是16384簇，且因為M＝N/4，TDMA2的大小是4096簇。
為什么在BD-WO的外部圓周區域中提供的TDMA2的大小可根據備用區域(OSA0)的大小而改變是有原因的。一個原因是，當在備用區域中提供要寫入數據的替換區域時，替換區域的大小、臨時缺陷管理區域的大小和備用區域的大小是互相相關的。如果其中之一的大小減小，則其它的大小將增大(反之亦然)。與TDMA2的大小相比，在該特定實施例中，在內部圓周區域(導入區域)內提供的臨時缺陷管理區域(TDMA1)的大小保持固定值。在本發明的該實施例中，導入區域中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA1)可根據TDMA2的使用而使用。例如，當備用區域(OSA0)中提供的TDMA2不管理缺陷時，可將備用區域分配為具有‘0’大小。因而，TDMA2的大小變成‘0’。當所有的數據區域都用來記錄用戶數據時這種情形會存在。無論如何，導入區域的TDMA1仍然可用，且通過使用DDS(盤定義結構)對特定信息的管理和描述也可用。然而，DDS不可用于缺陷列表的管理。以下將參照圖10和圖11提供更具體的討論。
當在用戶數據區域中檢測到缺陷區域時，要記錄到缺陷區域的數據被記錄到替換區域R/A，且與該缺陷區域相關聯的缺陷管理信息被記錄到TDMA1和TDMA2的一個或多個中。
圖5示出本發明一實施例，它示出了BD-WO的另一配置。圖5所示的BD-WO是具有包括導入區域、數據區域和導出區域的配置的單層盤。每個區域中的箭頭被用來表示記錄數據的方向。每一個內部和外部備用區域ISA0和OSA0都包括一替換區域R/A，用于替換記錄對應于用戶數據區域中缺陷區域(如果發現的話)的數據。
在圖5所示實施例中，在數據區域的開始部分(例如內部備用區域ISA0)提供了臨時缺陷管理區域(TDMA1)。第二個TDMA2在外部備用區域(OSA0)中提供。結果，在本發明該實施例中，在BD-WO的預定區域中(ISA0、OSA0)分開提供了多個臨時缺陷管理區域(TDMA1和TDMA2)。第一個TDMA(TDMA1)在內部備用區域中提供，而第二個TDMA(TDMA2)在外部備用區域中提供。廣言之，多個臨時缺陷管理區域的每一個在BD-WO的指定區域中分開提供。在此示例中，指定區域是內部圓周區域和外部圓周區域。更精確地，在圖5所示實施例中，內部圓周區域在數據區域的開始部分提供，而外部圓周區域在數據區域的結束部分提供。
在該實施例中，在BD-WO的外部區域中提供的臨時缺陷管理區域(例如TDMA2)的大小是固定的或可根據備用區域(OSA0)的大小是可變的。類似地，TDMA1的大小可固定或按需變化。但是，導入區域中的TDMA1最好具有固定大小，而OSA0中的TDMA2具有可變大小。
根據該示例，當檢測到缺陷區域時，要記錄到缺陷區域中的數據被記錄到替換區域R/A，而與該缺陷區域相關聯的缺陷管理信息被記錄在TDMA1和TDMA2的一個或多個中。用于記錄缺陷信息的替換區域在備用區域之一中提供。
圖6示出根據本發明的BD-WO的另一記錄區域配置。圖6中示出的BD-WO具有兩個記錄層(層0和1)。第一層(層0)包括導入區域、數據區域50a、以及外部區域“外部區域0”。第二層(層1)包括導出區域、數據區域50b、以及外部區域“外部區域1”。在每一層上都提供多個DMA(DMA1～DMA4)。每個數據區域50a和50b包括至少一個備用區域。相應區域中的箭頭表示記錄方向的示例。
在該實施例中，臨時缺陷管理區域(TDMA1或TDMA3)在導入區域或導出區域中的每一層上提供。內部備用區域(ISA0、ISA1)和外部備用區域(OSA0、OSA1)分別在每一層上的數據區域50a和50b中提供。臨時缺陷管理區域(TDMA2或TDMA4)分別在外部備用區域(OSA0或OSA1)的每一層上提供。在該示例中，整個ISA0和ISA1都可用作替換R/A。OSA0和OSA1的每一個都可包括替換區域R/A。
該實施例可廣泛地描述為具有多個分開的臨時缺陷管理區域(TDMA1、TDMA3、TDMA2、TDMA4)，每一個都在BD-WO的指定區域中提供。第一對(TDMA1、TDMA3)在導入和導出區域中提供，而第二對(TDMA2、TDMA4)在外部備用區域OSA0和OSA1中提供。該實施例還可被描述為多個臨時缺陷管理區域，分別在雙層BD-WO的內部圓周區域和外部圓周區域中的(每一層上)指定區域內提供。特別地，內部圓周區域在導入和導出區域中提供，而外部圓周區域在相應數據區域的結束部分提供。
在BD-WO的外部圓周區域中提供的TDMA2和TDMA4的大小固定或可根據相關聯備用區域的大小而變化。例如，當外部圓周區域(OSA0、OSA1)之一的大小是N×256簇時，TDMA2和TDMA4之一的尺寸可以變成M×256簇。這里，M是根據N/4(M/4)確定的整數。例如，當N＝32時，每個(或任一個)外部備用區域(OSA0、OSA1)的大小是8192簇，而每個(或任一個)TDMA2和TDMA4的大小變成2048簇(TDMA2＝TDMA4＝8192簇)，因為M＝N/4＝8。類似地，TDMA1和3的大小可固定或變化。但導入和導出區域中的每個TDMA1和3最好都具有固定大小，而外部備用區域OSA0和OSA1中的每個TDMA2和4則具有可變大小。
為什么在BD-WO的外部圓周區域中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA2、TDMA4)的大小可根據備用區域(OSA0、OSA1)的大小而改變是有原因的。一個原因是，當在備用區域中提供替換區域作為臨時缺陷管理區域的備選時，替換區域的大小、臨時缺陷管理區域的大小和備用區域的大小是互相相關的。相比之下，在內部圓周區域(導入和導出區域)中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA1、TDMA3)的大小最好是固定的。
在圖6示例中，在導入和導出區域中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA1、TDMA3)可根據臨時先前管理區域TDMA2、TDMA4的使用而使用。例如，當外部備用區域(OSA0、OSA1)中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA2、TDMA4)不管理缺陷區域時，備用區域(ISA0、ISA1)可分配為‘0’大小。因而，當所有數據區域用來記錄用戶數據時，TDMA2的大小變成‘0’。然而，導入區域的臨時缺陷管理區域(TDMA1、TDMA3)仍然可用，且指定信息的管理和描述仍然可以進行。在該情形中，不能管理DFL(缺陷列表)。這在下面將參照圖10和圖11進行更詳細的描述。
當發現缺陷區域時，要記錄到用戶數據區域的缺陷區域的數據被記錄到替換區域R/A，且與缺陷區域相關聯的缺陷管理信息被記錄到BD-WO預定區域中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA1、TDMA2、TDMA3、TDMA4)的一個或多個之中。在圖6示例中，在備用區域之一的一部分中提供替換區域。
圖7示出根據本發明一實施例的BD-WO的記錄區域配置的另一示例。，除了現在TDMA在每一層的內部和外部備用區域中提供之外，該示例與圖6的示例相同。即，圖7的示例是圖5中所示單層盤配置的雙層盤版本。
特別地，圖7中的BD-WO示出雙層BD-WO的配置，包括導入區域、導出區域、數據區域50a和50b、以及外部區域(外部區域0、全部區域1)相應區域中的箭頭表示記錄方向的示例。
根據本實施例，第一臨時缺陷管理區域(TDMA1、TDMA3)在每個記錄層上相應數據區域50a、50b的開始部分提供。即，它們在數據區域的內部備用區域ISA0和ISA1中提供。第二臨時缺陷管理區域(TDMA2、TDMA4)在每個記錄層上相應數據區域的結束部分處提供。即，它們在數據區域50a和50b的外部備用區域(OSA0、OSA1)中提供。
描述性地，圖7中所示的本發明實施例包括多個臨時缺陷管理區域(TDMA1、TDMA2、TDMA3、TDMA4)，其中每個TDMA在數據區域的開始部分(內部備用區域)和數據區域的結束部分(外部備用區域)提供。
在BD-WO的外部圓周區域中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA2、TDMA4)的大小可固定或根據外部備用區域(OSA0)的大小而變化。根據本實施例，如果在將數據記錄到BD-WO時檢測到缺陷區域，要記錄到缺陷區域的數據可替換地記錄到替換區域R/A，且與缺陷區域相關聯的缺陷管理信息被記錄到它們相應的BD-WO預定區域中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA1、TDMA2、TDMA3、TDMA4)的一個或多個之中。TDMA1和3的大小固定，而TDMA2和4的大小可變。
在另一實施例中，記錄缺陷管理信息的方法包括以下步驟提供一最近的缺陷管理區域和一臨時缺陷管理區域、替換地將缺陷管理信息記錄到備用區域而非臨時缺陷管理區域、將缺陷管理信息記錄到在BD-WO相應預定區域中分開提供的多個臨時缺陷管理區域中、并在完全使用臨時缺陷管理區域之后將缺陷管理信息記錄到最近的缺陷管理區域。
將圖4中BD-WO的配置用作示例，提供了多個臨時缺陷管理區域(TDMA1、TDMA2)，且在導出區域中提供的缺陷管理區域(DMA1、DMA2、DMA3、DMA4)是最近的缺陷管理區域。如果在記錄數據時檢測到缺陷區域，則要記錄到數據區域的數據被替換地記錄到備用區域中提供的替換區域，且相應缺陷管理信息被記錄到臨時缺陷管理區域中。在臨時缺陷管理區域(TDMA)完全用完從而沒有更多的TDMA可用于記錄缺陷管理信息之后，將“最后的”或最近的缺陷管理信息記錄到最近的缺陷管理區域中(DMA1～DMA4)。
圖8示出根據本發明一實施例使用單層或雙層BD-WO中的多個臨時缺陷管理區域(TDMA1～TDMA4)的方法的一個示例。在該方法中，TDMA1存儲TDDS(臨時盤定義結構)和TDFL(臨時缺陷列表)。然而，盡管未在示圖中示出，TDMA2也包括TDDS和TDFL。圖8中所示實施例示出特定缺陷管理信息(TDDS和TDFL)在記錄到TDMA2之前被記錄到TDMA1。盡管僅示出TDMA1和TDMA2，該方法可應用于所有TDMA(TDMA1～TDMA4)。
現在提供對TDDS和TDFL的討論。在本發明，TDDS指臨時盤定義結構并與DDS(盤定義結構)不同，因為TDDS是臨時的。類似地，TDFL指臨時缺陷列表，并因為TDFL是臨時的也與DFL(缺陷列表)不同。在此，TDFL和TDDS被包括在多個TDMA中。
臨時缺陷列表(TDFL)包含在使用介質期間被確定為有缺陷的(部分)簇列表。與此相關，TDDS指定有關缺陷管理的盤的格式和狀態，且一般而言提供整體的管理信息。盤的格式可包括有關盤上區域的特定布局的信息，用于管理缺陷區域，而盤的狀態可包括各種標記(解釋如下)。TDFL包括缺陷區域和替換區域的地址。記錄在臨時缺陷管理區域(例如TDMA1和TDMA2)的TDDS和TDFL，變成寫入最近的缺陷管理區域(例如DMA1-4)的持久信息(DDS和DFL)。當盤完成或不再管理缺陷時，存儲在TDMA中的最后的TDDS和TDFL分別作為DDS信息和DFL信息被傳送并記錄在DMA的至少之一。在將數據記錄到用戶數據區域期間，周期性地或同時更新TDDS和TDFL，并將更新記錄在TDMA中。這些的特定操作將隨著討論的進展而變得越來越顯然。
在圖8所示實施例中，TDMA1首先(在TDMA2使用之前)用來將諸如TDDS和TDFL信息的缺陷管理信息記錄其中。當TDMA1裝滿時，TDMA2用來將缺陷管理信息記錄其中。然而，在另一變體中，首先使用的是TDMA2(在TDMA1之前)。在此情形中，當TDMA2裝滿時，TDMA1被用來記錄缺陷管理信息。在這種情形中，提供多個TDMA中哪個區域已滿的通知的信息由TDMA的“已滿標記”來表示。“已滿標記”指示是必要的，因為在此揭示的優選實施例需要表示多個TDMA中哪個區域已滿的信息。在一示例中，該TDMA1已滿標記被包括在TDDS中。
因此，在圖8的實施例中，順序使用TDMA1和TDMA2或TDMA2和TDMA1以將缺陷管理信息存儲其中。在其它實施例中，TDMA1和TDMA2位于BD-WO的導入和導出區域。使用特定的TDMA依賴于各個因素，其示例將在對使用多個TDMA的方法的討論中提供。
應注意，圖8的方法和在此討論的任何其它方法(圖9-13)可應用于圖4、5、6和7的盤結構以及在此討論的任何其它變化。還應注意，本發明包括在BD-WO的每個記錄層上包括一個或多個TDMA的實施例。
在圖8和隨后的圖9中，僅示出TDMA1和2。這些僅是表示的一個示例，并可表示位于BD-WO上的任何其它TDMA(例如TDMA1和3、TDMA2和4、TDMA3和6等)。
圖9示出根據本發明一實施例使用單層或雙層BD-WO中的多個臨時管理區域(TDMA1～TDMA4)的方法的另一個示例。然而，圖9的示例以及圖8的示例在討論圖12所示的TDMA已滿標記以及圖13所示的相關結構的示例之后將得到更好的理解。
圖12示出根據本發明缺陷管理信息的寫入配置的一個示例。在該示例中示出的是表示TDMA是否已滿的TDMA已滿標記。該已滿標記被記錄在TDDS中。如上所述，TDDS包括整體的管理信息。為了管理本發明中的缺陷區域，使用TDMA已滿標記和諸如‘TDMA1大小’、‘TDMA2大小’等的指示符。另一方面，在每個情形中并非都需要已滿標記和大小指示符。特別地，已滿標記提供有關特定區域是否已滿的信息，并可以是對應于特定區域的1比特指示。在所示實施例中，如果特定區域是該結構的TDMA，且相應已滿標記的比特值為“1”，則相應區域(例如TDMA1)被視為已滿或在‘已滿’狀態。因此，由于該TDMA已滿，不再使用該特定TDMA。
圖13示出8比特TDMA已滿標記的一個示例，表示一個或多個TDMA(TDMA1～TDMA4)是否已滿。圖13中所示結構包括在圖12所示TDDS的字段中。在記錄如圖8所示的TDDS和TDFL時，TDDS的大小固定，例如1個簇，而TDFL的大小可變。圖6和圖7中所示的雙層BD-WO的TDFL的大小可從1個簇變成8個簇。該大小是考慮整個盤的容量和備用區域的大小而確定。
根據使用多個TDMA的方法，如果在將數據記錄到BD-WO時造成或發現缺陷區域，記錄或要記錄在BD-WO缺陷區域上的數據被記錄到BD-WO的預定替換區域(例如備用區域)。有關圖13的更多討論將在下面提供。
現在提供對圖9的討論。如所述，圖9示出本發明的臨時缺陷管理區域使用方法的另一示例。在使用圖9中示出的使用臨時或缺陷管理區域的方法中，TDMA1和TDMA2不需確定任何使用順序就可隨機使用。參照圖12和13討論的TDMA已滿標記都可在此等價地應用。
如果在圖8和9所示情形中TDMA已滿標記表示特定TDMA已滿，隨后的或另一個TDMA被用來將缺陷管理信息存儲其中。在諸如圖9所示情形的隨機情形中，未指定使用順序。但是，如果所有TDMA已滿，則不再管理BD-WO上的缺陷。當不再管理缺陷時，從TDMA傳送TDDS和TDFL的最后或最近信息，并將其記錄在至少一個DMA(DMA1～DMA4)上以反映當前的盤狀態。對DMA上最終信息的記錄的更多討論將在后面提供。
根據圖9實施例，缺陷區域的數據被記錄在預定替換區域上。與該缺陷區域和替換區域相關的缺陷管理信息被隨機記錄在所需TDMA上。例如，與位于BD-WO上缺陷區域最近的TDMA可用于記錄這種缺陷管理信息。因此，如圖9所示，TDMA可變化地或可按需使用。
在本發明的使用臨時缺陷管理區域的另一方法中，多個臨時缺陷管理區域可依賴于各種條件可變地使用。
例如，考慮根據圖5-7所示的各個實施例用于管理缺陷的區域包括TDMA1和TDMA2。當使用BD-WO時，缺陷管理信息可僅記錄在TDMA2上。然后最近的缺陷管理信息可在退出BD-WO時記錄在TDMA1上。換言之，選擇記錄缺陷管理信息的區域在使用盤時記錄缺陷管理信息的區域和在退出盤時記錄缺陷管理信息的區域之間確定。
根據使用臨時缺陷管理區域的方法的另一實施例，當把數據記錄在BD-WO上時，如果在記錄數據的過程期間造成或發現了缺陷區域，則記錄(或要記錄)在缺陷區域上的數據被記錄在預定替換區域上。缺陷管理信息在使用該盤時被記錄在TDMA2上。相同的缺陷管理信息在退出該盤時再次記錄在TDMA1上。
作為使用該盤的另一種方法，使用各種對象用來選擇多個臨時缺陷管理區域之一。使用該盤的一種方法是基于重要性的。例如，當更新缺陷管理信息的重要性較低時，TDMA2可用來記錄缺陷管理信息。當更新缺陷管理信息的重要性較高時，TDMA1(取代TDMA2)可用來記錄缺陷管理信息。在此，用來確定重要性的準則可不同地設置。刷新缺陷管理信息(更新)的頻率可以是有條件的，或基于設計者的選擇。退出盤的時間還可被指定為是記錄缺陷管理信息中的重要時間。在這種情形中使用盤的時間被視為較不重要，從而在該時間段中缺陷管理信息可在TDMA2(而不是TDMA1)上記錄。退出盤的時間被視為較重要，從而在該時間段中缺陷管理信息可在TDMA1(而不是TDMA2)上記錄。使用TDMA1(或TDMA3)優于使用TDMA2(或TDMA4)，因為TDMA1和3位于導入和導出區域而不是數據區域，所以在載入盤時可更快速簡便地訪問它們。設計者決定使用的各方法可區別地使用。
用來確定重要性的標準之一是更新間隔。換言之，如果前一缺陷管理信息的更新時間與當前缺陷管理信息的更新時間之間的間隔較長，當前的更新信息被視為相對重要。在此情形中，即使該盤正在使用中，缺陷管理信息仍可記錄到TDMA1上。確定重要性的另一準則是造成或發現的缺陷區域數量。如果有相對較多的缺陷區域，由于它被視為需要更高可靠性，即使該盤正在使用中缺陷管理信息仍可被記錄到TDMA1上。
根據使用目標，如果根據重要性缺陷管理信息被記錄在TDMA上，由于TDMA1位于內磁軌上，重要信息在載入盤的初始時間一開始就能快速并精確地獲得。
圖10和11示出本發明的臨時缺陷管理信息合成方法的兩個不同示例。在一實施例中，本發明提供合成缺陷管理信息并將其記錄在TDMA上的方法，其中TDDS和TDFL彼此分開。本發明的另一實施例提供合成缺陷管理信息并將其記錄在TDMA上的方法，其中TDDS和TDFL彼此結合。圖10示出前一情形(分開)而圖11示出后一情形(結合)。在此，每次更新缺陷管理信息時，都把最近的TDFL和TDDS信息記錄到TDMA中。
特別地，圖10示出合成缺陷管理信息并將其記錄在TDMA上的方法，其中TDDS和TDFL彼此分開。每個TDDS具有例如1個簇的固定大小，而每個TDFL的大小可變化，例如從1個簇到8個簇。
圖11示出示出合成缺陷管理信息并將其記錄在TDMA上的方法，其中TDMA上的TDDS和TDFL彼此結合。缺陷管理信息以TDFL+TDDS的形式記錄，如圖11所示。由于如上所述TDFL的大小可從1個簇到8個簇地變化，TDFL+TDDS的大小也可從1個簇到8個簇地變化。
再參看圖12，每個TDMA(TDMA1～TDMA4)的大小以及TDMA已滿標記在TDDS中示出。根據圖4和圖5的配置，僅描述TDMA1和TDMA2的大小的信息在TDDS中提供。根據圖6和圖7的配置，可以說描述TDMA1、TDMA2、TDMA3和TDMA4的大小的信息在TDDS中提供。即，根據本發明缺陷管理信息被記錄在BD-WO的預定區域中提供的多個臨時缺陷管理區域里。因此，信息和比特的量和類型、以及用于描述TDMA大小的表達方式并不限于圖12的示圖。
再次參看圖13，畫出的8比特是示出臨時缺陷管理區域已滿標記的示例。TDMA已滿標記的一個比特被分配給每個TDMA，如圖13所示從TDMA1到TDMA4。例如，具有值‘00000011’的TDMA已滿標記表示TDMA1和TDMA2已滿。其大小和位映像不限于圖13中描述的TDMA已滿標記的偏置。
如圖13所示，在該示例中，從TDMA1到TDMA4的每個TDMA對應于TDMA已滿標記從b0到b3的每個比特。根據圖4和圖5中的盤配置，TDMA3和TDMA4的已滿標記比特并不是必須定義的。TDMA3和TDMA4的已滿標記比特可根據圖6和圖7中所示的雙層盤配置來定義。在雙層BD-WO中，從邏輯觀點看，TDMA2和TDMA4可用作統一的臨時缺陷管理區域。類似地，TDMA1和TDMA3也可用作統一的臨時缺陷管理區域。因此，定義已滿標記的方法可以是對TDMA1+TDMA3定義一已滿標記(或比特)，而對TDMA2+TDMA4定義另一已滿標記(或比特)。
因此，當缺陷管理信息被記錄到多個臨時缺陷管理區域時，系統可確定是否有寫區域可用。
行業可應用性本發明提供在BD-WO上寫入數據期間發現缺陷區域時的缺陷管理方法。特別地，通過替換地將要記錄在缺陷區域中的缺陷管理信息記錄到BD-WO的替換區域，并通過將缺陷管理信息記錄到在盤的預定區域中分開提供的多個臨時缺陷管理區域，可在BD-WO上實現使用缺陷管理信息來寫入、記錄、復制和管理缺陷區域。
對本領域技術人員而言，可對本發明作出各種更改和變化而不偏離本發明的精神或范圍是顯而易見的。因而，本發明旨在包括落于所附權利要求書及其等效方案的范圍內的本發明的更改和變化。
權利要求
1.一種管理具有至少一個記錄層的只寫一次的光學記錄介質上的缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟將至少一個替換區域和多個臨時缺陷管理區域分配到所述光學記錄介質，其中所述臨時缺陷管理區域分開提供；以及將缺陷管理信息記錄在所述多個臨時缺陷管理區域的至少一個上。
2.如權利要求1所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步驟中，所述多個臨時缺陷管理區域的之一被分配到所述光學記錄介質的內部圓周區域，而所述多個臨時缺陷管理區域的之一被分配到所述光學記錄介質的外部圓周區域。
3.如權利要求1所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步驟中，所述多個臨時缺陷管理區域的之一在所述光學記錄介質的導入區域中提供，而所述多個臨時缺陷管理區域的之一在所述光學記錄介質的數據區域的結束部分中提供。
4.如權利要求1所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步驟中，所述多個臨時缺陷管理區域的之一在所述光學記錄介質的數據區域的開始部分中提供，而所述多個臨時缺陷管理區域的之一在所述光學記錄介質的所述數據區域的結束部分中提供。
5.如權利要求1所述的管理方法，其特征在于，所述分配步驟還包括分配至少一個內部備用區域，所述區域的至少一部分用作替換缺陷區域的替換區域；分配至少一個外部備用區域，所述區域的一部分用作替換缺陷區域的替換區域；以及分配所述至少一個外部備用區域和所述至少一個內部備用區域的至少之一的一部分，作為管理缺陷管理信息的臨時缺陷管理區域。
6.如權利要求5所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步驟中，所述至少一個內部備用區域包括第一內部備用區域，其整個分配區域用來替換缺陷區域。
7.如權利要求5所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步驟中，所述至少一個內部備用區域包括分配到數據區域開始部分的第一內部備用區域，而所述至少一個外部備用區域包括分配到數據區域結束部分的第一外部備用區域。
8.如權利要求1所述的管理方法，其特征在于，所述臨時缺陷管理區域的第一個具有固定大小，而所述臨時缺陷管理區域的第二個具有可變大小。
9.如權利要求8所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步驟中，所述臨時缺陷管理區域的第一個被分配到導入區域，而所述臨時缺陷管理區域的第二個被分配到外部備用區域。
10.如權利要求8所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步驟中，所述臨時缺陷管理區域的第一個和第二個被分別分配到所述光學記錄介質的內部備用區域和外部備用區域。
11.如權利要求1所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步驟中，所述光學記錄介質具有至少兩個記錄層，第一記錄層包括具有固定尺寸的臨時缺陷管理區域和具有可變尺寸的臨時缺陷管理區域，而第二記錄層包括具有固定尺寸的臨時缺陷管理區域和至少一個具有可變尺寸的臨時缺陷管理區域。
12.如權利要求11所述的管理方法，其特征在于，所述具有固定尺寸的臨時缺陷管理區域分別位于第一和第二記錄層的導入區域，而所述具有可變尺寸的臨時缺陷管理區域分別位于所述第一和第二記錄層的外部備用區域。
13.如權利要求11所述的管理方法，其特征在于，所述具有固定尺寸的臨時缺陷管理區域分別位于第一和第二記錄層的內部備用區域，而所述具有可變尺寸的臨時缺陷管理區域分別位于所述第一和第二記錄層的外部備用區域。
14.如權利要求12所述的管理方法，其特征在于，在所述分配步驟中，所述第一記錄層包括第一內部備用區域，其整個區域用來替換缺陷區域，以及具有可變分配大小的外部備用區域，而所述第二記錄層包括第二內部備用區域和所述外部備用區域。
15.如權利要求1所述的管理方法，其特征在于，所述光學記錄介質是只寫一次Blu-ray盤(BD-WO)。
16.如權利要求1所述的管理方法，其特征在于，在所述記錄步驟中，所述缺陷管理信息包括至少一個臨時缺陷列表(TDFL)和至少一個臨時盤定義結構(TDDS)。
17.如權利要求8所述的管理方法，其特征在于，所述第一和第二臨時缺陷管理區域按順序使用。
18.如權利要求8所述的管理方法，其特征在于，所述第一和第二臨時缺陷管理區域相對彼此無優先權地隨機使用。
19.如權利要求16所述的管理方法，其特征在于，所述至少一個臨時缺陷列表和所述至少一個臨時盤定義結構是分開的。
20.如權利要求16所述的管理方法，其特征在于，所述至少一個臨時缺陷列表和所述至少一個臨時盤定義結構是結合的。
21.如權利要求16所述的管理方法，其特征在于，提供多個所述臨時缺陷管理區域中哪個區域已滿的通知的信息由已滿標記來表示。
22.如權利要求16所述的管理方法，其特征在于，每個所述臨時缺陷管理區域的大小被記錄在所述TDDS中。
23.一種管理具有至少一個記錄層的只寫一次的光學記錄介質上的缺陷的裝置，其特征在于，所述裝置包括一裝置，用于將至少一個替換區域和多個臨時缺陷管理區域分配到所述光學記錄介質，其中所述臨時缺陷管理區域分開提供；以及一裝置，用于將缺陷管理信息記錄在所述多個臨時缺陷管理區域的至少一個上。
24.一種只寫一次的光學記錄介質，其特征在于，包括包括至少一個替換區域的數據區域；以及分配到所述光學記錄介質的多個臨時缺陷管理區域，其中所述臨時缺陷管理區域分開提供，且缺陷管理信息記錄在所述臨時缺陷管理區域的至少一個上。
25.如權利要求24所述的光學記錄介質，其特征在于，所述多個臨時缺陷管理區域的至少之一被分配到所述光學記錄介質的內部圓周區域，而所述多個臨時缺陷管理區域的至少之一被分配到所述光學記錄介質的外部圓周區域。
26.如權利要求24所述的光學記錄介質，其特征在于，還包括一導入區域，其中所述多個臨時缺陷管理區域之一在所述光學記錄介質的導入區域中提供，而所述多個臨時缺陷管理區域的另一個在所述光學記錄介質的數據區域的結束部分中提供。
27.如權利要求24所述的光學記錄介質，其特征在于，所述多個臨時缺陷管理區域之一在所述光學記錄介質的數據區域的開始部分中提供，而所述多個臨時缺陷管理區域的另一個在所述光學記錄介質的所述數據區域的結束部分中提供。
28.如權利要求24所述的光學記錄介質，其特征在于，還包括所述數據區域中的至少一個內部備用區域，所述區域的至少一部分被用作替換缺陷區域的替換區域；以及所述數據區域中的至少一個外部備用區域，所述區域的一部分被用作替換缺陷區域的替換區域，其中所述至少一個外部備用區域和所述至少一個內部備用區域的至少之一的一部分用作管理缺陷管理信息的臨時缺陷管理區域。
29.如權利要求28所述的光學記錄介質，其特征在于，所述至少一個內部備用區域包括第一內部備用區域，其整個分配區域用來替換缺陷區域。
30.如權利要求28所述的光學記錄介質，其特征在于，所述至少一個內部備用區域包括分配到數據區域開始部分的第一內部備用區域，而所述至少一個外部備用區域包括分配到數據區域結束部分的第一外部備用區域。
31.如權利要求24所述的光學記錄介質，其特征在于，所述臨時缺陷管理區域的第一個具有固定大小，而所述臨時缺陷管理區域的第二個具有可變大小。
32.如權利要求31所述的光學記錄介質，其特征在于，還包括一導入區域；以及所述數據區域中的一外部備用區域，其中所述臨時缺陷管理區域的第一個被分配到所述導入區域，而所述臨時缺陷管理區域的第二個被分配到所述外部備用區域。
33.如權利要求31所述的光學記錄介質，其特征在于，還包括在所述數據區域中的一內部備用區域和一外部備用區域，其中所述臨時缺陷管理區域的第一個和第二個被分別分配到所述光學記錄介質的內部備用區域和外部備用區域。
34.如權利要求24所述的光學記錄介質，其特征在于，所述光學記錄介質具有至少兩個記錄層，第一記錄層包括具有固定尺寸的臨時缺陷管理區域和具有可變尺寸的臨時缺陷管理區域，而第二記錄層包括具有固定尺寸的臨時缺陷管理區域和至少一個具有可變尺寸的臨時缺陷管理區域。
35.如權利要求34所述的光學記錄介質，其特征在于，所述具有固定尺寸的臨時缺陷管理區域分別位于第一和第二記錄層的導入區域，而所述具有可變尺寸的臨時缺陷管理區域分別位于所述第一和第二記錄層的外部備用區域。
36.如權利要求34所述的光學記錄介質，其特征在于，所述具有固定尺寸的臨時缺陷管理區域分別位于第一和第二記錄層的內部備用區域，而所述具有可變尺寸的臨時缺陷管理區域分別位于所述第一和第二記錄層的外部備用區域。
37.如權利要求35所述的光學記錄介質，其特征在于，所述第一記錄層包括第一內部備用區域，其整個區域用來替換缺陷區域，以及具有可變分配大小的外部備用區域，而所述第二記錄層包括第二內部備用區域和所述外部備用區域。
38.如權利要求24所述的光學記錄介質，其特征在于，所述光學記錄介質是只寫一次Blu-ray盤(BD-WO)。
39.如權利要求24所述的光學記錄介質，其特征在于，所述缺陷管理信息包括至少一個臨時缺陷列表(TDFL)和至少一個臨時盤定義結構(TDDS)。
40.如權利要求39所述的光學記錄介質，其特征在于，所述至少一個臨時缺陷列表和所述至少一個臨時盤定義結構是分開的。
41.如權利要求39所述的光學記錄介質，其特征在于，所述至少一個臨時缺陷列表和所述至少一個臨時盤定義結構是結合的。
42.如權利要求39所述的光學記錄介質，其特征在于，每個所述臨時缺陷管理區域的大小被記錄在所述TDDS中。
全文摘要
揭示了一種管理具有至少一個記錄層的只寫一次的光學記錄介質上的缺陷的方法。管理至少一記錄層上缺陷的方法包括以下步驟將至少一個替換區域和多個臨時缺陷管理區域分配到光學記錄介質，其中臨時缺陷管理區域分開提供，并將缺陷管理信息記錄在多個臨時缺陷管理區域的至少一個上。
文檔編號G11B11/00GK1759438SQ200380110147
公開日2006年4月12日 申請日期2003年10月1日 優先權日2003年3月13日
發明者樸容徹, 金成大 申請人:Lg電子株式會社