熔絲裝置以及應用該裝置的集成電路裝置的制作方法

專利名稱：熔絲裝置以及應用該裝置的集成電路裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種集成電路裝置，具體涉及在作為半導體元件的集成電路裝置中使用的熔絲裝置。
背景技術：
集成電路是一種完整的電子電路，其包括晶體管，二極管，電阻器，電容器，以及它們的互連導電體，這些部件全都包含在一塊硅芯片內。集成電路的尺寸不斷縮小，而它們所含電路的復雜性卻不斷增加。這就增大了因失效元件或故障導體而產生故障芯片的機會。這些裝置的復雜性和需要互連電路會產生很窄的性能容差。滿足這些需要的一種方式是將熔絲制作到裝置中。熔絲能夠斷開，從而隔離出故障區域，讓電路的其余部分得以使用。熔絲還可用于修整電路，賦予特定模式，或者啟用或不啟用電路的不同部分。
另一種減少半導體廢料的方式是在集成電路上設置冗余元件。如果原始元件出現了故障，就用冗余元件替換掉該故障元件。使用冗余元件的集成電路裝置的一個例子是電子存儲器。典型的存儲電路包括幾百萬個等效存儲單元，這些存儲單元按可尋址的行列形式排列。
因為存儲器的各個原始存儲單元是可獨立編址的，因此替換一個故障單元一般包括以下步驟斷開熔絲電路，將一個冗余單元編程以便能響應有故障的原始單元的地址。熔絲電路包括多個可存儲故障地址的熔絲。本領域普通技術人員公知，可通過選擇性地斷開熔絲電路中的熔絲，從而將故障地址存儲在該熔絲電路中。如果當前的輸入地址與熔絲電路中的任何故障地址相同，就選擇一個冗余存儲單元來代替有故障的存儲單元。熔絲電路布置在與選擇存儲單元行(或字線)用的行選擇電路相鄰的位置上。
參照圖1，它表示一種依照現有技術的熔絲裝置，熔絲11、12、13、14、15和16都沿行方向平行布置在切割區域17上。熔絲11-16的寬度W都相同，且相鄰熔絲之間的間距P也相同。該熔絲裝置存在以下問題。由于單位存儲單元的尺寸逐步縮小，因此它在行方向上的長度(或寬度)也日益減小。字線在行的方向上平行排列在該長度內。另一方面，由于熔絲間距依賴于發射激光束的裝置的容量，因此實際上很難縮小熔絲電路在行方向上的長度或熔絲間距。于是，將熔絲電路布置在行方向較短的長度內會讓冗余字線的數量減少。
為了克服上述問題，已經提出了一種雙層的熔絲裝置，它將一個切割區域分成兩個區域，將分開后的區域布置成兩層結構。在名稱為“DOUBLEDENSITY FUSE BANK FOR THE LASER BREAK-LINK PROGRAMMING OF AN INTEGRATEDCIRCUIT”的美國專利5773869中就公開了兩層熔絲裝置的例子。圖2示出了美國專利5773869中公開的熔絲裝置。如圖2所示，熔絲元件22A和22B的切割區域26布置成兩列而不是單列。該熔絲裝置能增大同一列中各相鄰切割區域26之間的距離或間距。這意味著可在同一長度上布置更多的熔絲。
在名稱為“REDUCED PITCH LASER REDUNDANCY FUSE BANK STRUCTURE”的美國專利5636172和名稱為“LAYOUT ARRANGEMENT OF FUSE BOXES FORINTEGRATED CIRCUIT DEVICES，INCLUDING BENT AND STRAIGHT FUSES”的美國專利6172896中公開了兩層結構的其它一些例子。以上5636172和6172896專利中公開的熔絲結構示于圖3和4中。如圖3和4所示，每個熔絲18、19、20、18’、19’、20’、23、24、25、23’、24’和25’都有窄部分和寬部分。這些熔絲寬部分的間隔距離要比窄部分的寬。
對于圖3和4的熔絲結構來說，可被激光束斷開的那部分熔絲圖案與不被激光斷開的部分相比，前者要大一些。這導致熔絲電路的長度相對較大。

發明內容
于是本發明的目的是提供一種可縮小熔絲電路的長度、同時又能提高工作速度的熔絲裝置。
本發明的另一目的是提供一種采用該熔絲裝置的半導體存儲裝置。
依照本發明的一個方面，提供了一種熔絲裝置，其包括具有第一端和第二端的第一熔絲和具有第一端和第二端的第二熔絲。第一熔絲的第一端與第二熔絲的第一端間隔開第一間隔，第一熔絲的第二端與第二熔絲的第二端間隔開第二間隔。第一和第二熔絲的第一端的寬度窄于第一和第二熔絲的第二端的寬度。另外，第一和第二熔絲的第一端的寬度與第一和第二熔絲的第二端的寬度相等。
優選的是，第一間隔要比第二間隔寬，第一和第二熔絲的第一端布置在切割區域上。第一和第二熔絲的第一和第二端沿行方向布置。第一熔絲的第一和第二端直線相連，而第二熔絲的第一端與第二熔絲的第二端橫向偏移開。
在該實施例中，熔絲裝置還包括第三熔絲和第四熔絲，第一和第二熔絲構成第一熔絲組，而第三和第四熔絲構成第二熔絲組。第二熔絲組被設置成讓該第二熔絲組與第一熔絲組相鄰，第二熔絲組相對第一熔絲組旋轉了一百八十(180)度。
第一和第二熔絲的第一端可分別與第一和第二熔絲的第二端垂直連接。
依照本發明的另一方面提供了一種熔絲裝置，其包括第一熔絲，它具有直線相連的第一端和第二端；第二熔絲，它具有直線相連的第一端和第二端。第三熔絲的第一端與第一熔絲的第一端之間間隔開第一間隔，第二端與第一熔絲的第二端之間間隔開第二間隔，第三熔絲的第一端與其第二端橫向偏移開。第四熔絲的第一端與第二熔絲的第一端之間間隔開第一間隔，第二端與第二熔絲的第二端間隔開第二間隔，第四熔絲的第一端與其第二端橫向偏移開。第一和第三熔絲的第一端的寬度窄于或等于第二和第四熔絲的第二端寬度。
在一個實施例中，第一到第四熔絲的第一端沿一個行方向平行布置，第一到第四熔絲的第二端沿另一行方向平行布置。
在一個實施例中，第一間隔比第二間隔寬。
在一個實施例中，第一和第三熔絲的第一端布置在沿第一行形成的第一切割區域上，第二和第四熔絲的第二端布置在沿第二行形成的第二切割區域上。
依照本發明的另一方面，提供了一種包括第一熔絲組和第二熔絲組的熔絲裝置，第一熔絲組包括多個每個都有第一端和第二端的第一熔絲，其中第一熔絲的第一端彼此間隔開，其中一個第一熔絲的第一端和第二端直線相連，其余那些第一熔絲的第一端與它們的第二端橫向偏移開。第二熔絲組包括多個每個都有第一端和第二端的第二熔絲，其中各第二熔絲的第一端彼此間隔開第一間隔，各第二熔絲的第二端彼此間隔開第二間隔，其中一個第二熔絲的第一和第二端直線相連，其余的那些第二熔絲的第一端與它們的第二端橫向偏移開。其第一和第二端直線相連的那些第一和第二熔絲裝置布置成包圍住其余的第一和第二熔絲。第一和第二熔絲組中的第一和第二熔絲的第一端的寬度窄于或等于它們的第二端的寬度。
在一個實施例中，第一和第二熔絲的第一端沿一個行方向平行布置，而第一和第二熔絲的第二端沿另一個行方向平行布置。
在一個實施例中，第一間隔比第二間隔寬，第一熔絲的第一端布置在沿第一行形成的第一切割區域中，第二熔絲的第二端布置在沿第二行形成的第二切割區域中。
依照本發明的另一方面提供了一種熔絲裝置，其包括彼此間隔開第一間隔的第一熔絲部分和第二熔絲部分，第二熔絲部分中的每一個都與第一熔絲部分對應，且都布置在切割區域上，各第二熔絲部分彼此間隔開第二間隔。將共用連接線與第二熔絲部分相連。第一熔絲部分分別與第二對應熔絲部分垂直連接，第二間隔比第一間隔寬，而第二熔絲部分中每一個的寬度要窄于第一熔絲部分中每一個的寬度。另外，第二熔絲部分中每一個的寬度與第一熔絲部分中每一個的寬度相等。
在一個實施例中，熔絲裝置還包括具有第三熔絲部分和第四熔絲部分的熔絲組，它布置在與包括第一和第二熔絲部分的熔絲組相鄰的位置，由此具有對稱的形狀。可將第三和第四熔絲部分的結構布置得與第一和第二熔絲部分的結構相同。
在另一實施例中，熔絲裝置還包括具有第三熔絲部分和第四熔絲部分的熔絲組，該熔絲組布置在與包括第一和第二熔絲部分的熔絲組和公共連接線相鄰的位置，由此具有對稱的形狀。可將第三和第四熔絲部分的結構布置得與第一和第二熔絲部分的結構相同。
在一個實施例中，第一熔絲部分可沿行方向平行布置，而第二熔絲部分沿列方向平行布置。
依照本發明的另一方面，提供了一種包括第一熔絲和第二熔絲的熔絲裝置，所述第一和第二熔絲布置在第一熔絲區域上，并彼此間隔開第一間隔。第一信號線和第二信號線分別與第一和第二熔絲相連，并彼此間隔開第二間隔。第三和第四熔絲布置在第二熔絲區域上，并彼此間隔開第一間隔。第三信號線和第四信號線分別與第三和第四熔絲相連，并彼此間隔開第二間隔。第一和第二信號線布置在與第二熔絲區域相鄰的位置，而第三和第四信號線布置在與第一熔絲區域相鄰的位置，第一間隔比第二間隔寬。
在一個實施例中，第一信號線與第一熔絲的一端直線相連，第二信號線與第二熔絲連接，以與第二熔絲的一端橫向偏移一個預定角度。
依照本發明的另一方面，提供了一種半導體存儲裝置，其包括沿行和列排列的存儲單元陣列和用于替換故障存儲單元的冗余陣列。多個熔絲盒(box)分別存儲著故障地址。每個熔絲盒都包括第一熔絲，具有直線相連的第一端和第二端；和第二熔絲，它的第一端與第一熔絲的第一端間隔開第一間隔，第二端與第一熔絲的第二端間隔開第二間隔。第一和第二熔絲的第一端沿行方向布置在切割區域中，第二熔絲的第一端與第二熔絲的第二端橫向偏移開，第一和第二熔絲的第一端的寬度要窄于第一和第二熔絲的第二端的寬度。另外，第一和第二熔絲的第一端的寬度與第一和第二熔絲的第二端的寬度相等。
優選的是，每個熔絲盒還包括具有第三和第四熔絲的第二熔絲組。第二熔絲組可布置成使包括第一和第二熔絲的第一熔絲組與第二熔絲組相鄰。第二熔絲組相對第一熔絲組旋轉了一百八十(180)度。
第三和第四熔絲的結構可布置成與第一和第二熔絲的結構相同。
依照本發明的另一方面，提供了一種半導體存儲裝置，該裝置包括多條沿行方向平行布置的字線和多條沿列方向平行布置的位線。多個存儲單元與字線和位線相連。多個熔絲盒存儲著故障地址信息。行選擇電路響應解碼信號選擇一條字線。第一信號線與行選擇電路和熔絲盒相連，并布置在熔絲盒的一側。第二信號線與行選擇電路相連，它布置在熔絲盒的一側上。第三信號線與熔絲盒相連，它布置在熔絲盒的另一側上。
在一個實施例中，第二和第三信號線傳送相同信號。
在一個實施例中，第二和第三信號線的負載要大于第一信號線的負載。
在一個實施例中，多個熔絲盒包括沿行方向布置的第一熔絲盒組和與第一熔絲盒組相鄰布置的第二熔絲盒組，所述第二熔絲盒組相對第一熔絲盒組旋轉了一百八十(180)度。
在一個實施例中，第一信號線與第一熔絲盒組相連，而第三信號線與第二熔絲盒組相連。
在一個實施例中，第二和第三信號線傳送相同的信號。


通過依照附圖對本發明優選實施例的更具體描述，將使本發明的前述和其它目的、特征以及優點變得顯明，貫穿所有不同附圖的是，類似參考標記表示相同部件。附圖不是必定按比例繪制的，相反重點在于表明本發明的原理。
圖1到4是依照現有技術的熔絲裝置的示意圖。
圖5到10是依照本發明的熔絲裝置的實施例的示意圖。
圖11是采用依照本發明的熔絲裝置的半導體存儲裝置的示意圖。
圖12是圖11所示的熔絲群(bank)和一部分與該熔絲群有關的行選擇電路的示意圖。
具體實施例方式
一般而言，在集成電路中，不被激光束照射的熔絲部分的尺寸和空間由最小間隔和導體設計規則決定，而被激光束照射的熔絲部分的尺寸和空間是由激光熔絲間隔和寬度設計規則決定的。基于這些條件，下面將更全面地描述本發明的優選實施例。
圖5表示依照本發明第一實施例的熔絲裝置。參照圖5，本發明的熔絲群100包括第一熔絲組FG1和第二熔絲組FG2。第一熔絲組FG1包括多個、例如四個熔絲101、102、103、和104，每個熔絲都有第一端和第二端。第一熔絲組FG1中的熔絲101到1 04的第一端彼此間隔開第一間隔D1，并平行地布置在切割區域105上。熔絲101到104的第二端彼此間隔開第二間隔D2。熔絲101的第一和第二端直線相連。與之相反，熔絲102到104的第二端與熔絲102到104的第一端橫向偏移開。第一間隔D1比第二間隔D2寬。第一熔絲組FG1中的熔絲101到104的第一端可通過照射激光束選擇性地切割開。
隨著激光技術的發展，可將第一熔絲組FG1中熔絲101-104的第一端的寬度W10制作得與其第二端的寬度W20近似相同。可選擇的是，如圖6A所示，可將第一熔絲組FG1中熔絲101-104的第一端的寬度W10制作得比其第二端的寬度W20窄。這就縮短了切割區域的長度，從而導致存儲器芯片尺寸的縮小。第一熔絲組FG1中的熔絲101-104的第一端與行方向垂直布置。
回到圖5，第二熔絲組FG2包括四個熔絲101’、102’、103’和104’。如圖5所示，第二熔絲組FG2相對第一熔絲組FG1旋轉了一百八十度，這樣第二熔絲組FG2的形狀與第一熔絲組FG1的形狀相同。第二熔絲組FG2中每個熔絲101’-104’都有第一端和第二端。第二熔絲組FG2中的熔絲101’-104’的第一端彼此間隔開第一間隔D1，并且它們平行地布置在切割區域105’上。熔絲101’-104’的第二端彼此間隔開第二間隔D2。熔絲101’的第一和第二端直線相連。與之相反，熔絲102’-104’的第二端與其第一端橫向偏移開。熔絲101’-104’的第一端可通過照射激光束選擇性地切割開。
第二熔絲組FG2中熔絲101’-104’的第一端寬度W10可制作得與其第二端的寬度W20近似相等。另外，如圖6B所示，第二熔絲組FG2中熔絲101’-104’的第一端的寬度W10可制作得比其第二端的寬度W20窄。第二熔絲組FG2中熔絲101’-104’的第一端與行方向垂直布置。盡管附圖中未示出，但圖5中的第一和第二熔絲組可分別沿行方向重復布置。
對于圖5所示的熔絲裝置而言，由于各熔絲組的每個末端的寬度W10與圖3和4中的情形比相對小一些，因此能在維持相鄰熔絲間的寬度不變的同時，縮短熔絲組在行方向上的長度。
圖7表示依照本發明第二實施例的熔絲裝置。參照圖7，依照第二實施例的熔絲群100’包括第一熔絲組FG10和第二熔絲組FG20。第一熔絲組FG10包括四個熔絲111、112、113和114以及公共連接線115。第一熔絲組FG10中的熔絲111-114被分別分成兩個熔絲部分。也就是說，第一熔絲組FG10中的熔絲111-114分別具有第一和第二端。熔絲111-114的第一端彼此間隔第一間隔D1，并平行地布置在切割區域116上。熔絲111-114的第一端與公共連接線115共連。熔絲111-114的第二端彼此間隔開第二間隔D2，它們對應地與熔絲111-114的第一端連接，使之與熔絲111-114的第一端成90度角。
在該實施例中，可將第一熔絲組FG10中熔絲1111-114的第一端寬度W10制作得與其第二端的寬度W20接近。另外，可將第一熔絲組FG10中熔絲111-114的第一端寬度W10制作得比其第二端的寬度W20窄。
繼續參照圖7，第二熔絲組FG20包括四個熔絲111’、112’、113’和114’以及公共連接線115’，該熔絲組布置成與圖7所示的第一熔絲組FG10呈鏡像形狀。除了第二熔絲組FG20與第一熔絲組FG10呈鏡像形狀外，第二熔絲組FG20都與第一熔絲組FG10相同，因此省略了對它們的描述。
對于圖7所示的熔絲裝置而言，由于各熔絲組的每個末端的寬度W10較圖3和4的情況而言都縮小了，因此就能在維持相鄰熔絲間寬度不變的同時縮短熔絲組在行方向上的長度。此外，切割區域116上的熔絲沿列方向而非圖5所示的行方向布置。這就能讓設計者容易地通過改變內部電路結構縮小芯片尺寸。
在圖7中，對應于第一和第二熔絲組FG10和FG20使用兩條公共連接線115和115’。此外，如圖8所示，可將熔絲群構成使第一和第二熔絲組FG10和FG20共用一條公共連接線115”。在圖8中，用相同的參考數字標記與圖7中基本相同的組成件，在此就不再重復對它們進行描述了。
圖9表示依照本發明第三實施例的熔絲裝置。參照圖9，依照第三實施例的熔絲群100”包括第一熔絲組FG30和第二熔絲組FG40。第一熔絲組FG30包括三個熔絲121、122、123，它們每個都有第一和第二端。熔絲121-123的第一端彼此間隔開第一間隔D1，并平行地布置在切割區域124中。熔絲121-123的第二端彼此間隔開第二間隔D2。熔絲122的第一和第二端直線相連。左手側熔絲121的第二端與其第一端橫向偏移開，并與熔絲122的第二端間隔第二間隔D2。右手側的熔絲123的第二端與其第一端橫向偏移開，并與熔絲122的第二端相隔第二間隔D2。
優選的是，第一間隔D1比第二間隔D2寬。可將第一熔絲組FG30中熔絲121-123的第一端寬度W10制作得與其第二端的寬度W20接近。另外，可將第一熔絲組FG30中熔絲121-123的第一端寬度W10制作得比其第二端的寬度W20窄。
第二熔絲組FG40包括三個熔絲121’、122’、123’，它們每個都有第一和第二端。熔絲121’-123’的第一端彼此間隔開第一間隔D1，并平行地布置在切割區域124’上。熔絲121’-123’的第二端彼此間隔開第二間隔D2。熔絲122’的第一和第二端直線相連。右手側熔絲121’的第二端與其第一端橫向偏移開，并與熔絲122’的第二端間隔開第二間隔D2。左手側熔絲123’的第二端與其第一端橫向偏移開，并與熔絲122’的第二端相隔第二間隔D2。
優選的是，可將第二熔絲組FG40中熔絲121’-123’的第一端寬度W10制作得與其第二端的寬度W20接近。另外，可將第二熔絲組FG40中熔絲121’-123’的第一端寬度W10制作得比其第二端的寬度W20窄。
圖10表示依照本發明第四實施例的熔絲裝置。參照圖10，依照本發明的熔絲群200包括第一熔絲組FG50和第二熔絲組FG60。第一熔絲組FG50包括兩個由多晶硅制成的熔絲209、210。熔絲209接在信號線或導線201與203之間，熔絲210接在信號線或導線202與204之間。具體而言，熔絲209的末端通過相應的觸點與導線201和203相連，熔絲210的末端通過相應觸點與導線202和204相連。導線201-204由電阻比多晶硅的電阻低的金屬材料制成。第一熔絲組FG50中的熔絲209和210形成在能照射激光束的第一熔絲區域212上。
第二熔絲組FG60包括兩個由多晶硅制成的熔絲220和221。熔絲220接在信號線或導線205與207之間，熔絲221接在信號線或導線206與208之間。具體而言，熔絲220的末端通過相應的觸點與導線205與207相連，熔絲221的末端通過相應觸點與導線206和208相連。導線205-208由電阻比多晶硅的電阻低的金屬材料制成。第二熔絲組FG60中的熔絲220和221形成在可照射激光束的第二熔絲區域223上。
如圖10所示，金屬材料制成的信號線205和206布置在第一熔絲區域212的右側，而金屬材料制成的信號線203和204布置在第二熔絲區域223的左側。與多晶硅制成的熔絲群(例如圖2到9中的熔絲群，在此信號線與熔絲區域相鄰)相比，圖10中的雙層熔絲裝置能縮短信號傳輸線的延遲時間。其原因是金屬材料的電阻比多晶硅的電阻低。該熔絲結構適合用于新近的高速存儲器產品。
圖11是采用依照本發明的熔絲裝置的半導體存儲裝置的方框圖。
參照圖11，依照本發明的半導體存儲裝置300包括陣列310，該陣列包括沿行(或字線)和列(或位線)布置的存儲單元。圖11中，用“行(ROW)”標記的方向是平行地布置字線的方向，用“列(COLUMN)”標記的方向是平行地布置位線的方向。陣列310還包括冗余存儲器單元的冗余單元陣列，用以代替行和/或列中的故障存儲單元。行選擇電路320響應第一到第三尋址信號DRA234〔70〕、DRA56〔30〕和DRA78〔30〕選擇字線。用于傳送第一到第三尋址信號DRA234〔70〕、DRA56〔30〕和DRA78〔30〕的信號線布置在行選擇電路320上方。
半導體存儲裝置300還包括熔絲電路330，該電路包括多個熔絲群FB1-FB3。熔絲群FB1-FB3存儲著故障地址，它們都被分成兩個子熔絲群330B和330T。每個熔絲群中的子熔絲群330T與傳輸尋址信號DRA56〔30〕和DRA78〔30〕用的信號線342和343相連，而用于將尋址信號DRA234〔70〕傳送到行選擇電路320中去的信號線341不與熔絲電路330連接。但是，尋址信號DRA234〔70〕要通過不同的信號線344提供給熔絲電路330。即，如圖11所示，每個熔絲群中的子熔絲群330B與信號線344相連，而每個熔絲群中的子熔絲群330T與信號線342和343相連。在圖12中示出了子熔絲群330T和330B以及行選擇電路320的電路圖。圖12中的熔絲F1-F2以及F3-F4要依照本發明的第一到第三實施例之一進行布置。
考慮到由行選擇電路的分級解碼系統引起的尋址負載電容，最低有效(least significant)的位地址的電容較大，而較高地址的電容相對較小。該情況下，由于最低有效的地址(例如DRA234)的線負載最大，因此該最小意義的地址成為限制速度特性的地址。如圖11和12所示，該問題可通過在行選擇電路上和熔絲電路330的下側布置線負載電容最大的尋址信號線(例如用于傳輸特定行地址DRA234的信號線)來解決。圖11和12中，雙層結構的熔絲群通過將熔絲群分成子熔絲群、并將這些子熔絲群布置成雙層結構，從而減輕了行方向上的限制。通過分散尋址負載電容就能提高半導體存儲裝置的操作速度。
正如上面所闡明的，可通過以下方式將熔絲電路的長度縮到最小將每個熔絲的兩個末端形成等寬，或者使得每個熔絲兩末端中的一端(布置在切割區域的那一端)的寬度比其另一端的寬度窄。通過在行選擇電路上和熔絲電路的下側布置線負載電容最大的尋址信號線(例如用于傳送特定行地址DRA234的尋址信號線)，能夠提高操作速度。操作速度的提高還可通過最大限定地縮短熔絲制造材料的長度以便減小它的電阻來實現。
雖然已經通過參照本發明的優選實施例具體展示并描述了本發明，但本領域普通技術人員要理解的是，可在不脫離所附權利要求及其等效范圍限定的發明精神和范圍的情況下，從形式和細節上作出各種變化。
權利要求
1.一種熔絲裝置，其包括具有第一端和第二端的第一熔絲；以及具有第一端和第二端的第二熔絲；其中，第一熔絲的第一端與第二熔絲的第二端間隔第一間隔，第一熔絲的第二端與第二熔絲的第二端間隔第二間隔，第二間隔與第一間隔不同；以及第一和第二熔絲的第一端的寬度窄于或等于第一和第二熔絲的第二端的寬度。
2.條據權利要求1所述的熔絲裝置，其中第一間隔比第二間隔寬，第一和第二熔絲的第一端布置在切割區域上。
3.條據權利要求1所述的熔絲裝置，其中第一和第二熔絲的第一和第二端沿行方向布置。
4.條據權利要求2所述的熔絲裝置，其中第一熔絲的第一和第二端直線相連，而第二熔絲的第一端與第二熔絲的第二端橫向偏移開。
5.條據權利要求4所述的熔絲裝置，它還包括第三和第四熔絲，第一和第二熔絲構成第一熔絲組，而第三和第四熔絲構成第二熔絲組，其中，第二熔絲組位置確定使第二熔絲組與第一熔絲組相鄰，第二熔絲組相對第一熔絲組旋轉了一百八十(180)度。
6.條據權利要求2所述的熔絲裝置，其中第一和第二熔絲的第一端分別與第一和第二熔絲的第二端垂直相連。
7.一種熔絲裝置，其包括具有第一端和第二端的第一熔絲，該第一和第二端直線相連；用于第一端和第二端的第二熔絲，該第一和第二端直線相連；第三熔絲，它的第一端與第一熔絲的第一端間隔第一間隔，其第二端與第一熔絲的第二端間隔開第二間隔，第三熔絲的第一端與其第二端橫向偏移開；第四熔絲，它的第一端與第二熔絲的第一端間隔開第一間隔，其第二端與第二熔絲的第二端間隔開第二間隔，第四熔絲的第一端與其第二端橫向偏移開，其中第一和第三熔絲的第一端的寬度窄于或等于第二和第四熔絲的第二端的寬度。
8.條據權利要求7所述的熔絲裝置，其中第一到第四熔絲的第一端沿一個行方向平行布置，而第一到第四熔絲的第二端沿另一個行方向平行布置。
9.條據權利要求7所述的熔絲裝置，其中第一間隔比第二間隔寬。
10.條據權利要求7所述的熔絲裝置，其中第一和第三熔絲的第一端布置在沿第一行形成的第一切割區域上，而第二和第四熔絲的第二端布置在沿第二行形成的第二切割區域上。
11.一種熔絲裝置，其包括第一熔絲組，其包括多個第一熔絲，每個第一熔絲都有第一端和第二端，其中第一熔絲的第一端都彼此間隔開，其中一個第一熔絲的第一和第二端直線相連，其余的那些第一熔絲的第一端與其第二端橫向偏移開；以及第二熔絲組，其包括多個第二熔絲，每個第二熔絲都有第一端和第二端，其中各第二熔絲的第一端都彼此間隔開第一間隔，各第二熔絲的第二端彼此間隔開第二間隔，其中一個第二熔絲的第一和第二端直線相連，其余的那些第二熔絲的第一端與其第二端橫向偏移開，其中，第一和第二端直線相連的第一和第二熔絲布置成圍繞在其余的第一和第二熔絲周圍；以及其中，第一和第二熔絲組中的第一和第二熔絲的第一端寬度窄于或等于其第二端的寬度。
12.條據權利要求11所述的熔絲裝置，其中第一和第二熔絲的第一端沿一個行方向平行布置，第一和第二熔絲的第二端沿另一個行方向平行布置。
13.條據權利要求11所述的熔絲裝置，其中第一間隔比第二間隔寬，第一熔絲的第一端布置在沿第一行形成的第一切割區域上，第二熔絲的第二端布置在沿第二行形成的第二切割區域上。
14.一種熔絲裝置，其包括彼此間隔開第一間隔的第一熔絲部分，第二熔絲部分，它們每個都對應于第一熔絲部分，并布置在切割區域上，各第二熔絲部分彼此間隔開第二間隔；以及與第二熔絲部分相連的公共連接線，其中第一熔絲部分分別與第二對應熔絲部分垂直連接，第二間隔比第一間隔寬，第二熔絲部分中每一個的寬度等于或窄于第一熔絲部分中每一個的寬度。
15.條據權利要求14所述的熔絲裝置，它還包括具有第三熔絲部分和第四熔絲部分的熔絲組，該熔絲組布置在與包括第一和第二熔絲部分的熔絲組相鄰位置，并使它們具有對稱的形狀。
16.條據權利要求15所述的熔絲裝置，其中第三和第四熔絲部分的結構布置成與第一和第二熔絲部分的結構相同。
17.條據權利要求14所述的熔絲裝置，它還包括具有第三熔絲部分和第四熔絲部分的熔絲組，該熔絲組布置在與包括第一和第二熔絲部分的熔絲組和公共連接線相鄰位置，并使它們具有對稱的形狀。
18.條據權利要求17所述的熔絲裝置，其中第三和第四熔絲部分的結構布置成與第一和第二熔絲部分的結構相同。
19.條據權利要求14所述的熔絲裝置，其中第一熔絲部分沿行方向平行布置，而第二熔絲部分沿列方向平行布置。
20.一種熔絲裝置，其包括第一熔絲和第二熔絲，它們布置在第一熔絲區域上，并且彼此間隔開第一間隔；第一信號線和第二信號線，它們分別與第一和第二熔絲相連，并彼此間隔開第二間隔；第三熔絲和第四熔絲，它們布置在第二熔絲區域上，并彼此間隔開第一間隔；以及第三信號線和第四信號線，它們分別與第三和第四熔絲相連，并彼此間隔開第二間隔，其中第一和第二信號線布置在與第二熔絲區域相鄰位置，第三和第四信號線布置在與第一熔絲區域相鄰位置，第一間隔比第二間隔寬。
21.條據權利要求20所述的熔絲裝置，其中第一信號線沿直線與第一熔絲的一端相連，第二信號線與第二熔絲連接使之與第二熔絲的一端橫向偏移預定角度。
22.一種半導體存儲裝置，其包括沿行和列方向布置的存儲單元陣列；用于替換故障存儲單元的冗余陣列；以及多個熔絲盒，分別用以存儲缺陷地址；其中每個熔絲盒包括第一熔絲和第二熔絲，第一熔絲具有直線相連的第一端和第二端，第二熔絲具有與第一熔絲的第一端間隔開第一間隔的第一端和與第一熔絲的第二端間隔開第二間隔的第二端；以及其中第一和第二熔絲的第一端沿行方向布置在切割區域上，第二熔絲的第一端與第二熔絲的第二端橫向偏移開，第一和第二熔絲的第一端的寬度等于或窄于第一和第二熔絲的寬度。
23.條據權利要求22所述的半導體存儲裝置，其中每個熔絲盒還包括第二熔絲組，該熔絲組具有第三和第四熔絲，第二熔絲組確定位置使第一和第二熔絲組成的第一熔絲組與該第二熔絲組相鄰，并且第二熔絲組相對第一熔絲組旋轉了一百八十(180)度。
24.條據權利要求23所述的半導體存儲裝置，其中第三和第四熔絲的結構布置成與第一和第二熔絲的結構相同。
25.一種半導體存儲裝置，其包括多條沿行方向平行布置的字線；多條沿列方向平行布置的位線；多個與字線和位線相連的存儲單元；多個用以存儲故障地址信息的熔絲盒；行選擇電路，用以響應解碼信號而選擇一條字線；第一信號線，它與行選擇電路和熔絲盒相連，并布置在熔絲盒的一側；第二信號線，它與行選擇電路相連，并布置在熔絲盒的一側；以及第三信號線，它與熔絲盒相連，并布置在熔絲盒的另一側。
26.條據權利要求25所述的半導體存儲裝置，其中第二和第三信號線傳送相同的信號。
27.條據權利要求25所述的半導體存儲裝置，其中第二和第三信號線的負載比第一信號線的負載大。
28.條據權利要求25所述的半導體存儲裝置，其中多個熔絲盒包括沿行方向布置的第一熔絲盒組和第二熔絲盒組，第二熔絲盒組位置確定，使與第一熔絲盒組相鄰的第二熔絲盒組相對第一熔絲盒組旋轉了一百八十(180)度。
29.條據權利要求28所述的半導體存儲裝置，其中第一信號線與第一熔絲盒組相連，第三信號線與第二熔絲盒組相連。
30.條據權利要求29所述的半導體存儲裝置，第二和第三信號線傳送相同的信號。
全文摘要
依照本發明的一種熔絲電路，包括第一和第二熔絲，每個熔絲都有第一端和第二端。第一熔絲的第一和第二端直線相連。第二熔絲的第一端與第一熔絲的第一端間隔第一間隔，其第二端與第一熔絲的第二端間隔開第二間隔。第一和第二熔絲的第一端的寬度與其第二端的寬度相等。另外，第一和第二熔絲的第一端寬度比其第二端的寬度窄。
文檔編號G11C29/00GK1494145SQ03158768
公開日2004年5月5日 申請日期2003年9月24日 優先權日2002年9月27日
發明者姜尚錫, 崔鐘賢, 黃相基 申請人:三星電子株式會社