專利名稱：將數(shù)據(jù)寫入光學存儲介質(zhì)的方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明提供一種將數(shù)據(jù)寫入光學存儲介質(zhì)的方法，特別涉及一種依據(jù)EFM波形的前一紋間表面、當前坑區(qū)及后一紋間表面的信息來將數(shù)據(jù)寫入光學存儲介質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
近年來隨著計算機運算能力愈來愈強大，加上網(wǎng)絡技術(shù)的發(fā)展不斷地進步，使得使用者利用計算機作為多媒體視聽媒介并利用計算機作為與虛擬網(wǎng)絡世界溝通的起始點而對網(wǎng)際網(wǎng)絡大量存取各種各樣的信息已成為一種趨勢。在此趨勢中，由于對數(shù)據(jù)存儲量的需求大增，因此各種不同的存儲工具也隨之成為熱門的產(chǎn)品，其中利用光盤作為存儲媒介的產(chǎn)品，由于光盤在同樣的存儲容量下單價低廉且體積輕薄不占空間而便于攜帶，一直以來均十分受人矚目，尤其這幾年來各式光盤機及刻錄機的功能日益強大，讀取品質(zhì)及存儲速度不斷向上提升，加上除了原有CD規(guī)格的光盤之外，更出現(xiàn)了同樣體積但容量增加數(shù)倍的DVD規(guī)格，更使得光盤機以及刻錄機幾乎成為每臺個人計算機的標準配置。
光學存儲裝置(如CD刻錄機或DVD刻錄機等)在將數(shù)據(jù)存儲到光學存儲介質(zhì)(如CD光盤或DVD光盤等)時，會將該數(shù)據(jù)利用該光學存儲裝置的編碼器(Encoder)轉(zhuǎn)換為該光學存儲介質(zhì)的存儲格式，在當前已知技術(shù)中，這種光學存儲介質(zhì)的存儲格式通常為RLL(Run-Length Limited(游程長度受限))調(diào)制，例如八到十四調(diào)制波形(Eight-to-Fourteen Modulation Waveform，EFM Waveform)，該EFM波形將欲存儲在該光學存儲介質(zhì)上的數(shù)據(jù)以不同時間長度的方波來代表，以CD為例，該方波的每一脈沖及脈沖間的距離均為EFM基準周期(EFM Base Frequency)三倍至EFM基準周期十一倍之間的長度，而該EFM波形則用于作為該光學存儲裝置將數(shù)據(jù)刻錄至該光學存儲介質(zhì)的依據(jù)。當將數(shù)據(jù)存儲在該光學存儲介質(zhì)上時，利用該光學存儲介質(zhì)上長度不一的多個紋間表面(Land)及坑區(qū)(Pit)來代表該數(shù)據(jù)的內(nèi)容，而該紋間表面及坑區(qū)的長度則剛好對應于該EFM波形的波形長度，利用此對應關系，則該光學存儲裝置可以將數(shù)據(jù)存儲至該光學存儲介質(zhì)上。
而在實際應用上，該光學存儲裝置利用一組寫入方案參數(shù)(WriteStrategy Parameter)來將該EFM波形轉(zhuǎn)換成用于驅(qū)動其光學拾取器(Pickup)的寫入時間長度波形。對可擦除盤而言，當該光學存儲裝置未寫入數(shù)據(jù)時(也就是擦除之前寫入的訊號使之處于紋間表面時)，該寫入時間長度波形處于消除態(tài)(Erase Power)，當該光學存儲裝置欲寫入數(shù)據(jù)時(也就是處于坑區(qū)時)，該寫入時間長度波形則處于基準態(tài)(Bias Power)且依序包含有多個脈沖，該脈沖使該寫入時間長度波形自該基準態(tài)切換至寫入態(tài)(Write Power)，而該寫入方案參數(shù)則用于定義在不同的紋間表面或坑區(qū)的條件下，該多個脈沖的長度及間距的狀態(tài)。
在已知技術(shù)中，寫入方案參數(shù)的定義通常采用1T方案，也就是說該寫入時間長度波形中的該多個脈沖的周期以該EFM基準周期一倍為準，然而隨著光學存儲介質(zhì)的刻錄技術(shù)的進行，能夠以更快的速度將數(shù)據(jù)刻錄至光學存儲介質(zhì)的光學存儲裝置陸續(xù)出現(xiàn)(例如32倍速、48倍速的光盤刻錄機)，這使得該EFM基準周期的長度愈來愈短，在此狀況之下，造成在該寫入時間長度波形中每一個脈沖(即位于寫入態(tài))之后伴隨的間隔(即位于基準態(tài))的長度過短，由于位于兩個脈沖之間的基準態(tài)間隔是用于讓該光學存儲介質(zhì)表面上的化學材料得以冷卻以形成正確存儲數(shù)據(jù)所需的坑，故因高速刻錄而造成的基準態(tài)間隔長度過短將會使得冷卻時間不足而產(chǎn)生數(shù)據(jù)存儲失真的問題。為了解決此1T方案的問題，已知技術(shù)中提出了一種2T方案(請參考Orange Book Part III，Volume 3)，由于利用2T方案的該寫入時間長度波形中的該多個脈沖的周期是以該EFM基準周期兩倍為準，因此該脈沖及其間的間隔的長度均得以延長，也因此使得該光學存儲介質(zhì)表面上的化學材料在每次被該脈沖蝕刻后能夠有足夠的時間可以冷卻以形成正確的坑，而解決了1T方案的問題。
但是，已知技術(shù)所公開的2T方案，由于其在決定寫入方案參數(shù)時僅依據(jù)該EFM波形中的當前坑區(qū)的長度，而該當前坑區(qū)是對應于欲在當前在該光學存儲介質(zhì)表面上蝕刻的坑區(qū)，故其并未考慮到該當前坑的前一紋間表面及其后一紋間表面對于該坑的蝕刻結(jié)果所造成的影響。又由于該2T方案中所定義的多個脈沖中，除了最后一個脈沖之外的其他脈沖的長度及其間的間隔均為固定的值，而能夠進行調(diào)整變動的參數(shù)僅包含與最后一個脈沖的狀態(tài)有關的部分，這使得由于該光學存儲介質(zhì)的內(nèi)部誤差而造成的該坑區(qū)的抖動(Jitter)現(xiàn)象，會因為該寫入方案參數(shù)缺乏足夠的調(diào)整空間而無法充分消除，因而成為造成誤差的因素。
發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的主要目的在于提供一種據(jù)EFM波形的前一紋間表面、當前坑區(qū)及后一紋間表面的信息來將數(shù)據(jù)寫入光學存儲介質(zhì)的方法，以解決上述已知的問題。
根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求，公開了一種使用光學存儲裝置將數(shù)據(jù)寫入光學存儲介質(zhì)的方法，該光學存儲裝置包含有一存儲器及光學拾取器，該存儲器中存儲有多組寫入方案參數(shù)，該方法包含有以下步驟提供八到十四調(diào)制波形給該光學存儲裝置，該八到十四調(diào)制波形包含有前一紋間表面、當前坑區(qū)以及后一紋間表面；依據(jù)該前一紋間表面、該當前坑區(qū)以及該后一紋間表面的波形長度，從該存儲器中所存儲的多組寫入方案參數(shù)中選取一組相應的寫入方案參數(shù)；依據(jù)該組被選取的寫入方案參數(shù)，產(chǎn)生寫入時間長度波形；以及利用該寫入時間長度波形驅(qū)動該光學拾取器來將對應于該八到十四調(diào)制波形的數(shù)據(jù)寫入該光學存儲介質(zhì)。
本發(fā)明的方法是利用該EFM波形上的前一紋間表面、當前坑區(qū)及后一紋間表面的信息來選取一組相應的寫入方案參數(shù)，在決定該組寫入方案參數(shù)時不但參考了當前欲被蝕刻的坑區(qū)的數(shù)據(jù)，同時還考慮了該坑區(qū)的前一個紋間表面及后一個紋間表面的信息，對于實際上位于該光學存儲介質(zhì)表面上的紋間表面及坑區(qū)的長度作了更精密的控制，另一方面本發(fā)明的方法還對該寫入方案參數(shù)作了更詳細的定義以增加其調(diào)整空間，進而大幅改善了該光學存儲介質(zhì)因抖動現(xiàn)象而造成的誤差問題。
圖1為本發(fā)明的將數(shù)據(jù)寫入光學存儲介質(zhì)的方法的流程圖。
圖2為本發(fā)明的2T寫入方案參數(shù)的示意圖。
圖3為圖1中步驟12選取寫入方案參數(shù)的方法的流程圖。
附圖中的符號說明步驟10、12、14、16步驟20、22、24、26、28具體實施方式
本發(fā)明為使用光學存儲裝置將數(shù)據(jù)寫入光學存儲介質(zhì)的方法，其中該光學存儲裝置包含有存儲器及光學拾取器，而該存儲器中存儲有多組寫入方案參數(shù)，需要注意，在本發(fā)明的應用中，該光學存儲裝置可以為光盤刻錄機(CD Burner)，此時該光學存儲介質(zhì)可以為可重復寫入式光盤(CD-RW)，此外，該光學存儲裝置還可以為數(shù)字通用光盤刻錄機(DVD Burner)，而該光學存儲介質(zhì)則可以為可記錄式數(shù)字通用光盤(DVD-R)、或者為可重復寫入式數(shù)字通用光盤(DVD-RW)，又在以下的實施例中將使用八到十四調(diào)制波形為例，然而在不影響本發(fā)明的實施的情形下，使用其他RLL調(diào)制波形的例子也屬于本發(fā)明的涵蓋范圍。
參考圖1，圖1中顯示本發(fā)明將數(shù)據(jù)寫入光學存儲介質(zhì)的方法的流程圖，其包含有以下步驟步驟10向該光學存儲裝置提供八到十四調(diào)制波形，該八到十四調(diào)制波形包含有前一紋間表面(Previous Land)、當前坑區(qū)(Current Pit)以及后一紋間表面(Next Land)；步驟12依據(jù)該前一紋間表面、該當前坑區(qū)以及該后一紋間表面的波形長度，從該存儲器中所存儲的多組寫入方案參數(shù)中選取一組相應的寫入方案參數(shù)；步驟14依據(jù)該組被選取的寫入方案參數(shù)，產(chǎn)生寫入時間長度波形；步驟16利用該寫入時間長度波形驅(qū)動該光學拾取器來將對應于該八到十四調(diào)制波形的數(shù)據(jù)寫入該光學存儲介質(zhì)。
其中該八到十四調(diào)制波形(即EFM波形)如同前面所述，相對于該光學存儲介質(zhì)上用于代表所存儲的數(shù)據(jù)的多個被蝕刻的坑區(qū)(Pit)及未被蝕刻的紋間表面(Land)，該EFM波形也分別包含有多個坑區(qū)及紋間表面與之對應，舉例來說，該坑區(qū)可用該EFM波形中的高電平來代表，而該紋間表面則可用該EFM波形中的低電平來代表。如前所述，該EFM波形的每坑區(qū)及紋間表面的波形長度均介于EFM基準周期三倍到EFM基準周期十一倍之間且均為該EFM基準周期的整數(shù)倍。針對該光學存儲介質(zhì)上每一個當前正欲被蝕刻的坑區(qū)來說，其均有該EFM波形上相應的當前坑區(qū)，以及該當前坑區(qū)前方的前一紋間表面與該當前坑區(qū)后的后一紋間表面。
本發(fā)明的方法與已知技術(shù)中決定寫入方案參數(shù)的方法最大的不同處在于，在上述步驟12中除了依據(jù)該當前坑區(qū)的波形長度之外，同時還參考該前一紋間表面及該后一紋間表面的波形長度來從該存儲器中所存儲的多組寫入方案參數(shù)中選取一組相應的寫入方案參數(shù)。而該寫入方案參數(shù)如前所述，用于定義在不同的紋間表面或坑區(qū)的條件下，該寫入時間長度波形中的該多個脈沖的長度及間距的狀態(tài)，因此本發(fā)明的方法即可在步驟14中依據(jù)該組被選取的寫入方案參數(shù)，產(chǎn)生該寫入時間長度波形。該寫入時間長度波形如前所述，為由連續(xù)的消除態(tài)PE、基準態(tài)PB、及寫入態(tài)PW功率值相互切換而形成的波形，需要注意，在該寫入時間長度波形中的消除態(tài)PE、基準態(tài)PB、以及寫入態(tài)PW的值為預設值，且不會因為輸入的EFM波形不同而有所不同。
接下來將說明前述的步驟12中選取該組寫入方案參數(shù)的方法，參考圖2，圖2中顯示本發(fā)明的2T寫入方案參數(shù)的示意圖。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，本發(fā)明提供一種以2T方案為基準來定義寫入方案參數(shù)的方法，也就是說，該寫入時間長度波形中的該多個脈沖的周期是以該EFM基準周期兩倍為準。在圖2中，多個垂直的虛線之間的間隔均代表該EFM基準周期T的一倍的長度，而此處以具有基準周期T11倍(即11T)的當前坑區(qū)的EFM波形為例。在此情形下，本發(fā)明的方法所定義的寫入方案參數(shù)則如圖2中的寫入時間長度波形所示，將詳述如下。
本發(fā)明的方法定義第一參數(shù)d1，第一參數(shù)d1代表自該當前坑區(qū)的前緣至該寫入時間長度波形的第一個脈沖的前緣的延遲(Delay)，且規(guī)定該寫入時間長度波形的第一個脈沖的后緣與該當前坑區(qū)的前緣向后兩倍基準周期T之處對齊；第二參數(shù)β1，第二參數(shù)β1代表自該寫入時間長度波形的第一個脈沖的后緣至該第一個脈沖的后一脈沖的前緣的延遲；多個重復脈沖參數(shù)α2、α3、α4、...，重復脈沖參數(shù)α2、α3、α4、...分別代表該寫入時間長度波形中除了第一個脈沖及最后一個脈沖之外其他脈沖的長度，且規(guī)定在該寫入時間長度波形中除了第一個脈沖及最后一個脈沖之外的其他脈沖當中，任何連續(xù)的兩個脈沖的前緣之間的長度等于基準周期T的兩倍；第三參數(shù)dm，第三參數(shù)dm代表自該當前坑區(qū)的后緣向前兩倍基準周期T之處至該寫入時間長度波形的最后一個脈沖的前緣的延遲；第四參數(shù)αm，第四參數(shù)αm代表該寫入時間長度波形的最后一個脈沖的長度；以及第五參數(shù)db，第五參數(shù)db則代表自該當前坑區(qū)的后緣向前一倍基準周期T之處至該寫入時間長度波形切換回消除態(tài)PE之處的延遲。需要注意，前述的多個重復脈沖參數(shù)α2、α3、α4、...可為彼此相等的數(shù)值，也可為彼此未必相等的數(shù)值，此因不同應用的設計而選擇。
依照上述所定義的各個寫入方案參數(shù)，則圖2中的該寫入時間長度波形的其他各項特征均可得知，例如該寫入時間長度波形的第一個脈沖的長度α1是等于基準周期T兩倍的長度減去第一參數(shù)d1(即α1＝2T-d1)，而該寫入時間長度波形中除了第一個脈沖及最后一個脈沖之外的其他脈沖當中，任何一個脈沖的后緣與其下一個脈沖的前緣之間的延遲等于兩倍基準周期T的長度減去該脈沖的長度(即β2＝2T-α2、β3＝2T-α3、...)，而該寫入時間長度波形的最后一個脈沖的后緣至該寫入時間長度波形切換回消除態(tài)PE之處的延遲是等于第五參數(shù)db加上基準周期T一倍的長度減去第三參數(shù)dm再減去第四參數(shù)αm所得的值(即βm＝db+T-dm-αm)。
參考圖3，圖3中顯示圖1中本發(fā)明的方法在步驟12選取寫入方案參數(shù)的流程圖，其中在該存儲器中所存儲的多組寫入方案參數(shù)中，包含有多個第一參數(shù)d1及第二參數(shù)β1、多組重復參數(shù)組α2、α3、α4、...、以及多個第三參數(shù)dm、第四參數(shù)αm、及第五參數(shù)db。則該方法還包含有以下步驟步驟20從該八到十四調(diào)制波形中讀取并判斷該前一紋間表面、該當前坑區(qū)、及該后一紋間表面的波形長度；步驟22依據(jù)該前一紋間表面及該當前坑區(qū)的波形長度，從該多個第一參數(shù)d1中選取相應的第一參數(shù)d1，同時依據(jù)該前一紋間表面及該當前坑區(qū)的波形長度，從該多個第二參數(shù)β1中選取相應的第二參數(shù)β1；步驟24依據(jù)該當前坑區(qū)的波形長度，從該多個重復脈沖參數(shù)組中選取一組相應的重復脈沖參數(shù)組，即多個重復脈沖參數(shù)α2、α3、α4、...；步驟26依據(jù)該當前坑區(qū)及該后一紋間表面的波形長度，從該多個第三參數(shù)dm中選取相應的第三參數(shù)dm，并依據(jù)該當前坑區(qū)的波形長度，從該多個第四參數(shù)αm中選取相應的第四參數(shù)αm，同時依據(jù)該當前坑區(qū)及該后一紋間表面的波形長度，從該多個第五參數(shù)db中選取相應的第五參數(shù)db；步驟28以被選取的第一參數(shù)d1、第二參數(shù)β1、該重復脈沖參數(shù)組、第三參數(shù)dm、第四參數(shù)αm以及第五參數(shù)db來組成被選取的該組寫入方案參數(shù)。
與已知技術(shù)比較，本發(fā)明的使用光學存儲裝置將數(shù)據(jù)寫入光學存儲介質(zhì)的方法利用EFM波形上的前一紋間表面、當前坑區(qū)及后一紋間表面的信息來選取一組相應的寫入方案參數(shù)，在決定該組寫入方案參數(shù)時不但參考了當前欲被蝕刻的坑區(qū)的數(shù)據(jù)，同時還考慮了該坑區(qū)的前一個紋間表面及后一個紋間表面的信息，對于實際上位于該光學存儲介質(zhì)表面上的紋間表面及坑區(qū)的長度作了更精密的控制另一方面本發(fā)明的方法也采用2T方案而對該寫入方案參數(shù)作了更詳細的定義以增加其調(diào)整空間，進而大幅改善了1T方案冷卻時間不足、及該光學存儲介質(zhì)因抖動現(xiàn)象而造成的誤差問題。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的等價變化與修飾，皆屬于本發(fā)明專利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種使用光學存儲裝置將數(shù)據(jù)寫入光學存儲介質(zhì)的方法，該光學存儲裝置包含有存儲器及光學拾取器(Pickup)，該存儲器中存儲有多組寫入方案參數(shù)，該方法包含有以下步驟提供RLL調(diào)制波形至該光學存儲裝置，該RLL調(diào)制波形包含有前一紋間表面(Previous Land)、當前坑區(qū)(Current Pit)以及后一紋間表面(Next Land)；依據(jù)該前一紋間表面、該當前坑區(qū)以及該后一紋間表面的波形長度，從該存儲器中所存儲的多組寫入方案參數(shù)中選取一組相應的寫入方案參數(shù)；依據(jù)該組被選取的寫入方案參數(shù)，產(chǎn)生寫入時間長度波形；以及利用該寫入時間長度波形驅(qū)動該光學拾取器來將對應于該RLL調(diào)制波形的數(shù)據(jù)寫入該光學存儲介質(zhì)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該RLL調(diào)制波形具有基準周期(EFMBase Period)，且當該光學存儲裝置未寫入數(shù)據(jù)時，該寫入時間長度波形是處于消除態(tài)(Erase Power)，當該光學存儲裝置欲寫入數(shù)據(jù)時，該寫入時間長度波形則處于基準態(tài)(Bias Power)且依序包含有多個脈沖，該脈沖是使該寫入時間長度波形自該基準態(tài)切換至寫入態(tài)(Write Power)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該多組寫入方案參數(shù)包含有多個第一參數(shù)及多個第二參數(shù)，每個該第一參數(shù)代表自該當前坑區(qū)的前緣至該寫入時間長度波形的第一個脈沖的前緣的延遲(Delay)，每個該第二參數(shù)代表自該寫入時間長度波形的第一個脈沖的后緣至該第一個脈沖的后一脈沖的前緣的延遲，該方法還包含有以下步驟依據(jù)該前一紋間表面及該當前坑區(qū)的波形長度，從該多個第一參數(shù)中選取相應的第一參數(shù)；以及依據(jù)該前一紋間表面及該當前坑區(qū)的波形長度，從該多個第二參數(shù)中選取相應的第二參數(shù)。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該多個寫入方案參數(shù)包含有多組重復脈沖參數(shù)組，每個該組重復脈沖參數(shù)組中包含有多個重復脈沖參數(shù)，該多個重復脈沖參數(shù)分別代表該寫入時間長度波形中除了第一個脈沖及最后一個脈沖之外其他脈沖的長度，且在該寫入時間長度波形中除了第一個脈沖及最后一個脈沖之外的其他脈沖當中，任何連續(xù)的兩個脈沖的前緣之間的長度等于該基準周期的兩倍，該方法還包含有以下步驟依據(jù)該當前坑區(qū)的波形長度，從該多個重復脈沖參數(shù)組中選取一組相應的重復脈沖參數(shù)組。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該多個寫入方案參數(shù)包含有多個第三參數(shù)、多個第四參數(shù)以及多個第五參數(shù)，每個該第三參數(shù)代表自該當前坑區(qū)的后緣向前該基準周期兩倍之處至該寫入時間長度波形的最后一個脈沖的前緣的延遲，每個該第四參數(shù)代表該寫入時間長度波形的最后一個脈沖的長度，每個該第五參數(shù)是代表自該當前坑區(qū)的后緣向前該基準周期一倍之處至該寫入時間長度波形切換回該消除態(tài)之處的延遲，該方法還包含以下步驟依據(jù)該當前坑區(qū)及該后一紋間表面的波形長度，從該多個第三參數(shù)中選取相應的第三參數(shù)；依據(jù)該當前坑區(qū)的波形長度，從該多個第四參數(shù)中選取相應的第四參數(shù)；以及依據(jù)該當前坑區(qū)及該后一紋間表面的波形長度，從該多個第五參數(shù)中選取相應的第五參數(shù)。
6.如權(quán)利要求3所述的方法，其中該寫入時間長度波形的第一個脈沖的后緣與該當前坑的前緣向后該基準周期兩倍之處對齊。
7.如權(quán)利要求3所述的方法，其中該寫入時間長度波形的第一個脈沖的長度是等于該基準周期兩倍的長度減去該被選取的第一參數(shù)。
8.如權(quán)利要求4所述的方法，其中屬于同一重復脈沖參數(shù)組中的該多個重復脈沖參數(shù)彼此相等。
9.如權(quán)利要求4所述的方法，其中屬于同一重復脈沖參數(shù)組中的該多個重復脈沖參數(shù)未必彼此相等。
10.如權(quán)利要求2所述的方法，其中在該寫入時間長度波形中除了第一個脈沖及最后一個脈沖之外的其他脈沖當中，任何一個脈沖的后緣與其下一個脈沖的前緣之間的延遲等于該基準周期兩倍的長度減去該脈沖的長度。
11.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該寫入時間長度波形的最后一個脈沖的后緣至該寫入時間長度波形切換回該消除態(tài)之處的延遲等于該被選取的第五參數(shù)加上該基準周期一倍的長度減去該被選取的第三參數(shù)再減去該被選取的第四參數(shù)所得的值。
12.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該前一紋間表面、該當前坑區(qū)、以及該后一紋間表面的波形長度均為該基準周期的倍數(shù)并介于該基準周期三倍到該基準周期十一倍之間。
13.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該消除態(tài)、該基準態(tài)、以及該寫入態(tài)的值為預設值，且不會因為不同的RLL調(diào)制波形而有所不同。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該光學存儲裝置為光盤刻錄機(CDBurner)。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該光學存儲介質(zhì)為可重復寫入式光盤(CD-RW)。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該光學存儲裝置為數(shù)字通用光盤刻錄機(DVD Burner)。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中該光學存儲介質(zhì)為可記錄式數(shù)字通用光盤(DVD-R)。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中該光學存儲介質(zhì)為可重復寫入式數(shù)字通用光盤(DVD-RW)。
19.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該RLL調(diào)制波形為八到十四調(diào)制波形(Eight-to-Fourteen Modulation Waveform，EFM Waveform)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種使用光學存儲裝置將數(shù)據(jù)寫入光學存儲介質(zhì)的方法，其包含有以下步驟提供EFM波形至該光學存儲裝置，該EFM波形包含有前一紋間表面、當前坑區(qū)及后一紋間表面；依據(jù)該前一紋間表面、該當前坑區(qū)及該后一紋間表面的波形長度，從存儲器中所存儲的多組寫入方案參數(shù)中選取一組寫入方案參數(shù)；依據(jù)該組寫入方案參數(shù)，產(chǎn)生寫入時間長度波形；以及利用該寫入時間長度波形驅(qū)動光學拾取器來將數(shù)據(jù)寫入該光學存儲介質(zhì)。
文檔編號G11B20/08GK1523582SQ0310448
公開日2004年8月25日 申請日期2003年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月17日
發(fā)明者趙銘陽 申請人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司