制造光盤母盤的方法

專利名稱：制造光盤母盤的方法
技術領域：
本發明涉及光盤領域，具體地說涉及用于壓制光盤的母盤(master)制造領域。
背景技術：
通常稱作制作母盤的母盤的制造在于將一些反映個性的信息納入中間基片中，這些信息供工業壓制光盤使用。母盤的質量決定最終產品的質量，在現有技術中，這種操作由既費時又繁重的方案實現，它要利用復雜的設備，復雜設備的利用通常集中在專業供應商身上，為了許多壓制工業公司的利益，這些供應商要制作具有個性的母盤。然后這些母盤用于模壓聚碳酸酯盤。這些母盤為鎳板型，它們具有很細的浮雕形式的復制信息，通過模壓使這些信息形成厚度約150納米的小盤，DVD為0.4×0.3mm，而CD為0.8×1mm。
例如我們知道PCT專利WO9918572描述的一種制造壓模的方法，該母盤可以生產光盤。該方法在于先將一個光敏電阻粘到壓模的盤上，然后使所粘的光敏電阻具有一定的結構。這種結構化的步驟按順序在于進行局部升華，并在短波長的紫外線范圍內經受附加曝光以前，并在最后的熱處理以前，加熱所述的光敏電阻膜，這種附加曝光步驟的有效數值在4.10-4和5.10-2J/cm2之間變化。
我們還知道盤的按單元蝕刻的一些方案。例如PCT專利WO0008643描述了一種用于記錄儲存盤的基片，利用磁應力、磁光應力或相變的光應力對該基片進行蝕刻。這種經蝕刻的基片包括一個表面上由反射材料構成的表面薄層的介質，該介質可以得到一個光學拋光的表面以及至少一個作為記錄的薄層，這些薄層包括一連串的微型小盤和/或表示預成型信號的槽紋。

發明內容
本發明的目的在于提供一種制造母盤的方法，這種方法與用于模壓聚碳酸酯的工業壓制相適應，而不只是用于按單元蝕刻，同時使母盤的制造簡單化，而且不需要求助于初始玻璃介質，不需要使用由此引起的多個制造步驟。
為此，本發明總的本意在于一種制造光盤的母盤的方法，其特征在于，該方法包括制造原型的步驟，該原型由一個金屬材料的基片構成，該金屬材料最好是適于蝕刻的材料，而且至少有一個(突起的或凹陷的)導向線(guiding track)；一個配備所述原型的步驟，該步驟在于在基片上沉積至少一個由第一材料構成的薄層，然后有選擇地沉積第二個薄層，使第一材料與導向線以外的原型的表面對齊，與導向線上的原型的表面對齊的材料稱作“第二表面”。
母盤的表面在沉積樹脂以前受到腐蝕，以便只讓所述兩種材料中的一種留在導向線的上面。根據第一種變型，材料2制成的導向線是突起的金屬，這種適宜于蝕刻的金屬與導向線上的原型的表面對齊，在材料1沉積以前，該金屬位于基片上。
根據第二種變型，導向線是凹陷的槽紋。在稱作“材料2”的第二材料上與原型的表面對齊，第二材料后來被沉積在材料1上。
其次本發明在于在所配備的表面上沉積一種反應樹脂(例如光敏樹脂或能夠被局部升華的顏料)，該方法還在于根據母盤的專用信息使反應表面具有一定的結構，局部消除所述的反應樹脂，使得原型具有一定的個性，該方法包括一個顯示步驟，該步驟在于對位于已經被露出的導向線上方的第二材料的區域進行蝕刻，然后消除存在的樹脂沉積物，并將第二材料所處區域之外的剩余樹脂沉積物和第一材料除去。
第一材料(材料1)最好由至少一個具有光學特性的材料薄層構成，這些光學特性與材料2的不同，材料2的波長用在一個可以使反應樹脂具有一定結構的設備中。
根據第一種變型，導向線由至少一個突起螺旋線構成。
根據第二種變型，導向線由至少一個槽紋構成。
最好在包括鎳、鎳基合金、鉻、鉻基合金、氮化鈦、鉭、鉬和它們的合金的組中選擇構成基片的金屬材料。
根據第二種變型的具體實施方式
，在第一種材料之后沉積的第二種材料由至少一個薄層構成，在對基片進行個性處理的步驟中，該薄層可以防止第二種材料下面的第一種材料局部受到蝕刻。
根據第一種變型，反應樹脂是光反應數值，這種樹脂能夠經受金屬材料的蝕刻產品。
根據第二種變型，反應樹脂是光敏樹脂。
配備原型的步驟最好在沉積反應樹脂以前包括一個整平步驟。
所述整平步驟最好通過機械-化學拋光、通過干膜拋光、通過稱作深腐蝕的方法實現，它在于在鍍有約200-500納米厚的電解材料的原型上沉積一個具有平面的聚酯薄層，然后用干蝕刻法蝕刻表面，通過沉積整平聚合薄層，例如該薄層由光敏樹脂Novolak或聚酰亞胺材料構成，該方法按照相同的速度去掉樹脂和電解材料，直到樹脂全部消失，使這些材料第一次緩慢退火，然后對所述聚合薄層進行有控制的蝕刻，以便露出與<材料2>對齊的材料，然后在110℃以上的高溫下進行高能退火。
根據一個優選實施方式，制造包括導向線的原型的步驟包括一個電鍍步驟。
制造包括導向線的原型的步驟最好包括一個模壓基片的步驟。
本發明還涉及一種制造光盤的壓模的方法，在制造基片的第一步驟時，該方法包括制造一個由金屬材料構成的原型的步驟，原型具有一些徑向寬度為預定的導向元件，利用一種顯影方法對這些導向元件進行局部蝕刻，通過具有一定結構的反應樹脂解除該顯影方法，其特征在于，第一材料(稱作材料1)具有對導向元件的蝕刻不敏感的特性，由該方法產生的各信息元件的徑向寬度通過導向元件的初始徑向寬度限定，所述信息元件從導向元件引出，通過反應樹脂的構成方法限定沿各信息元件的切向長度。
根據一個變型，配備原型的步驟包括在金屬基片上沉積第一分離薄層和電解材料外層的操作，第一薄層的厚度小于導向浮雕，并包括在沉積反應樹脂以前利用研磨進行的整平操作，以便讓基片的涂層厚度在導向浮雕的高度和增加了分離層厚度以后的高度之間。
本發明還涉及一種制造光盤的壓模的方法，該方法包括制造由金屬材料構成的基片的步驟，該基片帶有一些突起的金屬導向元件。通過顯影方法對這些導向元件進行局部蝕刻，用結構反應樹脂解除顯影方法，其特征在于，在基片的第一種成型過程中，各信息元件的底部和頂部之間沿徑向產生的斜率相對于基片的參考平面主要為20-60°，當采取的是會出現個性化母盤的沉積法和消除法時，斜率不變，但在沿切向時信息元件的斜率相對于基片的參考平面主要為40-90°，這種斜率通常是由結構樹脂解除的蝕刻方法產生的。
最好在沉積材料1前將第一金屬薄層疊置到基片上來制成金屬基片，所述金屬薄層具有能夠相對基片以選擇性的方式被蝕刻的性能。
配備原型的步驟最好包括沉積第一材料的第一操作，然后是沉積一個分離薄層的操作，該薄層的厚度小于導向浮雕，繼而沉積電解材料的外層，并在沉積反應樹脂之前通過研磨進行整平的操作，以便使基片的涂層厚度在導向浮雕的高度和增加了分離層厚度以后的高度之間。
根據一種變型，在將所述第二材料用作屏蔽對母盤進行個性化處理的所述步驟過程中，對第一材料進行蝕刻，其特征在于，初始金屬基片包括一些導向槽紋，槽紋的邊的斜率相對于基片的主平面為20-600，因此第二材料的厚度沿徑向是變化的，在對第一材料蝕刻時，對第二材料慢慢蝕刻，使第一材料的一個斜率在徑向相對于基片的平面為20-600，還有一個斜率在與記錄道相切的方向上相對于基片為40-900。
本發明還涉及一種由預成型的金屬基片構成的原型，基片的導向線由至少一個突起螺線和一個電解薄層構成，涂層厚度在導向浮雕的高度和增加了分離層厚度的高度之間，并有一個等于或小于20％左右的基準厚度的邊緣，該涂層用于接收反應樹脂。
本發明還涉及一種由預成型的金屬基片構成的原型，基片的導向線由至少一個凹陷螺線、一個第一薄層、可選擇的一個分離薄層和一個第二薄層構成，第二薄層的光學性能與在可以構成反應樹脂的設備中所用波長的下部薄層的性能不同，第二薄層的厚度顯然在導向浮雕的高度和增加了分離層厚度的高度之間，并有一個等于或小于20％左右的基準厚度的邊緣，該涂層用于接收反應樹脂。


通過閱讀下面結合附圖對作為非限定實施例的描述將會進一步理解本發明，其中圖1-4是不同配備情況的原型的徑向剖視圖；圖5-11是根據變型實施例的不同配備情況的原型的徑向剖視圖。
具體實施例方式
作為非限定例子的方法在于首先配備鎳的原型，該原型具有“標準”導向線，但是沒有任何個性信息。
導向信息由成浮雕的槽紋構成，其特征(節距、寬度、環狀)最優化，從而保證最終產品很精確地工作。
該原型可以用一片直徑為138mm或更大的鎳片配備，該直徑也就是半導體工業中所用的硅盤(晶片)的直徑，例如150mm。該原型可以用一片厚度為300mm或更大的鎳配備，該厚度也就是半導體工業中所用的硅晶盤(晶片)的厚度。
可以使該片的尺寸(長度，寬度)能夠在同一個基片上配備若干原型，然后將這些原型用沖壓法切割，以便形成盤狀的壓制小盤，這些小盤用于被引導到壓制模中。
可以根據不同的技術制造該原型，例如根據“玻璃”式的母盤進行電鍍復制。然后根據減少的工序配備鎳或類似材料的基片1。圖1中所示的前道工序在于在鎳基片1上沉積兩個電解材料薄層2，3；利用反應噴涂法或根據一種與第一電解薄層2相似的方法實現薄片沉積，第一電解薄層形成分離薄層。這種材料例如是氮化硅。分離薄層2的厚度為幾個納米。該厚度形成與導向槽紋8形狀相配合的均勻厚度。
在該分離薄層上形成第二沉積物3。該第二沉積物是電解材料，例如硅，在后續操作中，這種材料可以承受基片的蝕刻。該沉積物還形成厚度均勻的膜，膜主要覆蓋導向線，因而它與第一膜2的浮雕相配。
緊接著由圖2所示的步驟在于進行機械-化學拋光，使螺線的頂部5，6對齊，分離層2留在這些頂部上。反之，在與浮雕式螺線相適應的位置處沒有電解層3，這種電解層只在各螺線之間的區域內。
在拋光以后，用很薄的光敏樹脂4對一個轉盤上的表面進行涂飾，樹脂厚度約為10納米。
因而可以將原型切割成小盤，準備使其個性化。
該個性化步驟示于圖3中。該步驟在于用一個受控的激光器(例如400納米的激光二極管)使光敏樹脂得到曬印，以便在原型的表面上形成與槽紋8，9脊上需要編碼的信息相符的光點，因而通過補充，形成需要保護的區域，從而形成微型浮雕。通過局部除去光敏樹脂和形成一個能讓基片出現的孔10實現局部曬印，所述基片用螺線脊以外的電解層覆蓋。通過保持能夠局部保護螺線脊9的樹脂11就可以不出現曬印光點。
圖4示出了以后的操作。該操作在于用公知方法蝕刻原型表面，樹脂形成蝕刻的屏蔽。這種蝕刻例如通過化學侵蝕實現。在樹脂已經被曬印的地方形成微孔12就可以實現這種蝕刻，這些微孔位于配備原型步驟時形成的導向螺線上。
然后以除去存留的樹脂及電解質使這一過程結束，因為具有分離層2，所以這種操作很簡單。因此螺線上涂覆有沒有在前面的步驟中受到曬印的樹脂的地方留有一部分脊，這一部分脊與常用方法制造出的光盤模壓母盤的微型浮雕一樣。
圖5-9涉及的是本發明的另一個實施例，在該實施例中用導向槽紋而不是用導向軌形成導向線。
第一步驟在于在基片1上沉積涂層，例如是與浮雕形狀相配的硅涂層2。特別是導向槽紋15，它構成一個分離薄層。在第一涂層上沉積第二涂層，例如硅石涂層3。以后的步驟(圖6)在于進行機械-化學拋光，使硅分離層2與槽紋15對齊。反之，在與各螺線之間的各區域相適應的位置處沒有第二硅石涂層，這種硅石涂層只在各凹陷螺線之間。
然后在配備成的組件表面上沉積光敏樹脂(圖7)。因而準備使原型個性化。該步驟在于用一個受控的激光器(例如400納米的激光二極管)使光敏樹脂得到曬印，以便在原型的表面上形成與槽紋窩上面的需要編碼的信息相符的光點，因而通過補充，形成需要保護的區域，從而形成微型浮雕。通過局部除去光敏樹脂和形成一個能讓基片出現的孔實現局部曬印，所述基片用第二涂層及螺線脊以外的分離層覆蓋。通過保持能夠局部保護螺線涂層的樹脂11就可以不出現曬印光點。
以后的操作(圖8)在于用公知方法蝕刻原型的表面，樹脂形成蝕刻的屏蔽。這種蝕刻例如通過離子反應加工方法或使用CHF3氣體的RIE法實現。在樹脂已經被曬印的地方形成微孔12就可以實現這種蝕刻，這些微孔位于配備原型步驟時形成的導向螺線上，第二涂層在這些微孔中受到蝕刻。然后利用溶劑或在氧基的等離子區中從基片組件上去除樹脂。然后也通過離子反應加工方法對分離材料進行蝕刻，這種方法采用的是SF6，在前面的步驟中沒有被蝕刻的部分第二涂層用作屏蔽。因而存在夾層的一些突起部分，所述夾層由硅分離材料和第二硅石涂層構成。
圖8示出的是分離層2在一個區域受到樹脂保護的位置處被蝕刻以后的結果。該圖有一個形成基片1的鎳表面，在該表面上有一些由分離材料薄層2和第二材料薄層3形成的坑。
圖9示出的是一個區域的剖視圖，該區域的樹脂經光曬印后已被脫落。
圖10和11示出的是兩個區段的頂視圖。在處理以后，暴露區域20，21形成將坑24，25分開的剩余槽紋22，23。
用兩種實施方式描述的方法產生了一些信息坑，這些坑不論寬度還是長度都是用兩種與兩種不同制造步驟不同的方法得到的。這并不是常規方法，在常規方法中，所有這些均是用光刻法確定的。最重要的結果是，為了書寫兩種格式的CD和DVD，可以考慮只使用一個書寫頭。
同樣，基于相同的原因，坑的斜率在徑向(信息道之間)和切向(兩個坑之間)可以不同。坑在切向的斜率對信號的質量有影響(越是垂直，信號的傳送越清楚，也就越好)，但這些斜率通常對盤/母盤的脫模質量有影響，因而對制造周期有影響(越少垂直，對脫模越有利)，這種可能性可以定期得到很好的顯示母盤沿徑向的斜率要小，而沿切向的斜率要很大。
這種方法的一個困難在于金屬蝕刻應當很均勻，不能有一點兒自動停頓。為此，可以在原型上沉積一層精心選擇的金屬薄層(例如鎳合金)，這種薄層根據與下面的金屬基片的不同速度受到蝕刻，這樣就可以在坑的至少一部分表面上產生關閉薄層。這樣做的優點是產生的坑很好地自動限定在某一深度。
根據一種電鍍的制造方法，制造原型的步驟包括如下步驟在配備的母盤中，沉積一個分離薄層和至少一個導電材料的薄層，然后在所述導電材料的薄層上沉積基片的材料，再將所述沉積物與母盤分開。分離材料例如由鉻形成。
在用蝕刻光源對原型進行曝光的步驟中，要求通過精確調配將基片固定在一個旋轉支承上，保證很好的整平度，確保對中。一個比較好的解決方案在于用一個可以確保與鎳基片或磁性材料基片相互間具有磁作用的磁旋轉支承。為此，本發明還涉及一種包括一個磁旋轉支承的蝕刻設備，在蝕刻時，這種支承可以固定住原型。
利用一組折疊接頭將磁支承和原型之間進行分離，在蝕刻操作以后，將這一組接頭安裝在原型的支承面上。
權利要求
1.一種制造光盤的母盤的方法，其特征在于，該方法包括制造原型的步驟，該原型由一個至少包括一個金屬材料薄層的基片構成，而且至少有一個(突起的或凹陷的)導向線；一個配備所述原型的步驟，該步驟在于在基片上疊合至少一個第一材料的薄層(2)，以及一個不同于第一薄層的第二個薄層(3)，腐蝕所配備的表面，以便只讓所述材料中的一種留在導向線的位置上，并在配備的表面上沉積反應樹脂(例如光敏樹脂)，然后該方法在于根據母盤的專用信息使反應表面具有一定的結構，局部消除所述的反應樹脂，使得原型具有一定的個性，該方法包括一個顯示步驟，該步驟在于對位于已經被露出的導向線位置處的第二材料的區域進行蝕刻，然后將被第二材料覆蓋的區域之外的剩余樹脂沉積物和第一材料除去。
2.根據權利要求1的制造光盤的母盤的方法，其特征在于，第二材料是金屬，它與基片的材料不同或相同，該材料在沉積第一材料以前處在基片上，其特征還在于第一材料由至少一個具有光學特性的材料薄層構成，這些光學特性與金屬的明顯不同，金屬材料的波長用在一個可以使反應樹脂具有一定結構的設備中。
3.根據權利要求1或2的制造光盤的壓模的方法，其特征在于，導向線由至少一個突起螺旋線構成。
4.根據權利要求1或3的制造光盤的母盤的方法，其特征在于，第一材料由至少一個具有光學特性的材料薄層構成，這些光學特性與第二材料的明顯不同，第二材料的波長用在一個可以使反應樹脂具有一定結構的設備中，其特征還在于在第一材料以后沉積的第二材料由至少一個薄層構成，在使原型個性化的步驟中，該薄層可以防止局部蝕刻第二材料下面的第一材料。
5.根據權利要求1或4的制造光盤的壓模的方法，其特征在于，導向線由至少一個槽紋構成。
6.根據上述任一權利要求的制造光盤的壓模的方法，其特征在于，在包括鎳、鎳基合金、鉻、鉻基合金、氮化鈦、鉭、鉬和它們的合金的組中選擇構成基片的金屬材料。
7.根據上述任一權利要求的制造光盤的壓模的方法，其特征在于，反應樹脂是光反應樹脂，這種樹脂能夠經受金屬材料的蝕刻產品。
8.根據權利要求1-7之一的制造光盤的壓模的方法，其特征在于，反應樹脂是光敏樹脂。
9.根據權利要求1-8之一的制造光盤的壓模的方法，其特征在于，配備原型的步驟在沉積反應樹脂以前包括一個整平步驟。
10.根據權利要求9的制造光盤的壓模的方法，其特征在于，所述整平步驟通過機械—化學拋光的方法實現。
11.根據權利要求9的制造光盤的壓模的方法，其特征在于，所述整平步驟通過干膜拋光實現。
12.根據權利要求9的制造光盤的壓模的方法，其特征在于，所述整平步驟通過通過稱作深腐蝕的方法實現，它在于在鍍有約200-500納米厚的電解材料的原型上沉積一個具有平面的聚酯薄層，然后用干蝕刻法蝕刻表面，以相同的速度除去樹脂和電解材料，直到所有樹脂全部消失。
13.根據權利要求9的制造光盤的壓模的方法，其特征在于，所述整平步驟通過沉積整平聚合薄層實現，例如該薄層由光敏樹脂Novolak或聚酰亞胺材料構成，使材料經受第一次緩慢退火，然后對所述聚合薄層進行有控制的蝕刻，以便露出與材料2對齊的材料，然后在110℃的高溫下進行高能退火。
14.根據上述任一權利要求的制造光盤的方法，其特征在于，制造包括導向線的原型的步驟包括一個電鍍步驟。
15.根據上述任一權利要求的制造光盤的方法，其特征在于，制造包括導向線的原型的步驟包括一個模壓基片的步驟。
16.一種制造光盤的壓模的方法，在制造基片的同時，該方法還包括制造一個由金屬材料構成的原型的步驟，原型具有一些徑向寬度為預定的導向元件，利用一種顯影方法對這些導向元件進行局部蝕刻，通過權利要求1-15之一的具有一定結構的反應樹脂解除該顯影方法，其特征在于，第一材料具有對導向元件的蝕刻不敏感的特性，由該方法產生的各信息元件的徑向寬度通過導向元件的初始徑向寬度限定，所述信息元件從導向元件引出，通過反應樹脂的構成方法限定沿各信息元件的切向長度。
17.根據權利要求1-3或6-16之一的制造光盤的壓模的方法，其特征在于，配備原型的步驟包括在金屬基片上沉積第一分離薄層和電解材料外層的操作，第一薄層的厚度小于導向浮雕，并包括在沉積反應樹脂以前利用研磨進行的整平操作，以便讓基片的涂層厚度在導向浮雕的高度和增加了分離層厚度以后的高度之間。
18.一種制造光盤的壓模的方法，該方法包括制造由金屬材料構成的基片的步驟，該基片帶有一些突起的金屬導向元件，通過顯影方法對這些導向元件進行蝕刻，用權利要求1-16之一的具有一定結構的反應樹脂解除顯影方法，其特征在于，在基片的第一成型過程中，各信息元件的底部和頂部之間沿徑向產生的斜率相對于基片的參考平面主要為20-60°，當采取的是會出現個性化母盤的沉積法和消除法時，斜率不變，但在沿切向時信息元件的斜率相對于基片的參考平面主要為40-90°，這種斜率通常是由結構樹脂解除的金屬蝕刻方法產生的。
19.根據權利要求1-3或6-18之一的制造光盤的壓模的方法，其特征在于，通過在沉積材料1前疊置第二金屬材料的金屬基片來制成原型，所述金屬薄層具有能夠相對基片以選擇性的方式被蝕刻的性能。
20.用于利用權利要求1-3或6-19之一方法的原型，其特征在于，原型由預成型的金屬基片構成，基片的導向線由至少一個突起螺線和一個涂覆的電解薄層構成，涂層最厚部分的厚度在導向浮雕的高度和增加了分離層厚度的高度之間，并有一個等于或小于20％左右的基準厚度的邊緣，該涂層用于接收反應樹脂。
21.根據權利要求1或4-15之一的制造光盤的方法，其特征在于，配備原型的步驟包括沉積第一材料的第一操作，然后是沉積一個分離薄層的操作，該薄層的厚度小于導向浮雕，繼而沉積電解材料的外層，并在沉積反應樹脂之前通過研磨進行整平的操作，以便使涂層厚度在導向浮雕的高度和增加了分離層厚度以后的高度之間。
22.根據權利要求1，4-16或21之一的制造光盤的壓模的方法，其特征在于，在將所述第二材料用作屏蔽對母盤進行個性化處理的所述步驟時，對第一材料進行蝕刻，初始金屬基片包括一些導向槽紋，槽紋的邊相對于基片的主平面為20-600的斜率，因此第二材料的厚度沿徑向是變化的，在對第一材料蝕刻時，對第二材料慢慢蝕刻，使第一材料在徑向的斜率相對于基片的平面為20-600，還有一個斜率在與記錄道相切的方向上相對于基片為40-900。
23.用于利用權利要求1或4-16之一方法的原型，其特征在于，該原型由預成型的金屬基片構成，基片的導向線由至少一個凹陷螺線、一個第一薄層、可選擇的一個分離薄層和一個第二薄層構成，第二薄層的光學性能與在可以構成反應樹脂的設備中所用波長的下部薄層的性能不同，第二薄層的最厚部分的厚度顯然在導向浮雕的高度和增加了分離層厚度的高度之間，并有一個等于或小于20％左右的基準厚度的邊緣，該涂層用于接收反應樹脂。
24.根據權利要求1-7之一的制造光盤的壓模的方法，其特征在于，反應樹脂是一種在輻射作用下局部升華后受到結構改變的樹脂。
25.根據權利要求1-14之一的制造光盤的方法，其特征在于，制造原型的步驟可以包括在配備的母盤中，沉積一個分離薄層的步驟和沉積至少一個導電材料的薄層的步驟，然后在所述導電材料的薄層上沉積基片的材料，再將所述沉積物與母盤分開。
26.一種用于使用權利要求1-13之一方法的蝕刻設備，其特征在于，該設備包括一個在蝕刻步驟中可以確保對原型進行固定的磁旋轉支承。
27.一種用于使用權利要求1的方法的蝕刻設備，其特征在于，該蝕刻設備包括一組可伸縮的接頭，在蝕刻操作以后，將這一組接頭安裝在磁旋轉支承上的原型的支承面上。
全文摘要
本發明涉及一種制造光盤的母盤的方法，其特征在于，該方法包括一個制造原型的步驟；一個配備所述原型的步驟，該步驟在于在基片的處于導向線上的區域中疊合至少一個第一材料2的薄層，以及一個不同于第一材料2的第二個薄層3，并在配備的表面上沉積反應樹脂，該方法還包括一個顯示步驟，該步驟在于對第二材料的需要消除的區域進行蝕刻，并將被第二材料覆蓋的區域之外所剩的樹脂沉積物和第一材料除去。
文檔編號G11B7/26GK1520592SQ02812814
公開日2004年8月11日 申請日期2002年6月17日 優先權日2001年6月26日
發明者弗朗索瓦－格扎維埃·皮奧特, 弗朗索瓦-格扎維埃 皮奧特 申請人:弗朗索瓦－格扎維埃·皮奧特, 弗朗索瓦-格扎維埃 皮奧特