疇壁位移磁光記錄介質、及用于其的復制方法和設備的制作方法

專利名稱：疇壁位移磁光記錄介質、及用于其的復制方法和設備的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種用來借助于激光束根據磁光效應記錄和復制信息的磁光記錄介質。更具體地說，本發明涉及利用DWDD(疇壁位移檢測)技術的磁光記錄介質。
至今，作為一種用來以可重寫方式實現高密度記錄的方法，注意力一直集中在一種磁光記錄介質上，在其上通過用半導體激光器的熱能在磁性薄膜中寫磁疇而記錄信息，而從其根據磁光效應讀記錄的信息。在最近幾年，因為處理以各種形式包含在組織中的數據，如聲音、靜止圖象及運動圖象，的必要性；并且因為要處理的這種數據的不斷增大的尺寸，所以對增大磁光記錄介質的記錄密度和提供具有較大容量的記錄介質的需要一直在增長。
一般地，諸如磁光(光)盤之類的磁光記錄介質的記錄密度大大地取決于復制光學系統的激光波長和物鏡的數值孔徑NA。換句話說，一旦決定復制光學系統的激光波長λ和物鏡的數值孔徑NA，也就決定了束寬的直徑。因此，能作為一個信號復制的記錄凹坑的間隙頻率具有約2NA/λ的上限。
因此，為了在常規光盤中實現較高密度，需要縮短復制光學系統的激光波長或者增大物鏡的數值孔徑。然而，因為諸如激光器件的效率和熱產生之類的問題，縮短激光波長是困難的。而且，如果增大物鏡的數值孔徑，則在透鏡與盤之間的距離變得如此之小，以致于引起其中盤可能撞擊透鏡的機械問題。
同時，已經開發了所謂的磁性超高分辨率技術，打算通過改進記錄介質的結構和復制方法而增大記錄密度。例如，日本專利公開No.7-334877提出了一個超高分辨率方法。根據這種提出的方法，一個用來保持記錄信息的存儲層、一個用來掩蔽一個復制光點的一部分的復制層、及一個用來控制在存儲層與復制層之間的交換耦合力的斷開層，以多層結構形成。通過利用在光點照射時在介質中產生的溫度分布把記錄信息轉移到基本上在復制光點部分中的復制層，由此從小磁疇復制記錄信息。
然而，以上常規超高分辨率方法具有這樣一個問題，浪費在掩蔽部分中的光，并且減小復制信號的振幅，因為當根據溫度分布而掩蔽復制光點的一部分時，增大分辨率功率；即通過基本上把用來讀一個凹坑的孔徑限制到較小面積。換句話說，由于在掩蔽部分中的光不會貢獻給產生復制信號，所以隨著使孔徑變窄改進分辨率而減小有效適用的光量。這導致一個降低的信號電平。
而且，日本專利公開No.6-290496公開了一種方法，其中一個具有小疇壁矯磁力的位移層提供在復制光相對于一個存儲層的入射側，并且在位移層中的疇壁根據在復制光點中產生的溫度梯度向較高溫度側移動。這從磁疇復制信息，同時在光點內放大磁疇。根據這種公開的方法，由于在放大磁疇的同時復制信號，所以即使當記錄標記具有較小尺寸時，也能有效地使用復制光。因此，能增大分辨功率而不損壞復制信號的振幅。
對于在信息處理技術方面的最近改進，不僅需要大容量，而也在大容量復制介質的場中需要高速記錄/復制技術。在上述日本專利公開No.6-290496中公開的方法提出一種通過經一個根據在復制光點中產生溫度梯度移動疇壁和在光點內放大磁疇的同時從它復制信息的過程增大介質容量的新穎方法。然而，公開的方法沒有考慮其對傳輸速率的影響。該方法引起這樣一個問題，其中根據記錄介質的結構，當以高線性速度運動介質時，復制信號的質量大大地變壞。
而且，當試圖通過用復制激光束本身加熱記錄介質來產生用來移動一個疇壁的溫度梯度時，溫度分布的波峰形成在復制光點內。因此，這樣一種償試產生疇壁在記錄介質相對于復制光點的運動方向上分別從上游(向前)和下游(向后)側向復制光點移動并且對于光點讀作泄漏信號的問題。為了克服該問題，已經提出，提供一種分別從復制激光束來產生一種希望溫度分布的裝置。然而，這種解決方案產生使復制設備復雜的另一個問題。
日本專利公開No.11-86372公開了一種通過施加一個復制磁場限制疇壁離開下游側的位移的方法。然而，公開的方法需要一種用來分別添加復制磁場的裝置，并且也使復制設備復雜。
為了克服上述問題，本發明的一個目的在于，提供一種磁光記錄介質和一種復制方法及設備，借此能以高速復制一個具有超過光學系統分辨率的記錄密度的信號而不使復制設備和介質結構復雜。
以上目的借助于一種按如下建造的本發明的一種磁光記錄介質實現。
在其中在通過根據由光束形成的且具有最大溫度Tr的溫度分布移動疇壁而放大記錄磁疇的同時復制信息的磁光記錄介質中，記錄介質包括一個復制層，其中移動疇壁；一個記錄層，用來保持與信息相對應的記錄磁疇；及一個截斷層，布置在復制層與記錄層之間，并且具有比復制層和記錄層低的居里溫度，其中記錄介質滿足如下條件(Tr-RT)/(Tc2-RT)≥1.8其中Tc2截斷層的居里溫度，以及RT室溫。
而且，以上目的借助于一種復制方法和用來從以上敘述的磁光記錄介質復制記錄信息的設備實現。具體地說，該復制方法包括從在記錄層上包括記錄信息的磁光記錄介質復制記錄的信息、和此后在通過放大記錄磁疇的光束而移動疇壁的同時復制信息；而該設備包括一個光盤，該光盤包括一個帶有跟蹤引導槽的基片和其上形成的本發明的磁光記錄介質。
參照附圖由最佳實施例的如下描述，將明白本發明的另外目的、特征及優點。


圖1A是一種光盤的示意剖視圖，而圖1B和1C是用來解釋本發明中的疇壁的位移的原理。
圖2A、2B和2C是示意剖視圖，用來解釋幻影信號的發生。
圖3是曲線圖，表示在本發明的例子和比較例中在1.5m/s的線性速度下CNR和σ/Tw對復制激光功率的依賴性。
圖4是用在本發明的例4中的基片的剖視圖。
參照附圖下面詳細描述本發明的一個實施例。
圖1A是根據本發明一個實施例的一種光盤(記錄介質)的示意剖視圖。如圖1A中所示，本實施例的光盤具有一種多層結構，包括一個干涉層102、一個復制或位移層1、一個截斷層2、一個用來保持一個記錄磁疇的記錄或存儲層3、及一個保護層103，這些層按提到的順序依次形成在基片101上。在每個磁性物質層中的箭頭11表示在保持在膜中的記錄磁疇中過渡金屬亞晶格(交錯的)磁化方向。一個布洛磁壁12存在于在其中磁化不平行的相鄰磁疇之間的界面處。基片101通常由諸如玻璃或聚碳酸酯之類的透明材料形成。上述諸層能通過使用一種磁控管濺射設備的依次濺射或依次蒸汽沉積形成。提供干涉層102以增大磁光效應，并且由諸如Si3N4、AlN、SiO2、SiO、ZnS或MgF2之類的透明介電材料形成。提供保護層103以保護其他磁性層，并且由與干涉層102相同的材料形成。為了優化介質的整體熱結構，由例如Al、AlTa、AlTi、AlCr或Cu形成的金屬層可以另外提供在保護層103上。按要求提供的干涉層102、保護層103、及金屬層是對于熟悉本專業的技術人員熟知的常規層。
記錄或存儲層3由稀土-諸如TbFeCo、DyFeCo或TbDyFeCo之類的鐵族元素非晶體合金形成；即一種具有較大垂直磁性各向異性并且能夠穩定地保持一個小型記錄凹坑的材料。依據在存儲層3中的磁疇是向上還是向下磁化存儲記錄信息。要不然，可以使用由例如石榴石、Pt/Co或Pd/Co形成的垂直磁化膜，從而信息可以磁化地轉移到另一層。
截斷層2由稀土-諸如GdCo、GdFeCo、GdFe、GdFeCoAl、DyFeCoAl、TbDyFeCoAl或TbFeAl之類的鐵族元素非晶體合金形成。把截斷層2的居里溫度Tc2設置為比位移層1和存儲層3的低。
復制或位移層1由稀土-具有諸如GdCo、GdFeCo、GdFe或NdGdFeCo之類的小垂直磁性各向異性的鐵族元素非晶體合金；或用于磁泡存儲的材料，如石榴石；形成。當使用稀土-鐵族元素非晶體合金時，它最好具有一種其中稀土元素的亞晶格(交錯的)磁化在室溫下普遍的成分。原因如下。
如果位移層的飽和磁化在移動疇壁的溫度下是一個較大值，則疇壁的位移是不穩定的，因為它容易受從外部磁場或存儲層產生的浮動磁場的影響。相反，當位移層具有一種其中稀土元素的亞晶格磁化在室溫下普遍的成分時，能減小位移層在移動疇壁的溫度下的飽和磁化，并因此能穩定疇壁的位移。
按下面給出構成層每一個的膜厚度。干涉層102是60-100nm，位移層1是20-40nm，截斷層2是5-20nm，存儲層3是40-100nm，及保護層103是40-80nm。
除上述結構之外，可以采用一個高聚物樹脂的保護涂層。作為一個選擇例，可以把其上具有形成成分層的一個基片101粘結到類似的一個上。
通過在照射具有足以把記錄或存儲層3加熱接近居里溫度Tc3值的功率的激光束的同時運動介質和調制一個外部磁場、或者通過在把一個磁場施加在恒定方向上的同時運動介質和調制激光功率，把一個數據信號記錄在本實施例的光盤(記錄介質)上。在后一種情況下，通過把激光束的強度調節成僅在一個激光束光點內的預定區域達到Tc3，能形成比激光束光點直徑小的記錄磁疇。結果，能記錄一個具有比激光束的衍射極限小的周期的信號。
圖1B表示在把激光束照射到盤的同時當光盤向圖中的右側運動時生成的在軌道中心處的溫度分布。在這樣一種溫度輪廓中，部分根據盤的線性速率把在使膜溫度最大處的波峰定位成稍微向下游(向后)離開激光束光點中心。圖1C表示在位移層1中的疇壁能量密度σ1的分布。如從圖1C看到的那樣，疇壁能量密度σ1隨溫度升高而減小。因而，如果在盤的運動方向有溫度梯度，則疇壁能量密度σ1向最大溫度位置逐漸減小。因此，由如下公式表示的力F1作用在每層中一個位置x處存在的疇壁上F1＝dσ1/dx力F1作用在疇壁上以把它向其中疇壁能量較低的側移動。由于位移層1具有一個小疇壁矯磁力和一個較大疇壁可動性，所以當它單獨在脫開狀態時，疇壁在位移層1中在力F1下容易移動。
在圖1A中，在把復制激光束照射到盤上之前，即在盤在室溫下的部分中，由于相應磁性層每一個由垂直的磁化膜形成，所以記錄在存儲層3中的磁疇對于位移層1通過截斷層2處于一種交換耦合關系中，并且磁疇轉移到位移層1。在這時，磁壁12存在于在每層中的相鄰磁疇之間的界面處，其中由箭頭11指示的磁化彼此相對著。在其中膜溫度比居里溫度Tc2高的截斷層2的一部分中，截斷層2中的磁化消失，并且在截斷層2與存儲層3之間的交換耦合脫開。
在這種條件下，由于位移層1具有較小的疇壁矯磁力，所以在位移層1中的疇壁在施加到疇壁上的力F1下根據溫度梯度向較高溫度側移動。在其下疇壁此時移動的速度比盤的運動速度足夠快。這意味著，在激光束光點中能得到比記錄在存儲層3中的大的疇壁。在復制光點中、有助于移動疇壁的孔徑區域，能認為在幾乎從Tc2的一條等溫線到靠近溫度分布中的最大溫度的一個點的范圍內，并且光點不會完全參加移動疇壁。
在介質中的溫度分布不僅取決于介質的熱結構，而且也取決于其線性速度。隨著線性速度增大，最大溫度的位置向下游側移動，并且一個具有比Tc2低的溫度的區域在相對于光點中心的上游側增大。如果熱結構不滿意，則孔徑位置可能依據線性速度大大地偏離光點中心，因而導致增強的有害抖動。為此原因，最好把在其下疇壁開始移動的溫度Tc2設置成稍低于某一值，從而提供較大誤差余量。
而且，當介質溫度在光點下游側逐漸降低時，磁疇再次從存儲層3向位移動1移動，并且在磁疇重新轉移時產生的磁壁可能向較高溫度側，即向光點中心，移動。如果移動離開下游側的疇壁進入光點中，則噪聲出現在復制信號中，并且已不能保證信息的精確復制。參照圖2將更詳細地描述這點。
在圖2A中，在其中溫度比在光點下游側的Tc2稍低的一個位置處，由于位移層1和存儲層3在相反方向磁化，所以一個疇壁存在于在截斷層2中或在截斷層2與位移層1或存儲層3之間的界面處。當介質進一步運動，并且在界面疇壁的位置處的溫度向某一值Tx降低時，界面疇壁能量克服位移層1的矯磁力能量，并且疇壁從存儲層3向位移層1的轉移再次發生，如圖2B中所示。然后，強迫在這時在位移層1中產生Bloch疇壁向較高溫度側，即向光點中心，移動，并且作為在復制信號中的幻影信號混合。
然而，如圖2C中所示，即使當疇壁再次從存儲層3向在Tx處的位移層1轉移時，移動離開Tx的疇壁也停止在Tc2位置處，并且如果以后的疇壁接近Tc2位置，且交換耦合建立在存儲層3與位移層1之間，則能避免幻影信號在復制信號中的混合。換句話說，一個從Tc2至Tx的距離LN確定能記錄的最大標記長度。
當把標記位置記錄用作一種用來把數據記錄在介質上的方法時，通過把向上和向下磁疇之一設置為一個短標記消除考慮幻影信號影響的必要性。然而，標記位置記錄是不便利的，不能夠增大記錄密度超越某一值。為實現具有較高容量的記錄介質的目的，因此最好在抑制幻影信號的同時采用標記長度記錄。
作為在改變截斷層2的居里溫度Tc2的同時進行關于疇壁位移介質的研究和估計介質特性的結果，獲得如下結論。假定在記錄信息的復制期間在溫度分布中的最大溫度是Tr而室溫是RT，當介質滿足如下公式(Tr-RT)/Tc2-RT)≥1.8時，不管介質以高線性速度運動，能穩定地復制一個信號而沒有信號質量變壞。同時，由于Tc2能設置到一個比最大溫度Tr足夠低的值，則在其中溫度梯度適當的光點的下游區域中能設置與幻影信號的出現有關的Tc2和Tx。結果能增大最大標記長度LN。
如上所述，通過采用該實施例的光盤，即使當介質以高速運動時，也有可能在放大在一個激光束光點內的磁疇并且同時防止無用信號從其下游(向后)側泄漏到光點中的同時，從位于靠近與溫度Tc2相對應的一個位置的復制激光束上游(向前)的磁疇，穩定地復制一個信號。因此，即使在增大線性記錄密度的情況下，也能得到足夠大振幅的復制信號而不受光學衍射極限的影響，同時利用較簡單的復制設備和介質結構。
(例1)把攙雜有B、Gd、Dy、Tb、Fe及Co的Si靶安裝在直流磁控管濺射設備中，并且把一個其中有跟蹤引導槽形成的聚碳酸酯基片固定到一個基片支架上。然后，由一個深冷泵抽空一個腔室空間，以建立一個不高于1×10-5Pa的真空。在繼續真空抽空的同時，把Ar氣體引入到腔室中，直到壓力達到0.5Pa。在轉動基片的同時，在其上如下所述通過靶的濺射形成成分層。注意，當形成一個SiN層時，除Ar氣體之外引入N2氣體，并且通過直流活性濺射形成膜。
首先，形成一個SiN層作為一個下部層，具有90nm的膜厚度。然后，形成一個GdFeCoAl層作為位移層，具有30nm的膜厚度。此后，形成一個TbFeAl層作為截斷層，具有10nm的膜厚度，并且依次形成一個TbFeCo層作為存儲層，具有80nm的膜厚度。最后，形成一個SiN層作為保護層，具有50nm的膜厚度。
通過調節施加功率與Gd、Tb、Fe、Co及Al的比值控制每個磁性層的成分比值。這樣進行調節，從而位移層的居里溫度Tc1是約250℃，截斷層的居里溫度Tc2是約120℃，及存儲層的居里溫度Tc3是約290℃。
在盤以1.5m/s的線性速度轉動的同時，通過經一個NA 0.60的物鏡把680nm波長的激光束會聚到記錄膜上并且然后施加一個外部磁場，在如此構造的盤上進行具有0.15μm標記長度的信號記錄和復制。指示復制信號對于復制激光功率的穩定性的CNR和σ/Tw的生成關系表示在圖3中。這里，σ/Tw表示通過正規化具有記錄標記時間寬度Tw(在這種情況下為100ns)的復制信號的脈沖寬度變化的標準偏差，即抖動，得到的一個值。
一般地，需要不高于1E-4的誤差率作為用來以高可靠性復制信息的準則。為了滿足這樣一種要求，抖動相對于窗口寬度必須在14％內。在采用稱作高密度記錄調制方法的(1-7)RLL調制的情況下，例如，最小標記長度是2T，并因此窗口寬度是最小標記長度的1/2。換句話說，為了得到在把最小標記長度設置為0.15μm時的滿意差錯率，σ/Tw希望不大于7％。
當疇壁基于在激光束光點內的溫度在0.70mW的復制功率下達到Tc2已經開始位移，并且在光點內的最大溫度與室溫(25℃)之間的溫度差與復制功率成比例時，估計在其下最小化σ/Tw的1.6mW復制功率下在光點內的最大溫度Tr是240℃。當在(1-7)RLL調制中例如把最小標記長度設置到0.15μm時，在該例子中得到的σ/Tw＝6.6％的數據表示一個保證滿意差錯率的值。
表1表示在不同線性速度下按上述進行相同測量得到的結果。如從表1看到的那樣，對于從低到高線性速度范圍的σ/Tw＝6.6至6.7％，即對于從信息記錄觀點在一個值滿意下的穩定性，能進行信號復制。
然后，在逐漸改變標記長度的同時把一個信號記錄在該例子的盤上，并且測量沒有幻影信號的最大標記長度。測量結果也表示在表1中。如從表1看到的那樣，對于相應線性速度在0.80至1.00μm的最大標記長度下能進行沒有幻影信號的穩定記錄和復制。盡管最大記錄標記長度依據要記錄的代碼種類而不同，但最小標記長度與最大標記長度之比是4，例如在(1-7)RLL調制中。因此，當把最小標記長度設置到0.15μm時，最大標記長度是0.6μm。這意味著，在該例子中構造的盤具有一個足夠的余量。
另外，為了實現疇壁較平滑的位移，在該例子中在信號記錄和復制開始之前使用大功率激光束退火槽部分，從而沒有疇壁出現在軌道的側部。
(例2)在與例1中所使用的相同的基片上，以與例1中相同的方式準確地形成多層膜，不同之處在于，把截斷層2的居里溫度Tc2設置到130℃。
首先，在1.5m/s線性速度下在該例子中得到的數據表示在圖3中。由于位移層1由與例1中相同的膜形成，所以最佳復制功率和在最佳復制功率下的最大溫度Tr不變。然而，因為把截斷層2的居里溫度Tc2設置到130℃，所以在其下疇壁開始位移的最小復制功率稍微增大到0.80mW。然后，在變化線性速度的同時，對于的σ/Tw的一個最佳值和沒有幻影信號的一個最大標記長度，測量該例子的盤。測量結果也表示在表1中。如從表1看到的那樣，如對于例1那樣在例2中得到滿意的結果。特別是，在采用(1-7)RLL調制的情況下，以足夠的余量進行信號復制。
(例3)在與例1中所使用的相同的基片上，以與例1中相同的方式準確地形成多層膜，不同之處在于，把截斷層2的居里溫度Tc2設置到145℃。
首先，在1.5m/s線性速度下在該例子中得到的數據表示在圖3中。由于位移層1由與例1和2中相同的膜形成，所以最佳復制功率和在最佳復制功率下的最大溫度Tr不變。然而，因為把截斷層2的居里溫度Tc2設置到145℃，所以在其下疇壁開始位移的最小復制功率進一步增大到0.90mW。然后，在變化線性速度的同時，對于的σ/Tw的一個最佳值和沒有幻影信號的一個最大標記長度，測量該例子的盤。測量結果表示在表1中。如從表1看到的那樣，在例3中，σ/Tw的最佳值可與例1和2中的那些相比較，但當線性速度較低時，沒有幻影信號的最大標記長度減小到0.6μm。最大標記長度的該值表示這樣一個值，在其下在采用(1-7)RLL調制的情況下，能緊密地使用盤而幾乎沒有余量。
(比較例)在與例1中所使用的相同的基片上，以與例1中相同的方式準確地形成多層膜，不同之處在于，把截斷層2的居里溫度Tc2設置到160℃。
首先，在1.5m/s線性速度下在該比較中得到的數據表示在圖3中。由于位移層1由與例子每一個中相同的膜形成，所以最佳復制功率和在最佳復制功率下的最大溫度Tr不變。然而，因為把截斷層2的居里溫度Tc2設置到160℃，所以在其下疇壁開始位移的最小復制功率進一步增大到0.95mW。然后，在變化線性速度的同時，對于的σ/Tw的一個最佳值和沒有幻影信號的一個最大標記長度，測量該比較例的盤。測量結果表示在表1中。如從表1看到的那樣，在該比較例中，σ/Tw隨線性速度增大突然變壞。這些結果意味著，基于調制方法的選擇施加較大約束，并且高速復制非常難以實現。
(例4)與例1中那些相同的多層膜形成在一個在紋間表面與凹槽之間有一個深臺階(高度差)的基片上。借助于該結構，在形成膜的同時在軌道側部處脫開磁性耦合。因此，省去在例1中使用大功率激光進行的退火。
圖4是該例子的光盤的剖視圖。一個具有180nm深度的矩形引導槽形成在基片101中。相應的膜以與例1中相同的方式形成在基片上。盡管膜稍微沉積在錐形部分上，但在錐形部分中的膜厚度比紋間表面和槽部分中的薄得多。因此，在臺階部分中的磁耦合是可忽略的。
在該例子的盤上使用與用在例1中相同的光學頭進行信息記錄和復制。結果，得到一個可與例1中的相比較的復制信號。而且，通過紋間表面/凹槽記錄的使用，改進在軌道間距方向上的記錄密度。
表1
如上所述，通過采用本發明的磁光記錄介質，能顯著改進在介質上的信息記錄密度，并且從一個小型記錄磁疇能得到一個復制信號，具有與從較大磁疇得到的相同的振幅。而且，即使當以高速運動時，本發明的介質也能復制一個具有穩定性的信號。而且，由于防止幻影信號從復制光點的下游側泄漏，所以能實現具有較大容量的介質而不會使記錄和復制設備復雜和升高成本，同時設備的構造保持與常規設備的相同。
盡管參照當前認為是最佳實施例的例子描述了本發明，但要理解，本發明不限于公開的實施例。相反，本發明打算覆蓋包括在附屬書的精神和范圍內的各種修改和等效布置。如下權利要求書的范圍要給予最廣泛的解釋，從而包括所有這樣的修改和等效結構與功能。
權利要求
1.一種磁光記錄介質，其中在通過根據由光束形成的且具有最大溫度Tr的溫度分布移動疇壁而放大記錄磁疇的同時，復制信息，該記錄介質包括一個復制層，其中移動疇壁；一個記錄層，用來保持與信息相對應的一個記錄磁疇；及一個截斷層，布置在所述復制層與所述記錄層之間，并且具有比所述復制層和所述記錄層都低的居里溫度，其中記錄介質滿足如下條件(Tr-RT)/(Tc2-RT)≥1.8其中Tc2所述截斷層的居里溫度，以及RT室溫。
2.根據權利要求1所述的磁光記錄介質，其中所述復制層、所述記錄層、及所述截斷層每一個由一種稀土-鐵族元素非晶體合金形成，并且所述復制層具有一種其中稀土元素的亞晶格磁化在室溫下普遍的成分。
3.根據權利要求1所述的磁光記錄介質，其中所述復制層在相鄰信息軌道之間磁性分離。
4.一種用來從根據權利要求1所述的磁光記錄介質復制記錄信息的復制方法，該復制方法包括把信息記錄在所述記錄層上，并且此后復制所述信息，同時通過光束移動疇壁以放大記錄磁疇。
5.一種用來復制記錄信息的光盤，包括一個基片，帶有跟蹤引導槽的和一種在其上形成的根據權利要求1所述的磁光記錄介質。
全文摘要
一種磁光記錄介質,其中在通過根據由光束形成的且具有最大溫度Tr的溫度分布移動疇壁而放大記錄磁疇的同時,復制信息。該記錄介質包括:一個復制層,其中移動疇壁;一個記錄層,用來保持與信息相對應的一個記錄磁疇;及一個截斷層,布置在復制層與記錄層之間,并且具有比復制層和記錄層低的居里溫度。記錄介質滿足如下條件:(Tr－RT)/(Tc
文檔編號G11B11/105GK1355527SQ0113743
公開日2002年6月26日 申請日期2001年11月13日 優先權日2000年11月15日
發明者廣木知之 申請人:佳能株式會社