磁－光記錄介質的制作方法

專利名稱：磁－光記錄介質的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種磁——光記錄介質，尤其與一種能實現磁感應地再現超級分辨能力的磁——光記錄介質有關。
特別是磁感應超級分辨率(MSR)再現方法是作為一種再現小于光斑直徑的記錄標記的方法而提出的。
在該方法中，在再現用激光照射時磁——光盤是轉動的，在該磁盤內含有相堆積著的記錄層和再現層的許多層，以便在磁——光盤的圓周方向形成溫度分布，于是，小的記錄標記便可通過這種溫度分布而讀出。據此，可以獲得相當于實質上用小于再現激光光斑直徑的光斑來再現的分辨率。
此外，作為一種能用磁感應超級分辨率來再現記錄在小于束斑的段(period)內之記錄標記的介質，在日本專利未審定公開NO.2000-200448中已公開了一種磁感應超級分辨能力介質，它是用具有預定特性的三層磁層構成的。
該介質由一層再現層、一層中間層和一層記錄層這三層磁層構成，它是一種雙掩膜(double mask)磁感應超級分辨能力介質(雙掩膜背孔檢測Double mask Rear Aperture DeteceionD-RAD介質)，其中一層低溫掩膜(稱正面掩膜)形成于光束光斑上溫度分布的低溫區，而一層高溫掩膜(稱背面掩膜)做在高溫區。
根據這類介質，記錄標記的長度為0.38μm，是形成在磁道間距為0.9μm的凸區襯底上的，可以用等于或小于300奧斯特的再現磁場重現。
此外，為了進一步提高記錄介質的記錄密度，必須縮減介質半徑方向的磁道間距和縮減記錄標記的記號長度。
作為一種縮短磁道間距以提高密度的方法，有一種方法使用了凸區凹槽襯底在凸區和凹槽上都形成有記錄標記。
即使把凸區凹槽襯底用到D-RAD介質中，只要它是一種約2.3GB/3.5英寸的高密度介質，它就能構成一種難以從鄰近磁道發生串道(cross talk)的介質。
但是，在這種縮減凸區凹槽襯底的磁道間隙以進一步提高介質的容量的情況下，就出現了一個問題從鄰近磁道來的串道不可以忽略不計且再現功率裕度也比設計值更窄了。
例如，當一種磁道間距約0.5μm的高密度D-RAD介質用LD波長為660nm、NA為0.55的光學系統再現時，在從一個鄰近磁道來的串道就會達到不能忽略不計的程度，在數據的記錄和再現的實際應用程度中就會成為一個問題。


圖12和圖13分別說明傳統D-RAD介質的串道對再現功率(Pr)的相關性。
縱軸指的是與發生的串道總量相等的分貝值CNR(dB)，橫軸指的是再現功率(mW)。
圖12涉及一種磁道間距0.65μm的凸區凹槽襯底，圖13則涉及一種磁道間距0.50μm的凸區凹槽襯底。
圖中，在與一個凸區相鄰的一個凹槽內，存有最短標記長為0.300μm的8T標記，其通過串道而漏到凸區的信號的分貝值是可測到的。
根據圖12，即使再現功率Pr從3.6mw上升到約5.5mw(毫瓦)，串道是20dB或更少些，這在實際應用中是不成問題的。
此外，從Pr＝3.8mw作為CNR上升(Prth)到再現成一個其串道等于或小于20dB(到Pr＝5.5mw)的一個點，這一區域可視為再現功率裕度，在圖12的情況下，它有±18.3％的再現功率裕度。
相反，在圖13所示的磁道間距為0.50mw的凸區凹槽襯底中，當再現功率Pr大致為4.5mw時其串道已超過20dB。
即高串道出現在高功率Pr側，即使在低再現功率區，串道的影響也變得顯著了。在圖13中，再現功率裕度縮減為約±9.0％。
可以想像，高串道出現于高功率Pr側似乎是出于以下機理。
圖14是在一個傳統的D-RAD介質再現時對相應磁層的磁化狀態作出的解釋性說明。
圖14指出了作為D-RAD介質三層磁層的再現層51，中間層52和記錄層53的磁化的方向。
在再現磁場61從下方施加的情況下，光束則從上方照射到磁層上。圖14表示出在光束所照之處光束斑點BS附近的磁場狀態，介質沿圖右上方移動，光束斑點上的溫度分布可分成三個區域(低溫區A，中溫區B和高溫區C)。
相對于磁化方向，向上指示記錄方向L1，向下方向則批示擦除方向L2。
如圖14所示，當再現磁場61沿著記錄方向L1施加時，在低溫區A的光束斑點內，中間層52都順著外磁場方向L1磁化，與中間層52交互藕合的再現層51則順著擦除方向L2磁化，于是在再現層51形成低溫掩膜A1。此時，不論低溫區記錄層53的磁化方向如何，中間層52的磁化方向都是一致的，于是在沿著記錄方向L1的記錄層53和中間層52的磁化中間產生一個界面磁壁62。
另一方面，在高溫區C的光束斑點內由于中間層52的磁化達到了居里溫度，自發磁化消失(用空白部分表示)，作用于再現層51的交互藕合力消失。相應地，在高溫區C，再現層51的磁化都與外磁場方向L1一致，即在再現層51，所有的自發磁化都與記錄方向L1一致，于是形成了高溫掩膜C1。
此外，在中溫區B，記錄在記錄層53的記錄標記借助于交互藕合通過中間層52被傳送到再現層51。此處，傳送到再現層51的記錄標記的磁化方向即記錄方向L1。即在此情況下，中溫區B內的磁化方向與高溫掩膜C的方向相同。
圖15(a)和15(b)的視圖是從D-RAD介質上方看到的串道發生的情形。
圖15(b)表示的是磁道間距TP相對較寬的情況和光束斑點BS內的高溫掩膜C1未覆蓋鄰近的記錄標記M1，因而未形成串道。
另一方面，如圖15(a)的情況在磁道間距TP比圖15(b)窄的也有一種由順著記錄方向L1的自發磁化做得的高溫掩膜C1覆蓋著鄰近的記錄標記M1的情況。
可以想像，此時，應當自然屏蔽起來的記錄標記M1是彼此連接的，而且進行傳遞使得和高溫掩膜C1的磁化方向L1一致，從而作為一種串道信號，它會影響鄰近磁道記錄標記的再現。
另一方面，即使高溫區的掩膜沒有覆蓋鄰近磁道的標記的情況下，可以想像，出于以下機理鄰近磁道的標記是會被傳遞的。
如圖16所示，隨著受再現磁場61所決定的記錄方向L1定向的高溫區C的再現層51受磁化，有一漏磁場63在圖中斜箭頭所指示的方向產生。這和處于傳遞狀態時中溫區B內中間層52的磁化方向是相同的，而且作用在助長傳遞的方向。該漏磁場63的形成是隨著再現層51的磁化強度而正比例地增強的，而且是隨著距離的平方反比例地減弱的。
在一般情況下，因為D-RAD介質的再現層51使用的是一種在接近200℃時其飽和磁化強度值隨溫度而正比增高的材料，可以想像，隨著高溫區C的掩膜形成，而且會達到鄰近磁道的記錄標記M1，從高溫區C的再現層51的掩膜來的漏磁場63就會作用于助長傳遞的方向，如圖17所示，它對鄰近磁道有串道作用。
與此相似，在傳統的D-RAD介質內，當磁道做得較窄時，由于再現層內存在著有自發磁化的高溫掩膜，于是就產生串道，所以借助于磁道窄化來實現高密度是受限制的。
據此，從鄰近磁道來的串道得以降低，而且即使當磁道間距較傳統介質的做得還要窄的時候其記錄噪聲和擦除噪聲也能降低。
圖2表示本發明各磁層的組成、居里溫度和補償溫度的圖。
圖3在再現層內和中間層內，飽和磁化和溫度間的關系圖。
圖4本發明磁盤串道對再現功率(磁道間距為0.50μm的襯底)的相關圖。
圖5本發明的一個磁盤再現時的磁化狀態的說明性視圖。
圖6表示本發明的一個磁盤內2T8T圖像的信號再現波形圖。
圖7表示在一個傳統的高溫區內不存在掩膜的磁盤內2T8T圖案的信號再現波形圖。
圖8本發明第二個磁光記錄介質實施例的結構示意圖。
圖9MO振幅和每層磁——光記錄介質再現功率的關系圖。
圖10本發明第三個磁——光記錄介質實施例的結構示意圖。
圖11本發明第四個磁——光記錄介質實施例的結構示意圖。
圖12(磁道間距為0.65μm的襯底)一個傳統D-RAD介質的串道對再現功率的相關圖。
圖13(磁道間距為0.5μm的襯底)一個傳統D-RAD介質的串道對再現功率相關圖。
圖14在傳統D-RAD介質再現時磁化狀態的說明性視圖。
圖15(a)和15(b)在傳統D-RAD介質內串道發生狀態的說明性視圖。
圖16在傳統D-RAD介質中再現時所發生的漏磁場的說明性視圖。
圖17在傳統D-RAD介質中用于說明漏磁場對鄰近磁道的影響的視圖。
這里，當把金屬加到第一磁層以便使第一磁層的居里溫度變得差不多等于第二磁層的居里溫度時，沒有自發磁化的高溫掩膜就會形成。
一種能調節第一磁層的居里溫度和補償溫度的磁性材料可以作這種金屬使用。這種金屬是Cr，Mn，MnCr和Nb中之一種。
在本發明中，諸如玻璃或聚碳酸酯(PC)樹脂可作襯底使用。較為可取的是把一個下面層(底層)做在襯底上，而且該下面層是一種由具有克耳(Kerr)轉角增強性能的材料做成的介電層，尤其是一種諸如SiN或AlN材料可供使用。
作為第一磁層，可以使用一種主要含有GdFeCo并加有諸如Cr或Mn的金屬材料。
作為第二磁層，可以使用一種主要含有GdFeCo或GdFe并加有諸如Si、Al或Ti的金屬材料。
作為第三磁層，可以使用TbFeCo或DyFeCo。
本發明中，第一磁層即通常所說的再現層，其溫度變成或高于預定溫度的第一磁層區即是一個高溫區，在該區域內形成一種在再現記錄標記時阻止信息讀出的掩膜。雖然該預定溫度不可以作為一個常數來預設，但舉例而言，它大約200℃。
在第一磁層高溫區形成的掩膜稱為高溫掩膜。
本發明的磁——光記錄介質可借助于在一片襯底上順次堆積一個高反射系數層、第一磁層、第二磁層和第三磁層而構筑起來。此外，可以做一個下面層插入在襯底和高反射系數層之間。
此外，這種磁光記錄介質可以這樣構筑把第四磁層、第一磁層、第二磁層和第三磁層順次堆積在一片襯底上，第四磁層是用與第二磁層相同的材料做的。可以做一個下面層插在襯底和第四磁層之間。
更進一步，磁——光記錄介質還可以這樣構筑，把一種高反射系數層、第四磁層、第一磁層、第二磁層和第三磁層順次堆積在襯底上。在這種情況下，也可做一個下面層插在襯底和高反射系數層之間。
這里，一種具有可增強反射光量性質的材料可用作高反射系數層，例如，可使用AgPdCu，Al，AlCr和AlTi中的任何一種。
此外，作為襯底，可以使用只在凸區上含有記錄標記的一種凸區襯底，或者既在凸區又在凹槽上含有記錄標記的一種凸區凹槽襯底。
在下文中，本發明將會依據圖示實施例而得到詳細描述。順便提一下，本發明不僅限于此。
圖1是本發明一個磁——光記錄介質(在下文中，常常簡稱為磁盤)實施例的剖視圖。其中，襯底1是一種磁道間距為0.5μm的凸區凹槽襯底。
本發明的磁盤可順次由下面層2，第一磁層3，第二磁層4，第三磁層5，保護層6和熱傳導層4在襯底1上用DC濺射方法形成。一束光從襯底1上面照射到磁盤上，而再現磁場61則從熱傳導層7一側施加上去。
這里，雖然玻璃材料可作襯底1用，SiN作下面層2和保護層6用，但本發明不受此限。
第1磁層3相當于傳統的再現層51，第二磁層4相當于傳統的中間層52，而第三磁層5相當于傳統的記錄層53。
第1磁層3的材料是Gd21.0Fe55.9Co14.4Cr8.7，第二磁層的材料是Gd28.5Fe65.1Co4.3Si2.2，第三磁層的材料是Tb22.3Fe61.4Co16.3。
該熱傳導層7用AlCr。
形成SiN層2和6的濺射條件是壓力為0.8Pa的Ar和N2氣，輸入的電功率為0.8KW，形成磁層3、4和5以及熱傳導層7的濺射條件是壓力為0.5-1.0Pa的Ar氣，輸入電功率為0.5-0.8KW。順便提一下，所達到的真空度是等于或低于5×10-5Pa。
相應各層的膜厚從襯底1處起依次為在下面層內為90nm，在第1磁層內為40nm，在第2磁層內為40nm，在第3磁層內為50nm，在保護層內為60nm和熱傳導層內為15nm。
第一磁層3是一種GdFeCoCr膜(膜厚為40nm)，它顯示從室溫到居里溫度時的縱向磁化，它的補償溫度Tcomp是90℃而居里溫度TC1接近210℃。這里，附加的Cr是一種反鐵磁性材料，加入的目的是調節第一磁層3的居里Tc和校正Tcomp。
本發明的特征在于附加預定數量的Cr以便使第一磁層(再現層)3的居里Tc差不多與第二磁層(中間層)4的居里溫度保持一致。
作為附加到第一磁層3材料，雖然任何材料只要能沿著使它們彼此接近的方向去調節補償溫度Tcomp和居里溫度Tc的都可以用，但有一種具有反鐵磁性或抑制氧化的材料諸如Mn，MnCr或Nb可用來代替Cr。然而，諸如Si或Al這樣的非磁性金屬它不能調節補償溫度Tcomp和居里溫度Tc，因而它們是不能采用的。此外，更可取的是使Cr的附加量處于能得到與中間層的居里溫度相同水平的范圍內。
第二磁層4是一種稀土富磁化(下文中表示為富RE)組合物的面內磁化膜(GdFeCoSi膜膜厚為50nm)，其中單一層內，補償溫度Tcomp看不出會達到居里溫度，而其居里溫度是210℃。第二磁層在預定溫度或更高些時有縱向磁化，以便在堆積著的薄層內把記錄標記的信息傳遞到再現層。
這里，附加了Si以降低居里溫度Tc，而且除了Si，也可附加像Al，Ti或類似的非磁性金屬。更可取的是，Si的附加量可定在能在約200℃時形成高溫掩膜的范圍內。
第三磁層5在室溫(約從10℃-35℃)附近其具有補償溫度為Tcomp，而且是一種過渡金屬富磁化(下文表示為富TM)組合物的TbFeCo膜(膜厚為60nm)，達到居里溫度時顯示出縱向磁化。
圖2表示每層磁層的組合物，居里溫度Tc和補償溫度Tcomp。
圖3表示在再現層3和中間層4內飽和磁化強度Ms和溫度間的關系曲線。這里，橫軸表示溫度(℃)，縱軸表示飽和磁化強度(emu/cc)。
根據本發明再現層3的特性曲線G1，可以得知居里溫度是210℃，補償溫度是90℃。
在圖3中，根據一種傳統的不含Cr的再現層(GdFeCo)的特性曲線G3，其補償溫度Tcomp是20℃，居里溫度是320℃，與本發明再現層(GdFeCoCr)的特性曲線G1比較，雖然其補償溫度Tcomp低，而居里溫度高，但通常其飽和磁化強度Ms也高。
此外，本發明再現層特性曲線G1的居里溫度和中間層特性曲線G2的居里溫度Tc這兩者都約為210℃，彼此差不多是一致的。
此外，因為本發明再現層3的特性曲線G1的飽和磁化的強度比傳統的再現層特性曲線G3的低，結果來自再現層的漏磁場就低。
雖然圖3也示出了以GdFeCoSi層作為附加了Si的再現層的特性曲線G4以資比較，由于Si是用來代替Cr的，其補償溫度Tcomp低至僅約20℃。雖然其居里溫度通過提高Si的附加量而能進一步下降，但Tcomp是不能再增高了。按照這條特性曲線G4，因為它的變化是與傳統再現層的特性曲線G3相似的，即使加了Si，也不可能作出調整去降低居里溫度Tc和增高補償溫度Tcomp。
下面，將對示于圖1中的本發明磁盤的串道進行評估。
圖4是本發明磁——光記錄介質的串道對再現功率的相關圖。它表示漏到凸區的CNR的測量值，這是用LD波長為660nm、NA為0.55的測試器測得的，在此情況中鄰近凸區的凹槽中記錄的是8T標記。
根據圖4，20dB的串道發生在再現功率Pr約為5.7mw處。即不論用的是小于傳統的磁道間距為0.5μm的凸區凹槽襯底的事實，再現功率的裕度成為約±27.3％，由此可知，比起圖13所示傳統的D-RAD介質來，串道對鄰近標記的影響可以得到更有效的抑制。
如上所述，在本發明的磁——光記錄介質中，為了減少串道，可以把Cr作為構筑再現層的組成材料加入以便使再現層3的居里溫度差不多與中間層4的一致。可以想像，串道減少了，換句話說，再現功率裕度是提高了，這是因為在形成于再現層3高溫區C內的高溫掩膜中沒有自發磁化存在。
圖5是在本發明的磁——光記錄介質再現時其磁化狀態的說明性剖視圖。
它與表示于圖14中傳統D-RAD介質的比較，在低溫區A與現有技術相似，用再現磁場61在再現層形成低溫掩膜，而在中溫區B，記錄層的磁化傳遞到再現層。但是，本發明中圖5的磁化狀態不同于現有技術的是在高溫區C的再現層3和中間層4中不存在自發磁化(用空白部分表示)。
相應地，可以說形成在高溫區C的高溫掩膜是一種不存在自發磁化的掩膜。
因為高溫掩膜是一種不存在自發磁化的掩膜，則圖16和圖17中所說的漏磁場63就不會產生，就不會招致鄰近磁道記錄標記的遷移。即可以說，對鄰近磁道的串道就不會發生。此外，由于在圖5的再現層3的高溫區C中不存在自發磁化，也就沒有東西進入其中，然而，在這里就形成了禁止讀出信息的高溫掩膜。這可由以下再現波形進一步證實。
圖6是一種觀察到的再現波形，它相應于在本發明的磁——光介質內通過光調制而記錄下的2T和8T連續記錄標記的圖象。
圖7是觀察到的一種介質其2T8T連續標記的再現波形，其中只存在低溫掩膜，而形成在傳統磁盤內高溫區的高溫掩膜則沒有。其水平方向是時間軸，其縱向的上部指示一個標記而下部指示的是再現出來的空白。
在圖7中，在8T空白再現之后，2T標記的再現信號的幅值減少了。另一方面，在圖6中，可以看出卻使8T空白再現之后，2T標記的幅值也并未變壞。
在圖7的傳統磁盤中，可以想像因為波形干涉通過圓周方向的串道發生在2T標記再現之時，其幅值就變小。另一方面，在圖6所示本發明的磁盤中，再現信號的波形干涉很難發生，可以說其分辨率是高的，于是可以獲得幅值沒有惡化的波形，可以認為在高溫區C形成了所謂的掩膜。
即根據上述結果，在圖1所示本發明的磁盤中，因為沒有自發磁化的高溫掩膜形成在再現層3的高溫度區C，就獲得了具有足夠的再現功率裕度的再現信號，串道也能得以減少。
下面，將對高溫掩膜的形成導致的噪聲予以描述。一般，在高溫掩膜形成時，由于自發磁化的波動會產生噪聲分量。如果這種噪聲分量大，信號質量(SNR信噪比)就受影響，相應地就希望這種分量要盡可能地小。
記錄在記錄層5的記錄標記為0.300μm時，噪聲分量可用磁——光記錄和再現設備(MO儀)測量，在圖1本發明的磁盤中，記錄噪聲是5.64mV，擦除噪聲是5.08mV。
另一方面，在傳統的D-RAD介質中，記錄噪聲為9.04mV，擦除噪聲為6.35mV。
即在本發明的介質中，與現有技術相比，記錄噪聲下降1/2.6倍(8.4dB)。相應地，可以說與傳統介質相比，記錄噪聲和擦除噪聲都下降很多。
可以想像這是由于這些事實引起的，即因為在再現層3的高溫區形成的高溫掩膜是沒有自發磁化的，當再現層3是沿著外磁化方向磁化時由所引發的磁化旋轉產生的噪聲就不會發生。
迄今，作為第1個實施例，它描述的是在第1磁層(再現層3)內附加Cr，在再現層的高溫區C形成的高溫掩膜沒有自發磁化，從而減少了串道。但是，在所述磁盤中，即使如前所述用Mn，MnCr和Nb中任何一種金屬來代替Cr，也可以獲得相似的效果。
此外，在第1實施例中，雖然Cr的加入量是8.7％，但本發明不受此限，只要所得的組分區間能達到中間層的居里溫度，它也能取得降低串道的相似效果。
(第2實施例)圖8是一個磁盤的結構剖視圖，相對于第1實施例中構成的磁盤而言，其中，在下面層2和第1磁層3之間提供了一層高反射系數層11。
當加入高反射系數層11時，對載波(信號質量SNR中的S)有影響的MO振幅能得到放大。
作為高反射系數層11，可以用AgPdCu.不過，除了高反射系數層11以外，各層薄膜的膜厚度狀況和膜形成條件可以與第1實施例同，而AgPdCu層也可在同第1實施例的熱傳導層相同的條件下形成。此外，作為高反射系數層11，除了AgPdCu，還可以用Al、AlCr、AlTi；或同樣有高反射系數的材料。
此外，如高反射系數層非常厚，第1磁層3的磁化信息就無法再現，因而其厚度必須做得使預定的光束量能夠透過。這里，AgPdCu層厚度約為2nm。
在第1實施例的磁盤中，由于第1磁層的居里溫度設得比現有技術的低，其克爾(Kerr)旋轉角θK也稍低些。于是，當加入諸如具有高反射數R的AgPdCu層11時，所觀察到的MO振幅就能在量上按正比于R×θK的比例而恢復起來，結果，克爾(Kerr)旋轉角也能提高。
圖9是MO振幅和每種磁——光記錄介質再現功率的關系曲線圖。這里，曲線a1涉及圖1所示本發明第1實施例的磁——光記錄介質，曲線a2涉及圖8所示本發明第2實施例的磁——光記錄介質，曲線b1涉及圖14所示傳統D-RAD介質，曲線b2涉及加有高反射系數層的傳統D-RAD介質的一種介質。
橫軸表示再現功率Pr而縱軸表示MO振幅。根據此圖，可以了解與曲線a1的磁盤和曲線b1的磁盤相比較，由于曲線a2的磁盤和曲線b2的磁盤都加了高反射系數層，相應地，其MO振幅提高了。即，借助于所加的高反射系數層11，在傳統D-RAD介質和本發明第2實施例的磁盤中其MO振幅都提高了。
進一步，把曲線a2和曲線b2相比，在第2實施例的磁盤中，可以說M0振幅能差不多恢復到傳統磁盤的同樣水平。此外，在第2實施例的磁盤中，相對于串道的再現功率裕度變成約±28.2％，且串道能壓低到第1實施例的同樣水平。
(第3實施例)圖10是本發明第3實施例的磁——光記錄介質的結構剖視圖。在這磁——光記錄介質中，相對于圖1所示的第1實施例而言，在下面層2和第1磁層3之間加有組分和第2磁層4相同的第4磁層12。這里，第4磁層12是一種厚度約30nm的GdFeCoSi層，而且在與第2磁層相同的條件下形成。其他各層的膜厚狀態和成膜條件與第1實施例同。
這里，第4磁層12的克爾(Kerr)旋轉角θK在高溫(約150℃-200℃)相比第1磁層3的大約0.05度。因而，磁盤的MO振幅能得以放大。用MO儀觀察，MO振幅比第1實施例約大10％。相對串道的再現功率裕度約±28.0％，差不多與第2實施例相同。
相應地，也在第3實施例的這種介質中，減少串道的效果，保證再現功率裕度和提高MO振幅都能同樣得到。
(第4實施例)圖11是本發明第4個磁——光記錄介質實施例的結構剖視圖。
在這個介質中，相對于第3實施例的磁——光記錄介質而言，把高反射系數層13加在下面層2和第4磁層12之間。這里，作為高反射系數層13，同樣可用第2實施例中所示的AgPdCu層，或者與它相似的材料。相應層的膜厚和膜形成條件都按上述實施例相同。
這里，在把約2nm的AgPdCu層形成為高反射系數層13的情況下，其MO振幅要比第3實施例的大約20％。相對串道的再現功率裕度是±28.5％。
相應地，在第4實施例的介質中，可以知道相對于帶有窄磁道間距的高密度襯底而言，也能實現減少串道，保證足夠的功率裕度和提高MO振幅的目的。
此外，相似于第1實施例，在第4實施例中它也能減少因掩膜噪聲引發的噪聲。
附帶提及，雖然所提供的襯底在實施例中是放在第1磁層側的，但襯底也可以放在熱傳導層側，使得可以進行前向照射。
按照本發明，由于沒有自發磁化的高溫掩膜是在第1磁層(再現層)的高溫區形成的，以便保存信息用于記錄標記的再現，即使在磁——光記錄介質中使用了其磁道間距比傳統的還要窄的凸區凹槽襯底，但仍能實現減少從鄰近磁道來的串道以及降低記錄噪聲和擦除噪聲的目的。
此外，因為用作實現記錄標記再現的第1磁層的居里溫度是做得和用作實現記錄標記交換藕合的第2磁層(中間層)的居里溫度幾乎一致的，即使在使用其磁道間距比傳統窄的凸區凹槽襯底的磁——光記錄介質中，減少從鄰近磁道來的串道和降低記錄噪聲和去磁噪聲也是能實現的。
進而言之，因為把含Cr的磁性材料用于第1磁層，即使使用了磁道間距比傳統窄的凸區凹槽襯底的磁——光記錄介質中，減少來自鄰近磁道的串道和降低記錄噪聲和去磁噪聲也是能實現的。
此外，在所提供的高反射系數層與下面層是緊密接觸的，下面層又做得與襯底是緊密接觸的情況下，在窄磁道間距的凸區凹槽襯底上，除了可減少串道的產生以外，MO振幅也能得以改進。
權利要求
1.一種至少包括第1磁層、第2磁層和第3磁層三層磁層的磁——光記錄介質，在該介質中，經光束照射而記錄在第3磁層上的記錄標記通過第2磁層被轉移到第1磁層上以便再現，而第2磁層是形成在第3磁層上的，第1磁層是形成在第2磁層上的，其中，第1磁層在其溫度變到等于或高于預設溫度的一個區域內具有一種不存在自發磁化的高溫掩膜。
2.根據權利要求1的磁——光記錄介質，其中，第1磁層是用加了一種金屬的磁性材料制成的，以便使第1磁層的居里溫度變成差不多等于第2磁層的居里溫度。
3.根據權利要求2的磁——光記錄介質，其中，所述的金屬是一種能調節第1磁層的居里溫度和補償溫度的磁性材料。
4.根據權利要求2的磁——光記錄介質，其中，所述的金屬是選取自含有Cr、Mn、MnCr和Nb的組的。
5.根據權利要求1-4任何一項中的磁——光記錄介質，其中，一種高反射系數層、第1磁層、第2磁層和第3磁層是順次堆積的。
6.根據權利要求1-4任何一項中的磁——光記錄介質，其中，一種第4磁層、第1磁層、第2磁層和第3磁層是順次堆積著的，該第4磁層是用同第2磁層相同的材料制成的。
7.根據權利要求1-4任何一項中的磁——光記錄介質，其中，一種高反射系數層、一種第4磁層、第1磁層、第2磁層和第3磁層是順序堆積的，該第4磁層是用與第2磁層相同的材料制成的。
8.根據權利要求1-4任何一項中的磁——光記錄介質，其中，一種高反射系數層、第1磁層，第2磁層和第3磁層是順次堆積在位于襯底上的一個下面層上的，而該襯底是一種僅在凸區上含有記錄標記的凸區襯底，或者是一種在凸區和凹槽上都含有記錄標記的凸區凹槽襯底。
9.根據權利要求1-4任何一項中的磁——光記錄介質，其中，一種第4磁層、第1磁層、第2磁層和第3磁層順次堆積在位于襯底上的一個下面層上，該第4磁層是用與第2磁層相同的材料制成的，而襯底是一種僅在凸區上含有記錄標記的凸區襯底，或者是一種在凸區和凹槽上都含有記錄標記的凸區凹槽襯底。
10.根據權利要求1-4任何一項中的磁——光記錄介質，其中，一種高反射系數層、一種第4磁層、第1磁層、第2磁層和第3磁層順次堆積在位于襯底上的一個下面層上，該第4磁層是用與第2磁層相同的材料制成的，而襯底是一種僅在凸區上含有記錄標記的凸區襯底或者是一種在凸區和凹槽上都含有記錄標記的凸區凹槽襯底。
11.根據權利要求5的磁——光記錄介質，其中，所述的高反射系數層是用選自含有AgPdCu，Al，AlCr和AlTi的組的材料制成的。
12.根據權利要求7的磁——光記錄介質，其中，所述的高反射系數層是用選自含有AgPdCu，Al，AlCr和AlTi的組的材料制成的。
13.根據權利要求8的磁——光記錄介質，其中，所述的高反射系數層是用選自含有AgPdCu，Al，AlCr和AlTi的組的材料制成的。
14.根據權利要求10的磁——光記錄介質，其中，所述的高反射系數層是用選自含有AgPdCu，Al，AlCr和AlTi的組的材料制成的。
全文摘要
一種至少包含第1磁層、第2磁層、第3磁層三層磁層的磁——光記錄介質,其中,經光束照射而記錄在第3磁層上的記錄標記經第2磁層被轉移到第1磁層上以便再現,而第2磁層是形成在第三磁層上的,第1磁層是形成在第2磁層上的,其中,第1磁層在其溫度變到等于或高于預設溫度的一個區域內具有一種不存在自發磁化的高溫掩膜。
文檔編號G11B11/00GK1388528SQ0113050
公開日2003年1月1日 申請日期2001年11月15日 優先權日2001年5月25日
發明者玉野井健 申請人:富士通株式會社