一種內嵌式觸摸屏及顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及觸控技術領域，尤其涉及一種內嵌式觸摸屏及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]目前，現有的內嵌(Incell)式觸摸屏是利用互電容或自電容的原理實現檢測手指觸摸位置。其中，利用自電容的原理可以在觸摸屏中設置多個同層設置且相互絕緣的自電容電極，當人體未觸碰屏幕時，各自電容電極所承受的電容為一固定值，當人體觸碰屏幕時，對應的自電容電極所承受的電容為固定值疊加人體電容，觸控偵測芯片在觸控時間段通過檢測各自電容電極的電容值變化可以判斷出觸控位置。由于人體電容可以作用于全部自電容，相對于人體電容僅能作用于互電容中的投射電容，由人體碰觸屏幕所引起的觸控變化量會大于利用互電容原理制作出的觸摸屏，因此相對于互電容的觸摸屏能有效提高觸控的信噪比，從而提高觸控感應的準確性。
[0003]在上述電容式內嵌觸摸屏的結構設計中，需要在現有的顯示面板內部增加加新的膜層，導致在制作面板時需要增加新的工藝，使生產成本增加，不利于提高生產效率。
【實用新型內容】
[0004]有鑒于此，本實用新型實施例提供了一種內嵌式觸摸屏及顯示裝置，用以降低內嵌式觸摸屏的生產成本、提高生產效率。
[0005]因此，本實用新型實施例提供的一種內嵌式觸摸屏，包括具有呈陣列排布的多個像素區域的陣列基板，在所述陣列基板上還包括:
[0006]被分割成多個相互獨立的自電容電極的公共電極層；各所述自電容電極覆蓋多個像素區域；
[0007]與所述自電容電極異層設置且對應連接的觸控數據線，各所述觸控數據線在所述陣列基板的正投影均位于像素區域之間間隙所在區域內；
[0008]通過所述觸控數據線與各自電容電極連接的觸控偵測芯片，用于通過所述觸控數據線在顯示時間段對各所述自電容電極加載公共電極信號，在觸控時間段通過所述觸控數據線檢測各所述自電容電極的電容值變化以判斷觸控位置。
[0009]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述內嵌式觸摸屏中，在所述陣列基板的各像素區域內具有位于所述公共電極層下方的薄膜晶體管結構，所述觸控數據線位于所述公共電極層與所述薄膜晶體管結構之間的膜層。
[0010]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述內嵌式觸摸屏中，在所述陣列基板上還包括:相互交叉而置的柵極信號線和數據信號線；
[0011 ] 所述觸控數據線的延伸方向與所述柵極信號線相同，或與所述數據信號線相同。
[0012]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述內嵌式觸摸屏中，所述內嵌式觸摸屏的邊框具有四個側邊，各所述自電容電極在所述觸控數據線互不交叉的基礎上通過對應的所述觸控數據線連接至距離最近的側邊后與所述觸控偵測芯片連接。
[0013]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述內嵌式觸摸屏中，所述觸控數據線在所述陣列基板上分布均勻。
[0014]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述內嵌式觸摸屏中，在所述陣列基板上還包括:位于所述公共電極層與所述觸控數據線所在膜層之間的像素電極；
[0015]與所述像素電極同層設置且相互絕緣的第一導通部，所述自電容電極通過所述第一導通部與對應的觸控數據線連接。
[0016]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述內嵌式觸摸屏中，在所述陣列基板上還包括:位于所述公共電極層之上的像素電極；
[0017]與所述公共電極層同層設置且相互絕緣的第二導通部，所述薄膜晶體管的漏極通過所述第二導通部與所述像素電極連接。
[0018]在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述內嵌式觸摸屏中，所述薄膜晶體管結構為底柵型薄膜晶體管或頂柵型薄膜晶體管；
[0019]在所述薄膜晶體管結構為頂柵型薄膜晶體管時，在所述頂柵型薄膜晶體管與襯底基板之間還設置有遮光層；所述遮光層的圖案在所述陣列基板的正投影覆蓋所述薄膜晶體管結構中柵極的圖案的正投影。
[0020]本實用新型實施例提供的一種顯示裝置，包括本實用新型實施例提供的上述內嵌式觸摸屏。
[0021]本實用新型實施例的有益效果包括:
[0022]本實用新型實施例提供的一種內嵌式觸摸屏及顯示裝置，利用自電容的原理復用公共電極層作為自電容電極，將公共電極層圖形進行變更，分割成多個相互獨立的自電容電極；并在陣列基板上增加連接各自電容電極與觸控偵測芯片的觸控數據線，各觸控數據線在陣列基板的正投影均位于像素區域之間間隙所在區域內，會被觸摸屏中的黑矩陣遮擋不會影響像素的開口率；觸控偵測芯片在觸控時間段通過檢測各自電容電極的電容值變化可以判斷出觸控位置。由于本實用新型實施例提供的觸摸屏是將公共電極層的結構進行變更分割成自電容電極，因此，在現有的陣列基板制備工藝的基礎上，不需要增加額外的工藝，節省了生產成本，提高了生產效率。
【附圖說明】
[0023]圖1為本實用新型實施例提供的內嵌式觸摸屏的結構示意圖；
[0024]圖2a至圖2d分別為本實用新型實施例提供的內嵌式觸摸屏的側視示意圖；
[0025]圖3a和圖3b分別為本實用新型實施例提供的內嵌式觸摸屏的驅動時序不意圖；
[0026]圖4a和圖4b分別為本實用新型實施例提供的內嵌式觸摸屏中相鄰的自電容電極相對的側邊設置為折線的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0027]目前，能夠實現寬視角的液晶顯示技術主要有平面內開關(IPS，In-PlaneSwitch)技術和高級超維場開關(ADS，Advanced Super Dimens1n Switch)技術；其中，ADS技術通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優點。
[0028]本實用新型實施例基于傳統的ADS技術以及ADS技術的一種重要改進方式H-ADS (高開口率-高級超維場開關)，提出了新的電容式內嵌觸摸屏結構。
[0029]下面結合附圖，對本實用新型實施例提供的內嵌式觸摸屏及顯示裝置的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0030]附圖中各膜層的厚度和形狀不反映真實比例，目的只是示意說明本【實用新型內容】。
[0031]本實用新型實施例提供的一種內嵌式觸摸屏，如圖1所示，包括具有呈陣列排布的多個像素區域01的陣列基板100，在陣列基板100上還包括:
[0032]被分割成多個相互獨立的自電容電極02的公共電極層；各自電容電極02覆蓋多個像素區域01 ；
[0033]與自電容電極02異層設置且對應連接的觸控數據線03，各觸控數據線03在陣列基板100的正投影均位于像素區域01之間間隙所在區域內；
[0034]通過觸控數據線03與各