陣列基板及其制備方法、觸摸屏的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種陣列基板及其制備方法、觸摸屏，屬于顯示技術領域，其可至少部分解決現有的陣列基板中公共電極層與觸控線之間的電阻過大、導致顯示和觸控不良的問題。本發明的陣列基板包括薄膜晶體管和位于薄膜晶體管上方的公共電極層、觸控線，觸控線與公共電極層通過連接電極連接，其中，連接電極包括第一連接電極和第二連接電極，觸控線通過第一連接電極與觸控連接端連接，公共電極層通過第二連接電極與觸控連接端連接。本發明的陣列基板中，公共電極層與觸控線通過觸控連接端間接連接，能夠減小公共電極層與觸控線之間的電阻，避免顯示和觸控不良。
【專利說明】
陣列基板及其制備方法、觸摸屏
技術領域
[0001]本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、觸摸屏。
【背景技術】
[0002]觸摸屏又稱為觸摸面板，其己經在各種電子產品中廣泛應用并被消費者廣泛接受，因此，業界一直致力于提高觸摸屏顯示技術以給消費者帶來更好的用戶體驗。
[0003]在現有的內嵌式電容觸摸屏中，觸摸屏可分為On-Cel I觸摸屏和In-Cel I觸控屏，其中，In-Cell觸控屏又可分為復合內嵌式(Hybrid In-Cell，簡稱HIC)電容觸摸屏和完全內嵌式(Full In-Cell，簡稱FIC)電容觸摸屏。
[0004]現有的FIC電容觸摸屏，其陣列基板中公共電極層與觸控線連接的結構如圖1所示，公共電極層I與觸控線的連接層2之間設置有絕緣層3，絕緣層3開設有過孔，公共電極層I通過過孔與連接層2搭接，實現公共電極層I與觸控線連接。在低溫多晶硅技術工藝中，連接層2與薄膜晶體管中的源極、漏極同層設置，并采用電阻率較低的Ti/Al/Ti三層金屬結構形成。
[0005]發明人發現現有技術中至少存在如下問題:
[0006]觸控線的連接層2采用Ti/Al/Ti三層金屬結構形成，其中，Ti在包含等離子體的環境中或者從高溫環境轉換到低溫環境將被氧化，形成氧化鈦。氧化鈦附著在連接層2的表面將極大地增加公共電極層I與連接層2的接觸電阻，導致觸控和顯示不良；并且，附著在連接層2表面的氧化鈦為非水溶性，難以去除。
【發明內容】
[0007]本發明為至少部分解決現有的上述的問題，提供一種陣列基板及其制備方法、觸摸屏，該陣列基板能夠顯著減小公共電極層與觸控線之間的接觸電阻，有效避免觸控和顯示不良。
[0008]解決本發明技術問題所采用的技術方案是提供一種陣列基板，包括薄膜晶體管和位于所述薄膜晶體管上方的公共電極層、觸控線，還包括觸控連接端，所述觸控連接端與所述觸控線異層、且無重疊設置，所述觸控線與所述公共電極層通過連接電極連接，其中，所述連接電極包括第一連接電極和第二連接電極，所述觸控線通過所述第一連接電極與所述觸控連接端連接，所述公共電極層通過所述第二連接電極與所述觸控連接端連接。
[0009]優選的是，所述公共電極層和所述觸控連接端之間設置有第一絕緣層和位于所述第一絕緣層上方的第二絕緣層，所述觸控線位于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間，所述觸控線向其一側延伸出輔助連接端，所述輔助連接端與所述觸控連接端在正投影方向上至少部分重疊，所述第一絕緣層在對應著所述輔助連接端與所述觸控連接端重疊的區域開設有第一過孔，所述第一連接電極設置于所述第一過孔中；所述第一絕緣層在對應著所述觸控連接端與所述輔助連接端未重疊的區域開設有第二過孔，所述第二絕緣層開設有與所述第二過孔同心的第三過孔，所述第二連接電極設置于所述第二過孔和所述第三過孔中。
[0010]優選的是，所述薄膜晶體管包括依次層疊設置的柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，所述觸控線與所述源極同層設置，所述觸控連接端與所述柵極同層設置。
[0011]優選的是，還包括數據線，所述數據線與所述觸控線同層設置、且與所述觸控線平行、間隔設置。
[0012]優選的是，所述第一過孔、所述第二過孔和所述第三過孔均為錐形孔結構。
[0013]優選的是，所述第二過孔的最大孔徑小于或等于所述第三過孔的最小孔徑。
[0014]優選的是，所述觸控線、所述源極和所述漏極均采用三層結構，所述三層結構依次采用鈦、鋁、鈦制備。
[0015]優選的是，所述柵極和所述觸控連接端采用鉬制備。
[0016]本發明提供的另一種技術方案:一種觸摸屏，包括上述陣列基板。
[0017]本發明提供的另一種技術方案:一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0018]形成包括觸控連接端的圖形；
[0019]在所述觸控連接端的上方形成第一絕緣層，所述第一絕緣層中開設有第一過孔和第二過孔；
[0020]在所述第一絕緣層上方形成包括觸控線以及向所述觸控線的一側延伸形成輔助連接端的圖形，所述輔助連接端的正投影與所述第一過孔重疊，并在所述第一過孔內形成第一連接電極，所述第一連接電極連接所述輔助連接端和所述觸控連接端；
[0021]在所述觸控線的上方形成第二絕緣層，所述第二絕緣層中開設有與所述第二過孔同心的第三過孔；
[0022]在所述第二絕緣層的上方形成包括公共電極層的圖形，并在所述第二過孔和所述第三過孔內形成第二連接電極，所述第二連接電極連接所述公共電極層和所述觸控連接端。
[0023]優選的是，在形成所述觸控連接端的步驟中，采用同一構圖工藝同層形成包括柵極的圖形;在形成所述觸控線的步驟中，采用同一構圖工藝形成包括源極、漏極的圖形。
[0024]優選的是，所述第一過孔、所述第二過孔以及所述第三過孔均為錐形孔結構，所述第二過孔的最大孔徑小于或等于所述第三過孔的最小孔徑。
[0025]優選的是，所述觸控線采用三層結構，所述三層結構依次采用鈦、鋁、鈦制備，所述觸控連接端采用鉬制備。
[0026]本發明的陣列基板及其制備方法，將陣列基板中的觸控線與公共電極層通過第一連接電極、第二連接電極連接，并且第一連接電極與觸控連接端連接，第二連接電極與觸控連接端連接，從而實現第一連接電極與第二連接電極通過觸控連接端間接連接，這樣相比現有的公共電極層與觸控線的輔助連接端直接接觸連接的結構，能夠顯著減小公共電極層與觸控線之間的接觸電阻，有效避免了觸控和顯示不良。
[0027]本發明的觸控屏包括上述陣列基板，能夠顯著減小公共電極層與觸控線之間的接觸電阻，有效避免了觸控屏的觸控和顯示不良。
【附圖說明】
[0028]圖1為現有的陣列基板的局部剖視圖；
[0029]圖2為本發明的實施例1的陣列基板的局部剖視圖；
[0030]圖3為本發明的實施例1的陣列基板的局部結構透視圖；
[0031]圖4為本發明的實施例2的陣列基板的制備方法的流程框圖；
[0032]圖5A_f5D為對應著圖2中陣列基板的制備流程的局部剖視圖；
[0033]其中，附圖標記為:
[0034]1、公共電極層;2、連接層;3、絕緣層；
[0035]4、觸控線;5、第一連接電極;6、第二連接電極;7、觸控連接端;8、第一絕緣層;9、第二絕緣層;1、輔助連接端;11、第一過孔;12、第二過孔;13、第三過孔;14、數據線。
【具體實施方式】
[0036]為使本領域技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明作進一步詳細描述。
[0037]實施例1:
[0038]本實施例提供一種陣列基板，圖2為本實施例的陣列基板的局部剖視圖，圖3為本實施例的陣列基板的局部結構透視圖，如圖2、圖3所示，陣列基板包括薄膜晶體管和位于薄膜晶體管上方的公共電極層1、觸控線4，還包括觸控連接端7，觸控連接端7與觸控線4異層、且無重疊設置，觸控線4與公共電極層I通過連接電極連接，其中，連接電極包括第一連接電極5和第二連接電極6，觸控線4通過第一連接電極5與觸控連接端7連接，公共電極層I通過第二連接電極6與觸控連接端7連接。這樣，實現了公共電極層I與觸控線4通過觸控連接端7間接連接，能夠顯著減小公共電極層I與觸控線4之間的接觸電阻。
[0039]具體的，公共電極層I和觸控連接端7之間設置有第一絕緣層8和位于第一絕緣層8上方的第二絕緣層9，觸控線4位于第一絕緣層8與第二絕緣層9之間，觸控線4向其一側延伸出輔助連接端10，輔助連接端10與觸控連接端7在正投影方向上至少部分重疊，第一絕緣層8在對應著輔助連接端10與觸控連接端7重疊的區域開設有第一過孔11 (如圖5A中所示)，第一連接電極5設置于第一過孔11中；第一絕緣層8在對應著觸控連接端7與輔助連接端10未重疊的區域開設有第二過孔12(如圖5A中所示)，第二絕緣層9開設有與第二過孔12同心的第三過孔13(如圖5C中所示)，第二連接電極6設置于第二過孔12和第三過孔13中。這樣，公共電極層I通過第二連接電極6與觸控連接端7連接，輔助連接端10通過第一連接電極5也與觸控連接端7連接，從而實現了公共電極層I與輔助連接端10間接連接，并且輔助連接端1連接在觸控線4上，整體上顯著減小了公共電極層I與觸控線4之間的接觸電阻。
[0040]為了第一連接電極5和第二連接電極6便于形成、且結構穩定，優選第一過孔11、第二過孔12和第三過孔13均為錐形孔結構。并且，第二過孔12的最大孔徑小于或等于第三過孔13的最小孔徑，即第二過孔12與第三過孔13采用大小全套孔的形式。這樣，在形成輔助連接端10與觸控線4的圖形的同時，能夠一并形成結構穩定的第二連接電極6，相比現有的陣列基板，不僅沒有增加構圖工藝的次數，而且使輔助連接端10與觸控連接端7形成了可靠的搭接。同理，在形成公共電極層I的圖形的同時，能夠一并形成結構穩定的第一連接電極5，相比現有的陣列基板，不僅沒有增加構圖工藝的次數，而且使公共電極層I與觸控連接端7形成了可靠的搭接。
[0041]薄膜晶體管包括依次層疊設置的柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，觸控線4與源極同層設置，觸控連接端7與柵極同層設置。這樣，能夠采用同一構圖工藝形成觸控線4與源極的圖形，以及采用同一構圖工藝形成觸控連接端7與柵極的圖形，相比現有的陣列基板，并沒有增加構圖工藝的次數。
[0042]本實施例的陣列基板還包括數據線14，數據線14與觸控線4同層設置、且與觸控線4平行、間隔設置。這樣，能夠采用同一構圖工藝形成數據線14與觸控線4，不會增加構圖工藝的次數。
[0043]此外，觸控線4、輔助連接端10、源極和漏極均采用三層結構，三層結構依次采用鈦、鋁、鈦制備。柵極和觸控連接端7采用鉬制備。由于觸控連接端7采用鉬制備，能夠使觸控連接端7與第一連接電極5和第二連接電極6之間的接觸電阻保持在較低的水平，相比現有的陣列基板中公共電極層I與觸控線的連接層2直接接觸，能夠顯著減小公共電極層I與觸控線4之間的電阻，避免了觸控和顯示不良。
[0044]本實施例的陣列基板中，首先，觸控線4的輔助連接端10與公共電極層I之間依次通過第一連接電極5、觸控連接端7和第二連接電極6間接連接，減小了觸控線4與公共電極層I之間的電阻，避免了觸控和顯示不良；其次，觸控連接端7與柵極同層設置，且觸控線4與源極同層設置，使本實施例的陣列基板相比現有的陣列基板并沒有增加構圖工藝的次數，也沒有增加制備成本。
[0045]實施例2:
[0046]本實施例提供一種陣列基板的制備方法，該方法用于形成實施例1中的陣列基板。圖4為本實施例的陣列基板的制備方法的流程框圖，如圖4所示，該方法包括以下步驟:
[0047]步驟S1:形成包括觸控連接端的圖形。
[0048]在此步驟中，還包括采用同一構圖工藝同層形成包括柵極的圖形，也就是說，薄膜晶體管的柵極的圖形與觸控連接端7的圖形采用同一構圖工藝同層形成，相比現有的陣列基板的制備工藝，本步驟中雖然增設了觸控連接端7，但并沒有增加構圖工藝的次數。觸控連接端7的形狀可以為矩形、圓形、橢圓形等，只要保證觸控連接端7具有足夠的尺寸，能夠與后續形成的第一電極和第二電極同時接觸即可。
[0049]此外，柵極和觸控連接端7采用鉬制備，其電阻較小。
[0050]步驟S2:在觸控連接端的上方形成第一絕緣層，第一絕緣層8中開設有第一過孔和第二過孔。
[0051]如圖5A所示，第一過孔11和第二過孔12均為錐形孔結構、且靠近觸控連接端7的一端的孔徑小于遠離觸控連接端7的一端的孔徑。這樣，有利于在第一過孔11和第二過孔12中形成電極。
[0052]步驟S3:在第一絕緣層上方形成包括觸控線以及向觸控線的一側延伸形成輔助連接端的圖形，輔助連接端的正投影與第一過孔重疊，并在第一過孔內形成第一連接電極，第一連接電極連接輔助連接端和觸控連接端。
[0053]如圖5B所示，在此步驟中，采用同一構圖工藝形成觸控線、輔助連接端10、第一連接電極5的圖像，同時一并形成包括源極、漏極的圖形。這樣，實現了觸控線的輔助連接端10與觸控連接端7通過第一連接電極5連接，并采用同一構圖工藝形成上述結構，能夠簡化制備流程。
[0054]此外，觸控線和輔助連接端采用三層結構，三層結構依次采用鈦、鋁、鈦制備，不僅工藝成熟，而且成本較低。
[0055]步驟S4:在觸控線的上方形成第二絕緣層，第二絕緣層中開設有與第二過孔同心的第三過孔。
[0056]如圖5C所示，在此步驟中，第三過孔13為錐形孔結構、且第二過孔12的最大孔徑小于或等于第三過孔13的最小孔徑，即第二過孔12與第三過孔13之間形成大小全套孔的形式。這樣，有利于在第二過孔12和第三過孔13中形成電極。
[0057]步驟S5:在第二絕緣層的上方形成包括公共電極層的圖形，并在第二過孔和第三過孔內形成第二連接電極，第二連接電極連接公共電極層和觸控連接端。
[0058]如圖5D所示，在此步驟中，采用構圖工藝形成公共電極層I的圖形的同時，一并在第二過孔12和第三過孔13內形成第二連接電極6，從而通過第二連接電極6實現公共電極層I與觸控連接端7的連接。
[0059]本實施例的陣列基板的制備方法設置觸控線的輔助連接端10與公共電極層I依次通過第一連接電極5、觸控連接端7和第二連接電極6間接連接，由于觸控連接端7采用鉬制備，能夠減小觸控線與公共電極層I之間的電阻，避免了觸控和顯示不良；其次，觸控連接端7與柵極同層設置，且觸控線與源極同層設置，使本實施例的制備方法相比現有的制備方法并沒有增加構圖工藝的次數，也沒有增加制備成本。
[0060]實施例3:
[0061]本實施例提供一種觸摸屏，該觸摸屏包括實施例1中的陣列基板。
[0062]該觸摸屏可具體為FIC電容觸摸屏，并運用于液晶顯示面板、手機、平板電腦、數碼相機、導航儀等任何具有顯示功能和觸控功能的產品或部件，不僅能夠避免觸控和顯示不良的現象出現，而且相比現有的觸摸屏并沒有增加構圖工藝的次數，也沒有增加制備成本。
[0063]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而采用的示例性實施方式，本發明并不局限于此。對于本領域的普通技術人員而言，在不脫離本發明的實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種陣列基板，包括薄膜晶體管和位于所述薄膜晶體管上方的公共電極層、觸控線，其特征在于，還包括觸控連接端，所述觸控連接端與所述觸控線異層、且無重疊設置，所述觸控線與所述公共電極層通過連接電極連接，其中，所述連接電極包括第一連接電極和第二連接電極，所述觸控線通過所述第一連接電極與所述觸控連接端連接，所述公共電極層通過所述第二連接電極與所述觸控連接端連接。2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極層和所述觸控連接端之間設置有第一絕緣層和位于所述第一絕緣層上方的第二絕緣層，所述觸控線位于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間，所述觸控線向其一側延伸出輔助連接端，所述輔助連接端與所述觸控連接端在正投影方向上至少部分重疊，所述第一絕緣層在對應著所述輔助連接端與所述觸控連接端重疊的區域開設有第一過孔，所述第一連接電極設置于所述第一過孔中；所述第一絕緣層在對應著所述觸控連接端與所述輔助連接端未重疊的區域開設有第二過孔，所述第二絕緣層開設有與所述第二過孔同心的第三過孔，所述第二連接電極設置于所述第二過孔和所述第三過孔中。3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括依次層疊設置的柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，所述觸控線與所述源極同層設置，所述觸控連接端與所述柵極同層設置。4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括數據線，所述數據線與所述觸控線同層設置、且與所述觸控線平行、間隔設置。5.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一過孔、所述第二過孔和所述第三過孔均為錐形孔結構。6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二過孔的最大孔徑小于或等于所述第三過孔的最小孔徑。7.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述觸控線、所述源極和所述漏極均采用三層結構，所述三層結構依次采用鈦、鋁、鈦制備。8.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極和所述觸控連接端采用鉬制備。9.一種觸摸屏，其特征在于，包括權利要求1-8任一所述的陣列基板。10.—種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 形成包括觸控連接端的圖形； 在所述觸控連接端的上方形成第一絕緣層，所述第一絕緣層中開設有第一過孔和第二過孔； 在所述第一絕緣層上方形成包括觸控線以及向所述觸控線的一側延伸形成輔助連接端的圖形，所述輔助連接端的正投影與所述第一過孔重疊，并在所述第一過孔內形成第一連接電極，所述第一連接電極連接所述輔助連接端和所述觸控連接端； 在所述觸控線的上方形成第二絕緣層，所述第二絕緣層中開設有與所述第二過孔同心的第三過孔； 在所述第二絕緣層的上方形成包括公共電極層的圖形，并在所述第二過孔和所述第三過孔內形成第二連接電極，所述第二連接電極連接所述公共電極層和所述觸控連接端。11.根據權利要求10所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在形成所述觸控連接端的步驟中，采用同一構圖工藝同層形成包括柵極的圖形;在形成所述觸控線的步驟中，采用同一構圖工藝形成包括源極、漏極的圖形。12.根據權利要求10所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一過孔、所述第二過孔以及所述第三過孔均為錐形孔結構，所述第二過孔的最大孔徑小于或等于所述第三過孔的最小孔徑。13.根據權利要求10-12任一所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述觸控線采用三層結構，所述三層結構依次采用鈦、鋁、鈦制備，所述觸控連接端采用鉬制備。
【文檔編號】G06F3/041GK106020545SQ201610342304
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月20日
【發明人】史大為
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司