一種改進(jìn)ddr4dimm與金手指接觸的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)內(nèi)存改進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域，具體提供一種改進(jìn)DDR4 DMM與金手指接觸的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的01麗(0皿1-1]11;[116-]\^1]1(^7-]\10(111168)雙列直插式存儲(chǔ)模塊頂端為開口封裝，其零件單體運(yùn)輸和儲(chǔ)存過程中有外包裝保護(hù)，但是焊接到PCBA(Printed CircuitBoard Assembly)的過程中和之后PCBA運(yùn)輸保存零件將完全裸露。這就增加了DIMM中落入異物污染或者被腐蝕的風(fēng)險(xiǎn)。DDR4(Dual Data Rate)DIMM(Dual-lnline-Memory-Modules)插槽與DDR4金手指接觸的彈片數(shù)量比DDR3增加了40片，而整體DI麗槽的長度不變，因此彈片密度增加，彈片寬度變小。在這樣的條件下，彈片上如果存在輕微的腐蝕或者雜質(zhì)，會(huì)導(dǎo)致DIMM插槽抓不到內(nèi)存條，致使其使用過程存在風(fēng)險(xiǎn)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的技術(shù)任務(wù)是針對上述存在的問題，提供一種操作簡單方便，可以有效的避免彈片被腐蝕或者存在雜質(zhì)的改進(jìn)DDR4 DIMM與金手指接觸的方法。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:
一種改進(jìn)DDR4 DHM與金手指接觸的方法，將DMM頂端開口改為使用高溫密封膠帶密封，所述高溫密封膠帶的尺寸與DIMM頂端尺寸一致，高溫密封膠帶的耐熱能力為260°C±5s0
[0005]用高溫密封膠帶密封DIMM頂端，使DIMM不會(huì)因?yàn)殚_口而受到腐蝕和受到雜質(zhì)的污染。高溫密封膠帶的尺寸與DMM頂端尺寸一致即能很好的保護(hù)DMM，又不至于浪費(fèi)材料。高溫密封膠帶的耐熱能力為260°C±5s，能滿足DMM在使用過程中都能夠受到高溫密封膠帶的保護(hù)。
[0006]作為優(yōu)選，所述DMM在開封使用前不得移除高溫密封膠帶，焊接過程中不得移除高溫密封膠帶，PCBA組裝內(nèi)存時(shí)移除高溫密封膠帶。在整個(gè)使用過程中都不用移除高溫密封膠帶，能夠在各個(gè)過程中保護(hù)DIMM不受腐蝕，及不受外界雜質(zhì)的污染。
[0007]作為優(yōu)選，所述方法能夠避免彈片上存在腐蝕或者雜質(zhì)時(shí)，導(dǎo)致DMM插槽抓不到內(nèi)存條的現(xiàn)象。由于在開封使用前，焊接過程中及PCBA組裝內(nèi)存時(shí)都不得移除高溫密封膠帶，能夠很好的保護(hù)彈片不受腐蝕，也能阻擋外界雜質(zhì)的進(jìn)入。
[0008]本發(fā)明具有以下突出的有益效果:所述方法將DIMM頂端開口改為使用高溫密封膠帶密封，能夠有效的避免彈片受到腐蝕，并能阻擋雜質(zhì)進(jìn)入彈片，保證DMM插槽能夠抓到內(nèi)存條，保證使用的穩(wěn)定性;并且所述方法不用改變原有DMM制造過程，操作簡單方便，使用的高溫密封膠帶耐高溫能力達(dá)到260°C±5s，具有良好的實(shí)用性。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明所述改進(jìn)DDR4 D頂Μ與金手指接觸的方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
實(shí)施例
[0011]本發(fā)明所述改進(jìn)DDR4DHM與金手指接觸的方法，將DMM頂端開口改為使用高溫密封膠帶密封，高溫密封膠帶的尺寸與DIMM頂端尺寸一致，高溫密封膠帶的耐熱能力為260°C± 5s』ΙΜΜ在開封使用前不得移除高溫密封膠帶，焊接過程中不得移除高溫密封膠帶，PCBA組裝內(nèi)存時(shí)移除高溫密封膠帶。由于在開封使用前，焊接過程中及PCBA組裝內(nèi)存時(shí)都不得移除高溫密封膠帶，能夠很好的保護(hù)彈片不受腐蝕，也能阻擋外界雜質(zhì)的進(jìn)入，該方法能夠避免彈片上存在腐蝕或者雜質(zhì)時(shí)，導(dǎo)致DIMM插槽抓不到內(nèi)存條的現(xiàn)象，保證了DDR4DIMM使用過程的穩(wěn)定性。
[0012]以上所述的實(shí)施例，只是本發(fā)明較優(yōu)選的【具體實(shí)施方式】，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變化和替換都應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種改進(jìn)DDR4D MM與金手指接觸的方法，其特征在于:將DIMM頂端開口改為使用高溫密封膠帶密封，所述高溫密封膠帶的尺寸與DIMM頂端尺寸一致，高溫密封膠帶的耐熱能力為 260°C±5s。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)DDR4DIMM與金手指接觸的方法，其特征在于:所述D頂Μ在開封使用前不得移除高溫密封膠帶，焊接過程中不得移除高溫密封膠帶，PCBA組裝內(nèi)存時(shí)移除高溫密封膠帶。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改進(jìn)DDR4DMM與金手指接觸的方法，其特征在于:所述方法能夠避免彈片上存在腐蝕或者雜質(zhì)時(shí)，導(dǎo)致DIMM插槽抓不到內(nèi)存條的現(xiàn)象。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種改進(jìn)DDR4？DIMM與金手指接觸的方法，屬于計(jì)算機(jī)內(nèi)存改進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域。所述改進(jìn)DDR4？DIMM與金手指接觸的方法，將DIMM頂端開口改為使用高溫密封膠帶密封，所述高溫密封膠帶的尺寸與DIMM頂端尺寸一致，高溫密封膠帶的耐熱能力為260℃±5s。本發(fā)明所述改進(jìn)DDR4？DIMM與金手指接觸的方法，操作簡單方便，可以有效的避免彈片被腐蝕或者存在雜質(zhì)，具有很好的推廣應(yīng)用價(jià)值。
【IPC分類】H01R13/405, G06F1/18
【公開號(hào)】CN105468108
【申請?zhí)枴緾N201510899545
【發(fā)明人】王曉澎
【申請人】浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司
【公開日】2016年4月6日
【申請日】2015年12月9日