一種信息保護方法和存儲器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及存儲技術領域，具體涉及一種信息保護方法和存儲器。
【背景技術】
[0002]隨著各種電子裝置及嵌入式系統的迅速發展和廣泛應用，如計算機、個人數字助理、移動電話、數字相機等，大量需要容量大、存儲芯片占用面積小的存儲器。
[0003]永久保護位(PersistentProtect1n Bits,簡稱 PPB)和動態保護位(DynamicProtect1n Bits,簡稱DYB)是存儲器保護信息的兩種方式，可以以塊(block)或段(sector)為單位進行保護,一般一個block或一個sector對應一位(bit)保護信息，根據bit的狀態決定該bit對應的block或sector需要的保護狀態。在大容量存儲器的存儲芯片中，采用基于塊的保護方式(Advanced Block Protect1n)進行block或sector保護具有更高的自由度，當存儲器中存儲的容量較大時，通常block或sector的數目比較多，因此需要的PPB和DYB的保護信息的數目較多。
[0004]現有技術中，一般使用鎖存器(latch)對處于PPB和DYB保護方式下的數據進行存儲，每個latch都有相應的譯碼選擇電路和輸出選通門，最終連接到一簇總線上。采用latch對PPB和DYB保護方式下的數據進行存儲的好處在于讀寫操作簡單，但是當存儲器中需要存儲的PPB和DYB的保護信息的數目較大時，這種方法使得存儲芯片的占用面積過大，且隨著存儲規模增大，大量的譯碼電路和選通電路占用的面積過大，從而造成資源浪費。
【發明內容】
[0005]有鑒于此，本發明實施例提供一種信息保護方法和存儲器，以解決大容量存儲器進行信息保護時存儲芯片占用面積過大的問題。
[0006]一方面，本發明實施例提供了一種信息保護方法，用以對一存儲器接收到的信息進行保護，所述信息包括第一保護信息和第二保護信息，該存儲器包括I/o接口、第一揮發性存儲器、第二揮發性存儲器和非揮發性存儲器，所述信息保護方法包括:
[0007]根據預設規則判斷所述1/0接口接收到的信息是第一保護信息還是第二保護信息；
[0008]當1/0接口接收到的信息是第一保護信息時:
[0009]將所述第一保護信息寫入并存儲在第一揮發性存儲器中；
[0010]讀取所述第一揮發性存儲器中存儲的第一保護信息，并將第一揮發性存儲器中存儲的第一保護信息寫入并存儲在所述非揮發性存儲器中；
[0011]讀取所述非揮發性存儲器中存儲的第一保護信息并將所述第一保護信息回寫入第一揮發性存儲器中；
[0012]當1/0接口接收到的信息是第二保護信息時:
[0013]將所述第二保護信息寫入并存儲在第二揮發性存儲器中。
[0014]進一步地,所述方法還包括:
[0015]當所述存儲器掉電并重新上電后，讀取所述非揮發性存儲器中存儲的第一保護信息并將所述第一保護信息寫入第一揮發性存儲器中。
[0016]進一步地，當所述存儲器輸出第一保護信息時，從所述第一揮發性存儲器中讀取第一保護信息并將所述第一保護信息發送到所述I/O接口。
[0017]進一步地，當所述存儲器輸出第二保護信息時，從所述第二揮發性存儲器中讀取第二保護信息并將所述第二保護信息發送到所述I/O接口。
[0018]另一方面，本發明實施例提供了一種存儲器，所述存儲器包括:
[0019]I/O接口，用于接收或者輸出信息，其中，所述信息包括第一保護信息和/或第二保護息;
[0020]第一揮發性存儲器，用于寫入并存儲所述I/O接口接收到的第一保護信息，還用于讀取非揮發性存儲器中存儲的第一保護信息并回寫所述非揮發性存儲器中寫入的第一保護息;
[0021]非揮發性存儲器，用于讀取所述第一揮發性存儲器中存儲的所述第一保護信息，并寫入和存儲所述第一揮發性存儲器中存儲的第一保護信息；
[0022]第二揮發性存儲器，用于寫入并存儲所述I/O接口接收到的第二保護信息。
[0023]進一步地，當所述存儲器掉電并重新上電后，所述第一揮發性存儲器讀取非揮發性存儲器中存儲的第一保護信息并寫入所述非揮發性存儲器中寫入的第一保護信息。
[0024]進一步地，所述第一揮發性存儲器或所述第二揮發性存儲器為靜態隨機存取存儲器。
[0025]進一步地，所述非揮發性存儲器包括只讀存儲器、可編程式只讀存儲器、電可改寫只讀存儲器、可擦可編程式只讀存儲器、可電擦可編程式只讀存儲器和閃存中的任意一種。
[0026]進一步地，所述第一保護信息為永久保護位保護信息。
[0027]進一步地，所述第二保護信息為動態保護位保護信息。
[0028]本發明實施例提供的信息保護方法和存儲器，通過將第一保護信息和第二保護信息分別存儲于第一揮發性存儲器和第二揮發性存儲器中，降低了存儲器中存儲芯片的占用面積，此外，將所述第一保護信息存儲于第一揮發性存儲器中后進一步將存儲于第一揮發性存儲器中的第一保護信息存儲于非揮發性存儲器中，之后再將存儲于非揮發性存儲器中的第一保護信息回寫入第一揮發性存儲器中，加快了第一保護信息的讀取速率，且當存儲器發生掉電時，所述第一保護信息不會丟失。
【附圖說明】
[0029]下面將通過參照附圖詳細描述本發明的示例性實施例，使本領域的普通技術人員更清楚本發明的上述及其他特征和優點，附圖中:
[0030]圖1是本發明實施例一提供的一種信息保護方法的流程圖；
[0031]圖2是本發明實施例二提供的一種存儲器的結構圖。
【具體實施方式】
[0032]下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發明，而非對本發明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發明相關的部分而非全部內容。
[0033]實施例一
[0034]圖1是本發明實施例一提供的一種信息保護方法的流程圖，如圖1所示，該信息保護方法用以對一存儲器接收到的信息進行保護，所述信息包括第一保護信息和第二保護信息，該存儲器包括I/o接口、第一揮發性存儲器、第二揮發性存儲器和非揮發性存儲器，具體地，所述信息保護方法包括:
[0035]步驟11、根據預設規則判斷所述I/O接口接收到的信息是第一保護信息還是第二保護信息。
[0036]在本實施例中，根據預設規則判斷所述I/O接口接收到的信息是第一保護信息還是第二保護信息，當所述I/o接口接收到的信息是第一保護信息時，執行步驟12，當所述I/O接口接收到的信息是第二保護信息時，執行步驟15。
[0037]舉例來說，當I/O接口接收到的信息具有數值(1000)2、(1001)2、(1010)2、(1ll)2,(IlOO)2, (IlOl)2, (IllO)2SK (Illl)2時，根據預設規則判斷接收到的信息是第一保護信息，則所述I/o接口向所述第一揮發性存儲器發送第一寫使能信號El，第一揮發性存儲器根據所述第一寫使能信號El將第一保護信息寫入所述第一揮發性存儲器中；當I/o接口接收到的信息具有數值(OOOO)2時，根據預設規則判斷接收到的信息是第二保護信息，則所述I/O接口向所述第二揮發性存儲器發送第二寫使能信號E2，第二揮發性存儲器根據所述第二寫使能信號E2將第二保護信息寫入第二揮發性存儲器中。
[0038]在本實施例中，所述第一保護信息優選為永久保護位保護信息，即PPB保護信息，所述第二保護信息優選為動態保護位保護信息，即DYB保護信息，其中，所述PPB保護是一種掉電不丟失的保護方式，DYB是一種掉電丟失的保護方式。
[0039]步驟12、將所述第一保護信息寫入并存儲在第一揮發性存儲器中。
[0040]當I/O接口接收到的信息是PPB保護信息時，向所述第一揮發性存儲器發送第一寫使能信號El，第一揮發性存儲器接收所述第一寫使能信號El后將PPB保護信息寫入并存儲于第一揮發性存儲器中。
[0041]在本實施例中，所述第一揮發性存儲器優選為靜態隨機存取存儲器(Static RAM,簡稱SRAM)，SRAM不需要刷新即能保存它內部存儲的數據，由于SRAM的讀寫速度非常快，I/O接口發送第一寫使能信號El期間，即可將PPB保護信息的數據完全存入第一 SRAM中，從而提高存儲器整體的工作效率。
[0042]步驟13、讀取所述第一揮發性存儲器中存儲的第一保護信息，并將第一揮發性存儲器中存儲的第一保護信息寫入并存儲在所述非揮發性存儲器中。
[0043]將PPB保護信息存儲在第一 SRAM中后，存儲器內部的控制電路發送讀取第一 SRAM的信號，所述非揮發性存儲器讀取所述第一 SRAM中存儲的PPB保護信息，存儲器內部的控制電路發送寫使能信號，所述非揮發性存儲器將讀取的第一 SRAM中存儲的PPB保護信息寫入所述非揮發存儲器中，將第一 SRAM中存儲的PPB保護信息進一步寫入所述非揮發性存儲器的速度比較慢，但是由于所述PPB保護信息的數據已經暫存在所述第一 SRAM中，因此只要第一 SRAM中沒有新的數據輸入將所述PPB保護信息覆蓋或者發生掉電，寫入所述非揮發性存儲器中的PPB保護信息的數據是可信的。
[0044]在本實施例中，所述揮發性存儲器可包括只讀存儲器(Read-Only Memory,簡稱ROM)、可編程式只讀存儲器(Progra_abIe ROM,簡稱PR0M)、電可改寫只讀存儲器(Electrically Alterable Read-Only Memory,簡稱 EAROM)、可擦可編程式只讀存儲器(Erasable Programmable Read-Only Memory,簡稱 EPROM)、可電擦可編程式只讀存儲器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,簡稱 EEPROM)和閃存(FlashMemory)中的任意一種，這些非揮發性存儲器所存數據穩定，在發生掉電時，所存儲的保護信息的數據也不會發生改變，因此，將PPB保護信息存入所述非揮發性存儲器中，保證PPB保護信息不會因存儲器發生掉電而將PPB保護信息的數據丟失。
[0045]步驟14、讀取所述非揮發性存儲器中存儲的第一保護信息并將所述第一保護信息回寫入第一揮發性存儲器中。
[0046]存儲器的內部控制電路發出讀取所述非揮發性存儲器的信號并將讀取到的非揮發性存儲器中存儲的PPB保護信息的數據發送到所述第一 SRAM中，同時所述存儲器內部的控制電路發出第一 SRAM的寫使能信號，所述第一 SRAM將接收到的所述非揮發性存儲器中存儲的PPB保護信息的數據回寫入第一 SRAM中。當回寫入第一 SRAM中的PPB保護信息的數據與所述I/O接口