一種基于國產ft1500a芯片的ddr3接口板級電源供電設計方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及主板電源供電設計技術領域，特別涉及一種基于國產FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法。
【背景技術】
[0002]隨著國內IC設計水平的提高，已經涌現出如龍芯、飛騰和申威等一批優質國產芯片。國產FT-1500A芯片系列處理器是64位通用CPU，兼容ARM V8指令集，采用國際先進的28nm工藝流片，具有高性能、低功耗等特點。經測試，國產FT-1500A芯片系列處理器與Intel 2010年的處理器性能相當，部分性能略有優勢，可實現對Intel中高端“至強”服務器芯片的替代，并廣泛應用于政府辦公和金融、稅務等各行業信息化系統之中。
[0003]目前，國產FT-1500A芯片系列包括4核和16核兩款產品。其中4核處理器芯片主要面向桌面終端和輕量級服務器應用領域，適用于構建臺式終端、一體機、便攜筆記本、微服務器等產品；16核處理器芯片面向服務器應用領域，支持虛擬化功能，適用于構建網絡前端接入服務器、事務處理服務器、郵件服務器、數據庫服務器、存儲服務器等產品。該系列處理器對圖像、視頻的支撐超出預期，業內眾多用戶稱它是一款“適用、可用、好用”的芯片。
[0004]處理器需要通過某個接口與主板連接的才能進行工作。處理器經過這么多年的發展，采用的接口方式有引腳式、卡式、觸點式、針腳式等。而目前處理器的接口都是針腳式接口，對應到主板上就有相應的插槽類型。處理器接口類型不同，在插孔數、體積、形狀都有變化，所以不能互相接插。
[0005]DDR3，即第三代雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory, 一般稱為 DDR3 SDRAM)，是一種電腦存儲器規格。它屬于SDRAM家族的存儲器產品，提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行性能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM (四倍數據率同步動態隨機存取存儲器)的后繼者(增加至八倍)，也是現時流行的存儲器產品。
[0006]眾所周知，DDR3接口的使用廣泛于消費電子產品、服務器、安防設備等。現在主流DDR接口已經到了 DDR3，速度更是可以達到1600Mbps，如何降低速率日益增高的信號風險，縮短設計周期，是硬件工程師不得不面臨的問題。
[0007]在進行電源設計時，出于降低成本的考慮，一般情況下，會將數值相同的電壓會進行合并處理。
[0008]而隨著信號速率越來越快，從PMU芯片到IC的電源供電路徑上的寄生電感值會導致初始電壓跌落，接收端IC電壓無法達到額定值，從而影響DDR3接口性能和工作狀態。如何降低DDR3供電路徑上的寄生電感值，是提高DDR3性能的重要措施之一。
[0009]傳統的DDR3接口板級電源供電設計方法，如附圖1所示。以PCIE接口和DDR接口供電為例，電源會從供電模塊PMU直接供電給DDR3接口和PCIE接口，DDR3接口和PCIE接口供電電壓數值相同，因而進行了合并處理。
[0010]附圖3是傳統DDR3接口板級電源供電設計方法板級路徑上的寄生電感值。由圖可知，一起供電給DDR3接口和PCIE接口，DDR3接口電源供電路徑寄生電感值約為215pH。[0011 ] 為了解決傳統DDR3接口板級電源供電設計方法，DDR3接口供電路徑上的寄生電感值高的問題，本發明提出一種智能化程度高的基于國產FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法。通過對DDR3接口進行專電專供，減小供電路徑上的寄生電感值，達到改善DDR3接口供電電壓跌落的目的。
【發明內容】
[0012]本發明為了彌補現有技術的缺陷，提供了一種簡單，有效實用的基于國產FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法。
[0013]本發明是通過如下技術方案實現的:
一種基于國產FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法，其特征在于:包括供電模塊PMU，DDR3接口和國產FT-1500A芯片系列處理器其他接口，從所述供電模塊PMU單獨引出一路供電電路，單獨供給所述DDR3接口，DDR3接口供電電路獨立于所述國產FT-1500A芯片系列處理器其他接口的供電電路，避免從供電模塊PMU到DDR3接口的電源供電路徑上的寄生電感值導致的初始電壓跌落，保證DDR3接口電壓達到額定值。
[0014]所述國產FT-1500A芯片系列處理器其他接口是指供電電壓數值與DDR3接口供電電壓數值相同的接口，可以是PCIE接口或者AGP接口。
[0015]所述DDR3接口電壓額定值為1.5V。
[0016]本發明的有益效果是:該基于國產FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法，可以使寄生電感值減小約19.07%，有效的降低了從供電模塊PMU到DDR3接口的電源供電路徑上的寄生電感值，從而改善了 DDR3接口電源電壓跌落，保證了 DDR3接口電壓達到額定值，進而保證了 DDR3接口的工作性能。
【附圖說明】
[0017]附圖1為傳統的DDR3接口板級電源供電設計方法示意圖；
附圖2為本發明基于國產FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法示意圖； 附圖3為傳統DDR3接口板級電源供電設計方法板級路徑上的寄生電感值；
附圖4為本發明基于國產FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法板級路徑上的寄生電感值。
【具體實施方式】
[0018]下面結合附圖對本發明進行詳細說明。
[0019]該基于國產FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法，包括供電模塊PMU，DDR3接口和國產FT-1500A芯片系列處理器其他接口，從所述供電模塊PMU單獨引出一路供電電路，單獨供給所述DDR3接口，DDR3接口供電電路獨立于所述國產FT-1500A芯片系列處理器其他接口的供電電路，避免從供電模塊PMU到DDR3接口的電源供電路徑上的寄生電感值導致的初始電壓跌落，保證DDR3接口電壓達到額定值。
[0020]所述國產FT-1500A芯片系列處理器其他接口是指供電電壓數值與DDR3接口供電電壓數值相同的接口，可以是PCIE接口或者AGP接口。
[0021]所述DDR3接口電壓額定值為1.5V。
[0022]以PCIE接口和DDR接口供電為例，附圖2為本發明基于國產FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法示意圖。如附圖所示，從供電模塊PMU分別引出兩路供電電路，分別供給DDR3接口和PCIE接口。
[0023]附圖4為本發明基于國產FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法板級路徑上的寄生電感值。從供電模塊PMU單獨引出一路供電電路，單獨供給DDR3接口，DDR3接口電源供電路徑寄生電感值約為174pH。
[0024]對比附圖3，傳統DDR3接口板級電源供電設計方法板級路徑上的寄生電感值約為215pH，可以看出，本專利提出的方案可以使寄生電感值減小約19.07%，有效的降低了從供電模塊PMU到DDR3接口的電源供電路徑上的寄生電感值，從而改善了 DDR3接口電源電壓跌落，保證了 DDR3接口電壓達到額定值，進而保證了 DDR3接口的工作性能。
【主權項】
1.一種基于國產FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法，其特征在于:包括供電模塊PMU，DDR3接口和國產FT-1500A芯片系列處理器其他接口，從所述供電模塊PMU單獨引出一路供電電路，單獨供給所述DDR3接口，DDR3接口供電電路獨立于所述國產FT-1500A芯片系列處理器其他接口的供電電路，避免從供電模塊PMU到DDR3接口的電源供電路徑上的寄生電感值導致的初始電壓跌落，保證DDR3接口電壓達到額定值。2.根據權利要求1所述的基于國產FTl500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法，其特征在于:所述國產FT-1500A芯片系列處理器其他接口是指供電電壓數值與DDR3接口供電電壓數值相同的接口，可以是PCIE接口或者AGP接口。3.根據權利要求1所述的基于國產FTl500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法，其特征在于:所述DDR3接口電壓額定值為1.5V。
【專利摘要】本發明特別涉及一種基于國產FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法。該基于國產FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法，包括供電模塊PMU，DDR3接口和國產FT-1500A芯片系列處理器其他接口，從所述供電模塊PMU單獨引出一路供電電路，單獨供給所述DDR3接口，DDR3接口供電電路獨立于所述國產FT-1500A芯片系列處理器其他接口的供電電路。該基于國產FT1500A芯片的DDR3接口板級電源供電設計方法，可以使寄生電感值減小約19.07%，有效的降低了從供電模塊PMU到DDR3接口的電源供電路徑上的寄生電感值，從而改善了DDR3接口電源電壓跌落，保證了DDR3接口電壓達到額定值，進而保證了DDR3接口的工作性能。
【IPC分類】G06F17/50
【公開號】CN104978457
【申請號】CN201510367956
【發明人】王振, 劉澤, 翟西斌
【申請人】浪潮集團有限公司
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2015年6月29日