本發明涉及設備氣密性領域,具體涉及半導體stocker設備潔凈度氣密性的提高方法。
背景技術:
1、在半導體晶圓、晶棒的stocker設備行業內,stocker庫體的外表為平面,在庫體觀察窗處,用銑刀加工出略低于平面的凹槽,透明板在凹槽處安裝后,與庫體在同一平面,而不是突出庫體,同時減少觀察窗體數量,在易于觀察的方位設計觀察口,使得庫體內部的氣密性高于業內普遍方法,達到高潔凈等級的要求。
2、然而,對于矩形圓角形狀的玻璃板,在庫體觀察窗處根據矩形圓角玻璃板的輪廓形狀打鑿出能夠實現嵌合的安裝槽難免存在誤差,導致玻璃板沒有完全嵌合在庫體的安裝槽,因此不能保證潔凈度與氣密性。
3、鑒于此,本發明提出半導體stocker設備潔凈度氣密性的提高方法。
技術實現思路
1、本發明的目的在于提供半導體stocker設備潔凈度氣密性的提高方法,以解決上述背景技術中提出的問題。
2、為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:半導體stocker設備潔凈度氣密性的提高方法,步驟包括:
3、s1在庫體觀察窗的矩形圓角玻璃板安裝之前,用銑刀在矩形圓角玻璃板靠近左右兩側位置的每一側各打鑿兩個圓孔,使四個圓孔的圓心為頂點所連接的四邊形為矩形;
4、s2相機采集矩形圓角玻璃板得到第一圖像空間,在第一圖像空間中矩形圓角玻璃板四條直邊各自的線條延長線形成四組交點坐標,與第一圖像空間的四組頂點坐標形成第一透視變換矩陣;
5、s3通過第一透視變換矩陣對第一圖像空間進行扭曲得到第二圖像空間,在第二圖像空間中將矩形圓角玻璃板四個圓孔的圓心坐標作為第一圓心坐標集合,將四個矩形圓角處的曲線設為四條貝塞爾曲線,求出各自的控制點;
6、s4在庫體觀察窗處,根據矩形圓角玻璃板的輪廓形狀打鑿出相應尺寸與形狀的矩形圓角玻璃板安裝處,用銑刀加工出略低于平面的凹槽,使透明板在凹槽處安裝,根據矩形圓角玻璃板中四個圓孔的位置,在凹槽相應的位置打鑿出四個圓孔以便螺絲固定;
7、s5相機采集庫體觀察窗處的凹槽得到第三圖像空間,在第三圖像空間中將凹槽處四個圓孔的圓心坐標作為第二圓心坐標集合,第一圓心坐標集合與第二圓心坐標集合形成第二透視變換矩陣;
8、s6將第二圖像空間中矩形圓角玻璃板四條直邊的坐標集合以及四個圓角對應的貝塞爾曲線模型的坐標集合經第二透視變換矩陣的變換后輸出的坐標集合與第三圖像空間中矩形圓角玻璃板安裝處的外邊緣線條進行對照,若存在不重合則對庫體觀察窗的矩形圓角玻璃板安裝處進行重新調整。
9、進一步地,在步驟s2中,在第一圖像空間中提取矩形圓角玻璃板四條直邊各自的線條,并求出四條直邊各自的線條延長線形成的四組交點坐標,以四組交點坐標作為透視變換的輸入值,以第一圖像空間的四組頂點作為透視變換的輸出值,求出第一透視變換矩陣。
10、進一步地,在步驟s3中,在第二圖像空間中提取矩形圓角玻璃板的四個圓孔并求出各自的圓心坐標以此構建第一圓心坐標集合,再在第二圖像空間中提取矩形圓角處曲線的坐標值,以橫坐標作為貝塞爾曲線變換前的數值,以縱坐標作為貝塞爾曲線變換后的數值,以此構建貝塞爾曲線模型,求出各自的控制點。
11、進一步地,在步驟s5中,在第三圖像空間中提取凹槽中的四個圓孔并求出各自的圓心坐標構建第二圓心坐標集合,以第一圓心坐標作為透視變換的輸入值,以第二圖像空間作為透視變換的輸出值,求出第二透視變換矩陣。
12、進一步地,在步驟s6中,將第二圖像空間中矩形圓角玻璃板四條直邊的坐標集合以及四個圓角對應的貝塞爾曲線模型的坐標集合作為透視變換的輸入值,經第二透視變換矩陣變換后輸出的坐標集合標記在第三圖像空間,在第三圖像空間中將輸出坐標集合標記點與矩形圓角玻璃板安裝處的外邊緣線條進行對照,若存在不重合則對庫體觀察窗的矩形圓角玻璃板安裝處進行重新調整。
13、進一步地,在第一圖像空間中通過霍夫直線檢測方法提取矩形圓角玻璃板四條直邊各自的線條。
14、進一步地,在第二圖像空間中通過輪廓橢圓擬合方法提取矩形圓角玻璃板的四個圓孔并求出各自的圓心坐標。
15、進一步地,在第二圖像空間中通過鼠標事件方法提取矩形圓角處曲線的坐標值。
16、進一步地,在第二圖像空間中將矩形圓角處曲線提取為感興趣區域,對該感興趣區域中矩形圓角處曲線的橫縱坐標進行歸一化,作為貝塞爾曲線變換前與變換后的數值。
17、進一步地,在第三圖像空間中通過輪廓橢圓擬合方法提取凹槽中的四個圓孔并求出各自的圓心坐標。
18、與現有技術相比,本發明的有益效果是:
19、在本發明中,通過圖像處理技術與圖形學算法檢測觀察窗的玻璃板安裝槽的打鑿是否存在誤差,將玻璃板的圓角構建成貝塞爾曲線,以便于對圓角線條坐標的計算,通過透視變換解決相機擺放不正造成的誤差,將透視變換與貝塞爾曲線相結合進而判斷玻璃板安裝槽是否在圓角處精準打鑿,以此保證半導體stocker設備的潔凈度與氣密性。
1.半導體stocker設備潔凈度氣密性的提高方法,其特征在于,步驟包括:
2.根據權利要求1所述的半導體stocker設備潔凈度氣密性的提高方法,其特征在于:
3.根據權利要求1所述的半導體stocker設備潔凈度氣密性的提高方法,其特征在于:
4.根據權利要求1所述的半導體stocker設備潔凈度氣密性的提高方法,其特征在于:
5.根據權利要求1所述的半導體stocker設備潔凈度氣密性的提高方法,其特征在于:
6.根據權利要求2所述的半導體stocker設備潔凈度氣密性的提高方法,其特征在于:
7.根據權利要求3所述的半導體stocker設備潔凈度氣密性的提高方法,其特征在于:
8.根據權利要求3所述的半導體stocker設備潔凈度氣密性的提高方法,其特征在于:
9.根據權利要求3所述的半導體stocker設備潔凈度氣密性的提高方法,其特征在于:
10.根據權利要求4所述的半導體stocker設備潔凈度氣密性的提高方法,其特征在于: