窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)。一第一及一第二基板以平行成對的配置將一有機發(fā)光二極管層夾置其間。一第一感應(yīng)電極層具有位于一第一方向設(shè)置的M條第一導體塊及N條連接線，一第二感應(yīng)電極層具有位于一第二方向設(shè)置的N條第二導體塊，以用于感應(yīng)觸控，每一第二導體塊以一對應(yīng)的連接線延伸至該觸控結(jié)構(gòu)的一側(cè)邊。一薄膜晶體管層具有K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線，M條第一導體塊、N條連接線及N條第二導體塊的位置是依據(jù)與該K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線的位置相對應(yīng)而設(shè)置。
【專利說明】窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型是關(guān)于一種具有觸摸板的結(jié)構(gòu)，尤指一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)代消費性電子裝置多配備觸摸板做為其輸入設(shè)備之一。觸摸板根據(jù)感測原理的不同可分為電阻式、電容式、音波式及光學式等多種形式。
[0003]觸控面板的技術(shù)原理是當手指或其他介質(zhì)接觸到屏幕時，依據(jù)不同感應(yīng)方式，偵測電壓、電流、聲波或紅外線等，以此測出觸摸點的坐標位置。例如電阻式即為利用上、下電極之間的電位差，計算施壓點位置，以檢測出觸摸點所在。電容式觸控面板是利用排列的透明電極與人體之間的靜電結(jié)合所產(chǎn)生的電容變化，從所產(chǎn)生的電流或電壓來檢測其坐標。
[0004]隨著智能型手機的普及化，多點觸控的技術(shù)需求與日俱增。目前，多點觸控主要是通過投射電容式(Projected Capacitive)觸控技術(shù)來實現(xiàn)。
[0005]投射電容式技術(shù)主要是通過雙層氧化銦錫材質(zhì)(Indium Tin Oxide, ITO)形成行列交錯感測單元矩陣，以偵測得到精確的觸控位置。投射電容式觸控技術(shù)的基本原理是以電容感應(yīng)為主，利用設(shè)計多個蝕刻后的氧化銦錫材質(zhì)電極，增加數(shù)組存在不同平面、同時又相互垂直的透明導線，形成類似Χ、Υ軸驅(qū)動線。這些導線皆由控制器所控制，其是依序掃瞄偵測電容值變化饋送至控制器。
[0006]圖1是已知的有機發(fā)光二極管顯示觸控面板結(jié)構(gòu)100的示意圖。已知的有機發(fā)光二極管顯示觸控面板結(jié)構(gòu)100上的感應(yīng)導體線110，120是依第一方向(Y)及第二方向(X)設(shè)置。當感應(yīng)導體線120執(zhí)行觸控感應(yīng)時要將感測到的信號傳輸至一軟性電路板130上的控制電路131時，需經(jīng)由面板140的側(cè)邊走線150方能連接至該軟性電路板130。此種設(shè)計將增加觸控面板邊框的寬度，并不適合窄邊框設(shè)計的趨勢。因此，已知的有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)仍有改善的空間。
實用新型內(nèi)容
[0007]本實用新型的主要目的是在提供一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)，僅需于單邊設(shè)置連接線路，另外三邊不需配置。由此，另外三邊可采無框設(shè)計，以簡化觸控面板的配置，同時可提升接觸點偵測的準確度。
[0008]本實用新型提出一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:
[0009]一第一基板；
[0010]一第二基板，該第一基板及該第二基板以平行成對的配置將一有機發(fā)光二極管層夾置于二基板之間；
[0011]一第一感應(yīng)電極層，位于該第二基板的面對該有機發(fā)光二極管層的一側(cè)，并具有位于一第一方向設(shè)置的M條第一導體塊及N條連接線，以用于感應(yīng)觸控，其中，Μ、N為正整數(shù)；
[0012]一第二感應(yīng)電極層，位于該第一感應(yīng)電極層的面對該有機發(fā)光二極管層的一側(cè)的表面上，并具有位于一第二方向設(shè)置的N條第二導體塊，以用于感應(yīng)觸控，每一第二導體塊以一對應(yīng)的第i條連接線延伸至該窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)的一側(cè)邊，i為正整數(shù)且I彡i彡N ;以及
[0013]—薄膜晶體管層，位于該第二感應(yīng)電極層的面對該有機發(fā)光二極管層的一側(cè)的表面，該薄膜晶體管層具有K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線，依據(jù)一顯示驅(qū)動信號及一顯示像素信號，以驅(qū)動對應(yīng)的像素驅(qū)動電路的像素驅(qū)動晶體管及像素電容，進而執(zhí)行顯示操作，當中，K、L為正整數(shù)；
[0014]其中，該M條第一導體塊、該N條連接線、及該N條第二導體塊的位置是依據(jù)與該薄膜晶體管層的該K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線的位置相對應(yīng)而設(shè)置。
[0015]其中，每一第一導體塊是分別以對應(yīng)的金屬走線延伸至該第二基板的同一側(cè)邊，以進一步連接至一軟性電路板。
[0016]其中，該N條連接線由金屬導電材料所制成。
[0017]其中，該M條第一導體塊及該N條第二導體塊的每一導體塊由多條金屬感應(yīng)線所構(gòu)成。
[0018]其中，該M條第一導體塊及該N條第二導體塊的每一導體塊的該多條金屬感應(yīng)線形成一個四邊型區(qū)域，在每一個四邊型區(qū)域中的金屬感應(yīng)線電氣連接在一起，而任兩個四邊型區(qū)域之間并未連接。
[0019]其中，該第一方向是垂直第二方向。
[0020]其中，該N條連接線的每一條連接線設(shè)置于兩條第一導體塊之間。
[0021]其中，該四邊型區(qū)域為下列形狀其中之一:矩形、正方形。
[0022]其中，該M條第一導體塊及該N條第二導體塊的每一導體塊由多條金屬感應(yīng)線所形成，且該多條金屬感應(yīng)線由導電的金屬材料或合金材料所制成。
[0023]本實用新型還提出一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:
[0024]一第一基板；
[0025]一第二基板，該第一基板及該第二基板以平行成對的配置將一有機發(fā)光二極管層夾置于二基板之間；
[0026]—第二感應(yīng)電極層，位于該第二基板的面對該有機發(fā)光二極管層的一側(cè)，并具有位于一第二方向設(shè)置的N條第二導體塊，以用于感應(yīng)觸控，每一第二導體塊以一對應(yīng)的一第i條連接線延伸至該窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)的一側(cè)邊，i為正整數(shù)且KiSN;
[0027]—第一感應(yīng)電極層,位于該第二感應(yīng)電極層的面對該有機發(fā)光二極管層的一側(cè)的表面上，并具有位于一第一方向設(shè)置的M條第一導體塊及N條連接線，以用于感應(yīng)觸控，其中，M、N為正整數(shù)；以及
[0028]一薄膜晶體管層，位于該第一感應(yīng)電極層的面對該有機發(fā)光二極管層的一側(cè)的表面，該薄膜晶體管層具有K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線，依據(jù)一顯示驅(qū)動信號及一顯示像素信號，以驅(qū)動對應(yīng)的像素驅(qū)動電路的像素驅(qū)動晶體管及像素電容，進而執(zhí)行顯示操作，當中，K、L為正整數(shù)；
[0029]其中，該M條第一導體塊、該N條連接線、及該N條第二導體塊的位置是依據(jù)與該薄膜晶體管層的該K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線的位置相對應(yīng)而設(shè)置。
[0030]本實用新型的有益效果是，僅需于單邊設(shè)置連接線路，另外三邊不需配置。由此，另外三邊可采無框設(shè)計，以簡化觸控面板的配置，同時可提升接觸點偵測的準確度，可使有機發(fā)光二極管顯示面板的亮度較已知技術(shù)更亮。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0031]為進一步說明本實用新型的技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合實施例及附圖詳細說明如后，其中:
[0032]圖1是一已知有機發(fā)光二極管顯示觸控面板結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0033]圖2是本實用新型的一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)的疊層示意圖。
[0034]圖3是本實用新型的一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)的導體塊及聯(lián)機的一示意圖。
[0035]圖4是是本實用新型圖3中A-A’處的剖面圖。
[0036]圖5是本實用新型的一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)的導體塊的另一示意圖。
[0037]圖6是本實用新型第一導體塊的示意圖。
[0038]圖7是本實用新型的一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)的另一疊層示意圖。
[0039]圖8是本實用新型的一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)的又一疊層示意圖。
【具體實施方式】
[0040]本實用新型是關(guān)于一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)。圖2是本實用新型的一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)200的疊層示意圖，如圖所示，該窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)200包括有一第一基板210、一第二基板220、一有機發(fā)光二極管層230 —第一感應(yīng)電極層240、一第二感應(yīng)電極層250、一第一絕緣層260、一第二絕緣層270、一陰極層280、一陽極層290、及一薄膜晶體管層300。
[0041]該第一基板210及該第二基板220較佳為玻璃基板，該第一基板210及該第二基板220以平行成對的配置將該有機發(fā)光二極管層230夾置于二基板210，220之間。該第二基板 220 —般稱為薄膜晶體管基板(thin film transistor substrate, TFT substrate),當開關(guān)用的薄膜晶體管一般設(shè)置于薄膜晶體管基板上。本實用新型是下部發(fā)光型，因此一使用者手指是觸碰于該第二基板220，而非已知的該第一基板210。
[0042]由于使用者手指是觸碰于該第二基板220，因此感應(yīng)電極層是靠近該第二基板220，以獲得較強的觸碰感應(yīng)信號。
[0043]該第一感應(yīng)電極層240位于該第二基板220的面對該有機發(fā)光二極管層230的一偵牝并具有位于一第一方向(Y)設(shè)置的M條第一導體塊40-1，40-2，…，40-M及N條連接線40-1,40-2,…，40-N，以用于感應(yīng)觸控，其中，M、N為正整數(shù)。于本實施例，該M條第一導體塊40-1，40-2，...，40-M及該N條連接線40-1，40-2，…，40-N是由金屬導電材料所制成。
[0044]該第二感應(yīng)電極層250位于該第一感應(yīng)電極層240的面對該有機發(fā)光二極管層230的一側(cè)的表面上，并具有位于一第二方向(X)設(shè)置的N條第二導體塊50-1，50-2，…，50-N,以用于感應(yīng)觸控，每一第二導體塊50-1，50-2，…，50-N以一對應(yīng)的第i條連接線40-1,40-2,…，40-N延伸至該窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)200的一側(cè)邊201，i為正整數(shù)且I < i < N。其中，該第一方向是垂直第二方向。
[0045]該薄膜晶體管層300位于該第二感應(yīng)電極層250的面對該有機發(fā)光二極管層230的一側(cè)的表面，該薄膜晶體管層300具有K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線，依據(jù)一顯示驅(qū)動信號及一顯示像素信號，以驅(qū)動對應(yīng)的像素驅(qū)動電路的像素驅(qū)動晶體管及像素電容，進而執(zhí)行顯示操作，當中，K、L為正整數(shù)其中，該M條第一導體塊40-1，40-2，…，40-M、該N條連接線40-1，40-2，...，40-N、及該N條第二導體塊50-1，50-2，…，50-N的位置是依據(jù)與該薄膜晶體管層300的該K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線的位置相對應(yīng)而設(shè)置。
[0046]可設(shè)置一第二絕緣層270于該薄膜晶體管層300與該第二感應(yīng)電極層250之間。
[0047]圖3是本實用新型的一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)的導體塊及聯(lián)機的一不意圖。如圖3所不,該M條第一導體塊40-1,40-2,…,仙-]^及該N條第二導體塊50-1，50-2，…，50-N的每一導體線是由多條金屬感應(yīng)線所構(gòu)成。該M條第一導體塊40-1，40-2，...，40-M及該N條第二導體塊50-1，50-2，…，50-N之間并未電氣連接。其可在該第一感應(yīng)電極層240及該第二感應(yīng)電極層250之間設(shè)置一第一絕緣層260。亦可僅在該M條第一導體塊40-1，40-2，...，40-M及該N條第二導體塊50-1,50-2,…，50-N交叉處設(shè)置絕緣墊。
[0048]該M條第一導體塊40-1，40-2，…，40-M及該N條第二導體塊50-1，50-2，...，50-N的每一導體塊的該多條金屬感應(yīng)線形成一個四邊型區(qū)域，在每一個四邊型區(qū)域中的金屬感應(yīng)線是電氣連接在一起，而任兩個四邊型區(qū)域之間并未連接。其中，該四邊型區(qū)域是為下列形狀其中之一:矩形、正方形。
[0049]該N條連接線40-1，40-2，…，40_N的每一條連接線是設(shè)置于兩條第一導體塊40-1，40-2，…，40-M 之間。
[0050]該M 條第一導體塊 40-1，40-2，...，40_M 及該 N 條第二導體塊 50-1，50-2，…，50-N的每一導體塊的該多條金屬感應(yīng)線所形成的每一個四邊型區(qū)域中的金屬感應(yīng)線是由導電的金屬材料或合金材料所制成。其中，該導電的金屬材料或合金材料是為下列其中之一:鑰、鋇、招、銀、銅、鈦、鎳、鉭、鈷、鶴、續(xù)(Mg)、.丐(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)、及其合金。
[0051]圖3是本實用新型的一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)的導體塊的一不意圖。如圖3所不,該每一第二導體塊50-1, 50-2,在虛線橢圓處與對應(yīng)的連接線40-1，40-2，".，40-N電氣連接，而該N條連接線40-1，40-2，".，40-Ν的每一條連接線亦分別以對應(yīng)的金屬走線延伸至該窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)200的同一側(cè)邊201，以進一步連接至一軟性電路板600。每一第一導體塊40-1，40-2，…，40-Μ是分別以對應(yīng)的金屬走線延伸至該面板的同一側(cè)邊201，以進一步連接至一軟性電路板600。
[0052]該窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)200的表面是用以接收至少一個觸控點。其更包含有一控制電路610，其是經(jīng)由該軟性電路板600電性連接至該M 條第一導體塊 40-1，40-2，...，40-M 及該 N 條第二導體塊 50-1，50-2，...，50_N。
[0053]該M 條第一導體塊 40-1，40-2，...，40_M 及該 N 條第二導體塊 50-1，50-2，...，50_N是根據(jù)一手指或一外部對象觸碰該窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)200的至少一觸控點的位置而對應(yīng)地產(chǎn)生一感應(yīng)信號。一控制電路610是經(jīng)由該軟性電路板600電性連接至該M條第一導體塊40-1，40-2，…，40-M及該N條第二導體塊50_1，50-2，…，50-N，并依據(jù)感應(yīng)信號計算該至少一個觸控點的坐標。
[0054]圖4是本實用新型圖3中A-A’處的剖面圖。如圖4所示，該第二導體塊50_N與該連接線41-1在圖3中的B橢圓處電氣連接。如圖2及圖4所示，在該第一感應(yīng)電極層240及該第二感應(yīng)電極層250之間設(shè)有該第一絕緣層260，該第二導體塊50-N經(jīng)由貫孔(via) 52穿過該第一絕緣層260而與該連接線41-1電氣連接，亦即，經(jīng)由該連接線41-1，該第二導體塊50-N可將其感測到的信號傳輸至該控制電路610。
[0055]圖5是本實用新型的一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)的導體塊的另一示意圖。其與圖3主要差別在于該N條連接線40-1，40-2，…，40-N的長度并非一致，而是逐漸減小。
[0056]圖6是本實用新型任一第一導體塊40-1，40-2，…，40-M的示意圖，如圖6所示，該四邊型區(qū)域是由在第一方向上(Y)的3條金屬感應(yīng)線L2及在第二方向上(X)的2條金屬感應(yīng)線LI所構(gòu)成的長方形。于其他實施例，該金屬感應(yīng)線的數(shù)目可依需要而改變。
[0057]線段LI及線段L2的寬度較佳與該薄膜晶體管層300的柵極驅(qū)動線或源極驅(qū)動線的寬度相同或稍小于柵極驅(qū)動線或源極驅(qū)動線的寬度。該M條第一導體塊40-1，40-2，…，40-M、該N條連接線40-1，40-2，…，40-N、及該N條第二導體塊50-1,50-2,...，50_N的位置是相對應(yīng)于該薄膜晶體管層300的柵極驅(qū)動線或源極驅(qū)動線的位置而設(shè)置。亦即，由該第二基板220往該第一基板210方向看過去，該M條第一導體塊40-1，40-2，...，40_M、該N條連接線40-1，40-2，...，40-N、及該N條第二導體塊50-1，50-2，…，50-N是設(shè)置在該薄膜晶體管層300的該K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線的位置正上方，因此不會遮到發(fā)光區(qū)域而降低開口率。
[0058]該第一絕緣層260位于該第一感應(yīng)電極層240與該第二感應(yīng)電極層250之間。
[0059]薄膜晶體管層(TFT) 300位于該第二感應(yīng)電極層250的面對有機發(fā)光二極管層230的一側(cè)的表面。該薄膜晶體管層300具有K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線，依據(jù)一顯示驅(qū)動信號及一顯示像素信號，以驅(qū)動對應(yīng)的像素晶體管及像素電容，進而執(zhí)行顯示操作，其中，K、L為正整數(shù)。
[0060]該薄膜晶體管層300除具有多條柵極驅(qū)動線及多條源極驅(qū)動線外，更包含多數(shù)個像素驅(qū)動電路301。該薄膜晶體管層300依據(jù)一顯示像素信號及一顯示驅(qū)動信號，用以驅(qū)動對應(yīng)的像素驅(qū)動電路301，進而執(zhí)行顯示操作。
[0061]依像素驅(qū)動電路301設(shè)計的不同，例如2T1C是由2薄膜晶體管與I儲存電容設(shè)計而成像素驅(qū)動電路301，6T2C是由6薄膜晶體管與2儲存電容設(shè)計而成像素驅(qū)動電路301。像素驅(qū)動電路301中最少有一薄膜晶體管的柵極3011連接至一條柵極驅(qū)動線(圖未示)，依驅(qū)動電路設(shè)計的不同，控制電路中最少有一薄膜晶體管的源/漏極3013連接至一條源極驅(qū)動線(圖未示)，像素驅(qū)動電路301中最少有一薄膜晶體管的源/漏極3015連接至該陽極層290中的一個對應(yīng)的陽極像素電極291。
[0062]該陰極層280位于該第一基板210的面向該有機發(fā)光二極管層230的一側(cè)。同時，該陰極層280位于該第一基板210與該有機發(fā)光二極管層230之間。該陰極層280是由金屬導電材料所形成。較佳地，該陰極層280是由金屬材料所形成，該金屬材料是選自下列群組其中之一:招(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)，及其合金或使用氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)、氧化鋰(L1)與Al組合而成。由于該陰極層280由于為金屬材料，因此會將光線反射，因此大部分光源均朝向該第二基板220，而形成下部發(fā)光的顯示器型式。
[0063]該有機發(fā)光二極管層230所產(chǎn)生的光經(jīng)反射，而可于該第二基板220上顯示影像。該陰極層280是整片電氣連接著，因此可作為屏蔽(shielding)的用。同時，該陰極層280亦接收由陽極像素電極291來的電流。
[0064]該陽極層290位于該薄膜晶體管層300的面對該有機發(fā)光二極管層230的一側(cè)。該陽極層290具有多個陽極像素電極291。每一個陽極像素電極291是與該薄膜晶體管層300的該像素驅(qū)動電路301的一個像素晶體管對應(yīng)，亦即該多個陽極像素電極的每一個陽極像素電極是與對應(yīng)的該像素驅(qū)動電路301的該像素晶體管的源/漏極3015連接，以形成一特定顏色的像素電極，例如紅色像素電極、綠色像素電極、或藍色像素電極。
[0065]該有機發(fā)光二極管層230包含一電洞傳輸子層(hole transporting layer,HTL) 231> 一發(fā)光層(emitting layer) 233、及一電子傳輸子層(electron transportinglayer，HTL) 235。該有機發(fā)光二極管層230較佳產(chǎn)生紅、藍、綠三原色光，因此無需使用已知的彩色濾光層(color filter)過濾，即可產(chǎn)生紅、藍、綠三原色。
[0066]圖7是本實用新型的一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)700的另一疊層示意圖。其與圖2的主要區(qū)別在于該陰極層710與該陽極層720的位置對調(diào)。該陰極層710具有多個陰極像素電極711。每一個陰極像素電極711是與該薄膜晶體管層300的該像素驅(qū)動電路301的一個像素驅(qū)動晶體管對應(yīng)，亦即該多個陰極像素電極的每一個陰極像素電極是與對應(yīng)的該像素驅(qū)動電路301的該像素驅(qū)動晶體管的源/漏極3015連接，以形成一特定顏色的像素電極,例如紅色像素電極、綠色像素電極、或藍色像素電極。
[0067]圖7的該陰極層710與該陽極層720的位置對調(diào)，同時為了配合該陰極層710與該陽極層720,該有機發(fā)光二極管層730的電洞傳輸子層(hole transporting layer,HTL) 731與電子傳輸子層(electron transporting layer, HTL) 735的位置亦對調(diào)。該陰極層710具有多個陰極像素電極711，該多個陰極像素電極711的每一個陰極像素電極是與對應(yīng)的該像素驅(qū)動電路的像素驅(qū)動晶體管的源極或漏極連接。
[0068]圖8是本實用新型的一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)800的另一疊層示意圖。其與圖2的主要區(qū)別在于該第一感應(yīng)電極層240與該第二感應(yīng)電極層250的位置對調(diào)。亦即，該第二感應(yīng)電極層250是位于該第二基板220的面對該有機發(fā)光二極管層230的一側(cè)。較佳地,該第二感應(yīng)電極層250是設(shè)置于該第二基板220的面對該有機發(fā)光二極管層230的表面。該第一感應(yīng)電極層240位于該第二感應(yīng)電極層250的面對該有機發(fā)光二極管層230的一側(cè)的表面上。
[0069]已知氧化銦錫材質(zhì)(ITO)所做的電極點其平均透光率僅約為90%，而本實用新型的該M條第一導體塊40-1，40-2，...，40-M、該N條連接線40-1,40-2,...，40_N、及該N條第二導體塊50-1，50-2，…，50-N是設(shè)置在該薄膜晶體管層300的該K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線的位置的上方，因此并不影響透光率，故本實用新型的平均透光率遠較已知技術(shù)為佳。當本實用新型的技術(shù)與有機發(fā)光二極管顯示面板結(jié)合時，可使有機發(fā)光二極管顯示面板的亮度較已知技術(shù)更亮。
[0070]由前述說明可知，圖1已知技術(shù)的設(shè)計將增加觸控面板邊框的寬度，并不適合窄邊框設(shè)計的趨勢。當本實用新型的窄邊框的觸控面板結(jié)構(gòu)與有機發(fā)光二極管顯示面板結(jié)合時，可使有機發(fā)光二極管顯示面板的亮度較已知技術(shù)更亮。
[0071]而本實用新型不論是M條第一導體塊40-1，40-2，...，40_Μ、Ν條第二導體塊50_1，50-2，…，50-Ν、或是走線均為金屬材質(zhì)，較已知技術(shù)的透明導電材料有較佳的較高的傳導性，容易將導體線的感應(yīng)信號傳輸至該控制電路，使該控制電路計算出的坐標更準確。本實用新型不但較已知技術(shù)有較佳的透光率，又可避免使用昂貴的氧化銦錫材質(zhì)，據(jù)此降低成本，且較已知技術(shù)更適合設(shè)計在窄邊框的觸控面板。
[0072]上述實施例僅是為了方便說明而舉例而已，本實用新型所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以權(quán)利要求范圍所述為準，而非僅限于上述實施例。
【權(quán)利要求】
1.一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一第一基板; 一第二基板，該第一基板及該第二基板以平行成對的配置將一有機發(fā)光二極管層夾置于二基板之間；一第一感應(yīng)電極層，位于該第二基板的面對該有機發(fā)光二極管層的一側(cè)，并具有位于一第一方向設(shè)置的M條第一導體塊及N條連接線，以用于感應(yīng)觸控，其中，M、N為正整數(shù)； 一第二感應(yīng)電極層，位于該第一感應(yīng)電極層的面對該有機發(fā)光二極管層的一側(cè)的表面上，并具有位于一第二方向設(shè)置的N條第二導體塊，以用于感應(yīng)觸控，每一第二導體塊以一對應(yīng)的第i條連接線延伸至該窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)的一側(cè)邊，i為正整數(shù)且I彡i彡N ;以及 一薄膜晶體管層，位于該第二感應(yīng)電極層的面對該有機發(fā)光二極管層的一側(cè)的表面，該薄膜晶體管層具有K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線，依據(jù)一顯示驅(qū)動信號及一顯示像素信號，以驅(qū)動對應(yīng)的像素驅(qū)動電路的像素驅(qū)動晶體管及像素電容，進而執(zhí)行顯示操作，當中，K、L為正整數(shù)； 其中，該M條第一導體塊、該N條連接線、及該N條第二導體塊的位置是依據(jù)與該薄膜晶體管層的該K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線的位置相對應(yīng)而設(shè)置。
2.如權(quán)利要求1所述的窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中，每一第一導體塊是分別以對應(yīng)的金屬走線延伸至該第二基板的同一側(cè)邊，以進一步連接至一軟性電路板。
3.如權(quán)利要求2所述的窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中，該N條連接線由金屬導電材料所制成。
4.如權(quán)利要求3所述的窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中，該M條第一導體塊及該N條第二導體塊的每一導體塊由多條金屬感應(yīng)線所構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求4所述的窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中，該M條第一導體塊及該N條第二導體塊的每一導體塊的該多條金屬感應(yīng)線形成一個四邊型區(qū)域，在每一個四邊型區(qū)域中的金屬感應(yīng)線電氣連接在一起，而任兩個四邊型區(qū)域之間并未連接。
6.如權(quán)利要求5所述的窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中，該第一方向是垂直第二方向。
7.如權(quán)利要求6所述的窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中，該N條連接線的每一條連接線設(shè)置于兩條第一導體塊之間。
8.如權(quán)利要求7所述的窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中，該四邊型區(qū)域為下列形狀其中之一:矩形、正方形。
9.如權(quán)利要求8所述的窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中，該M條第一導體塊及該N條第二導體塊的每一導體塊由多條金屬感應(yīng)線所形成，且該多條金屬感應(yīng)線由導電的金屬材料或合金材料所制成。
10.一種窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一第一基板； 一第二基板，該第一基板及該第二基板以平行成對的配置將一有機發(fā)光二極管層夾置于二基板之間； 一第二感應(yīng)電極層，位于該第二基板的面對該有機發(fā)光二極管層的一側(cè)，并具有位于一第二方向設(shè)置的N條第二導體塊，以用于感應(yīng)觸控，每一第二導體塊以一對應(yīng)的一第i條連接線延伸至該窄邊框的內(nèi)嵌式主動矩陣有機發(fā)光二極管顯示觸控結(jié)構(gòu)的一側(cè)邊，i為正整數(shù)且KiSN; 一第一感應(yīng)電極層，位于該第二感應(yīng)電極層的面對該有機發(fā)光二極管層的一側(cè)的表面上，并具有位于一第一方向設(shè)置的M條第一導體塊及N條連接線，以用于感應(yīng)觸控，其中，M、N為正整數(shù)；以及 一薄膜晶體管層，位于該第一感應(yīng)電極層的面對該有機發(fā)光二極管層的一側(cè)的表面，該薄膜晶體管層具有K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線，依據(jù)一顯示驅(qū)動信號及一顯示像素信號，以驅(qū)動對應(yīng)的像素驅(qū)動電路的像素驅(qū)動晶體管及像素電容，進而執(zhí)行顯示操作，當中，K、L為正整數(shù)； 其中，該M條第一導體塊、該N條連接線、及該N條第二導體塊的位置是依據(jù)與該薄膜晶體管層的該K條柵極驅(qū)動線及L條源極驅(qū)動線的位置相對應(yīng)而設(shè)置。
【文檔編號】G06F3/044GK204129712SQ201420477625
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月18日
【發(fā)明者】李祥宇 申請人:速博思股份有限公司