一種ogs觸摸屏的制作工藝的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種OGS觸摸屏的制作工藝，屬觸摸屏領域，解決因油墨邊框層厚度造成ITO膜質量低的問題。包括下述步驟，在玻璃基板的一面沉積金屬化合物并蝕刻制成金屬邊框層；覆蓋三氧化二鋁作為表層；在玻璃基板的另一面沉積五氧化二鈮；在五氧化二鈮上覆蓋二氧化硅構成消影膜；在消影膜上濺射形成ITO導電膜并蝕刻電路；覆蓋OC絕緣層絕緣；在OC絕緣膜層上沉積金屬膜層并蝕刻過橋和電路；在金屬膜層上覆蓋保護層；邊框絲印以制成OGS觸摸傳感器；用OCA光學膠將顯示屏貼合在OGS觸摸傳感器上制成OGS觸摸屏。金屬邊框層設于玻璃基板上相對于消影膜、ITO導電層的另一面，沉積消影膜時可避免消影膜斷裂。
【專利說明】一種OGS觸摸屏的制作工藝
【技術領域】
[0001] 本發明涉及觸摸屏領域，特別是一種0GS觸摸屏的制作工藝。
【背景技術】
[0002] 目前0GS電容式觸摸屏普遍采用的邊框工藝為絲網印刷或BM光阻劑（與ΙΤ0層 在同一面），可以基本滿足0GS觸摸屏的使用要求，但邊框的均勻性較差、厚度較厚，對后續 制造工藝帶來難度，沉積ΙΤ0膜時容易因為油墨邊框層的厚度形成的臺階效果造成膜層斷 裂，從廣品的良品率不商。
【發明內容】
[0003] 本發明所要達到的目的是提供一種0GS觸摸屏的制作工藝，防止ΙΤ0膜斷裂。
[0004] 為了達到上述目的，本發明采用如下技術方案：一種0GS觸摸屏的制作工藝，包括 下述步驟，在玻璃基板的一面沉積金屬化合物，使用蝕刻工藝制作形成金屬邊框層；在金屬 邊框層上覆蓋三氧化二鋁作為表層；在玻璃基板的另一面沉積一層五氧化二鈮；在五氧化 二鈮上覆蓋一層二氧化硅與五氧化二鈮共同構成消影膜；在消影膜上濺射氧化銦錫并使用 340°C _360°C的溫度退火處理形成ΙΤ0導電膜，在ΙΤ0導電膜上蝕刻電路；在ΙΤ0導電膜上 覆蓋0C絕緣層絕緣；在0C絕緣膜層上沉積一層金屬膜層，在金屬膜層上蝕刻過橋和電路； 在金屬膜層上覆蓋一層保護層；進行一遍或兩遍邊框絲印制成0GS觸摸傳感器；使用0CA 光學膠將顯示屏貼合在0GS觸摸傳感器帶有保護層的一面制成0GS觸摸屏。
[0005] 進一步的，在玻璃基板的一面反應濺射沉積金屬化合物時溫度在280°C _320°C。
[0006] 進一步的，使用TiCN或TiN制作形成金屬邊框層。
[0007] 進一步的，所述消影膜的沉積鍍膜溫度為215°C _225°C。
[0008] 進一步的，在0C絕緣層上沉積金屬膜層的溫度為215°C _225°C。
[0009] 進一步的，所述保護層的材料為二氧化硅。
[0010] 采用上述技術方案后，本發明具有如下優點：
[0011] 金屬邊框層設于玻璃基板上相對于消影膜、ΙΤ0導電層所在一面的另一面，沉積 ΙΤ0膜時可避免ΙΤ0膜因油墨邊框層厚度形成的臺階效果斷裂。
【具體實施方式】
[0012] 一種0GS觸摸屏的制作工藝，包括下述步驟，在玻璃基板的一面使用300°C的溫度 (也可采用280°C、320°C或280°C -320°c中的其他取值）反應濺射沉積金屬化合物TiCN(或 TiN)并使用蝕刻工藝制作形成金屬邊框層；在金屬邊框層上覆蓋三氧化二鋁作為表層；在 玻璃基板的另一面使用210°C的溫度（也可采用215°C、225°C或215°C _225°C中的其他 取值）沉積一層五氧化二鈮；在五氧化二鈮上覆蓋一層二氧化硅與五氧化二鈮共同構成 消影膜；在消影膜上濺射氧化銦錫并使用350°C (也可采用340°C、360°C或340°C _360°C 中的其他取值）的溫度退火處理形成ΙΤ0導電膜，在ΙΤ0導電膜上蝕刻電路；在ΙΤ0導電
【權利要求】
1. 一種OGS觸摸屏的制作工藝，其特征在于：包括下述步驟， (A) 在玻璃基板的一面沉積金屬化合物，使用蝕刻工藝制作形成金屬邊框層； (B) 在金屬邊框層上覆蓋三氧化二鋁作為表層； (C) 在玻璃基板的另一面沉積一層五氧化二銀； (D) 在五氧化二鈮上覆蓋一層二氧化硅與五氧化二鈮共同構成消影膜； (E) 在消影膜上濺射氧化銦錫并使用340°C _360°C的溫度退火處理形成IT0導電膜，在 IT0導電膜上蝕刻電路； (F) 在IT0導電膜上覆蓋0C絕緣層絕緣； (G) 在0C絕緣膜層上沉積一層金屬膜層，在金屬膜層上蝕刻過橋和電路； (H) 在金屬膜層上覆蓋一層保護層； (I) 進行一遍或兩遍邊框絲印制成0GS觸摸傳感器； (J) 使用0CA光學膠將顯示屏貼合在0GS觸摸傳感器帶有保護層的一面制成0GS觸摸 屏。
2. 根據權利要求1所述的一種0GS觸摸屏的制作工藝，其特征在于：在玻璃基板的一 面反應濺射沉積金屬化合物時溫度在280°C _320°C。
3. 根據權利要求2所述的一種OGS觸摸屏的制作工藝，其特征在于：使用TiCN或TiN 制作形成金屬邊框層。
4. 根據權利要求1-3任一所述的一種0GS觸摸屏的制作工藝，其特征在于：所述消影 膜的沉積鍍膜溫度為210°C _230°C。
5. 根據權利要求1-3任一所述的一種OGS觸摸屏的制作工藝，其特征在于：在0C絕緣 層上沉積金屬膜層的溫度為215°C _225°C。
6. 根據權利要求1-3任一所述的一種OGS觸摸屏的制作工藝，其特征在于：所述保護 層的材料為二氧化硅。
【文檔編號】G06F3/044GK104090692SQ201410195942
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年5月9日 優先權日:2014年5月9日
【發明者】張吉 申請人:浙江金指科技有限公司