一種壞塊表存放方法、裝置以及與非門型非易失存儲器的制造方法
【專利摘要】本發明提供一種壞塊表存放方法，包括主壞塊表生成步驟：首次使用與非門型非易失存儲器時，與非門型非易失存儲器的驅動掃描與非門型非易失存儲器上的壞塊，并生成主壞塊表；主壞塊表寫入步驟：將所述主壞塊表寫入與非門型非易失存儲器的任意非壞塊。本發明還提供一種壞塊表存放裝置，包括：主壞塊表生成模塊和主壞塊表寫入模塊。本發明還提供一種與非門型非易失存儲器，其將本發明所提出的壞塊表存放裝置運用其中。本發明通過將主壞塊表保存在非壞塊上，大大降低了因壞塊表無法讀取導致與非門型非易失存儲器無法使用的概率，同時又保存一份從壞塊表，主壞塊表無法讀取，可通過從壞塊表恢復一份新的主壞塊表，保證與非門型非易失存儲器的正常使用。
【專利說明】一種壞塊表存放方法、裝置以及與非門型非易失存儲器
【【技術領域】】
[0001]本發明涉及半導體【技術領域】，特別涉及一種壞塊表存放方法、裝置以及與非門型非易失存儲器。
【【背景技術】】
[0002]與非門型非易失存儲器(亦稱:NAND閃存或NAND芯片，以下簡稱NAND芯片)是一種比硬盤驅動器更好的存儲器件，其陣列分為一系列128kB的塊，這些塊是NAND芯片中最小的可擦除實體。
[0003]現有的多層單元與非門型非易失存儲器(亦稱:MLC NAND閃存，以下簡稱MLCNAND閃存；MLC英文全稱Mult1-Level Cell，中文名稱為:多層單元)在出廠和使用過程中，壞塊(由于使用過程中不斷的寫操作或工藝缺陷導致)是MLC NAND閃存無法從生產和硬件上解決的一道難題，而且隨著容量的增加，問題越來越嚴重。一方面要求提高NAND芯片控制接口端的硬件校驗能力，另一方面對軟件的設計也提出更大的挑戰。這些壞塊在使用中不應該影響到其他好塊的使用，所以在MLC NAND閃存的驅動上，會設計一個機制用來標識、隔離這些壞塊。這種機制靠的是MLC NAND閃存在初次使用時掃描出廠壞塊并建立壞塊表(英文全稱:Bad Blocks Table，以下簡稱BBT，所述壞塊表內記錄有壞塊的位置信息)存儲回NAND芯片中，以后每次使用該NAND芯片時驅動都會根據BBT所標明的信息來避開這些壞塊。使用過程中若有出現新的壞塊，也會更新該BBT并寫回NAND芯片。因此，BBT的存放方法是否安全可靠是NAND芯片能否正常使用的關鍵所在。
【
【發明內容】
】
[0004]本發明要解決的技術問題之一，在于提供一種壞塊表存放方法，其使得NAND芯片不會因為無法讀取壞塊表而無法正常使用。
[0005]本發明的問題之一，是這樣實現的:
[0006]一種壞塊表存放方法，包括如下步驟:
[0007]主BBT生成步驟:首次使用NAND芯片時，NAND芯片的驅動掃描NAND芯片上的壞塊,并生成主BBT ；
[0008]主BBT寫入步驟:將所述主BBT寫入NAND芯片的任意非壞塊，所述非壞塊由NAND芯片廠家在出廠NAND芯片時提供。
[0009]進一步地，所述BBT存放方法還包括如下步驟:
[0010]從BBT生成步驟:記錄所述主BBT寫入的非壞塊所在的位置，并生成一從BBT，所述從BBT由主BBT復制而成并標記為從BBT ；
[0011]從BBT寫入步驟:將所述從BBT寫入NAND芯片上的任意一個塊，若寫入成功，則記錄存放從BBT的塊的位置，若寫入失敗，則選取NAND芯片上的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放從BBT的塊的位置，若NAND芯片上除所述非壞塊外的各個塊均無法寫入，則判定該NAND芯片不可用。[0012]進一步地，所述主BBT寫入步驟中，非壞塊的位置通過查詢NAND芯片的數據手冊獲得。
[0013]進一步地，在所述主BBT生成步驟之前，在所述NAND芯片上劃分出用于存放BBT的存儲區域，所述存儲區域包括復數個NAND芯片上的塊；然后執行所述主BBT生成步驟、主BBT寫入步驟、從BBT生成步驟以及從BBT寫入步驟。
[0014]進一步地，在執行所述從BBT寫入步驟時，將所述從BBT寫入所述存儲區域內的任意一個塊，若寫入成功，則記錄存放從BBT的塊的位置，若寫入失敗，則選取所述存儲區域內的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放從BBT的塊的位置，若所述存儲區域內的各個塊均無法寫入，則判定該NAND芯片不可用。
[0015]進一步地，后續讀取主BBT，若無法讀取，則使用從BBT恢復主BBT，生成新的主BBT，并將新主BBT寫入所述NAND芯片上的任意一個塊上，若無法寫入，選取NAND芯片上的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放新主BBT的塊的位置；若讀取主BBT成功，則將BBT內壞塊信息保存至內存中。
[0016]進一步地，在使用NAND芯片過程中，若發現新的壞塊，則將新的壞塊信息保存至內存中，待更新內存時，將內存中所有的壞塊信息回寫到主BBT和從BBT中，若主BBT已無法讀取，則將內存中所有的壞塊信息回寫到新主BBT和從BBT中。
[0017]本發明要解決的技術問題之二，在于提供一種壞塊表存放裝置，其使得NAND芯片不會因為無法讀取壞塊表而無法正常使用。
[0018]本發明的問題之二，是這樣實現的:
[0019]一種壞塊表存放裝置，包括:
[0020]主BBT生成模塊:用于首次使用NAND芯片時，NAND芯片的驅動掃描NAND芯片上的壞塊，并生成主BBT ；
[0021]主BBT寫入模塊:用于將所述主BBT寫入NAND芯片的任意非壞塊，所述非壞塊由NAND芯片廠家在出廠NAND芯片時提供。
[0022]進一步地，所述BBT存放裝置還包括如下模塊:
[0023]從BBT生成模塊:用于記錄所述主BBT寫入的非壞塊所在的位置，并生成一從BBT，所述從BBT由主BBT復制而成并標記為從BBT ；
[0024]從BBT寫入模塊:用于將所述從BBT寫入NAND芯片上的任意一個塊，若寫入成功，則記錄存放從BBT的塊的位置，若寫入失敗，則選取NAND芯片上的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放從BBT的塊的位置，若NAND芯片上除所述非壞塊外的各個塊均無法寫入，則判定該NAND芯片不可用。
[0025]進一步地，所述主BBT寫入模塊將所述主BBT寫入NAND芯片的任意非壞塊時，所述非壞塊的位置通過查詢NAND芯片的數據手冊獲得。
[0026]進一步地，還包括BBT存儲區域劃分模塊:用于在所述NAND芯片上劃分出存放BBT的存儲區域，所述存儲區域包括復數個NAND芯片上的塊。
[0027]進一步地，所述從BBT寫入模塊，用于將所述從BBT寫入所述存儲區域內的任意一個塊，若寫入成功，則記錄存放從BBT的塊的位置，若寫入失敗，則選取所述存儲區域內的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放從BBT的塊的位置，若所述存儲區域內的各個塊均無法寫入，則判定該NAND芯片不可用。[0028]進一步地，還包括BBT讀取模塊:用于后續讀取主BBT，若無法讀取，則使用從BBT恢復主BBT，生成新的主BBT，并將新主BBT寫入所述NAND芯片上的任意一個塊上，若無法寫入，選取NAND芯片上的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放新主BBT的塊的位置；若系統讀取主BBT成功，則將BBT內壞塊信息保存至內存中，
[0029]進一步地，還包括BBT更新寫入模塊:用于在使用NAND芯片過程中，若發現新的壞塊，則將新的壞塊的信息保存至內存中，待更新內存時，將內存中所有的壞塊信息回寫到主BBT和從BBT中，若主BBT已無法讀取，則將內存中所有的壞塊信息回寫到新主BBT和從BBT 中。
[0030]本發明還提供了一種非門型非易失存儲器，該NAND芯片包含了壞塊表存放裝置。
[0031]本發明具有如下優點:通過將主BBT保存在非壞塊上，大大降低了因BBT無法讀取導致NAND芯片無法使用的概率，提高NAND芯片的使用率，同時又在NAND芯片上保存一份從BBT，即使主BBT無法讀取，亦可通過從BBT恢復一份新的主BBT，當需要更新壞塊信息時，主BBT或新主BBT和從BBT同時更新，更進一步提高BBT文件的可靠性，從而保證NAND芯片的正常使用。
【【專利附圖】
【附圖說明】】
[0032]下面參照附圖結合實施例對本發明作進一步的說明。
[0033]圖1為本發明一種壞塊表存放方法的流程圖。
[0034]圖2為本發明一種壞塊表存放裝置的結構示意圖。
【【具體實施方式】】
[0035]請參閱圖1，一種壞塊表(英文全稱:Bad Blocks Table,以下簡稱BBT)存放方法，包括如下步驟:
[0036]主BBT生成步驟:首次使用與非門型非易失存儲器(以下簡稱NAND芯片)時，NAND芯片的驅動掃描NAND芯片上的壞塊，并生成主BBT ；
[0037]主BBT寫入步驟:將所述主BBT寫入NAND芯片的任意非壞塊，所述非壞塊由NAND芯片廠家在出廠NAND芯片時提供。非壞塊的位置通過查詢NAND芯片的數據手冊獲得。有的NAND芯片廠家保證第一塊是非壞塊，有的NAND芯片廠家保證最后一塊是非壞塊，位置不確定，由于芯片廠家保證的非壞塊僅能保證在出廠時100%是非壞塊，并不能保證在以后的使用中一直都是非壞塊，因此，本實施例中采用主BBT和從BBT相互配合使用，進一步降低NAND芯片的驅動無法讀取BBT的概率，具體如下:
[0038]所述BBT存放方法還包括如下步驟:
[0039]從BBT生成步驟:記錄所述主BBT寫入的非壞塊所在的位置，并生成一從BBT，所述從BBT由主BBT復制而成并標記為從BBT ；
[0040]從BBT寫入步驟:將所述從BBT寫入NAND芯片上的任意一個塊，若寫入成功，則記錄存放從BBT的塊的位置，若寫入失敗，則選取NAND芯片上的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放從BBT的塊的位置，若NAND芯片上除所述非壞塊外的各個塊均無法寫入，則判定該NAND芯片不可用。
[0041 ] 后續讀取主BBT，若無法讀取，則使用從BBT恢復主BBT，生成新的主BBT，并將新主BBT寫入所述NAND芯片上的任意一個塊上，若無法寫入，選取NAND芯片上的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放新主BBT的塊的位置；若讀取主BBT成功，則將BBT內壞塊信息保存至內存中。
[0042]在使用NAND芯片過程中，若發現新的壞塊，則將新的壞塊信息保存至內存中，待更新內存時，將內存中所有的壞塊信息回寫到主BBT和從BBT中，若主BBT已無法讀取，則將內存中所有的壞塊信息回寫到新主BBT和從BBT中。
[0043]以三星的，型號為K9GAG08U0F的一款NAND芯片為例，根據芯片數據手冊上描述的，其出廠非壞塊是第O塊，于是在首次啟動使用這個NAND芯片的時候，掃描NAND芯片并生成主BBT，將其寫入第O塊，此次寫入必然成功。同時生成從BBT，嘗試將其寫入其他塊，這里使用第I塊，寫入成功的話則結束，不成功則選下一個塊(這里選擇第2塊)并嘗試寫入，成功則結束，不成功則繼續前面“選擇其他塊并嘗試寫入的流程”，直至寫入成功或所有預先定義的區域(即第二實施例中劃分的存儲區域)都無法寫入，若寫入成功而結束，則可以繼續使用這個NAND芯片，否則判定NAND芯片不可用。
[0044]本發明壞塊表存放方法的第二實施例是:
[0045]在所述主BBT生成步驟之前，在所述NAND芯片上劃分出用于存放BBT的存儲區域，所述存儲區域包括復數個NAND芯片上的塊，所述BBT包含主BBT和從BBT，然后執行所述主BBT生成步驟、從BBT生成步驟、從BBT生成步驟以及從BBT寫入步驟，具體如下:
[0046]所述主BBT生成步驟:首次使用NAND芯片時，NAND芯片的驅動掃描NAND芯片上的壞塊，并生成主BBT ；
[0047]所述主BBT寫入步驟:將所述主BBT寫入NAND芯片的任意非壞塊，所述非壞塊由NAND芯片廠家在出廠NAND芯片時提供；
[0048]從BBT生成步驟:記錄所述主BBT寫入的非壞塊所在的位置，并生成一從BBT，所述從BBT由主BBT復制而成并標記為從BBT ；
[0049]從BBT寫入步驟:將所述從BBT寫入所述存儲區域內的任意一個塊，若寫入成功，則記錄存放從BBT的塊的位置，若寫入失敗，則選取所述存儲區域內的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放從BBT的塊的位置，若所述存儲區域內的各個塊均無法寫入，則判定該NAND芯片不可用。
[0050]在NAND芯片上劃分用于存放BBT的存儲區域，目的是提高存放效率，降低系統開銷。
[0051]下面以在NAND芯片上劃分八個塊作為BBT的存儲區域為例:
[0052]先將從BBT存放在存儲區域中的一個塊，如果該塊是壞的，則從存儲區域內選取另外一個塊進行存放，若還是壞的，則繼續選取存儲區域內的其他塊進行存放，若八個塊都是壞的的，則放棄使用該芯片，必須做芯片更換操作，這樣相當于存放BBT的存儲區域實際占用了 8個塊，但相對于NAND芯片上千各塊來說，這還是可以忽略的，使用此方法可以將NAND芯片無法使用的概率降到極低。以單個塊成為壞塊的概率為0.1為例，出現故障的概率可以降低到0.00000001，對NAND芯片來說完全是可以接受的。
[0053]需要說明的是，在本實施例中，使用NAND芯片的系統，該系統僅將NAND芯片用于數據存儲，并不作為系統啟動代碼的存放器件。
[0054]本發明大大降低了因BBT無法讀取導致NAND芯片無法使用的概率，提高NAND芯片的使用率。
[0055]請參閱圖2，本發明的一種壞塊表(英文全稱:Bad Blocks Table,以下簡稱BBT)存放裝置，該裝置包括:
[0056]主BBT生成模塊:用于首次使用與非門型非易失存儲器(以下簡稱NAND芯片)時，NAND芯片的驅動掃描NAND芯片上的壞塊，并生成主BBT ；
[0057]主BBT寫入模塊:用于將所述主BBT寫入NAND芯片的任意非壞塊，所述非壞塊由NAND芯片廠家在出廠NAND芯片時提供。所述非壞塊的位置一般通過查詢NAND芯片的數據手冊獲得。
[0058]更優地，所述BBT存放裝置還包括如下模塊:
[0059]從BBT生成模塊:用于記錄所述主BBT寫入的非壞塊所在的位置，并生成一從BBT，所述從BBT由主BBT復制而成并標記為從BBT ；
[0060]從BBT寫入模塊:用于將所述從BBT寫入NAND芯片上的任意一個塊，若寫入成功，則記錄存放從BBT的塊的位置，若寫入失敗，則選取NAND芯片上的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放從BBT的塊的位置，若NAND芯片上除所述非壞塊外的各個塊均無法寫入，則判定該NAND芯片不可用；
[0061]BBT讀取模塊:用于后續讀取主BBT，若無法讀取，則使用從BBT恢復主BBT，生成新的主BBT，并將新主BBT寫入所述NAND芯片上的任意一個塊上，若無法寫入，選取NAND芯片上的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放新主BBT的塊的位置；若系統讀取主BBT成功，則將BBT內壞塊信息保存至內存中；BBT讀取模塊一般是在啟動(除首次啟動)時，通過BBT讀取模塊讀取主BBTJfS BBT的內容讀至內存中；
[0062]BBT更新寫入模塊:用于在使用NAND芯片過程中，若發現新的壞塊，則將新的壞塊的信息保存至內存中，待更新內存時，將內存中所有的壞塊信息回寫到主BBT和從BBT中，若主BBT已無法讀取，則將內存中所有的壞塊信息回寫到新主BBT和從BBT中。
[0063]本發明壞塊表存放裝置的另一實施例是:
[0064]所述壞塊表存放裝置包括所述主BBT生成模塊、主BBT寫入模塊、從BBT生成模塊、從BBT寫入模塊，還包括BBT存儲區域劃分模塊:用于在所述NAND芯片上劃分出存放BBT的存儲區域，所述存儲區域包括復數個NAND芯片上的塊；
[0065]所述從BBT寫入模塊具體為:用于將所述從BBT寫入所述存儲區域內的任意一個塊，若寫入成功，則記錄存放從BBT的塊的位置，若寫入失敗，則選取所述存儲區域內的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放從BBT的塊的位置，若所述存儲區域內的各個塊均無法寫入，則判定該NAND芯片不可用。
[0066]—種與非門型非易失存儲器，該與非門型非易失存儲器是將本發明實施方式所提出的壞塊表存放裝置運用于所述的與非門型非易失存儲器中。
[0067]本發明壞塊表存放方法、裝置以及與非門型非易失存儲器能夠大大降低了因壞塊表無法讀取導致與非門型非易失存儲器無法使用的概率，提高與非門型非易失存儲器的使用率。
[0068]雖然以上描述了本發明的【具體實施方式】，但是熟悉本【技術領域】的技術人員應當理解，我們所描述的具體的實施例只是說明性的，而不是用于對本發明的范圍的限定，熟悉本領域的技術人員在依照本發明的精神所作的等效的修飾以及變化，都應當涵蓋在本發明的權利要求所保護的范圍內。
【權利要求】
1.一種壞塊表存放方法，其特征在于，包括如下步驟: 主壞塊表生成步驟:首次使用與非門型非易失存儲器時，與非門型非易失存儲器的驅動掃描與非門型非易失存儲器上的壞塊，并生成主壞塊表； 主壞塊表寫入步驟:將所述主壞塊表寫入與非門型非易失存儲器的任意非壞塊，所述非壞塊由與非門型非易失存儲器廠家在出廠與非門型非易失存儲器時提供。
2.根據權利要求1所述的一種壞塊表存放方法，其特征在于:還包括如下步驟: 從壞塊表生成步驟:記錄所述主壞塊表寫入的非壞塊所在的位置，并生成一從壞塊表，所述從壞塊表由主壞塊表復制而成并標記為從壞塊表； 從壞塊表寫入步驟:將所述從壞塊表寫入與非門型非易失存儲器上的任意一個塊，若寫入成功，則記錄存放從壞塊表的塊的位置，若寫入失敗，則選取與非門型非易失存儲器上的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放從壞塊表的塊的位置，若與非門型非易失存儲器上除所述非壞塊外的各個塊均無法寫入，則判定該與非門型非易失存儲器不可用。
3.根據權利要求1所述的一種壞塊表存放方法，其特征在于:所述主壞塊表寫入步驟中，非壞塊的位置通過查詢與非門型非易失存儲器的數據手冊獲得。
4.根據權利要求2所述的一種壞塊表存放方法，其特征在于:在所述主壞塊表生成步驟之前，在所述與非門型非易失存儲器上劃分出用于存放壞塊表的存儲區域，所述存儲區域包括復數個與非門型非易失存儲器上的塊；然后執行所述主壞塊表生成步驟、主壞塊表寫入步驟、從壞塊表生成步驟以及從壞塊表寫入步驟。
5.根據權利要求4所述的一種壞塊表存放方法,其特征在于:在執行所述從壞塊表寫入步驟時，將所述從壞塊表寫入所述存儲區域內的任意一個塊，若寫入成功，則記錄存放從壞塊表的塊的位置，若寫入失敗，則選取所述存儲區域內的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放從壞塊表的塊的位置，若所述存儲區域內的各個塊均無法寫入，則判定該與非門型非易失存儲器不可用。
6.根據權利要求2所述一種壞塊表存放方法,其特征在于:后續讀取主壞塊表，若無法讀取，則使用從壞塊表恢復主壞塊表，生成新的主壞塊表,并將新主壞塊表寫入所述與非門型非易失存儲器上的任意一個塊上，若無法寫入，選取與非門型非易失存儲器上的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放新主壞塊表的塊的位置；若讀取主壞塊表成功，則將壞塊表內壞塊信息保存至內存中。
7.根據權利要求2所述一種壞塊表存放方法，其特征在于:在使用與非門型非易失存儲器過程中，若發現新的壞塊，則將新的壞塊信息保存至內存中，待更新內存時，將內存中所有的壞塊信息回寫到主壞塊表和從壞塊表中，若主壞塊表已無法讀取,則將內存中所有的壞塊信息回寫到新主壞塊表和從壞塊表中。
8.—種壞塊表存放裝置,其特征在于:包括: 主壞塊表生成模塊:用于首次使用與非門型非易失存儲器時，與非門型非易失存儲器的驅動掃描與非門型非易失存儲器上的壞塊，并生成主壞塊表； 主壞塊表寫入模塊:用于將所述主壞塊表寫入與非門型非易失存儲器的任意非壞塊，所述非壞塊由與非門型非易失存儲器廠家在出廠與非門型非易失存儲器時提供。
9.根據權利要求8所述的一種壞塊表存放裝置，其特征在于:還包括如下模塊: 從壞塊表生成模塊:用于記錄所述主壞塊表寫入的非壞塊所在的位置，并生成一從壞塊表,所述從壞塊表由主壞塊表復制而成并標記為從壞塊表； 從壞塊表寫入模塊:用于將所述從壞塊表寫入與非門型非易失存儲器上的任意一個塊，若寫入成功，則記錄存放從壞塊表的塊的位置，若寫入失敗，則選取與非門型非易失存儲器上的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放從壞塊表的塊的位置，若與非門型非易失存儲器上除所述非壞塊外的各個塊均無法寫入，則判定該與非門型非易失存儲器不可用。
10.根據權利要求8所述的一種壞塊表存放裝置，其特征在于:所述主壞塊表寫入模塊將所述主壞塊表寫入與非門型非易失存儲器的任意非壞塊時，所述非壞塊的位置通過查詢與非門型非易失存儲器的數據手冊獲得。
11.根據權利要求9所述的一種壞塊表存放裝置，其特征在于:還包括壞塊表存儲區域劃分模塊:用于在所述與非門型非易失存儲器上劃分出存放壞塊表的存儲區域，所述存儲區域包括復數個與非門型非易失存儲器上的塊。
12.根據權利要求11所述的一種壞塊表存放裝置，其特征在于:所述從壞塊表寫入模塊，用于將所述從壞塊表寫入所述存儲區域內的任意一個塊，若寫入成功，則記錄存放從壞塊表的塊的位置，若寫入失敗，則選取所述存儲區域內的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放從壞塊表的塊的位置，若所述存儲區域內的各個塊均無法寫入，則判定該與非門型非易失存儲器不可用。
13.根據權利要求8所述一種壞塊表存放裝置，其特征在于:還包括壞塊表讀取模塊:用于后續讀取主壞塊表，若無法讀取，則使用從壞塊表恢復主壞塊表，生成新的主壞塊表，并將新主壞塊表寫入所述與非門型非易失存儲器上的任意一個塊上，若無法寫入，選取與非門型非易失 存儲器上的另一個塊進行寫入，直至寫入成功，記錄存放新主壞塊表的塊的位置；若系統讀取主壞塊表成功，則將壞塊表內壞塊信息保存至內存中。
14.根據權利要求8所述一種壞塊表存放裝置，其特征在于:還包括壞塊表更新寫入模塊:用于在使用與非門型非易失存儲器過程中，若發現新的壞塊，則將新的壞塊的信息保存至內存中，待更新內存時，將內存中所有的壞塊信息回寫到主壞塊表和從壞塊表中，若主壞塊表已無法讀取，則將內存中所有的壞塊信息回寫到新主壞塊表和從壞塊表中。
15.—種與非門型非易失存儲器,其特征在于:包括，如權利要求8至14任一權利要求所述的存放裝置。
【文檔編號】G06F12/06GK103593303SQ201310522841
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年10月29日 優先權日:2013年10月29日
【發明者】鄭遠, 喻呈東 申請人:福建星網視易信息系統有限公司