帶有大接觸板的無線射頻識別集成電路的制作方法
【專利摘要】帶有大接觸板的無線射頻識別集成電路,一種具有一個再鈍化層和一個導電再分配層的RFID集成電路組合，其可以通過一個附加層裝配在一個基底上。所述附加層包括一種或多種蝕刻劑以在所述組合和所述基底之間的一個非導電屏障層上產生一個缺口，同時還可能包括一種粘合劑以將所述組合附著在所述基底上。
【專利說明】帶有大接觸板的無線射頻識別集成電路
【技術領域】
[0001]本發明涉及無線射頻識別(RFID)系統，特別涉及一種帶有大接觸板的無線射頻識別集成電路。
【背景技術】
[0002]無線射頻識別(RFID)系統通常包括RFID閱讀器和RFID標簽，RFID閱讀器也被稱為RFID讀/寫器或者RFID詢問器。RFID系統可以被用于庫存，定位，識別，鑒定，配置，啟動/禁用，及附著或嵌入有該標簽的物品的監控設備。RFID系統可能被應用于零售行業的物品庫存和追蹤；應用于消費者和工業-電子行業的物品配置和監控；應用于安防系統以防止物品的丟失和被盜；應用于防偽應用以保證物品的可靠性；以及其他種種的應用。
[0003]RFID系統通過由一個RFID閱讀器使用一個無線射頻(RF)波詢問一個或多個標簽進行操作。該RF波通常為電磁波，至少在遠端場。該RF波在近端場依然可以被顯著的電化或磁化。該RF波可以編譯一個或者多個指令指導標簽做出一個或者多個動作。
[0004]一個標簽在感應到解調RF信號時會回應一個響應RF信號(一個響應)。該RF信號可能是由標簽產生的，或者也可能是在一個被稱為反向散射的過程中由標簽反射部分解調RF信號形成的。反向散射可能以多種方式發生。該閱讀器接收，解調，及解譯響應。該被解譯的響應可能包括存于標簽內的數據，比如編號，價格，日期，時間，目的地，加密信息，電子簽名，其他屬性，屬性的任意組合，或者其他配套的數據。該被解譯的響應可能還包括標簽的解譯狀態信息，標簽所附著的物品，或者標簽所嵌入的物品比如標簽狀態信息，物品狀態信息，配置數據，或者其他的狀態信息。
[0005]RFID標簽通常包括一個天線和一個RFID集成電路(1C)，該集成電路包括一個無線電部分，一個電源管理部分，并且通常包括一個邏輯部分或一個存儲器，或者兩者兼具。在一些RFID集成電路中，該邏輯部分包括加密算法，該加密算法可能依賴于存儲在標簽存儲器內的一個或者多個密碼或者密鑰。早期的RFID集成電路中的電源管理部分通常使用一個能量存儲設備比如電池。帶有一個能量存儲設備的RFID標簽被稱為電池輔助標簽，半主動標簽，或者主動標簽。半導體技術的發展促進了集成電路電子的微型化，從而僅僅靠接收到的RF信號就能為一個RFID標簽提供動力。這種RFID標簽不包括一個長時間能量存儲設備且被稱為被動標簽。當然，即使被動標簽也通常包括臨時能量存儲設備和數據/標記存儲設備比如電容器或電感器。
【發明內容】
[0006]本
【發明內容】
被提供以以簡化形式介紹經選擇的概念，其在下面的具體說明部分被進一步描述。本
【發明內容】
并不傾向于確定所要求保護的發明點的關鍵技術特征或必要技術特征，也不傾向于幫助確定所要求保護的發明點的保護范圍。
[0007]一些實施例是針對RFID標簽組件的。具有一個再鈍化層和一個導電層的RFID集成電路組件可被組裝在一個帶有附加層的標簽結構上。該附加層可能包括一種或者多種蝕刻劑或反應物以穿過該組件和該標簽結構之間的一個絕緣屏障層形成一個電連接，和可能還包括一種粘合劑以將所述組件附著在所述的結構上。其他的實施例可能是針對一個集成電路上的模式化和/或非重疊接觸區域，使用液體或者其他作用力的集成電路自組合，和/或集成電路檢測。
[0008]通過閱讀下述具體說明和瀏覽相關附圖，這些以及其他的技術特征和優點將顯而易見。可以理解的是，前述整體的概述及接下來的詳細描述僅僅用于解釋，并不構成對所請求保護范圍的限制。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]下述的詳細說明部分配合相應的附圖進行說明，其中:
[0010]圖1為一個RFID系統各部件的框圖。
[0011]圖2為展示一個被動RFID標簽，如可被用于圖1所示系統的被動RFID標簽的各部件的示意圖。
[0012]圖3為一個組合型RFID標簽的示意圖。
[0013]圖4闡明了根據實施例的不同集成電路接觸墊的結構。
[0014]圖5闡明了一個電容性嵌入連接結構示例。
[0015]圖6闡明了一個觸電式嵌入連接結構示例。
[0016]圖7闡明了一個根據實施例的經過熱粘合步驟后的電容性嵌入連接結構的截面部分。
[0017]圖8闡明了一個根據實施例的帶有聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)覆蓋層的電容性嵌入連接結構的截面部分，其中該覆蓋層用于增加強度。
[0018]圖9闡明了一個根據實施例的類似于圖2中采用組裝方法的集成RFID標簽的示意圖。
[0019]圖1OA和圖1OB闡明了根據實施例的具有集成電路的標簽前體，其中該集成電路電容性連接于位于標簽基底上的天線終端。
[0020]圖11描繪了根據實施例的在一個集成電路上的再鈍化層。
[0021]圖12描繪了根據實施例的模式化接觸區域。
[0022]圖13描繪了根據實施例的非重疊或補償接觸。
[0023]圖14闡明了根據實施例的一個標簽裝配方法。
[0024]圖15A和圖15B闡明根據實施例的集成電路的晶片級探頭檢測。
【具體實施方式】
[0025]在下述的詳細說明中，引用根據附圖被做出，其中該附圖構成本文一部分，且引用通過描述實施例或示例的方式被顯示。實施例這些方面或許被組合在一起，其它方面可能被利用，和在不違背本揭露的發明精神和范圍的前提下，可能做出結構上的變化。因此，下述的詳細說明不應被當做是限制，本發明的范圍由所附的權利要求及其等同來界定。
[0026]圖1是一個典型RFID系統100的部件示意圖，結合實施例。一個RFID閱讀器110傳輸一個詢問射頻信號112。在RFID閱讀器110附近的RFID標簽120感應到詢問射頻信號112并生成相應的信號126作為應答。RFID閱讀器110感應并解譯信號126。信號112和信號116可能包括射頻波和/或非傳播射頻信號(比如近場反應信號)。
[0027]閱讀器110和標簽120通過信號112和126通訊。當互相通訊時，一方分別編譯，調制并傳輸數據給另一方，另一方同時接收，解調并解譯來自于另一方的數據。這些數據可以被調制在RF波形上，和從RF波形上解調。該RF波形通常在在合適的頻率范圍內，比如900兆赫茲，13.56兆赫茲附近的RF波等等。
[0028]閱讀器與標簽之間的通訊使用符號，也被稱為RFID符號。一個符號可以為一個界定符，一個校準值等等。在需要的時候，符號可以被用于轉換二進制數據，比如“0”和“I”。當符號被閱讀器110和標簽120處理時，其可以被處理為數值、數字等等。
[0029]標簽120可以為一個被動標簽，或者一個主動或電池輔助標簽(也就是具有自己動力源的標簽)。當標簽120為被動標簽時,它由信號112提供動力。
[0030]圖2為一個RFID標簽220的示意圖，該標簽可以起到圖1中標簽120的作用。標簽220被畫成一個被動標簽，意味著它不具有自己的動力源。本文件中的很多描述同樣可以應用于主動和電池輔助標簽。
[0031]標簽220通常(并不是必須)形成在一個實質性平面嵌體222上，如本【技術領域】所周知，該標簽220的形成方式有多種。標簽220包括一個回路，該回路優選實施為一個集成電路224。在一些實施例中，集成電路224被應用在互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術。在其他實施例中，集成電路可能被應用在例如雙極性接面電晶體管(BJT)技術，金屬半導體場效應晶體管(MESFET)及其他為本【技術領域】技術人員所熟知的其他技術。集成電路224被置于嵌體222。
[0032]標簽220還包括一個天線以與其環境交換無線信號。該天線通常為扁平的并附著在嵌體222上。集成電路224通過適當的天線接觸(沒有顯示在圖2中)可通電地耦接至該天線。
[0033]所示的集成電路224具有一個天線端口，其包括兩個可通電地耦接至兩個天線段227的天線接觸，其中該兩個天線段227在此顯示形成一個偶極。許多其他的實施例可能使用任意數量的端口，接觸，天線，和/或天線段。
[0034]在操作過程中，天線接收到一個信號并將此信號傳播至集成電路224，如果適當的話，基于輸入信號和集成電路內部狀態，兩者均會獲得能量和作出響應。如果集成電路224使用反向散射調制，則會以調制天線反射比的形式作出響應，從而從閱讀器傳輸的信號112中產生響應信號126。可通電地相耦接和斷開耦接集成電路224的天線接觸可以調制天線的反射比，也可以改變耦接至天線接觸的一個并聯電路元件的進入。改變串聯電路元件的阻抗是調制天線反射比的另一個方法。
[0035]圖2所示的實施例，天線段227與集成電路224分離開來。在其他的實施例中，天線段可能形成于集成電路224上。實施例中的標簽天線可能是任何的形式和并不局限于偶極。例如，標簽天線可能是一塊碎片，一個狹槽，一個線圈，一個喇叭，一個螺旋或者其他合適的天線。
[0036]圖3為組合RFID標簽的一個示意圖。一個RFID集成電路包括電路元件(比如無線射頻回路316)和連接軌跡。集成電路可能包括包含無線射頻和非無線射頻回路的多層。無線射頻回路的電連接可能通過耦合電容326耦合在一個無線射頻配電母線324。非無線射頻軌跡318可能與無線射頻軌跡分離開來(比如無線射頻配電母線)。[0037]標簽300的天線在圖3中顯示為天線軌跡I (320)和天線軌跡2 (322)。該天線通常為金屬(比如鋁或銅)薄軌跡，用一個或多個連接點附著在集成電路上以將天線連接在無線射頻回路上(通過無線射頻配電母線326)。當使用一個例如鋁的可氧化金屬時，自然形成的氧化層324在天線軌跡和集成電路之間創造了一個堅硬表面。
[0038]多個標簽組合方法的一個缺點在于天線層必須精確的與集成電路對齊以保證天線恰當地耦接至無線射頻配電母線。在這些組合技術中，天線連接通常通過一個后處理步驟使用金或者類似凸點312與無線射頻配電母線對齊。即便如此，組合也是異常困難的，因為這需要高控制度的裝配力和高精度的集成電路布局。
[0039]一些組合方法可能還會造成集成電路性能的降低，這是由于非無線射頻集成電路軌跡318和天線軌跡320/322之間的無線射頻配電母線電阻和寄生電容330造成的。應用于集成電路高點312的，用于滲透堅硬天線氧化層324以接觸天線軌跡320的高安裝壓力，可能會造成可靠性和收益率的問題。另外，如此高的安裝壓力還可能通過減小天線軌跡和集成電路表面的間隔距離惡化寄生電容的效力。
[0040]導電粘合劑(比如各向同性和各向異性導電膠粘合劑)可以用來緩和部分這些劣勢，但是粘合劑可能會引起一些其他的問題。比如，許多粘合劑可能會限制標簽組合的生產率，因為它們必須在集成電路布局之前以粘性流體的形式應用，同時還需要持續的壓力和熱度。
[0041]圖4闡明了根據實施例的不同集成電路接觸墊結構。在結構440中，集成電路430具有四個接觸墊(432 )，這些接觸墊可能是覆蓋在集成電路430上的一個金屬層的一個鈍化層中的開口。結構442展示了相同的集成電路結構，該集成電路具有凸點(比如金制凸點)439和位于凸點上的天線板438，其中該凸點是在后處理步驟中增加的。增加凸點439可能是為了對齊的目的(如上所述)和容許與接觸墊432的外部接觸，該接觸墊432可能嵌在鈍化層內。
[0042]為了解決上述凸點和集成電路天線對齊帶來的一些缺點，一個或多個相對較大的接觸墊(如434，436)可形成在集成電路430的上表面取代如結構444和446所示的小接觸墊432。這些大的接觸墊形成了一個集成電路的頂層并為標簽天線提供了一個電容或電阻耦合裝置。大接觸墊提供了更多的區域用于耦合標簽天線，從而降低了對寄生電容和精確對齊的要求。這些大接觸墊可能覆蓋了集成電路430頂層相當大的一部分。比如大接觸墊可能覆蓋了集成電路430頂層的20%，30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80%, 90%,或者甚至100%。在一些實施例中，大接觸墊434/436可能形成在集成電路430的絕緣層或再鈍化層，然后可通電地連接至絕緣層或再鈍化層下方的接觸墊(比如接觸墊432)。盡管圖4所示的相對較大的接觸墊434/436大致為矩形，但大接觸墊不是必須為矩形，可能為其他適當的形狀。比如一個大接觸墊可能為圓形或環形。
[0043]當使用大接觸墊用于電容性連接天線時，大接觸墊和天線軌跡之間的電容可通過調整集成電路和天線之間材料的介電性(比如成分，厚度)來控制，比如覆蓋于接觸墊上的非導電性材料，覆蓋于天線軌跡上的非導電材料(比如鋁制軌跡上自然形成或增加的氧化層)，和/或其他附加的絕緣材料。電連接也可以通過將一個天線壓在集成電路上而被提供，從而使得一個或多個形成于天線軌跡上的凹痕形成一個或者多個與集成電路上的大接觸墊的直接連接。在一些實施例中，如下所述，電連接也可能在沒有凹痕，凸點，或其他凸起區域的情況下實現。
[0044]圖5展示了一個電容性耦合嵌入結構的示例。示意圖500所示的集成電路552具有一個大接觸墊554。盡管根據較佳實施例，該大接觸墊覆蓋集成電路表面的很大一部分，實施例并不是如此限制，在本文所述的原則下，可能會使用較大或較小的接觸墊。在一些實施例中，集成電路特定表面上所有接觸墊的結合區域不會超出該特定表面，并且該表面上的任何接觸墊均限制在該表面的界限內或延伸至該表面的邊界。當然，在其它實施例中，接觸墊可能延伸出集成電路表面的邊界之外。比如，接觸墊卷繞或侵占了相鄰集成電路表面，或甚至懸臂式的伸出集成電路表面外。
[0045]首先，一個標簽天線可能通過在電介質558 (比如聚對苯二甲酸乙二醇酯PET)上放置導電天線軌跡模式556而得以形成。也可能使用其他的電介質材料，包括但不局限于聚酯薄膜，聚丙烯(PP)，聚苯乙烯(PS)，聚酯，聚酰亞胺(PI)，或乙烯基。集成電路和天線然后可能靠近以形成一個電容性連接。例如，集成電路可能被加熱至電介質558的塑化溫度，隨后壓進電介質以在接觸墊554和天線軌跡556之間獲得預設厚度(在允許公差范圍內)。因此，根據一個實施例的標簽組合方法包括:通過形成至少一個具有電介質材料的電容將天線附著在集成電路上，和將天線耦合在集成電路上。該電介質材料可能包括一個集成電路覆蓋層，一個天線覆蓋層，和/或其他的電介質層。覆蓋層可能包括一個涂覆在集成電路金屬頂層的非導電層(比如大接觸墊)，一個天線電介質層(比如金屬天線自然形成的氧化層或氮化層)。其他的電介質層可能包括具有可控制介電性能的粘合劑材料。電介質材料的厚度可能可以根據材料的介電性能和所要達到的最小電容量不同而變化，在一些實施例中為5nm至Im (包括5nm和Im)。
[0046]如上所述，在一些實施例中，集成電路表面的大接觸墊可能實質性地覆蓋整個集成電路。在有多個大接觸墊的情況下，可能有多個電容形成，其中每個特定的電容可能耦合至特定的集成電路的電路上，比如整流電路，解調電路，或調制電路，從而保證這些電路處于不同的直流電位。根據其他的實施例，可能有另一個天線終端附著在集成電路的一個第二表面上(第一表面的相反面)從而在芯片的表面上形成另一個電容(或一系列的電容)。在具有多個電容(和/或雙面耦合)的情況下，一個或多個連接可能是電連接，通過提供在天線軌跡和集成電路上一個或多個大接觸墊之間提供一個或多個直接接觸。
[0047]圖6闡明了一個電連接嵌入結構示例。首先，通過在非導電材料，比如圖解670所示的PET672，的表面上放置導電模式674形成一個天線。隨后(比如在壓紋之后)，一個小凸起(比如直徑大約為30m)684被置于導電模式674上，其通常也會在圖解680所示的PFT材料682上產生類似的凸起。如圖解690所示，一個具有大接觸墊698的集成電路692被壓在上天線(如上面有關圖5的描述)，以在天線696和大接觸墊698之間形成一個電連接，其中大接觸墊698位于699位置。
[0048]圖7根據實施例展示了一個熱耦合步驟后的電容性耦合嵌入的截面。
[0049]如圖解700所示,一個標簽組示例包括一個插進電介質(比如PET) 708內的集成電路710，其中該電介質708覆蓋了一個天線706。集成電路710和天線706之間的電耦合是由形成于集成電路710表面上的大接觸墊和天線706之間的一個或多個電容提供的。該電容的電介質可能包括電介質708的一部分，集成電路710的任何非導電覆蓋層，和/或集成電路710和天線706之間的一個附加電介質層712。在一些實施例中，附加電介質層712可能包括天線706自然形成或人為生成的氧化層，粘合性電介質材料，或其他材料。根據一些實施例，一個集成電路或許并不直接耦合在天線上，而是通過中介層耦合。比如，一個帶條可能電容性地耦合在前述集成電路上，和該天線隨后可通電地耦接至該帶條。因此，該標簽組可能包括該天線和該集成電路之間的附加連接層，其中該集成電路使用本文所述的原理。
[0050]在其他的實施例中，將天線附著在集成電路上可能包括進行集成電路金屬放置和模式構造過程，接著放置包含介電材料的鈍化材料，將集成電路從完整的晶片上分離，和將天線，介電材料和集成電路壓在一起。該介電材料可能包括一種具有相對較高(比如大于8 )介電常數的材料，比如氧化鉿，氧化鋯，氧化鉿硅酸，氧化鋯硅酸，和氧化鍶-鈦。可選地，該鏡片加工步驟可能如本領域所熟知那樣被完成，其中本領域技術包括鈍化處理和接觸墊開口蝕刻，然后該集成電路被分離出并與天線和介電材料壓在一起。
[0051]圖8展示了一個帶有疊加層的電容耦合嵌入的截面圖，該疊加層用于增加強度。
[0052]圖解800的標簽組合示例與圖7所示的標簽組合類似，其具有一個疊加層814用于增強強度。該疊加層814可能包括PET和/或任何其他合適的材料，同時可能根據標簽的設計和使用通過粘合劑或其他方法被附著。例如，天線層可能被直接置在一個主體上，然后按照所述方式將集成電路路壓在天線層上，并將疊加層814安置在集成電路和天線層上方。該疊加層可以按不同的方式配置以實現其他的功能，比如作為一個可寫標簽及其類似的功能。
[0053]圖9展示了一個類似于圖3的組合RFID標簽的示意圖，圖3使用了實施例中的組
合方法。
[0054]圖解900展示了傳統標簽組合方法和依實施例標簽組合方法的差別。通過在集成電路表面使用大接觸墊940，實現了天線(320，322)和無線射頻回路316之間電容性耦合。這降低了非無線射頻軌跡942和天線320/322之間的寄生電容。此外，因為不需要無線射頻配電母線，無線射頻配電電阻也被消除了。
[0055]天線軌跡與集成電路之間的電容可能包括天線軌跡和/或天線/集成電路覆蓋層的一個氧化層324作為介電材料。這些材料的介電性能可以通過其組分和厚度(比如增強氧化層的生成，控制氧化層的厚度，等等)來控制，從而保證標簽設計達到預設的電容值。
[0056]由于大接觸墊可能與集成電路表面一樣大，所以由比如金制凸點的使用，精確的對齊，及裝配力的控制等帶來的機械局限性也被顯著的降低了。這樣因此減少了組合步驟并增加了可靠度和生產量。
[0057]如上面關于圖6所述，一個集成電路可能電連接或可導電地連接至天線的導電軌跡上，例如通過在軌跡上使用凹痕以將軌跡直接連接在集成電路大接觸墊。在一些實施例中，一個集成電路接觸墊可能在不使用凹痕，凸點或凸起區域的情況下電連接于一個天線上。
[0058]圖1OA和圖1OB展示了依實施例的帶有電連接于天線終端的集成電路的標簽前體，其中該天線中斷在標簽基底基底。一個標簽前體是完整RFID標簽的一部分，且包括一個RFID集成電路和一個具有整個標簽天線(比如一個嵌體)的基底基底或一個僅具有整個標簽天線一部分(比如一個帶條)的基底基底。在后一種情況下，該帶條可能附著于一個嵌體上。[0059]圖1OA描述了 一個集成電路1002和一個標簽基底1008。集成電路1002包括一個或者多個類似于圖3中接觸墊334和336的大接觸墊1004，這些接觸墊在集成電路1002范圍內電連接于一個或者多個電路元件上。可能為一個帶條或一個嵌體的標簽基底1008包括一個天線終端1010，該天線終端可能為類似于圖3所示的天線軌跡320和322的金屬軌跡。如果天線終端1010包括可氧化金屬，比如鋁和銅，則在終端1010上可能會因為比如暴露在空氣中而產生一層氧化層1012。氧化層1012可以起到阻止集成電路板1004和天線終端1010之間形成電連接的絕緣層作用。
[0060]為了強調這一問題，增加附加層1006可被添加以促進集成電路板1004和天線終端1010之間的電連接的形成。在一些實施例中，附件層1006包括蝕刻劑以蝕刻或穿透氧化層1012從而形成缺口。例如，附加層1006可能包括顆粒(球狀的，卵狀的，有角度的，有尖角的等等)在加熱和/或施壓時斷裂氧化層1012以在該氧化層1012內形成缺口。在一個實施例中，顆粒懸浮于快干粘合劑或可能應用于集成電路1002或基底1008的液體內，然后粘合劑或液體變干從而形成附加層1006.附加層1006可能還(或者取而代之的)包括用于蝕刻氧化層或能與氧化層發生反應的試劑以形成缺口。比如，如果天線終端1010包括鋁，則附加層1006可能包括用于氧化鋁的蝕刻劑或增溶劑。當具有附加層1006的集成電路1002配置在天線終端1010上，附加層1006 (比如上述的顆粒和/或試劑)的成分在氧化層1012內生成缺口，從而容許集成電路板1004形成與天線終端1010的電連接。
[0061]在一些實施例中，該附加層1006可能包括粘合劑以將集成電路1002附著于標簽基底1008上。比如，粘合劑可能包括各向同性或各向異性導電材料和/或非導電粘合劑。在一些實施例中，粘合劑可能還包括一個或者多個本文所述的機械和/或化學蝕刻劑或反應物(比如顆粒，蝕刻劑，增溶劑，滲染劑等等)，而在其他的一些實施例中，粘合劑可能會與蝕刻劑分離開來。
[0062]如果附加層是導電的，集成電路板1004和天線終端1010之間的電連接可能會通過附加層1006形成。比如，如果附加層1006包括用于在氧化層1012內形成缺口的導電顆粒，則導電顆粒可以幫助形成電連接。如果附加層1006不導電，則可以通過加熱，施壓或者其他過程去除掉，從而容許集成電路板1004與天線終端1010直接接觸以形成電連接(比如在加熱，施壓或者其他程序之后)。在一些實施例中，集成電路板1004本身可能具有一個毛化表面(比如表面不平，褶皺，凸起，和/或其他拓撲特征)以在加熱和/或施壓下蝕刻或使氧化層1012斷裂。比如，集成電路板1004可能在其表面以一定規則或者無規則的分布著角度相對較尖的褶皺或凸起。在一些實施例中，可能使用了激光輔助蝕刻或其他可選的蝕刻方法以在集成電路板1004上形成表面毛化。
[0063]圖1OB描述了一個類似于圖1OA中圖解1000的圖解1050。然而，一個掩蔽層1052而不是氧化層覆蓋在天線終端1010上。掩蔽層1052在天線終端1010形成之后放置形成，以作為阻止天線終端氧化層形成的保護層。該掩蔽層1052可能包括有機或者無機介電材料，或甚至可能包括不易被氧化的金屬或其他導電材料。如果掩蔽層1052包括一種介電或絕緣材料，附加層1006可能包括能與掩蔽層1052發生反應顆粒，能蝕刻或溶解掩蔽層1052的介質，和/或顆粒在加熱和/或施壓時使掩蔽層1052斷裂的顆粒。如果掩蔽層1052包括導電材料，附加層1006可能包括將集成電路板1004和掩蔽層4052電連接的材料，或附加層1006甚至可能不存在。[0064]當對集成電路或標簽基底加熱和/或施加以形成電連接時(如前所述)，在一些實施例中，可能還使用其他的程序而不是加熱和/或施壓以在集成電路板1004和天線終端1010上形成電連接。例如，在集成電路板1004和天線終端之間應用電場。該電場可以通過例如提高蝕刻率和/或蝕刻選擇度的方式促進對任何氧化層(如氧化層1012)的蝕刻。該電場還可能通過例如將電路板電焊于天線或提高金屬離子電遷移的方式促進集成電路板1004和天線終端1010之間電連接的物理形成，從而使得板1004可通電地與天線終端1010相短路。另一個例子是，應用超聲波焊接使氧化層1012斷裂和/或使板1004與天線1010相短路。
[0065]在一些實施例中，附加層1006內的蝕刻劑或試劑可能會與氧化層1012或掩蔽層1052發生反應而在集成電路板1004和天線終端1010之間形成導電通道而不必在氧化層1012或掩蔽層1052內形成缺口。例如，掩蔽層1052可能包括非導電塑料。當附加層1006與掩蔽層1052接觸時，附加層1006內的滲染劑可能擴散至部分掩蔽層1052，將這些部分掩蔽層變為導體并生成導電通道。在一些實施例中，可能會應用加熱和/或加壓的方法以促進擴散/反應。
[0066]在一些實施例中，集成電路可能包括一個非導電再鈍化層。如下面的圖11所示，該再鈍化層可能覆蓋了集成電路的一個表面，并被設置在集成電路和基底(比如圖7中的附加層712)之間，或者如下圖11所描述設置在天線接觸墊和該集成電路的剩余部分之間。該再鈍化層可能會減輕由于裝配力變化而造成的裝配電容波動，同時也可能降低大天線接觸墊和其他集成電路元件之間的寄生電容耦合。在一些實施例中，再鈍化層被限制在和/或延伸至其所被設置的集成電路表面的界限內。但是，在其他的一些實施例中，再鈍化層可能延伸至集成電路表面界限之外。例如，再鈍化層可能卷繞或侵占至相鄰的一個或多個集成電路表面，或者可能以懸臂的形式延伸出集成電路表面。
[0067]圖11展示了圖解1100，圖解1100中，包括基底1120和天線終端1127的RFID帶條或嵌體利用裝配力Fl (1102)被壓靠在RFID集成電路1124上，在此，天線終端1127和接觸層1112在再鈍化層的作用下與集成電路分開。裝配距離Dl (1104)由再鈍化層1110確定，并產生一個相似的固定裝配電容Cl.[0068]在一些實施例中，類似于圖4中的接觸墊434或436的接觸層1112實質性地覆蓋了 RFID集成電路1124表面的大部分區域。該接觸層1112可能包括導電材料，比如金屬或者其他的可選導電材料或具有金屬性能的材料。在一些實施例中，接觸層1112可能由應用在或放置在再鈍化層1110上導電再分配層構成。該導電再分配層可能通過蒸發、濺射或直接移植的方式應用的。在一些實施例中，導電再分配層可能花式成型(比如形成接觸墊，帶條或者其他想要得到的接觸形狀)以形成接觸層1112。例如，再分配層的蒸發或濺射可能伴有一個遮蔽步驟以形成期望的接觸花式(比如帶有光刻膠)和一個蝕刻步驟(如果遮蔽步驟在層放置之后)或起離/移除步驟(如果遮蔽步驟在層放置之前)。在一些實施例中，接觸層1112可能應用于另一基底，花式成型，然后移植到集成電路上。盡管圖11中只放置了一層接觸層1112，但是在其他的實施例中，可能不僅有接觸層，或者接觸層1112可能包括多個部分。例如，在再鈍化層1110上的接觸層1112可能被成型以提供多個接觸區域，并且彼此不可通電。
[0069]正如再鈍化層1110，在一些實施例中，該接觸層1112被限制在再鈍化層1110內，和/或延伸至再鈍化層1110邊界，和/或被限制在放置有再鈍化層的集成電路表面內和/或延伸至該集成電路表面的邊界。當然，在其他的一些實施例中，接觸層1112可能延伸至再鈍化層或集成電路表面外。例如，接觸層1112可能卷繞或侵占至相鄰表面，或者甚至以懸臂的形式延伸至表面外。
[0070]圖1150展示了 RFID帶條或嵌體被以大于裝配力Fl的裝配力F2壓靠在RFID集成電路上。再鈍化層1110的存在保證了裝配距離D2 (1154)與裝配距離Dl (1154)基本相同。因此，裝配電容Cl與裝配電容C2基本相似，這可以進一步幫助確保標簽具有相似的調諧并因此具有相似的性能特征。在一些實施例中，通過再鈍化層1110內的缺口形成的凸點1108將回路1162電連接于接觸層1112。在其他的一些實施例中，可能沒有凸點1108.在這種情況下，回路1162可能通過再鈍化層1110電容性地或電流性地連接至接觸層1112。例如，如果通過再鈍化層1110沒有適當的導電通道，回路1162可能電容性地連接至接觸層1112.在一些實施例中，接觸層1112可能直接放置在再鈍化層1110內的缺口上，因此電連接至回路1162。在其他的一些實施例中，如上面圖10A-B關于氧化層1012/掩蔽層1052的描述，再鈍化層的一部分可能被制成導體，并沿導電部分在回路1162和接觸層1112之間形成電連接。
[0071 ] 再鈍化層1110可能為有機或無機材料，通常(并不是必須)具有較低的介電常數和合理的厚度以提供小電容量。各向異性的導電粘合劑，模式化的導電粘合劑，或非導電粘合劑1113可能被選擇應用在集成電路和帶條/嵌體之間以物理地或可通電地將該集成電路鏈接于帶條/嵌體。如果粘合劑層1113是非導電的，則其通常足夠薄從而使得在RFID的通信頻率，其提供一個位于天線終端1127和接觸層1112之間的低阻抗電容通道。
[0072]在一些實施例中，再鈍化層1110可能包括將接觸層1112與集成電路1124相分離的空氣間隙以進一步將這兩個元件電容性解耦連。該空氣間隙可能由接觸層1112和集成電路1124 (包括電連接兩者的凸點)之間的支撐柱橋接。在一些實施例中，接觸層1112可能包括金屬制或導電網狀結構以促使空氣間隙的形成。
[0073]作為一個相對較大的金屬制板的接觸層1112也可在集成電路的裝配過程中起到協助保護再鈍化層1110的作用。例如，接觸層1112可能作為一個蝕刻遮蔽物在諸如授權于2009年I月27日的美國專利號為7482251文件所述的程序中，覆蓋和防止蝕刻或損壞該蝕刻遮蔽物下方的再鈍化層1110部分，其中該專利的全部內容以引用的方式并入本文。
[0074]如上所述，在一些實施例中，接觸層可能包括具有不同形狀的接觸區域。圖12描述了依實施例的模式化的接觸區域。圖1200描述了具有集成電路接觸1204和1206的集成電路1202的俯視圖。該集成電路1202也包括分別覆蓋和可通電地連接至接觸對1204和1206的接觸區域1208和1210。該接觸區域1208和1210容許集成電路接觸對1204和1206電連接于外部電器元件，比如位于RFID帶條或嵌體上的天線終端(比如天線終端1127)。該接觸區域1208和1210可以通過上面關于圖11的描述的放置導電再分配層的花式成型而被制造或成形。該接觸區域的該形狀和/或取向可能基于美觀，易于形成與天線終端電連接，和/或與集成電路1202中元件的耦接。例如，接觸區域1208和1210可成形以最小化與集成電路1202內的敏感元件耦合的寄生電容。在這些情況下，導電再分配層可被成型從而使得對該集成電路1202的局部寄生電容超過一個閾值的部分再分配層在成型過程中被剝離。例如，該部分可能在該放置之后用遮蔽-蝕刻程序移除，或事先應用遮蔽-起離程序阻止其放置。該閾值可能在再分配層的成型之前被預先確定，并且可能基于比如期望的整個集成電路寄生電容或部分集成電路的局部寄生電容確定。
[0075]圖解1250描述了集成電路1202另一個實施例的俯視圖。在圖解1250中，僅有集成電路接觸對1204和1206的一個接觸可能可通電地連接至接觸區域1208和1210.例如，這樣做可能用以降低接觸區域和集成電路接觸對之間的電容。同樣如圖1250所示，接觸區域1208和1210可能具有彎曲或者圓潤的邊緣。這可能會使得遮蔽，蝕刻和/或起離成型過程變得容易。
[0076]在一些實施例中，接觸層(比如接觸層1112或接觸區域1208/1210)和無線終端(比如無線終端1127)之間的接觸位置可能不同于接觸層和集成電路(比如凸點1108)之間的接觸位置。圖13根據實施例描述了非重疊或補償接觸，并描述了俯視圖1300和剖面圖1350(沿視圖1300所示的軸A-A’)。在圖13中，集成電路1302具有集成電路接觸1304和1306。在集成電路接觸1304和1306上放置一層再鈍化層1320，且接觸墊1308和1310放置在再鈍化層1320上。該接觸墊1308和1310可能由如上所述的成型放置接觸層的形式形成。集成電路接觸1304和1306通過再鈍化層1320分別可通電地連接至接觸墊1308和1310。如圖1350所示，集成電路接觸1306可能通過凸點1322 (類似于凸點1108)可通電地連接于接觸墊1310，其中該凸點1322形成穿過一個在該再鈍化層1320的缺口。類似的凸點(沒有顯示)可能通過再鈍化層的另一個缺口將集成電路接觸1304可通電地連接于接觸墊1308。在一些實施例中，接觸墊1310和1308可能在沒有凸點的情況下分別直接與集成電路接觸1306和1304可通電地相連接。例如，接觸墊1310/1308可能放置于再鈍化層1320的一個缺口上，直接形成與集成電路接觸1306/1304的電連接。
[0077]接觸墊1308和1310進一步分別可通電地連接于天線終端1312和1314。更確切的說，接觸墊1308通過接觸區域1316可通電地連接于天線終端1312，接觸墊1310通過接觸區域1318可通電地連接于天線終端1314。如果氧化物，掩蔽層或其他非導電層覆蓋了接觸墊和/或天線終端，正如上述所說，在電連接形成之前在接觸區域1319和1318上可能會形成缺口。
[0078]在一些實施例中，接觸墊/集成電路接觸連接和接觸墊/天線終端連接(及他們再鈍化層內的缺口和氧化/掩蔽層，如果有的話)可能會相互錯開和不相互重疊，如圖13所示。這可能會為集成電路配置于天線終端提供靈活度。當然，在其他的一些實施例中，連接/缺口可能會部分重疊，或一個連接(比如接觸墊/天線終端連接)可能完全包圍另一個連接(比如接觸墊/集成電路連接)。
[0079]本文所述的大集成電路接觸墊可能會有助于一個集成電路在基底上的定位。圖14根據實施例展不了一個標簽自身組合方法的一個俯視圖1400和一個側視圖1450。在圖14中，一個集成電路1402被安置在一個具有天線終端1408和1410的基底上。更確切的說，集成電路1402被配置從而使得第一集成電路接觸墊1404與第一天線終端1408(而不是第二天線終端1410)重疊，第二集成電路接觸墊1406與第二天線終端1410 (而不是第一天線終端1408)重疊。
[0080]液體表面的表面張力可以被用于促進每個接觸墊與其各自的天線終端對齊。表面張力是由液體分子之間粘合力形成的。當兩滴相似的液體(或具有相似表面能的液體)相互靠近時，它們容易結合成一個整體，較大的液滴能最小化暴露的分子數量并因此最小化表面能。如果兩個液滴分別與不同的物體相關，兩個液滴之間的結合可能會將兩個不同的物
體結合在一起。
[0081]在圖14中，至少有一些接觸墊和/或天線終端分別與一個液滴相關。例如，接觸墊1404可能與液滴1412相關，接觸墊1406可能與液滴1414有關，天線終端1408可能與液滴1416有關，天線終端1410可能與液滴1418有關。當集成電路1402靠近基底時(及天線終端1408和1410)，液滴1412可能被吸引至液滴14716，從而牽引集成電路接觸墊1404進入帶有天線終端1408的接觸(區)。同樣的，液滴1414可能被吸引至液滴1418，從而牽引集成電路接觸墊1406進入帶有天線終端1410的接觸(區)。
[0082]在一個實施例中，液滴1412-1418可能包括水。在一些實施例中，可能還包括一個或多個液體粘合劑，比如導電粘合劑，非導電粘合劑，或各向異性導電粘合劑。液滴1412-1418可能來自固體材料。例如，可能首先將固體膜或固體顆粒放置在接觸墊和/或天線終端上。被放置固體材料然后被加熱，化學改性，或以其他方式被加工成液滴1412-1418.例如，可能現將固體焊料放置在接觸墊和/或天線終端上。在組合程序之前可能先對集成電路1402和/或基底加熱從而將固體焊料熔為焊料液滴。接著，使集成電路1402靠近基底(及天線終端1408和1410)，集成電路接觸墊和/或天線終端上的焊料液滴結合從而牽引集成電路與基底結合在一起。在一些實施例中，可能在加熱之前，讓集成電路1402靠近基底。接著，加熱以熔化接觸墊和/或天線終端上的固體焊料，這樣會使接觸墊和天線終端相互靠近以在牽引下結合在一起(通過液體結合)。當然，也可能使用焊料之外的固體材料。
[0083]在一些實施例中，不同類型的液體可被使用以用于每集成電路接觸墊和天線終端對。例如，第一種液體可被放置在集成電路接觸墊1404和天線終端1408，第二種液體可被放置在集成電路接觸墊1406和天線終端1410。可能會選擇具有不同表面張力性能的液體類型，從而使得第一種液體的液滴不會吸弓I第二種液體的液滴。例如，在集成電路接觸墊1404和天線終端1408上放置極性液體(比如水)的液滴，在集成電路接觸墊1406和天線終端1410上放置非極性液體(比如油)的液滴。在一些實施例中，可能使用在不同條件下為液體的物質。例如，在集成電路接觸墊1404和天線終端1408上可能放置水滴，集成電路接觸墊1406和天線終端1410上可能放置固體焊料。當集成電路剛被涂覆在基底上時，集成電路接觸墊1404和天線終端1408將會通過水滴牽引在一起。接著，加熱集成電路和基底從而熔化集成電路接觸墊1406和天線終端1410上的固體焊料以將接觸墊和天線終端結合在一起。
[0084]盡管在圖14中描述的是每個集成電路接觸墊和天線終端上均為液滴，但在一些實施例中，可能只在每集成電路接觸墊和天線終端對的一個集成電路接觸墊或天線終端上有液滴。在這些實施例中，集成電路接觸墊(或天線終端)上的液滴可能被首先吸引至天線終端(或集成電路接觸墊)的材料上。例如，極性液體(比如水)的液滴可能被首先吸引至一種金屬上(比如集成電路接觸墊或天線終端的金屬)。
[0085]可能還會使用其他的技術在基底上組合或對齊集成電路與天線。舉個例子，可能使用靜電吸引將一個帶電的集成電路組合在一個帶相反電(荷)的天線終端上。集成電路和/或天線終端上的電荷可能由激光(比如就像激光打印)或者其他適當的方式誘發。
[0086]除了可以促進集成電路在基底上的放置外，此處所述的大集成電路接觸墊還可以促進集成電路檢測。圖15A和15B根據實施例，展示了集成電路的晶片級探頭檢測。在晶片上的集成電路可以通過使用單個探頭接觸一個集成電路接觸墊的方式檢測。在一些實施例中，多個檢測探頭組合成一個探頭板，該探頭板充當檢測系統和晶片之間的界面。為了在晶片上檢測集成電路，必須準確地將探頭板(或單個探頭)與集成電路接觸墊在晶片上對齊。此處所述的大集成電路接觸墊簡化了探頭的對齊程序，因為使用大接觸墊的用于探頭對齊的所需精度相對于小使用小接觸墊的用于探頭對齊的所需精度。
[0087]圖15A描述了一個用于接觸晶片1502以用于檢測的系統1500。晶片1502包括多個集成電路，僅有一個被標記。集成電路1504包括兩個接觸墊1506和1508.—個探頭板1510包括多個檢測探頭，其中的兩個探頭被標注為1512和1514。檢測探頭1512和1514可以通過分別與接觸墊1506和1508之間形成電連接被安裝以檢測集成電路1504.尺寸相對較大的接觸墊1506和1508可以降低探頭板1510配置在晶片1502上的精度要求，從而減少整個檢測的時間。
[0088]圖15B描述了一個類似于系統1500的系統1550。在系統1550中，探頭板1552包括由具有彈性，柔性且導電的材料制成的探頭1554和1556。探頭1554和1556的柔性特征可以降低在檢測時對集成電路1504和/或晶片的損害，同時還可以提高各個探頭與接觸墊之間的電連接。在一些實施例中，探頭板1552本身可能也是由柔性材料制成，這可以改善在晶片上與集成電路接觸墊的探頭接觸。
[0089]此處所述的集成電路可能還被配置成和/或實現申請號為PCT/US12/54531，申請日為2012年9月10日，PCT專利申請中所描述的功能。前述的PCT申請的揭露內容以引用的方式全部并入本文。
[0090]實施例還包括本文所述的組裝標簽的方法。本文件具有經濟價值，因為有時候單個描述就給出了依實施例的方法和根據實施例制得的設備的功能。實施例可能使用由全自動或半自動標簽制造設備執行的程序而被實施。由于步驟和其序列的技術特征的性質，一個程序通常被定義成實現預期目的一組步驟或操作。一個程序在作為一個處理程序的一系列步驟或操作時，利于執行，比如上述的結構。
[0091]執行一個程序的步驟，說明或操作需要物理量的計算。通常，盡管不是必須，這些物理量可能根據步驟或說明而被轉換，組合，比較及其他計算或處理，也有可能被儲存在電腦可讀的媒介上。這些物理量包括，例如電的，磁的，及電磁電荷或顆粒帶電粒子，物質的狀態，大多數情況下可能包括物理設備或元件的狀態。
[0092]實施例可能還進一步包括用于存儲上述程序的存儲媒介。根據實施例，一個存儲媒介為一個機器可讀的媒介，比如存儲器，和依實施例被一個控制一個標簽組合機器以組裝標簽的處理器讀取。如果是一個存儲器，其可以多種方式執行，比如只讀存儲器(R0M)，隨機存取存儲器(RAM)等，它們中的一些是不穩定的，一些是穩定的。
[0093]根據一些實施例，一個射頻識別(RFID)標簽前體可能包括一個具有一個RFID集成電路(IC)的組合，一個在集成電路表面上且在限制在該表面界限范圍內的非導電再鈍化層，和一個在再鈍化層上且限制在該表面上的導電再分配層。再分配層的一個第一部分可能通過再鈍化層上的一個第一缺口電連接于集成電路。
[0094]該RFID標簽可能還包括一個具有一個第一天線終端的基底，一個在第一天線終端和/或再分配層的第一部分上的一個非導電屏障內形成一個第二缺口的蝕刻劑，和一個將該組合附著于基底上的粘合劑。一個電連接通過該第二缺口形成在該第一天線終端和該再分配層的第一部分之間，和該第一缺口和該第二缺口可能不重疊。
[0095]根據另一個實施例，組合一個RFID標簽前體的方法可能包括提供一個具有RFID集成電路的組合，一個在該集成電路表面上且限制在該表面界限內的非導電再鈍化層，和一個在再鈍化層上且限制該表面界限范圍內的導電再分配層。該再分配層的第一部分可能通過該再鈍化層上的一個第一缺口電連接于該集成電路。
[0096]該方法可能進一步包括提供一個具有一個第一天線終端的基底，利用蝕刻劑在該第一天線終端和/或該再分配層的該第一部分上的一個非導電屏障上形成一個第二缺口，其中第一缺口和第二缺口不重疊，利用粘合劑將組合附著在基底上，和通過第二缺口在該第一天線終端和該再分配層的第一部分之間形成一個第一電連接。
[0097]根據另一個例子，一個射頻識別(RFID)標簽前體可能包括一個具有一個RFID集成電路(IC)的組合，一個在集成電路表面并限制在該表面界限內的非導電再鈍化層，和一個在再鈍化層上且限制在該表面界限內的導電再分配層。該再分配層的一個第一部分可能通過該再鈍化層內的一個第一缺口可通電地連接于集成電路。
[0098]該RFID標簽前體可能還包括一個具有一個第一天線終端的基底，一個與該第一天線終端和/或該再分配層的該第一部分上的一個非導電屏障發生反應的反應劑，和一個將該組合附著于該基底的粘合劑。該非導電電池的反應部分可能為導電的，且在該第一天線終端和該再分配層的該第一部分之間通過該反應部分形成一個第一電連接。
[0099]根據一個實施例，該再分配層可能被模式化，從而使得具有一個對集成電路的超出閾值的寄生電容的部分被剝離。該非導電屏障可能為氧化層或掩蔽層。該粘合劑可能包括一個各向同性或各向異性導電材料，且該第一連接可能包括該粘合劑。該蝕刻劑可能包括一個在再分配層的毛化表面和/或導電顆粒上以通過破損該非導電電池形成第二缺口。該蝕刻劑可能通過與非導電電池發生反應形成第二缺口。在一些實施例中，該基底可能還包括一個第二天線終端，該再分配層可能還包括一個與該第一部分分離且電連接于集成電路的一個第二部分，該非導電電池可能位于該第二天線終端和/或該再分配層的該第二部分上，該蝕刻劑可能在該非導電電池上形成一個第三缺口，在該第二天線終端和該再分配層的該第二部分之間可能通過該第三缺口形成一個第二電連接。
[0100]上述說明，舉例和數據提供了一個制造和使用實施例構成部分的完整描述。盡管該主題已經用語言針對結構特征和/或方法動作進行描述，但可以理解的是，權利要求中對該主題的界定并不必然局限于上述的結構特征或動作。上述的具體特征和動作以實施權利要求和實施例的示例形式被揭露。
【權利要求】
1.一種射頻識別標簽前體，其特征在于，包括: 一個包括一個RFID集成電路,一個在集成電路表面上且限制在所述表面一個邊界內的一個非導電再鈍化層組合，和一個在所述再鈍化層表面上且限制在所述表面一個邊界內的一個導電再分配層的組合，其中至少所述再分配層的一個第一部分通過一個第一缺口可通電地連接于所述集成電路，其中所述第一缺口在所述再鈍化層； 一個基底，其包括一個第一天線終端； 一種蝕刻劑，所述蝕刻劑在一個非導電屏障上形成一個第二缺口，其中所述非導電屏障存在于所述第一天線終端和所述再分配層的所述第一部分兩者中的至少一個，和； 一種將所述組合附著在所述基底上的粘合劑；其中一個第一電連接通過所述第二缺口被形成在所述第一天線終端和所述再分配層的所述第一部分之間；和所述第一缺口和所述第二缺口不重疊。
2.根據權利要求1所述的標簽前體，其特征在于，所述再分配層被模式化，從而使得具有一個對所述集成電路的超出閾值的寄生電容的部分被剝離。
3.根據權利要求1所述的標簽前體，其特征在于，所述非導電屏障為一種氧化物和一個掩蔽層兩者中的至少其中之一。
4.根據權利要求1所述的標簽前體，其特征在于，所述粘合劑包括一種各向同性導電材料和一種各向異性導電材料兩者中的至少其中之一，且所述第一電連接包括所述粘合劑。
5.根據權利要求1所述的標簽前體，其特征在于，所述蝕刻劑包括一個在所述再分配層的毛化表面，其中所述再分配層通過破損所述非導電屏障形成所述第二缺口。`
6.根據權利要求1所述的標簽前體，其特征在于，所述蝕刻劑包括導電顆粒，其中所述導電顆粒通過破損所述非導電屏障形成所述第二缺口。
7.根據權利要求1所述的標簽前體，其特征在于，所述蝕刻劑通過與非導電屏障發生反應而形成所述第二缺口。
8.根據權利要求1所述的標簽前體，其特征在于， 所述基底進一步包括一個第二天線終端； 所述再分配層進一步包括一個第二部分，其中所述第二部分與所述第一部分電絕緣且與所述集成電路可通電地相連接； 所述非導電屏障進一步位于所述第二天線終端和所述再分配層的所述第二部分兩者中的至少其中之一； 所述蝕刻劑進一步在所述非導電屏障形成一個第三缺口 ；和 一個第二電連接通過所述第三缺口形成在所述第二天線終端和所述再分配層的所述第二部分之間。
9.一種射頻識別(RFID)標簽前體組合方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供一個包括一個RFID集成電路,一個在集成電路表面上且限制在所述表面一個邊界內的一個非導電再鈍化層組合，和一個在所述再鈍化層表面上且限制在所述表面一個邊界內的一個導電再分配層的組合，其中至少所述再分配層的一個第一部分通過所述再鈍化層的一個第一缺口被可通電地連接于所述集成電路； 提供一個基底，其中所述基底包括一個第一天線終端；在所述非導電屏障形成一個第二缺口，其中所述非導電屏障存在于所述第一天線終端和所述帶有一種蝕刻劑的所述再分配層的所述第一部分兩者中的其中之一，其中所述第一缺口和所述第二缺口不重疊； 用一種粘合劑將所述組合附著在所述基底上；和 在所述第一天線終端和所述再分配層的所述第一部分之間通過所述第二缺口形成一個第一電連接。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述再分配層被模式化從而使得具有一個對所述集成電路的超出閾值的寄生電容的部分被剝離。
11.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述非導電屏障為一種氧化物和一個掩蔽層兩者中的至少其中之一。
12.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述粘合劑包括一種各向同性導電材料和一種各向異性導電材料兩者中的至少其中之一，且所述第一電連接包括所述粘合劑。
13.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述蝕刻劑是一種在所述再分配層的毛化表面和所述方法進一步包括通過用所述蝕刻劑破損所述非導電屏障形成所述第二缺口。
14.根據權利要求9所述的方法， 其特征在于，所述蝕刻劑包括導電顆粒和所述方法進一步包括通過用所述導電顆粒破損所述非導電屏障形成所述第二缺口。
15.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，進一步包括通過蝕刻劑與非導電屏障發生反應形成所述第二缺口。
16.據權利要求9所述的方法，其特征在于，進一步包括通過應用電場、電焊接和超聲波焊接中的至少其中之一形成所述第一電連接。
17.根據權利要求9所述的方法，其特征在于， 所述基底進一步包括一個第二天線終端； 所述再分配層進一步包括一個第二部分，其中所述第二部分與所述第一部分從電絕緣和與所述集成電路可通電地相連接；和 所述的非導電屏障進一步位于所述第二天線終端和所述再分配層的所述第二部分中的至少其中之一；和 所述方法進一步包括: 用所述蝕刻劑在所述非導電屏障上形成一個第三缺口 ；和 在所述第二天線終端和所述再分配層的所述第二部分之間通過第三缺口形成一個第二電連接。
18.一種射頻識別(RFID)標簽前體，其特征在于，包括: 一個包括一個RFID集成電路,一個在集成電路表面上且限制在所述表面一個邊界內的一個非導電再鈍化層組合，和一個在所述再鈍化層表面上且限制在所述表面一個邊界內的一個導電再分配層的組合，其中至少所述再分配層的一個第一部分被可通電地連接至所述集成電路； 一個基底，其中所述基底包括一個第一天線終端； 一種反應物，所述反應物與位于所述第一天線終端和所述再分配層的所述第一部分兩者中的至少其中之一的一個非導電屏障的一部分發生反應，和 一種將所述組合附著在所述基底的粘合劑；其中所述非導電屏障的反應部分為導電的，和 一個包括所述反應部分的第一電連接，其中所述第一電連接形成在所述第一天線終端和所述再分配層的所述第一部分之間。
19.根據權利要求18所述的標簽前體，其中，所述再分配層被模式化從而相對于該集成電路具有一個寄生電容的部分超過預設極限值而被剝離。
20.根據 權利要求18所述的標簽前體，其特征在于，所述非導電屏障為一種氧化物或一種掩蔽層兩者中的其中之一； 所述粘合劑包括一種各向同性導電材料和一種各向異性導電材料中的至少一種；和 所述第一電連接包括所述粘合劑。
【文檔編號】G06K19/077GK103778460SQ201310472824
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年10月11日 優先權日:2012年10月12日
【發明者】寇普·Rl, 奧利弗·Ra, 海因里奇·H, 馬福利·J, 吳·Tm, 迪奧里奧·Cj 申請人:上海中京電子標簽集成技術有限公司