專利名稱：電子標簽中調制負載電壓的系統的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及射頻技術領域，具體是電子標簽中調制負載電壓的系統。
背景技術：
射頻識別是當前應用最廣泛的非接觸式自動目標識別技術之一，其具有非接觸、讀寫靈活、速度快、安全性高等優點，因此被廣泛應用于各個領域。現有射頻識別系統中閱讀器和電子標簽天線之間的耦合很弱，閱讀器天線上接收的信號的電壓波動比閱讀器的輸出電壓小，如13. 56MHz的系統，當閱讀器天線電壓大約為100V時，只能得到大約IOmv的有效信號。為了使閱讀器檢測出這些很小電壓的變化，現有閱讀器上電路設計復雜，這就增加了閱讀器的體積和成本。
實用新型內容本實用新型的目的在于克服現有技術的不足，提供了一種結構簡單，成本低，且能提高閱讀器天線感應電壓的電子標簽中調制負載電壓的系統。本實用新型的目的主要通過以下技術方案實現電子標簽中調制負載電壓的系統，包括四個NMOS晶體管、兩個PMOS晶體管及兩個非門，所述四個NMOS晶體管的源極均接地；所述四個NMOS晶體管包括第一 NMOS晶體管、第二 NMOS晶體管、第三NMOS晶體管及第
四NMOS晶體管，所述PMOS晶體管包括第一 PMOS晶體管和第二 PMOS晶體管，第一 PMOS晶體管源極與第三NMOS晶體管漏極連接，第一 NMOS晶體管、第二 NMOS晶體管及第二 PMOS晶體管三者的柵極均連接在第一 PMOS晶體管源極和第三NMOS晶體管漏極之間的線路上，所述第二 PMOS晶體管源極與第四NMOS晶體管漏極連接，第一 PMOS晶體管柵極連接在第二PMOS晶體管源極和第四NMOS晶體管漏極之間的線路上；所述非門包括第一非門和第二非門，所述第二非門的輸入端與第一非門的輸出端連接，第二非門的輸出端與第四NMOS晶體管柵極連接，所述第三NMOS晶體管柵極與第一非門和第二非門之間的線路連接。所述第一 NMOS晶體管的漏極連接有第一電阻,所述第二 NMOS晶體管的漏極連接有第二電阻。本實用新型在應用時第一電阻相對連接第一 NMOS晶體管的漏極端的另一端為一個射頻接入點，第二電阻相對連接第二 NMOS晶體管的漏極端的另一端為一個射頻接入點，本實用新型在應用時兩個射頻接入點均連接在電子標簽的天線上。所述第一非門的輸入端連接有數據接收端口。本實用新型的數據接收端口在應用時來接收電子標簽發送的數據。與現有技術相比，本實用新型具有以下有益效果本實用新型包括四個NMOS晶體管、兩個PMOS晶體管、兩個非門及兩個電阻，整體結構簡單，便于實現，成本低，其中，四個NMOS晶體管中的第一 NMOS晶體管和第二 NMOS晶體管形成負載調制開關管，第一電阻和第二電阻為調制電阻，第一電阻和第二電阻并聯到電子標簽天線兩端，第一非門的輸入端接收到低電平時，第一 NMOS晶體管和第二 NMOS晶體管判斷，天線工作電流不變，第一非門的輸入端接收到高電平時，第一 NMOS晶體管和第二 NMOS晶體管導通，天線等效負載電阻降低，天線電流增大、感應電壓降低，如此，閱讀器天線的感應電壓升高，通過本實用新型能避免在閱讀器上增設識別小電壓信號的電路，節省閱讀器成本。
圖I為本實用新型實施例的結構示意圖。附圖中附圖標記所對應的名稱為N1—第一 NMOS晶體管，N2—第二 NMOS晶體管，N3—第三NMOS晶體管，N4—第四NMOS晶體管，Pl—第一 PMOS晶體管，P2—第二 PMOS晶體管，Data—數據接收端口，I一第一非門，2—第二非門，Rl—第一電阻，R2—第二電阻。
具體實施方式下面結合實施例及附圖對本實用新型作進一步的詳細說明，但本實用新型的實施方式不限于此。實施例如圖I所示，電子標簽中調制負載電壓的系統，包括外殼及設置在外殼內的內部電路，內部電路包括四個NMOS晶體管和兩個PMOS晶體管，其中，四個NMOS晶體管的源極均接地。四個NMOS晶體管分別為第一 NMOS晶體管NI、第二 NMOS晶體管N2、第三NMOS晶體管N3及第四NMOS晶體管N4，兩個PMOS晶體管分別為第一 PMOS晶體管Pl和第二 PMOS晶體管P2。第一 PMOS晶體管Pl源極與第三NMOS晶體管N3漏極連接，第一 NMOS晶體管NI、第二 NMOS晶體管N2及第二 PMOS晶體管P2三者的柵極均連接在第一 PMOS晶體管Pl源極和第三NMOS晶體管N3漏極之間的線路上。第二 PMOS晶體管P2源極與第四NMOS晶體管N4漏極連接，第一 PMOS晶體管Pl柵極連接在第二 PMOS晶體管P2源極和第四NMOS晶體管N4漏極之間的線路上，第一 PMOS晶體管Pl漏極和第二 PMOS晶體管P2漏極均連接在一個電源上。在應用時，第一 NMOS晶體管NI的漏極連接有第一電阻R1，第二 NMOS晶體管N2的漏極連接有第二電阻R2，第一電阻Rl相對連接第一 NMOS晶體管NI漏極端的另一端連接和第二電阻R2相對連接第二 NMOS晶體管N2漏極端的另一端均連接在電子標簽的天線上。電子標簽中調制負載電壓的系統，還包括第一非門I和第二非門2，其中，第二非門2的輸入端與第一非門的輸出端連接，第二非門2的輸出端與第四NMOS晶體管N4柵極連接，第三NMOS晶體管N3柵極與第一非門I和第二非門2之間的線路連接，第一非門I的輸入端連接有接收電子標簽發送數據的數據接收端口 Data。如上所述，則能很好的實現本實用新型。
權利要求1.電子標簽中調制負載電壓的系統，其特征在于包括四個NMOS晶體管、兩個PMOS晶體管及兩個非門，所述四個NMOS晶體管的源極均接地；所述四個NMOS晶體管包括第一NMOS晶體管(NI)、第二 NMOS晶體管(N2)、第三NMOS晶體管(N3)及第四NMOS晶體管(N4)，所述PMOS晶體管包括第一 PMOS晶體管(Pl)和第二 PMOS晶體管(P2)，第一 PMOS晶體管(Pl)源極與第三NMOS晶體管(N3)漏極連接，第一 NMOS晶體管(NI )、第二 NMOS晶體管(N2)及第二 PMOS晶體管(P2)三者的柵極均連接在第一 PMOS晶體管(Pl)源極和第三NMOS晶體管(N3)漏極之間的線路上，所述第二 PMOS晶體管(P2)源極與第四匪OS晶體管(N4)漏極連接，第一 PMOS晶體管(Pl)柵極連接在第二 PMOS晶體管(P2)源極和第四NMOS晶體管(N4)漏極之間的線路上；所述非門包括第一非門(I)和第二非門(2)，所述第二非門(2)的輸入端與第一非門(I)的輸出端連接，第二非門(2 )的輸出端與第四NMOS晶體管(N4)柵極連接，所述第三NMOS晶體管(N3)柵極與第一非門(I)和第二非門(2)之間的線路連接。
2.根據權利要求I所述的電子標簽中調制負載電壓的系統，其特征在于所述第一NMOS晶體管(NI)的漏極連接有第一電阻(R1)，所述第二 NMOS晶體管(N2)的漏極連接有第二電阻(R2)。
3.根據權利要求I或2所述的電子標簽中調制負載電壓的系統，其特征在于所述第一非門(I)的輸入端連接有數據接收端口(Data)。
專利摘要本實用新型公開了電子標簽中調制負載電壓的系統，包括四個NMOS晶體管、兩個PMOS晶體管及兩個非門，四個NMOS晶體管的源極均接地。第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管及第二PMOS晶體管三者的柵極均連接在第一PMOS晶體管源極和第三NMOS晶體管漏極之間的線路上，第一PMOS晶體管柵極連接在第二PMOS晶體管源極和第四NMOS晶體管漏極之間的線路上。第二非門與第四NMOS晶體管柵極連接，第三NMOS晶體管柵極與第一非門和第二非門之間的線路連接。本實用新型采用上述結構，整體結構簡單，節省成本，且在提高閱讀器天線的感應電壓時不需增加閱讀器的成本和體積。
文檔編號G06K19/067GK202677432SQ20122031640
公開日2013年1月16日 申請日期2012年7月3日 優先權日2012年7月3日
發明者曾維亮 申請人:成都市宏山科技有限公司