專利名稱：一種觸摸屏、觸控液晶面板和顯示裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及觸摸屏制作工藝技術領域，尤其涉及一種觸摸屏、觸控液晶面板和顯示裝置。
背景技術：
目前，很多人機交互的設備都將觸摸屏作為與用戶交互的界面，因此，觸摸屏的應用十分的普遍。為了方便介紹，此處以圖I所示的手機的On Cell觸摸屏為例，在觸摸屏上可分為顯示區域11和遮蓋區域12，顯示區域11用于顯示與用戶交互的相關信息，例如短信圖標、電話圖標等；遮蓋區域12為觸摸屏上的邊框部分。觸摸屏的內部結構主要包括透明基板、黑色矩陣(BM)層、有機絕緣(OC)層、金屬 (Metal)層、絕緣層(PVX)以及銦錫氧化物導電薄膜(Indium-Tin Oxide, ITO)層；其中BM是一種黑色涂層位于透明基板的遮蓋區域12，用于吸收到達所述遮蓋區域12的光線，保證觸摸屏幕的顯示效果；由于觸摸屏是在設備的腔體內完成制作的，并且在加工過程中會對金屬層和ITO層進行刻蝕；在刻蝕的過程中，由于存在腐蝕和高溫的現象，因此會損傷BM，導致部分BM脫落污染腔體，為了防止污染現象發生，現有技術是在BM層上涂覆一層OC層。本發明人發現，由于現有技術中觸摸屏所包含的膜層過多，導致制作工序復雜、成本較高，以及光線的透光率較低，影響用戶的視覺效果。
實用新型內容本實用新型實施例提供一種觸摸屏、觸控液晶面板和顯示裝置，用于解決如何減少制作觸摸屏時所需的工序、成本，以及提高觸摸屏的透光率的問題。一種觸摸屏，包括透明基板、金屬層，所述觸摸屏還包括耐高溫黑矩陣層，所述耐高溫黑矩陣層形成在所述透明基板上，通過構圖工藝形成所述透明基板的遮蓋區域；所述金屬層形成在所述耐高溫黑矩陣層上，通過構圖工藝形成金屬線。一種觸摸屏，包括透明基板、銦錫氧化物導電薄膜層，所述觸摸屏還包括耐高溫黑矩陣層，所述耐高溫黑矩陣層形成在所述透明基板上，通過構圖工藝形成所述透明基板的遮蓋區域；所述銦錫氧化物導電薄膜層形成在所述耐高溫黑矩陣層上，通過構圖工藝形成所述透明基板上的顯示區域；并通過構圖工藝在所述銦錫氧化物導電薄膜層上形成斷裂溝道，所述斷裂溝道使橫軸方向的銦錫氧化物導電薄膜和縱軸方向的銦錫氧化物導電薄膜斷開。一種觸控液晶面板，包括彩膜基板、陣列基板和液晶，所述彩膜基板包括上述觸摸屏。一種顯示裝置，包括上述觸控液晶面板。可見，采用本實用新型實施例提供的觸摸屏、觸控液晶面板和顯示裝置，使用了一種特殊的耐高溫黑矩陣，該耐高溫黑矩陣所使用的材料有較好的耐高溫、耐腐蝕的特點，因此，可直接在耐高溫黑矩陣上形成金屬層或銦錫氧化物導電薄膜層。可見，本實用新型實施例提供的觸摸屏不需要使用保護設備腔體免受黑矩陣層污染的OC層，因此，可大大減少制作觸摸屏時所需的工序和成本，同時提高觸摸屏的透光率。
圖I為現有技術中觸摸屏分區結構示意圖；圖2A為本實用新型實施例一提供的第一種屏幕的刻蝕耐高溫黑色矩陣后的結構示意圖；圖2B為本實用新型實施例一提供的第一種屏幕的遮蓋區域的結構示意圖； 圖3為本實用新型實施例一提供的第一種屏幕的刻蝕金屬層后的結構示意圖；圖4為本實用新型實施例一提供的第一種屏幕的刻蝕第一層絕緣層后的結構示意圖；圖5為本實用新型實施例一提供的第一種屏幕的刻蝕銦錫氧化物導電薄膜層后的結構不意圖；圖6為本實用新型實施例一提供的第一種屏幕的刻蝕最后一層絕緣層后的結構示意圖；圖7為本實用新型實施例二提供的第二種屏幕的刻蝕第一層絕緣層后的結構示意圖；圖8為本實用新型實施例二提供的第二種屏幕的刻蝕銦錫氧化物導電薄膜層后的結構不意圖；圖9為本實用新型實施例二提供的第二種屏幕的刻蝕最后一層絕緣層后的結構示意圖；圖10為本實用新型實施例三提供的第三種屏幕的刻蝕銦錫氧化物導電薄膜層后的結構不意圖；圖11為本實用新型實施例三提供的第三種屏幕的刻蝕第一層絕緣層后的結構示意圖；圖12為本實用新型實施例三提供的第三種屏幕的刻蝕金屬層后的結構示意圖；圖13為本實用新型實施例三提供的第三種屏幕的刻蝕最后一層絕緣層后的結構示意圖；圖14A為本實用新型實施例四提供的第四種屏幕的刻蝕銦錫氧化物導電薄膜層后的結構不意圖；圖14為本實用新型實施例四提供的第四種屏幕的刻蝕第一層絕緣層后的結構示意圖；圖15為本實用新型實施例四提供的第四種屏幕的刻蝕銦錫氧化物導電薄膜層后的結構不意圖；圖16為本實用新型實施例四提供的第四種屏幕的刻蝕最后一層絕緣層后的結構示意圖。
具體實施方式
本實用新型實施例提供的觸摸屏，使用了一種特殊的耐高溫黑矩陣，該耐高溫黑矩陣所使用的材料有較好的耐高溫、耐腐蝕的特點，因此，可直接在耐高溫黑矩陣上形成金屬層或銦錫氧化物導電薄膜層。可見，本實用新型實施例提供的觸摸屏不需要使用OC層，因此，可大大減少制作觸摸屏時所需的工序和成本，同時提高觸摸屏的透光率。以下以具體實施例介紹實施例一實施例一為本實用新型實施例提供的第一種觸摸屏，其中包括透明基板、耐高溫黑矩陣層、金屬層、絕緣(PVX)層以及銦錫氧化物導電薄膜層；該第一種觸摸屏具體結構如下如圖2A所示，在所述透明基板21上形成耐高溫黑矩陣層22，通過構圖工藝形成所 述透明基板21的遮蓋區域201，如圖2B所示；如圖3所示，在所述耐高溫黑矩陣層22上形成金屬層23，對金屬層23通過構圖工藝形成金屬線；在所述透明基板21的遮蓋區域所對應的位置可通過構圖工藝形成多條線寬和線距為20微米至50微米的金屬線；在所述透明基板21的顯示區域所對應的位置可通過構圖工藝形成多條線寬為10微米至15微米的金屬線，且每兩條相鄰的金屬線之間的間距為5毫米至7毫米；如圖4所示，在所述金屬層23上設置所述絕緣層24，并對該絕緣層24進行刻蝕，通過構圖工藝在位于所述透明基板的顯示區域上的每條金屬線上至少形成兩個過孔26 ；如圖5所示，在所述絕緣層24上形成所述銦錫氧化物導電薄膜層25，使形成的銦錫氧化物導電薄膜可通過過孔26與所述金屬線接觸；并通過構圖工藝在銦錫氧化物導電薄膜層上形成斷裂溝道27，所述斷裂溝道27使橫軸方向28的銦錫氧化物導電薄膜和縱軸方向29的銦錫氧化物導電薄膜斷開；如圖6所示，在所述銦錫氧化物導電薄膜層25上再設置一層絕緣層24。實施例二實施例二為本實用新型實施例提供的第二種觸摸屏，其中包括透明基板、耐高溫黑矩陣層、金屬層、絕緣(PVX)層以及銦錫氧化物導電薄膜層；該第二種觸摸屏具體結構如下如圖2A所示，形成在所述透明基板21上的耐高溫黑矩陣層22，通過構圖工藝形成所述透明基板21的遮蓋區域201，看參見圖2B ；如圖3所示，在所述耐高溫黑矩陣層22上形成金屬層23，通過構圖工藝形成金屬線；在所述透明基板21的遮蓋區域所對應的位置可通過構圖工藝形成多條線寬為20微米至50微米的金屬線；在所述透明基板21的顯示區域所對應的位置可通過構圖工藝形成多條線寬為10微米至15微米的金屬線，且每兩條相鄰的金屬線之間的間距為5毫米至7毫米;如圖7所示，在所述金屬層23上設置有所述絕緣層24，通過構圖工藝在位于所述透明基板的顯示區域上，針對每根金屬線形成寬度不大于對應的金屬線寬度的絕緣層區域。如圖8所示，在所述絕緣層24上形成銦錫氧化物導電薄膜層25，使形成后的銦錫氧化物導電薄膜可通過過孔26與所述金屬線接觸；并通過構圖工藝在銦錫氧化物導電薄膜層上形成斷裂溝道27，所述斷裂溝道使橫軸方向28的銦錫氧化物導電薄膜和縱軸方向29的銦錫氧化物導電薄膜斷開；如圖9所示，在所述銦錫氧化物導電薄膜層25上再設置一層絕緣層24。實施例三實施例三為本實用新型實施例提供的第三種觸摸屏，其中包括透明基板、耐高溫黑矩陣層、金屬層、絕緣(PVX)層以及銦錫氧化物導電薄膜層；該第三種觸摸屏具體結構如下如圖2A所示，形成在所述透明基板21上的耐高溫黑矩陣層22，通過構圖工藝形成于所述透明基板21的遮蓋區域201，可參見圖2B ； 如圖10所示，在所述耐高溫黑矩陣層22上形成所述銦錫氧化物導電薄膜層25，通過構圖工藝形成所述透明基板21的顯示區域；并通過構圖工藝在所述銦錫氧化物導電薄膜層上形成斷裂溝道27，所述斷裂溝道使橫軸方向28的銦錫氧化物導電薄膜和縱軸方向29的銦錫氧化物導電薄膜斷開；如圖11所示，在所述銦錫氧化物導電薄膜層25上設置所述絕緣層24，并通過構圖工藝在與所述顯示區域對應的位置上形成多個過孔26 ；如圖12所示，在所述絕緣層24上形成所述金屬層23，通過構圖工藝形成隱藏區域、并填充縱軸方向的銦錫氧化物導電薄膜兩側的過孔以及覆蓋在所述兩側的過孔之間的絕緣層之上；該金屬層可通過過孔與銦錫氧化物導電薄膜層導通；在所述透明基板21的遮蓋區域所對應的位置可通過構圖工藝形成多條線寬為20微米至50微米的金屬線；在所述透明基板21的顯示區域所對應的位置可通過構圖工藝形成多條線寬為10微米至15微米的金屬線，且每兩條相鄰的金屬線之間的間距為5毫米至7毫米；如圖13所示，所述金屬層23上設置絕緣層24。實施例四實施例四為本實用新型實施例提供的第四種觸摸屏，其中包括透明基板、耐高溫黑矩陣層、金屬層、絕緣(PVX)層以及銦錫氧化物導電薄膜層；該第四種觸摸屏具體結構如下如圖2A所示，形成在所述透明基板21上的耐高溫黑矩陣層22，通過構圖工藝形成于所述透明基板21的遮蓋區域201，可參見圖2B ；如圖14A所示，在所述耐高溫黑矩陣層22上形成所述銦錫氧化物導電薄膜層25，通過構圖工藝形成所述透明基板21的顯示區域；并通過構圖工藝在所述銦錫氧化物導電薄膜層上形成斷裂溝道27，所述斷裂溝道使橫軸方向28的銦錫氧化物導電薄膜和縱軸方向29的銦錫氧化物導電薄膜斷開；如圖14所示，在所述銦錫氧化物導電薄膜層25上設置所述絕緣層24，并通過構圖工藝每兩個相鄰的斷裂溝道之間的銦錫氧化物導電薄膜上以及所述斷裂溝道中形成多個絕緣層區域；如圖15所示，在絕緣層24上形成所述金屬層23，通過構圖工藝形成于所述耐高溫黑矩陣層上；通過構圖工藝在顯示區域多個金屬層區域，每個金屬層區域內含一個絕緣層區域，且金屬層區域與縱軸方向上的銦錫氧化物導電薄膜層接觸。[0061]如圖16所示，在所述金屬層23上設置絕緣層。具體的，上述實施例一至實施例四中的所述耐高溫黑矩陣層所使用的材料具有較高的耐高溫、耐腐蝕特性；且上述所有實施實例中在設置最后一層絕緣層后，還應當對該層絕緣層進行刻蝕，刻蝕后效果參見圖6或圖9或圖13或圖16，將軟性印制電路板27與刻蝕后顯現出的金屬線或銦錫氧化物導電薄膜相接觸，該結構為現有技術，具體可參見圖16。較佳的，當使用PVX的材料為有機PVX材料時，可選擇實施例二和實施例四提供的結構；當使用PVX的材料為二氧化硅和氮化硅等無機PVX材料時，可選擇實施例一和實施例三提供的結構；操作人員也可根據實際刻蝕設備選擇相應的結構。同時，本實用新型又提供了一種觸控液晶面板，包括彩膜基板、陣列基板和液晶， 所述彩膜基板包括實施例一至實施例四所述的觸摸屏。此外，本實用新型還提供了一種顯示裝置，包括所述觸控液晶面板。綜上所述，有￡fL效果采用本實用新型實施例提供的觸摸屏、觸控液晶面板和顯示裝置，使用了一種特殊的耐高溫黑矩陣，該耐高溫黑矩陣所使用的材料有較好的耐高溫、耐腐蝕的特點，因此，可直接在耐高溫黑矩陣上形成并刻蝕金屬層或銦錫氧化物導電薄膜層。可見，本實用新型實施例提供的觸摸屏不需要使用OC層，因此，可大大減少制作觸摸屏時所需的工序和成本，同時提高觸摸屏的透光率。顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權利要求及其等同技術的范圍之內，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求1.一種觸摸屏，包括透明基板、金屬層，其特征在于，所述觸摸屏還包括 耐高溫黑矩陣層，所述耐高溫黑矩陣層形成在所述透明基板上，通過構圖工藝形成所述透明基板的遮蓋區域； 所述金屬層形成在所述耐高溫黑矩陣層上，通過構圖工藝形成金屬線。
2.如權利要求I所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏還包括 絕緣層，所述絕緣層設置在所述金屬層上，通過構圖工藝在位于所述透明基板的顯示區域上的每根金屬線上至少形成兩個過孔。
3.如權利要求I所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏還包括 絕緣層，所述絕緣層設置在所述金屬層上，通過構圖工藝在位于所述透明基板的顯示 區域上，針對每根金屬線形成寬度不大于對應的金屬線寬度的絕緣層區域。
4.如權利要求2或3所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏還包括 銦錫氧化物導電薄膜層，所述銦錫氧化物導電薄膜層形成在所述絕緣層上，并通過構圖工藝在所述銦錫氧化物導電薄膜層上形成斷裂溝道，所述斷裂溝道使橫軸方向的銦錫氧化物導電薄膜和縱軸方向的銦錫氧化物導電薄膜斷開。
5.如權利要求4所述的觸摸屏，其特征在于，在所述銦錫氧化物導電薄膜層上設置有絕緣層。
6.一種觸摸屏，包括透明基板、銦錫氧化物導電薄膜層，其特征在于，所述觸摸屏還包括 耐高溫黑矩陣層，所述耐高溫黑矩陣層形成在所述透明基板上，通過構圖工藝形成所述透明基板的遮蓋區域； 所述銦錫氧化物導電薄膜層形成在所述耐高溫黑矩陣層上，通過構圖工藝形成所述透明基板的顯示區域；并通過構圖工藝在所述銦錫氧化物導電薄膜層上形成斷裂溝道，所述斷裂溝道使橫軸方向的銦錫氧化物導電薄膜和縱軸方向的銦錫氧化物導電薄膜斷開。
7.如權利要求6所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏還包括 絕緣層，所述絕緣層設置在所述銦錫氧化物導電薄膜層上，通過構圖工藝在與所述顯示區域對應的位置上形成多個過孔。
8.如權利要求7所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏還包括 金屬層，所述金屬層形成在所述絕緣層上，通過構圖工藝形成隱藏區域、并填充縱軸方向的銦錫氧化物導電薄膜兩側的過孔以及覆蓋在所述兩側的過孔之間的絕緣層之上。
9.如權利要求6所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏還包括 絕緣層，所述絕緣層設置在所述銦錫氧化物導電薄膜層上，通過構圖工藝在每兩個相鄰的斷裂溝道之間的銦錫氧化物導電薄膜上以及所述斷裂溝道中形成多個絕緣層區域。
10.如權利要求9所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏還包括 金屬層，所述金屬層形成在所述絕緣層上，通過構圖工藝形成于所述耐高溫黑矩陣層上；通過構圖工藝在顯示區域多個金屬層區域，每個金屬層區域內含一個絕緣層區域，且金屬層區域與縱軸方向上的銦錫氧化物導電薄膜層接觸。
11.如權利要求8或10所述的觸摸屏，其特征在于，在所述金屬層上設置有絕緣層。
12.一種觸控液晶面板，包括彩膜基板、陣列基板和液晶，其特征在于，所述彩膜基板包括如權利要求I至11任一項所述的觸摸屏。
13.—種顯示裝置，其特征在于，包 括如權利要求12所述的觸控液晶面板。
專利摘要本實用新型涉及觸摸屏制作工藝技術領域，尤其涉及一種觸摸屏、觸控液晶面板和顯示裝置，用于解決如何減少制作觸摸屏時所需的工序、成本，以及提高觸摸屏的透光率的問題；該觸摸屏包括透明基板、金屬層，還包括耐高溫黑矩陣層，所述耐高溫黑矩陣層形成在所述透明基板上，通過構圖工藝形成所述透明基板的遮蓋區域；所述金屬層形成在所述耐高溫黑矩陣層上，通過構圖工藝形成金屬線。可見，采用本實用新型實施例提供的觸摸屏，可大大減少制作觸摸屏時所需的工序和成本，同時提高觸摸屏的透光率。
文檔編號G06F3/041GK202486743SQ201220130478
公開日2012年10月10日 申請日期2012年3月30日 優先權日2012年3月30日
發明者劉紅娟, 王海生 申請人:北京京東方光電科技有限公司