專利名稱：一種sim卡熱插拔電路及其手機的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及手機電路，尤其涉及一種SIM卡熱插拔電路及其手機。
背景技術：
現有的大多數手機設計里都是允許用戶在正常工作的時候進行SIM卡熱插拔，在這種情況下，經常性地進行熱插拔會導致SM卡的損壞或者基帶芯片SM卡接口損壞。因此，現有技術有待于完善和發展。
發明內容本實用新型的目的在于提供一種可以有效防止SIM卡熱插拔造成損壞的SIM卡熱插拔電路及其手機。本實用新型的技術方案如下一種SM卡熱插拔電路，包括基帶芯片和SM卡連接器，所述基帶芯片與SM卡連接器連接；在SM卡連接器內設置有用于檢測SM卡插入狀態的開關，所述開關一端連接基帶芯片的SMDET管腳，另一端接地，還包括場效應管、第一分壓模塊和第二分壓模塊，所述場效應管的源極連接基帶芯片的VSM管腳，漏極連接所述SM卡連接器的VSM管腳、柵極通過第一分壓模塊連接所述基帶芯片的SMDET管腳和開關的一端，柵極還通過第二分壓模塊連接基帶芯片的VSIM管腳和場效應管的源極；所述第一分壓模塊的電壓小于第二分壓模塊的電壓。所述的SIM卡熱插拔電路，其中，所述第一分壓模塊包括第一電阻，所述第一電阻的一端連接場效應管的柵極和第二分壓模塊，另一端連接基帶芯片的SMDET管腳和開關
的一端。所述的SIM卡熱插拔電路，其中，所述第二分壓模塊包括第二電阻，所述第二電阻的一端連接基帶芯片的VSM管腳和場效應管的源極；另一端連接場效應管的柵極和第一電阻的一端。所述的SIM卡熱插拔電路，其中，所述第二電阻的阻值是第一電阻的十倍。所述的SM卡熱插拔電路，其中，所述場效應管為N溝道MOS管。一種手機，包括外殼，以及設置在外殼內的主板，所述主板上設置基帶芯片和SM卡連接器，所述基帶芯片與SIM卡連接器連接；在SIM卡連接器內設置有用于檢測SIM卡插入狀態的開關，所述開關一端連接基帶芯片的SMDET管腳，另一端接地，還包括場效應管、第一分壓模塊和第二分壓模塊，所述場效應管的源極連接基帶芯片的VSIM管腳，漏極連接所述SM卡連接器的VSM管腳、柵極通過第一分壓模塊連接所述基帶芯片的SMDET管腳和開關的一端，柵極還通過第二分壓模塊連接基帶芯片的VSM管腳和場效應管的源極；所述第一分壓模塊的電壓小于第二分壓模塊的電壓。所述的手機，其中，所述第一分壓模塊包括第一電阻，所述第一電阻的一端連接場效應管的柵極和第二分壓模塊，另一端連接基帶芯片的SMDET管腳和開關的一端。[0013]所述的手機，其中，所述第二分壓模塊包括第二電阻，所述第二電阻的一端連接基帶芯片的VSIM管腳和場效應管的源極；另一端連接場效應管的柵極和第一電阻的一端。所述的手機，其中，所述第二電阻的阻值是第一電阻的十倍。所述的手機，其中，所述場效應管為N溝道MOS管。本實用新型通過設置在SIM卡連接器內的開關，來檢測SM卡插入與否，然后在SIM卡插入的時候，由于開關接通，并在第一分壓模塊和第二分壓模塊的分壓作用下，結合高低電平，使得基帶芯片的SMDET管腳被拉低后導通場效應管，從而基帶芯片的VSIM管腳輸出電壓到SIM卡連接器，此時SIM卡能正常運行。當SIM卡拔出的時候，開關會恢復斷開狀態，此時，SMDET會被拉高，而場效應管的柵極會因此將基帶芯片的VSM管腳與SM卡連接器斷開，這樣就有效地保護了 SIM卡，防止SIM卡因熱插拔而造成損壞。
圖I為本實用新型一種SIM卡熱插拔電路的結構示意圖。
具體實施方式
本實用新型提供了一種SIM卡熱插拔電路及其手機，為使本實用新型的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實例對本實用新型進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。如圖I所不，為本實用新型一種SIM卡熱插拔電路的不意圖。包括基帶芯片、SIM卡連接器以及設置在SM卡連接器內用于檢測SM卡插入狀態的開關K1，所述開關Kl 一端連接基帶芯片的SMDET管腳，另一端接地，所述基帶芯片與SM卡連接器連接，另外，還包括場效應管Ql、第一分壓模塊和第二分壓模塊，由于第一分壓模塊和第二分壓模塊是用于分壓，對各自包括的電阻數量和阻值大小沒有限定，如所述第一分壓模塊包括第一電阻R1，所述第二分壓模塊包括第二電阻R2，為了使場效應管產生高低電平，從而導通源極S和漏極D，所述第一分壓模塊的電壓應小于第二分壓模塊的電壓。本實用新型就以第一電阻Rl和第二電阻R2為較佳實施例具體闡述。所述場效應管Ql可以為N溝道MOS管，所述場效應管Ql的源極S連接基帶芯片的VSM管腳，漏極D連接所述SM卡連接器的VSM管腳、柵極G通過第一電阻Rl連接所述基帶芯片的SMDET管腳和開關Kl的一端，柵極通過第二電阻R2連接基帶芯片的VSM管腳和場效應管Ql的源極S，SM卡連接器內沒有插入SM卡時，基帶芯片的SMDET管腳的電壓是內部拉高的，所以在沒有插卡的時候，該信號是高電平。此時因為沒有插SIM卡，所以基帶芯片的VSM管腳也是沒有輸出的。當插入SM卡后，基帶芯片的SMDET管腳的電壓會被拉低。此時，基帶芯片的VSIM管腳通過SIM卡連接器輸出高電平到SIM卡。在拔出SM卡的時候，基帶芯片的SMDET管腳會被開關Kl斷開接地端，此時，SMDET管腳的電壓又會被拉高，而場效應管Ql的柵極G端會因為SMDET管腳的電壓拉高，而將基帶芯片的VSM管腳與SM卡連接器斷開連接。這樣就有效地保護了 SM卡。在本實用新型中所述基帶芯片主要用于完成SM卡的接口信號，如圖I所示，包括SIMRST管腳、SMCLK管腳、SMDATA管腳、SMDET管腳和VSM管腳，其中SMRST管腳用于收發SIM卡的復位信號，SIMCLK管腳用于收發SIM卡的時鐘信號，SIMDATA管腳用于收發SIM卡的數據信號，SIMDET管腳用于接收SIM卡的插入檢測信號，而VSIM管腳則用于向SM卡輸出電壓。所述基帶芯片與SM連接器均為現有技術，具體的實現原理在此不再贅述。在本實用新型當中，因為第二電阻R2和第一電阻Rl組成分壓，所以場效應管Ql的柵極G端的電壓=基帶芯片VSM管腳的輸出電壓X (Rl/(R1+R2))，具體地，第二電阻R2的阻值=10 X第一電阻Rl的阻值，在SM卡插入時，使場效應管Ql的源極S與漏極D導通，基帶芯片的VSM管腳的高電平輸出到SM卡連接器，供SM卡正常運行。當然，后續基帶芯片可以繼續做SM卡的啟動時序。本實用新型還公開了一種手機，包括外殼，以及設置在外殼內的主板，所述主板上設置基帶芯片和SIM卡連接器，所述基帶芯片與SIM卡連接器連接；在SIM卡連接器內設置有用于檢測SIM卡插入狀態的開關，所述開關一端連接基帶芯片的SMDET管腳，另一端接地，其中，還包括場效應管、第一分壓模塊和第二分壓模塊，所述場效應管的源極連接基帶芯片的VSIM管腳，漏極連接所述SIM卡連接器的VSIM管腳、柵極通過第一分壓模塊連接所 述基帶芯片的SMDET管腳和開關的一端，柵極還通過第二分壓模塊連接基帶芯片的VSM管腳和場效應管的源極；所述第一分壓模塊的電壓小于第二分壓模塊的電壓。具體的電路原理及改進請參見上述關于一種SIM卡熱插拔電路的表述。應當理解的是，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，而所有這些改進和變換都應屬于本實用新型所附權利要求的保護范圍。
權利要求1.一種SM卡熱插拔電路，包括基帶芯片和SM卡連接器，所述基帶芯片與SM卡連接器連接；在SIM卡連接器內設置有用于檢測SM卡插入狀態的開關，所述開關一端連接基帶芯片的SMDET管腳，另一端接地，其特征在于，還包括場效應管、第一分壓模塊和第二分壓模塊，所述場效應管的源極連接基帶芯片的VSM管腳，漏極連接所述SM卡連接器的VSM管腳、柵極通過第一分壓模塊連接所述基帶芯片的SMDET管腳和開關的一端，柵極還通過第二分壓模塊連接基帶芯片的VSIM管腳和場效應管的源極；所述第一分壓模塊的電壓小于第二分壓模塊的電壓。
2.如權利要求I所述的SIM卡熱插拔電路,其特征在于，所述第一分壓模塊包括第一電 阻，所述第一電阻的一端連接場效應管的柵極和第二分壓模塊，另一端連接基帶芯片的SIMDET管腳和開關的一端。
3.如權利要求2所述的SIM卡熱插拔電路，其特征在于，所述第二分壓模塊包括第二電阻，所述第二電阻的一端連接基帶芯片的VSM管腳和場效應管的源極；另一端連接場效應管的柵極和第一電阻的一端。
4.如權利要求3所述SIM卡熱插拔電路，其特征在于，所述第二電阻的阻值是第一電阻的十倍。
5.如權利要求I 4任一所述的SIM卡熱插拔電路,其特征在于,所述場效應管為N溝道MOS管。
6.一種手機，包括外殼，以及設置在外殼內的主板，所述主板上設置基帶芯片和SM卡連接器，所述基帶芯片與SM卡連接器連接；在SM卡連接器內設置有用于檢測SM卡插入狀態的開關，所述開關一端連接基帶芯片的SMDET管腳，另一端接地，其特征在于，還包括場效應管、第一分壓模塊和第二分壓模塊，所述場效應管的源極連接基帶芯片的VSIM管腳，漏極連接所述SIM卡連接器的VSIM管腳、柵極通過第一分壓模塊連接所述基帶芯片的SIMDET管腳和開關的一端，柵極還通過第二分壓模塊連接基帶芯片的VSM管腳和場效應管的源極；所述第一分壓模塊的電壓小于第二分壓模塊的電壓。
7.如權利要求6所述的手機，其特征在于，所述第一分壓模塊包括第一電阻，所述第一電阻的一端連接場效應管的柵極和第二分壓模塊，另一端連接基帶芯片的SMDET管腳和開關的一端。
8.如權利要求7所述的手機，其特征在于，所述第二分壓模塊包括第二電阻，所述第二電阻的一端連接基帶芯片的VSM管腳和場效應管的源極；另一端連接場效應管的柵極和第一電阻的一端。
9.如權利要求8所述的手機，其特征在于，所述第二電阻的阻值是第一電阻的十倍。
10.如權利要求6 9任一所述的手機，其特征在于，所述場效應管為N溝道MOS管。
專利摘要本實用新型公開了一種SIM卡熱插拔電路及其手機，所述電路包括基帶芯片、SIM卡連接器和在SIM卡連接器內設置的開關，還包括場效應管、第一分壓模塊和第二分壓模塊，所述場效應管的源極連接基帶芯片的VSIM管腳，漏極連接所述SIM卡連接器的VSIM管腳、柵極通過第一分壓模塊連接所述基帶芯片的SIMDET管腳，通過第二分壓模塊連接基帶芯片的VSIM管腳；所述第一分壓模塊的電阻小于第二分壓模塊的電阻。本實用新型通過設置在SIM卡連接器內的開關，來檢測SIM卡插入與否，通過場效應管的各管腳電壓來判定是否導通基帶芯片的SIM卡連接器，這樣可有效地保護SIM卡，防止SIM卡因熱插拔而造成損壞。
文檔編號G06F13/40GK202551148SQ201220100120
公開日2012年11月21日 申請日期2012年3月16日 優先權日2012年3月16日
發明者王柯, 顧建良 申請人:惠州Tcl移動通信有限公司