存儲器存取指令的管理方法與管理系統(tǒng)的制作方法

存儲器存取指令的管理方法與管理系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種存儲器存取指令的管理方法，用于包括多個(gè)庫的隨機(jī)存取存儲器。此方法包括以下步驟。接收多個(gè)存取指令，這些存取指令包括第一存取指令，其是要存取第一庫的第一行。存取第一庫的上一個(gè)存取指令為第二存取指令。判斷第一行是否為啟動；若不，將接收第一存取指令與執(zhí)行第二存取指令之間的時(shí)間區(qū)間設(shè)為第一庫所對應(yīng)的計(jì)數(shù)值。判斷計(jì)數(shù)值是否大于一個(gè)臨界值以決定庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)。根據(jù)庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)產(chǎn)生第一存取指令的優(yōu)先級值。根據(jù)存取指令所各自對應(yīng)的優(yōu)先級值，決定存取指令的執(zhí)行順序。藉此，可以增加隨機(jī)存取存儲器的頻寬使用率。
【專利說明】存儲器存取指令的管理方法與管理系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種管理方法，且特別是有關(guān)于一種用于隨機(jī)存取存儲器的管理方法與管理系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]一個(gè)隨機(jī)存取存儲器可以讓多個(gè)客戶端來存取。然而，在一般情況下，隨機(jī)存取存儲器同一時(shí)間只能讓一個(gè)客戶端來存取。因此，當(dāng)每個(gè)客戶端都要存取隨機(jī)存取存儲器時(shí)，一個(gè)控制單元會決定由哪一個(gè)客戶端來存取隨機(jī)存取存儲器。一種作法是，輪流的讓每一個(gè)客戶端存取隨機(jī)存取存儲器，也就是每一個(gè)客戶端會被分配到相同的時(shí)間。但此作法并不能有效的利用隨機(jī)存取存儲器的頻寬。因此，如何有效的讓這些客戶端存取隨機(jī)存取存儲器，同時(shí)也增加隨機(jī)存取存儲器的頻寬使用率，為此領(lǐng)域技術(shù)人員所關(guān)心的議題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的實(shí)施例提出一種存儲器存取指令的管理方法與管理系統(tǒng)，用以增加隨機(jī)存取存儲器的頻寬使用率。
[0004]本發(fā)明一實(shí)施例提出一種存儲器存取指令的管理方法，用于隨機(jī)存取存儲器。此隨機(jī)存取存儲器包括多個(gè)庫(bank)。此管理方法包括:接收用以存取隨機(jī)存取存儲器的多個(gè)存取指令。這些存取指令尚未被執(zhí)行，其中包含第一存取指令。第一存取指令是要存取第一庫的第一行。此外，接收第一存取指令的時(shí)間晚于接收第二存取指令的時(shí)間，并且第二存取指令是第一存取指令上一個(gè)要存取第一庫的存取指令。此管理方法還包括:計(jì)算存取指令所各自對應(yīng)的優(yōu)先級值(Status),其中計(jì)算第一存取指令的優(yōu)先級值的步驟更包含:根據(jù)第一庫的第一行是否為啟動，以產(chǎn)生一行命中變數(shù)(PGHit);當(dāng)行命中變數(shù)不為啟動時(shí)(If PGHit=O),將接收第一存取指令與第二存取指令之間的時(shí)間區(qū)間設(shè)為第一庫所對應(yīng)的一計(jì)數(shù)值(counter);判斷計(jì)數(shù)值是否大于第一庫所對應(yīng)的一臨界值，以決定一庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG OUT);以及，至少根據(jù)第一庫所對應(yīng)的庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG OUT)產(chǎn)生第一存取指令的優(yōu)先級值(Status)。此管理方法還包括:根據(jù)存取指令所各自對應(yīng)的優(yōu)先級值(Status)，決定存取指令的執(zhí)行順序。
[0005]在一實(shí)施例中，上述計(jì)算第一存取指令的優(yōu)先級值的步驟更包含根據(jù)下列參數(shù)之一及其任意組合:最后讀寫變數(shù)(last_wrj)、行命中變數(shù)(PGHit)、讀寫命中變數(shù)(RWHit)、庫轉(zhuǎn)換變數(shù)(BKCHG)、庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG OUT)、延遲耗盡變數(shù)(LatenCy_0ut)與片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)(Slice_0Ut)。其中，最后讀寫變數(shù)表示該第一存取指令的前一個(gè)接收的一第三存取指令是否為寫入指令。讀寫命中變數(shù)表示第三存取指令與第一存取指令是否同樣為讀取指令或?qū)懭胫噶睢燹D(zhuǎn)換變數(shù)表示第一存取指令與第三存取指令是否要存取不同的庫。延遲耗盡變數(shù)表示第一存取指令所等待的時(shí)間是否已超過一個(gè)等待臨界值。片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)表示連續(xù)的回應(yīng)發(fā)送第一存取指令的一客戶端的次數(shù)是否超過一個(gè)片計(jì)數(shù)臨界值。
[0006]在一實(shí)施例中，上述的管理方法更包括:若第二存取指令為寫入指令，臨界值是基于下列參數(shù)之一及其和來決定:隨機(jī)存取存儲器的寫入延遲時(shí)間、突發(fā)長度、寫入恢復(fù)時(shí)間、額外等待時(shí)間、庫預(yù)充電時(shí)間與行有效延遲時(shí)間。若第二存取指令為讀取指令，臨界值是基于下列參數(shù)之一及其和來決定:隨機(jī)存取存儲器的額外等待時(shí)間、讀預(yù)充電時(shí)間、庫預(yù)充電時(shí)間與行有效延遲時(shí)間。
[0007]在一實(shí)施例中，上述的管理方法更包括:對應(yīng)于最后讀寫變數(shù)(last_Wrj)，根據(jù)行命中變數(shù)(PGHit)、讀寫命中變數(shù)(RWHit)、庫轉(zhuǎn)換變數(shù)(BKCHG)與庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)建立一個(gè)讀取真值表與一個(gè)寫入真值表。讀取真值表包括多個(gè)讀取項(xiàng)次，每一個(gè)讀取項(xiàng)次對應(yīng)于至少一個(gè)第一操作。寫入真值表包括多個(gè)寫入項(xiàng)次，并且每一寫入項(xiàng)次對應(yīng)于至少一個(gè)第二操作。上述的管理方法更包括:根據(jù)第一操作設(shè)定每一個(gè)讀取項(xiàng)次是對應(yīng)于多個(gè)分?jǐn)?shù)的其中之一；以及根據(jù)第二操作設(shè)定每一寫入項(xiàng)次是對應(yīng)于這些分?jǐn)?shù)的其中之一。
[0008]在一實(shí)施例中，上述的計(jì)算第一存取指令的優(yōu)先級值的步驟包括:根據(jù)對應(yīng)于第一存取指令的最后讀寫變數(shù)、行命中變數(shù)、讀寫命中變數(shù)、庫轉(zhuǎn)換變數(shù)與庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)，取得上述分?jǐn)?shù)中的第一分?jǐn)?shù)；以及根據(jù)第一分?jǐn)?shù)、對應(yīng)于第一存取指令的延遲耗盡變數(shù)(Latency_out)與片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)(Slice_out)計(jì)算優(yōu)先級值。
[0009]在一實(shí)施例中，上述的管理方法更包括:若第一分?jǐn)?shù)與延遲耗盡變數(shù)符合一個(gè)預(yù)設(shè)條件時(shí)，延遲執(zhí)行第一存取指令。
[0010]以另外一個(gè)角度來說，本發(fā)明一實(shí)施例提出一種存儲器存取指令的管理系統(tǒng)，用于隨機(jī)存取存儲器。隨機(jī)存取存儲器包括多個(gè)庫(bank)，此管理系統(tǒng)包括:第一模塊，用以接收用以存取隨機(jī)存取存儲器的多個(gè)存取指令。其中，這些存取指令尚未被執(zhí)行，并且包含第一存取指令。第一存取指令是要存取第一庫的第一行。接收第一存取指令的時(shí)間晚于接收第二存取指令的時(shí)間。第二存取指令是第一存取指令上一個(gè)要存取第一庫的存取指令。此管理系統(tǒng)還包括第二模塊，用以計(jì)算存取指令所各自對應(yīng)的一優(yōu)先級值(Status)。第二模塊還用以:根據(jù)第一庫的第一行是否為啟動，以產(chǎn)生一行命中變數(shù)(PGHit);當(dāng)行命中變數(shù)不為啟動時(shí)(If PGHit=O),將接收第一存取指令與第二存取指令之間的時(shí)間區(qū)間設(shè)為第一庫所對應(yīng)的一計(jì)數(shù)值(counter);判斷計(jì)數(shù)值(counter)是否大于第一庫所對應(yīng)的一個(gè)臨界值，以決定庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT);以及至少根據(jù)第一庫所對應(yīng)的庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)產(chǎn)生第一存取指令的優(yōu)先級值(Status)。此管理系統(tǒng)還包括第三模塊，用以根據(jù)存取指令所各自對應(yīng)的優(yōu)先級值(Status)，決定存取指令的執(zhí)行順序。
[0011]在一實(shí)施例中，上述的第二模塊更用以根據(jù)下列參數(shù)之一及其任意組合計(jì)算第一存取指令的優(yōu)先級值:最后讀寫變數(shù)(last_Wrj)、行命中變數(shù)(PGHit)、讀寫命中變數(shù)(RWHit)、庫轉(zhuǎn)換變數(shù)(BKCHG)、庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)、延遲耗盡變數(shù)(Latency_out)與片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)(Slice_0ut)。最后讀寫變數(shù)表示該第一存取指令的前一個(gè)接收的一第三存取指令是否為寫入指令。讀寫命中變數(shù)表示第三存取指令與第一存取指令是否同樣為讀取指令或?qū)懭胫噶?。庫轉(zhuǎn)換變數(shù)表示第一存取指令與該第三存取指令是否要存取不同的庫。延遲耗盡變數(shù)表示第一存取指令所等待的時(shí)間是否已超過一個(gè)等待臨界值。片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)表示連續(xù)的回應(yīng)發(fā)送第一存取指令的客戶端的次數(shù)是否超過片計(jì)數(shù)臨界值。
[0012]在一實(shí)施例中，上述的管理系統(tǒng)更包括第四模塊與第五模塊。若第二存取指令為寫入指令，第四模塊用以設(shè)定臨界值是基于下列參數(shù)之一及其和來決定:隨機(jī)存取存儲器的寫入延遲時(shí)間、突發(fā)長度、寫入恢復(fù)時(shí)間、額外等待時(shí)間、庫預(yù)充電時(shí)間與行有效延遲時(shí)間。若第二存取指令為讀取指令，第五模塊用以設(shè)定臨界值是基于下列參數(shù)之一及其和來決定:隨機(jī)存取存儲器的額外等待時(shí)間、讀預(yù)充電時(shí)間、庫預(yù)充電時(shí)間與行有效延遲時(shí)間。
[0013]在一實(shí)施例中，上述的管理系統(tǒng)更包括第六模塊、第七模塊、與第八模塊。第六模塊用以對應(yīng)于一最后讀寫變數(shù)(last_Wrj)，根據(jù)行命中變數(shù)(PGHit)、讀寫命中變數(shù)(RWHit)、庫轉(zhuǎn)換變數(shù)(BKCHG)與庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)建立讀取真值表與寫入真值表。讀取真值表包括多個(gè)讀取項(xiàng)次，每一個(gè)讀取項(xiàng)次對應(yīng)于至少一個(gè)第一操作。寫入真值表包括多個(gè)寫入項(xiàng)次，并且每一個(gè)寫入項(xiàng)次對應(yīng)于至少一個(gè)第二操作。第七模塊用以根據(jù)第一操作設(shè)定每一個(gè)讀取項(xiàng)次是對應(yīng)于多個(gè)分?jǐn)?shù)的其中之一。第八模塊用以根據(jù)第二操作設(shè)定每一個(gè)寫入項(xiàng)次是對應(yīng)于所述分?jǐn)?shù)的其中之一。
[0014]在一實(shí)施例中，上述的第二模塊還用以:根據(jù)對應(yīng)于第一存取指令的最后讀寫變數(shù)、行命中變數(shù)、讀寫命中變數(shù)、庫轉(zhuǎn)換變數(shù)與庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)，取得所述分?jǐn)?shù)中的第一分?jǐn)?shù)；以及根據(jù)第一分?jǐn)?shù)、對應(yīng)于第一存取指令的延遲耗盡變數(shù)(LatenCy_0ut)與片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)(Slice_out)計(jì)算第一存取指令的優(yōu)先級值。
[0015]在一實(shí)施例中，上述的管理系統(tǒng)更包括:第九模塊，若第一分?jǐn)?shù)與延遲耗盡變數(shù)符合一預(yù)設(shè)條件時(shí)，用以延遲執(zhí)行第一存取指令。
[0016]基于上述，本發(fā)明實(shí)施例提出的管理方法與管理系統(tǒng)，可以透過多個(gè)變數(shù)決定存取指令的執(zhí)行順序，藉此增加隨機(jī)存取存儲器的頻寬使用率。
[0017]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1是根據(jù)一實(shí)施例說明電子裝置的方塊圖。
[0019]圖2是根據(jù)一實(shí)施例說明決定存取指令的執(zhí)行順序的示意圖。
[0020]圖3是根據(jù)一實(shí)施例繪示存儲器存取指令的管理方法的流程圖。
[0021]圖4是根據(jù)一實(shí)施例繪示讀取真值表的示意圖。
[0022]圖5是根據(jù)一實(shí)施例繪示化簡讀取真值表的示意圖。
[0023]圖6是根據(jù)一實(shí)施例繪示寫入真值表的示意圖。
[0024]主要元件符號說明
[0025]100:電子裝置
[0026]110:傳輸接口
[0027]120:控制單元
[0028]130:隨機(jī)存取存儲器
[0029]131、132、133:庫
[0030]201、202、203:存取指令
[0031]210、220、240、250:步驟
[0032]211、212、213、231:優(yōu)先級值
[0033]S302、S304、S306、S308、S310、S312、S314、S316:存儲器存取指令的管理方法的步
驟[0034]400:讀取真值表
[0035]401?416:讀取項(xiàng)次
[0036]500:表格
[0037]501:組合
[0038]600:與入真值表
[0039]601?616:寫入項(xiàng)次
【具體實(shí)施方式】
[0040]圖1是根據(jù)一實(shí)施例說明電子裝置的方塊圖。
[0041]請參照圖1，電子裝置100包括傳輸接口 110，控制單元120，隨機(jī)存取存儲器130。例如，電子裝置100為一個(gè)機(jī)頂盒(set-top box)、個(gè)人電腦、智能手機(jī)、平板電腦、或服務(wù)器。
[0042]傳輸接口 110是用以電性連接至其他電子裝置。這些電子裝置會透過傳輸接口110傳送一或多個(gè)存取指令給控制單元120，用以存取隨機(jī)存取存儲器130。
[0043]控制單元120是用以控制電子裝置100的整體操作。例如，控制單元120可為中央處理單兀(Central Processing Unit, CPU)、微處理器(Microprocessor)、數(shù)字信號處理器(Digital Signal Processor, DSP)、可編程控制器、特殊應(yīng)用積體電路(ApplicationSpecif ic Integrated Circuits, ASIC)、或是可編程邏輯裝置(Programmable Logic Device, PLD)。
[0044]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的隨機(jī)存取存儲器130為一種雙倍資料率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,DDRSDRAM)。本發(fā)明并不限定隨機(jī)存取存儲器130的型態(tài)，其可以是其他形式的隨機(jī)存取存儲器，如單倍資料率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDR SDRAM)，或是符合聯(lián)合電子裝置委員會(Joint Electron Device Council)所制訂工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的其他隨機(jī)存取存儲器130。在本發(fā)明中，隨機(jī)存取存儲器130會包括多個(gè)庫(bank)，例如為庫131、庫132以及庫133。每一個(gè)庫會至少包括一個(gè)矩陣結(jié)構(gòu)(由行與列來表示)，此矩陣結(jié)構(gòu)上的每一個(gè)元素可儲存至少一個(gè)位元(bit)。當(dāng)要讀/寫資料時(shí)，控制單元120會先執(zhí)行預(yù)充電(precharge)的程序，然后啟動一個(gè)行，接著才可以從被啟動的行中讀取/寫入資料。
[0045]圖2是根據(jù)一實(shí)施例說明決定存取指令的執(zhí)行順序的示意圖。
[0046]請參照圖2，首先，控制單元120會接收多個(gè)存取指令(例如，存取指令201、202與203，亦被稱為存儲器存取指令)。每一個(gè)存取指令是要存取一個(gè)庫中的一個(gè)行。此時(shí)，這些接收到的存取指令尚未被執(zhí)行。在步驟210中，控制單元120會將所接收到的存取指令與上一個(gè)執(zhí)行的存取指令比較，以計(jì)算這些存取指令各自對應(yīng)的優(yōu)先級值(Status)。在本實(shí)施例中，優(yōu)先級值211是對應(yīng)存取指令201，優(yōu)先級值212是對應(yīng)存取指令202，并且優(yōu)先級值213是對應(yīng)存取指令203。
[0047]在步驟220中，控制單元120會從這些計(jì)算出的優(yōu)先級值中挑選出一個(gè)優(yōu)先級值231。例如，控制單元120是挑選數(shù)值最大的優(yōu)先級值作為優(yōu)先級值231。
[0048]在步驟240中，控制單元120會接受優(yōu)先級值231對應(yīng)的存取指令。舉例來說，若所挑選的是優(yōu)先級值211，則控制單元120會接受存取指令201。[0049]在步驟250中，控制單元120會根據(jù)所接收的存取指令來存取隨機(jī)存取存儲器130。藉此，控制單元120可以根據(jù)這些存取指令所各自對應(yīng)的優(yōu)先級值來決定這些存取指令的執(zhí)行順序。
[0050]特別的是，在計(jì)算一個(gè)存取指令的優(yōu)先級值時(shí)，控制單元120會判斷所要存取的行是否為啟動。若不是，則會進(jìn)一步判斷此存取指令要存取的庫對應(yīng)的一個(gè)計(jì)數(shù)值(counter)是否大于一個(gè)臨界值。若此計(jì)數(shù)值大于臨界值，則控制單元120會調(diào)整此存取指令的優(yōu)先級值，使得此存取指令會優(yōu)先被接受。
[0051]具體來說，控制器120對于每一個(gè)庫都會設(shè)定一個(gè)計(jì)數(shù)值。此計(jì)數(shù)值用以表示上一個(gè)執(zhí)行于庫的存取指令到目前接收的存取指令之間的時(shí)間區(qū)間。在此假設(shè)存取指令201 (亦稱第一存取指令)是要存取庫131 (亦稱第一庫)中的一個(gè)行(亦稱第一行)，而上一個(gè)執(zhí)行于庫131的存取指令被稱為第二存取指令(即，接收存取指令201的時(shí)間晚于接收第二存取指令的時(shí)間)。而執(zhí)行第二存取指令到接收存取指令201之間的時(shí)間區(qū)間會被設(shè)定為庫131對應(yīng)的計(jì)數(shù)值。
[0052]以計(jì)算存取指令201的優(yōu)先級值為例。在接收到存取指令201以后，控制單元120會判斷存取指令201所要存取的第一行目前是不是在啟動(active)的狀態(tài)，藉此產(chǎn)生一個(gè)行命中變數(shù)(PGHit)。此行命中變數(shù)是用以表示存取指令201所要存取的行是否為啟動。若存取指令201所對應(yīng)的行命中變數(shù)不為啟動(If PGHit=O)，控制單元120會將接收存取 指令201與執(zhí)行第二存取指令之間的時(shí)間區(qū)間設(shè)為庫131所對應(yīng)的計(jì)數(shù)值?？刂茊卧?20會判斷此計(jì)數(shù)值是否大于庫131所對應(yīng)的臨界值。此臨界值表示庫131要經(jīng)過多少時(shí)間才可以接收一個(gè)其行命中變數(shù)不為啟動(PGHit=O)的存取指令。若庫131所對應(yīng)的計(jì)數(shù)值大于庫131所對應(yīng)的臨界值，則表示庫131已經(jīng)可以接受存取指令201。另一方面，控制單元120會根據(jù)計(jì)數(shù)值是否大于臨界值來決定一個(gè)庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)，并至少根據(jù)此庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)來產(chǎn)生存取指令201的優(yōu)先級值。值得注意的是，在此實(shí)施例中，只有當(dāng)存取指令201對應(yīng)的行命中變數(shù)不為啟動時(shí)，控制單元120才會比較計(jì)數(shù)值與臨界值。
[0053]在一實(shí)施例中，控制單元120還會根據(jù)第二存取指令是寫入指令或是讀取指令來設(shè)定庫131所對應(yīng)的臨界值。具體來說，若第二存取指令為寫入指令，則控制單元120會根據(jù)以下方程式(I)來設(shè)定臨界值。
[0054]TWCNT=WL+BL/2+tWR+AL+tRP+tRCD…(I)
[0055]其中，TWCNT是當(dāng)?shù)诙嫒≈噶顬閷懭胫噶顣r(shí)所對應(yīng)的臨界值。WL為寫入延遲時(shí)間(write latency)。BL為突發(fā)長度(burst length),例如為控制單元120的1、2、4或8個(gè)時(shí)鐘周期(clock cycle) 4WR為寫入恢復(fù)時(shí)間(Write recovery time),表示在一個(gè)啟動的庫中完成有效的寫入操作及預(yù)充電前所必須等待的時(shí)間。AL為額外等待時(shí)間(additionallength),例如為O。tRP為庫預(yù)充電時(shí)間，亦被稱為指令預(yù)充電時(shí)間(prechargeco_andperiod),表示要預(yù)充電一個(gè)庫所需的時(shí)間。tRCD為行有效延遲時(shí)間(activecommand tointernal read or write delay time),表示要使一個(gè)行有效(或稱啟動)所需的時(shí)間。
[0056]另一方面，若第二存取指令為讀取指令，則控制單元120會根據(jù)以下方程式(2)來設(shè)定臨界值。
[0057]TRCNT=AL+tRTP+AL+tRP+tRCD…(2)
[0058]其中，TRCNT是當(dāng)?shù)诙嫒≈噶顬樽x取指令時(shí)所對應(yīng)的臨界值。tRTP為讀預(yù)充電時(shí)間(internal read command to precharge command delay),表不在同一個(gè)庫中，讀取到啟動所需的時(shí)間。
[0059]將上述方程式(I)與⑵合并以后可以產(chǎn)生以下方程式(3)。
[0060]BKCHG_0UT=! PGHit&[BKCHG_0UT counter) ((Write) ? TWCNT:TRCNY)]…(3)
[0061]其中，BKCHG_0UT是庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)，為一個(gè)布林值(boolean value)。PGHit為行命中變數(shù)，為一個(gè)布林值。BKCHG_0UT counter為一個(gè)庫所對應(yīng)的計(jì)數(shù)值，為一個(gè)實(shí)數(shù)。Write為一個(gè)布林值，表示第二存取指令是否為寫入指令。換言之，當(dāng)?shù)诙嫒≈噶顬閷懭胫噶顣r(shí)(Write=True)，計(jì)數(shù)值BKCHG_0UT counter會與臨界值TWCNT比較，反之與臨界值TRCNY比較。并且只有在行命中變數(shù)不為啟動時(shí)，庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)才有可能是啟動?？刂茊卧?20會根據(jù)方程式(3)來產(chǎn)生對應(yīng)的庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)。 [0062]值得注意的是，隨著隨機(jī)存取存儲器130的型號，寫入延遲時(shí)間、突發(fā)長度、寫入恢復(fù)時(shí)間、額外等待時(shí)間、庫預(yù)充電時(shí)間、行有效延遲時(shí)間、或是讀預(yù)充電時(shí)間可能有不同的值?？刂茊卧?20會隨著隨機(jī)存取存儲器130的型號而產(chǎn)生不同的臨界值，本發(fā)明并不在此限。
[0063]在計(jì)算出每一個(gè)存取指令的庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)以后，控制單元120會至少根據(jù)庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)決定每一個(gè)存取指令的優(yōu)先級值，并且根據(jù)這些優(yōu)先級值決定存取指令的執(zhí)行順序。例如，控制單元120會優(yōu)先選擇庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)為啟動的存取指令。
[0064]圖3是根據(jù)一實(shí)施例繪示存儲器存取指令的管理方法的流程圖。
[0065]請參照圖3，在步驟S302中，接收用以存取隨機(jī)存取存儲器的多個(gè)存取指令。在步驟S304中，對于每一個(gè)存取指令，根據(jù)存取指令所要存取的行是否為啟動，產(chǎn)生一個(gè)行命中變數(shù)(PGHit)。在步驟S306中，判斷行命中變數(shù)是否為啟動。
[0066]若行命中變數(shù)為啟動，在步驟S308中，產(chǎn)生每一個(gè)存取指令的優(yōu)先級值。本發(fā)明并不限制在步驟S308要如何產(chǎn)生優(yōu)先級值。
[0067]若行命中變數(shù)不為啟動，在步驟S310中，將目前接收的存取指令與上一個(gè)執(zhí)行的存取指令之間的時(shí)間區(qū)間設(shè)為所要存取的庫所對應(yīng)的一個(gè)計(jì)數(shù)值。在步驟S312中，判斷計(jì)數(shù)值是否大于所對應(yīng)的臨界值，以決定一個(gè)庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)。在步驟S314中，至少根據(jù)庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)產(chǎn)生存取指令的優(yōu)先級值。
[0068]在步驟S316中，根據(jù)存取指令所各自對應(yīng)的優(yōu)先級值，決定存取指令的執(zhí)行順序。
[0069]然而，圖3中各步驟已詳細(xì)說明如上，在此便不再贅述。
[0070][第二實(shí)施例]
[0071]第二實(shí)施例與第一實(shí)施例類似，在此僅描述不同之處。在第一實(shí)施例中，控制單元120是至少根據(jù)庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)產(chǎn)生存取指令的優(yōu)先級值。然而，在第二實(shí)施例中，控制單元120還可以將庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)與其他變數(shù)一起考慮來計(jì)算優(yōu)先級值。具體來說，控制單元120可根據(jù)最后讀寫變數(shù)(last_Wrj)、行命中變數(shù)(PGHit)、讀寫命中變數(shù)(RWHit)、庫轉(zhuǎn)換變數(shù)(BKCHG)、庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)、延遲耗盡變數(shù)(Latency_out)與片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)(Slice_out)的其中之一或其組合來計(jì)算一個(gè)存取指令的優(yōu)先級值。
[0072]最后讀寫變數(shù)(last_Wr j)為一個(gè)布林值，用來表示上一個(gè)傳送至控制單元120的存取指令是否為寫入指令(即在存取指令201前一個(gè)接收的一第三存取指令)。例如，若第三存取指令為寫入指令，則存取指令201對應(yīng)的最后讀寫變數(shù)為啟動。
[0073]讀寫命中變數(shù)(RWHit)為一個(gè)布林值，用來表示上一個(gè)存取指令是否與目前接受的存取指令同樣為讀取(或?qū)懭?指令。例如，若第三存取指令與存取指令201同樣為讀取(或?qū)懭?指令，則存取指令201對應(yīng)的讀寫命中變數(shù)為啟動。
[0074]庫轉(zhuǎn)換變數(shù)(BKCHG)為一個(gè)布林值，用來表示上一個(gè)存取指令與目前接受的存取指令是否要存取不同的庫。例如，若第二存取指令與存取指令201要存取不同的庫，則存取指令201對應(yīng)的庫轉(zhuǎn)換變數(shù)為啟動。
[0075]延遲耗盡變數(shù)(Latency_out)為一個(gè)布林值,用來表示目前接收的存取指令所等待的時(shí)間是否已超過一個(gè)等待臨界值。此等待臨界值可以由客戶端設(shè)定。例如，若在接收存取指令201以后，其等待(尚未被執(zhí)行)的時(shí)間超過等待臨界值，則存取指令201對應(yīng)的延遲耗盡變數(shù)為啟動。
[0076]片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)(Slice_out)為一個(gè)布林值，用來表示控制單元120連續(xù)的回應(yīng)了一個(gè)客戶端的次數(shù)是否超過一個(gè)片計(jì)數(shù)臨界值。例如，存取指令201是由一個(gè)第一客戶端發(fā)出。在接收到存取指令201時(shí)，若控制單元120已經(jīng)連續(xù)的回應(yīng)(執(zhí)行)第一客戶端所發(fā)出的5個(gè)存取指令，而片計(jì)數(shù)臨界值為4，則存取指令201所對應(yīng)的片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)為啟動。
[0077]具體來說，控制單元120會根據(jù)行命中變數(shù)(PGHit)、讀寫命中變數(shù)(RWHit)、庫轉(zhuǎn)換變數(shù)(BKCHG)與庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)來建立一個(gè)讀取真值表。讀取真值表中包括了多個(gè)讀取項(xiàng)次，這些讀取項(xiàng)次紀(jì)錄了若上一個(gè)存取指令為讀取指令，則執(zhí)行目前的存取指令所需的操作。根據(jù)這些操作所需的時(shí)間，控制單元120會排序這些讀取項(xiàng)次，并且設(shè)定每一個(gè)讀取項(xiàng)次會對應(yīng)到一個(gè)分?jǐn)?shù)。而這些分?jǐn)?shù)可用來計(jì)算優(yōu)先級值。
[0078]圖4是根據(jù)一實(shí)施例繪示讀取真值表的示意圖。
[0079]請參照圖4，讀取真值表400包括讀取項(xiàng)次40廣416。不同的讀取項(xiàng)次會對應(yīng)到不同的行命中變數(shù)(PGHit)、讀寫命中變數(shù)(RWHit)、庫轉(zhuǎn)換變數(shù)(BKCHG)與庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)。并且，每一個(gè)讀取項(xiàng)次是對應(yīng)到一或多個(gè)操作(亦稱第一操作)。舉例來說，讀取項(xiàng)次401是對應(yīng)于PGHit=O, RffHit=0, BKCHG_0UT=0, BKCHG=O,以及操作”預(yù)充電_>啟動-> 寫入”。讀取項(xiàng)次401所代表的意思是，若上一個(gè)存取指令為讀取指令，目前的存取指令為寫入指令(讀寫命中變數(shù)RWHit=O),寫入指令所要存取的行不為啟動(行命中變數(shù)PGHit=O)，寫入指令所要存取的庫與上一個(gè)存取指令所要存取的庫不相同(庫轉(zhuǎn)換變數(shù)BKCHG=O)，并且寫入指令所要存取的庫還不能接受行命中變數(shù)PGHit不為啟動的存取指令(庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)BKCHG_0UT=0)，此時(shí)所需要的操作為預(yù)充電，啟動與寫入操作。值得注意的是，讀取項(xiàng)次404對應(yīng)的操作包括”啟動(可隱藏)”，其表示啟動的操作可以隱藏在其他指令中，因此實(shí)際上所需的時(shí)間可能不包括啟動所需的時(shí)間。另一方面，讀取項(xiàng)次413與414對應(yīng)的操作為”無縫執(zhí)行”，其表示控制單元120不需要其他如預(yù)充電等操作便可以執(zhí)行目前接收的存取指令。而讀取項(xiàng)次411、412、415與416所對應(yīng)的操作為”XXX”，其表示此情況并不會發(fā)生。這是因?yàn)樽x取項(xiàng)次411、412、415與416中對應(yīng)的行命中變數(shù)(PGHit)與庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)都為啟動，在本實(shí)施例中并不會發(fā)生這樣的情形(如以上方程式(3))。[0080]本領(lǐng)域有通常知識者，可以根據(jù)隨機(jī)存取存儲器130的型號來決定讀取真值表400中各個(gè)操作所需花費(fèi)的時(shí)間。藉此，可以根據(jù)所花費(fèi)的時(shí)間(或是操作)來排序這些讀取項(xiàng)次40f 416。例如，讀取項(xiàng)次413與414所需花費(fèi)的時(shí)間最少，因此其排序分別為I與2。例如，讀取項(xiàng)次401、402、405與406所需花費(fèi)的時(shí)間較多，因此其排序?yàn)??？刂茊卧?20會根據(jù)這些操作，設(shè)定每一個(gè)讀取項(xiàng)次會對應(yīng)到一個(gè)分?jǐn)?shù)。例如，讀取項(xiàng)次414對應(yīng)的分?jǐn)?shù)為”1100”。在本實(shí)施例中，這些分?jǐn)?shù)是用二進(jìn)位來表示。值越大的分?jǐn)?shù)，表示所花費(fèi)的時(shí)間越少，因此控制單元120會優(yōu)先的執(zhí)行這些讀取項(xiàng)次所對應(yīng)的存取指令。
[0081]在一實(shí)施例中，讀取真值表400所包含的資訊可以被化簡為一或多個(gè)邏輯判斷式?？刂茊卧?20可以根據(jù)這些邏輯判斷式來計(jì)算一個(gè)存取指令的分?jǐn)?shù)。例如，在本實(shí)施例中，一個(gè)分?jǐn)?shù)是用4個(gè)位元來表示，因此對于每一個(gè)位元都可以產(chǎn)生對應(yīng)的邏輯判斷式。
[0082]圖5是根據(jù)一實(shí)施例繪示化簡讀取真值表的示意圖。
[0083]請同時(shí)參照圖4與圖5,在此以分?jǐn)?shù)的最顯著位元(most significant bit, MSB)為例。當(dāng)分?jǐn)?shù)的最顯著位元為” I”或是”x”時(shí)，是對應(yīng)至讀取項(xiàng)次40^416。讀取項(xiàng)次409^416的行命中變數(shù)(PGHit)、讀寫命中變數(shù)(RWHit)、庫轉(zhuǎn)換變數(shù)(BKCHG)與庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)可以對應(yīng)至表格500上的一個(gè)位置，標(biāo)示為” I”或”x”。另一方面，讀取項(xiàng)次40f408所對應(yīng)的分?jǐn)?shù)的最顯著位元為”0”，在表格500上是標(biāo)示為”0”。表格500經(jīng)過化簡的步驟以后可以得到組合501，其代表的邏輯判斷式為”PGHit”。也就是說，只要行命中變數(shù)(PGHit)為”1”，分?jǐn)?shù)的最顯著位元一定為” I”。分?jǐn)?shù)的其他位元，也可以用化簡的方式得到一個(gè)邏輯判斷式，在此不再贅述。經(jīng)過上述化簡程序，讀取真值表400所包含的資訊可以被表示為以下方程式(4廣(7)。
[0084]Score [3] =PGHit...(4)
[0085]Score [2] =PGHi t&RWHit+BKCHG&BKCHT_OUT— (5)
[0086]Score[l] = !BKCHG&BKCHG_OUT…(6)
[0087]Score[0]=PGHit&!BKCHG+RWHit&BKCHG_0UT…(7)
[0088]其中Score [i]表示分?jǐn)?shù)中的第i個(gè)位元(即，Score [3]為最顯著位元)。然而，在其他實(shí)施例中，每一個(gè)分?jǐn)?shù)也可以用數(shù)目更多或更少的位元來表示，本發(fā)明并不在此限。
[0089]另一方面，控制單元120也會根據(jù)行命中變數(shù)(PGHit)、讀寫命中變數(shù)(RWHit)、庫轉(zhuǎn)換變數(shù)(BKCHG)與庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)來建立一個(gè)寫入真值表。讀取真值表中包括了多個(gè)寫入項(xiàng)次，這些寫入項(xiàng)次紀(jì)錄了若上一個(gè)存取指令為寫入指令，則執(zhí)行目前的存取指令所需的操作(亦稱第二操作)。
[0090]圖6是根據(jù)一實(shí)施例繪示寫入真值表的示意圖。
[0091]請參照圖6，寫入真值表600包括寫入項(xiàng)次60廣616。不同的寫入項(xiàng)次會對應(yīng)到不同的行命中變數(shù)(PGHit)、讀寫命中變數(shù)(RWHit)、庫轉(zhuǎn)換變數(shù)(BKCHG)與庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)。并且，每一個(gè)寫入項(xiàng)次是對應(yīng)到一或多個(gè)操作。其中，”寫入資料結(jié)束”是表示寫入資料后到預(yù)充電之間需要等待的一段時(shí)間。然而，寫入真值表600中的操作與讀取真值表400中部份的操作相似，在此便不再贅述。
[0092]本領(lǐng)域有通常知識者，可以根據(jù)隨機(jī)存取存儲器130的型號來決定寫入真值表600中各個(gè)操作所需花費(fèi)的時(shí)間。藉此，可以根據(jù)所花費(fèi)的時(shí)間(或是操作)來排序這些寫入項(xiàng)次601~616。接著，控制單元120會設(shè)定每一個(gè)寫入項(xiàng)次是對應(yīng)到一個(gè)分?jǐn)?shù)。相同的，經(jīng)過化簡以后，寫入真值表600中包含的資訊可以被表示為以下方程式(8廣(11)。
[0093]Score [3] = PGHit&RWHit+RWHit&PGCHG_OUT&BKCHG…(8)
[0094]Score[2]=PGHit+!RWHit&BKCHG_OUT&BKCHG…(9)
[0095]Score [I] =Ρ6ΗΗ&!.ΗΗ+ΒΚΟΚ_0υΤ&!ΒΚ(Μ>..(10)
[0096]Score[O]=PGHit&!BKCHG+BKCHG_OUT&BKCHG+RWHit&BKCHG_0UT…(11)
[0097]當(dāng)接收存取指令201以后，控制單元120可以根據(jù)存取指令201對應(yīng)的最后讀寫變數(shù)(last_wrj)、行命中變數(shù)(PGHit)、讀寫命中變數(shù)(RWHit)、庫轉(zhuǎn)換變數(shù)(BKCHG)與庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)(BKCHG_0UT)，依照上述的方程式(4廣(11)取得對應(yīng)的分?jǐn)?shù)。另一方面，控制單元120會根據(jù)取得的分?jǐn)?shù)，存取指令201對應(yīng)的延遲耗盡變數(shù)(LatenCy_0Ut)與片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)(Slice_0ut)來計(jì)算對應(yīng)的優(yōu)先值。例如，控制單元120可根據(jù)以下方程式(12廣(17)來計(jì)算優(yōu)先級值。
[0098]Status [5] =Latency_out…(12)
[0099]Status [4] = (Last_wrj) ? (RffHit&PGHit) I (RffHit&BKCHG_OUT&BKCHG):PGHit..(13)
[0100]Status[3] = ! Slice_out…(14)
[0101]Status [2] = (Last_wrj) ? PGHit I (! RffHi t&BKCHG_OUT&BKCHG):(RffHit&PGHit) I (BKCHG&BKCHG_OUT)…(15)
[0102]Status[I] = (Last_wrj) ? (!RffHit&PGHit) I (BKCHG_0UT&!BKCHG): (BKCHG_0UT&!BKCHG)…(16)
[0103]Status [0]: (Last_wrj) ? (! BKCHG&PGHit) I (BKCHG_OUT&BKCHG) I(RffHit&BKCHG_0UT): (!BKCHG&PGHit) I (RffHit&BKCHG_0UT)…(17)
[0104]其中，Status[i]表示優(yōu)先級值中第i個(gè)位元的值。值得注意的是，將上述方程式(4)-(7)與方程式(8)-(11)合并以后，再加上最后讀寫變數(shù)(last_Wrj)便會成為方程式
(13)、(15)-(17)。換句話說，在本實(shí)施例中，優(yōu)先級值中第4、2、個(gè)位元等同于分?jǐn)?shù)的第
4、個(gè)位元。然而，本發(fā)明并不在此限，在其他實(shí)施例中，分?jǐn)?shù)的四個(gè)位元也可以與延遲耗盡變數(shù)(Latency_out)與片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)(Slice_out)用其他方式結(jié)合而成為優(yōu)先級值。若者，在其他實(shí)施例中，優(yōu)先級值可以包含更多的位元，以考慮更多的其他因素。
[0105]在此實(shí)施例中，當(dāng)接收到一個(gè)存取指令以后，控制單元120會根據(jù)方程式
(12)~(17)計(jì)算出每一個(gè)存取指令的優(yōu)先級值?？刂茊卧?20會挑選最大的優(yōu)先級值，接受并且執(zhí)行對應(yīng)的存取指令。然而，在一實(shí)施例中，若一個(gè)存取指令對應(yīng)的分?jǐn)?shù)與延遲耗盡變數(shù)(Latency_out)符合一個(gè)預(yù)設(shè)條件時(shí),控制單元120會延遲執(zhí)行此存取指令。例如,此預(yù)設(shè)條件是當(dāng)延遲耗盡變數(shù)(LatenCy_0ut)為不啟動并且分?jǐn)?shù)的每一個(gè)位元都為”0”時(shí)成立。換句話說，在此實(shí)施例中，當(dāng)一個(gè)優(yōu)先級值的第5、4、2、1與O個(gè)位元為”0”時(shí)，控制單元120會延遲執(zhí)行對應(yīng)的存取指令。
[0106]在一實(shí)施例中，控制單元120的功能是實(shí)作為多個(gè)程式碼(或多個(gè)模塊)，這些程式(或模塊)會儲存在一個(gè)存儲器中，由一個(gè)處理器執(zhí)行。這些模組的組合亦被稱為一個(gè)存儲器存取指令的管理系統(tǒng)。然而，本發(fā)明并不在此限，控制單元120的功能也可以實(shí)作為一或多個(gè)邏輯閘或電路。本發(fā)明并不限制用軟體或是硬體的方式實(shí)作控制單元120的功能。
[0107]在其他實(shí)施例中，讀取真值表400與寫入真值表600的分?jǐn)?shù)可以被設(shè)定為其他數(shù)值。如此一來，便可以產(chǎn)生不同于方程式(12)?(17)的邏輯判斷式。本發(fā)明并不限制讀取真值表400與寫入真值表600中分?jǐn)?shù)的值。此外，在一實(shí)施例中，隨著隨機(jī)存取存儲器130的型號或是頻率不同，讀取真值表400與寫入真值表600中每個(gè)操作所花費(fèi)的時(shí)間也可能不同，藉此會產(chǎn)生不同的排序結(jié)果。本發(fā)明并不限制隨機(jī)存取存儲器130的型號與頻率。
[0108]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提出的管理方法與電子裝置，可以根據(jù)庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)為每一個(gè)存取指令決定一個(gè)優(yōu)先級值，藉此決定存取指令的執(zhí)行順序。如此一來，可以提升隨機(jī)存取存儲器的頻寬使用率。
[0109]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種存儲器存取指令的管理方法，用于一隨機(jī)存取存儲器，其中該隨機(jī)存取存儲器包括多個(gè)庫，該管理方法包括: 接收用以存取該隨機(jī)存取存儲器的多個(gè)存取指令，其中該些存取指令尚未被執(zhí)行，該些存取指令包含一第一存取指令，該第一存取指令是要存取該些庫中的一第一庫的一第一行，接收該第一存取指令的時(shí)間晚于接收一第二存取指令的時(shí)間，并且該第二存取指令是該第一存取指令上一個(gè)要存取該第一庫的存取指令； 計(jì)算該些存取指令所各自對應(yīng)的一優(yōu)先級值，其中計(jì)算該第一存取指令的優(yōu)先級值的步驟更包含: 根據(jù)該第一庫的該第一行是否為啟動，以產(chǎn)生一行命中變數(shù)； 當(dāng)該行命中變數(shù)不為啟動時(shí)，將接收該第一存取指令與執(zhí)行該第二存取指令之間的時(shí)間區(qū)間設(shè)為該 第一庫所對應(yīng)的一計(jì)數(shù)值； 判斷該計(jì)數(shù)值是否大于該第一庫所對應(yīng)的一臨界值，以決定一庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)；以及 至少根據(jù)該第一庫所對應(yīng)的該庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)產(chǎn)生該第一存取指令的優(yōu)先級值；以及 根據(jù)該些存取指令所各自對應(yīng)的該優(yōu)先級值，決定該些存取指令的一執(zhí)行順序。
2.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中產(chǎn)生該第一存取指令的優(yōu)先級值的步驟更包含根據(jù)下列參數(shù)之一及其任意組合:一最后讀寫變數(shù)、該行命中變數(shù)、一讀寫命中變數(shù)、一庫轉(zhuǎn)換變數(shù)、該庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)、一延遲耗盡變數(shù)與一片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)， 其中，該最后讀寫變數(shù)表示該第一存取指令的前一個(gè)接收的一第三存取指令是否為寫入指令，該讀寫命中變數(shù)表示該第三存取指令與該第一存取指令是否同樣為讀取指令或?qū)懭胫噶睿搸燹D(zhuǎn)換變數(shù)表示該第三存取指令是否要存取不同的該些庫的其中之一，該延遲耗盡變數(shù)表示該第一存取指令所等待的時(shí)間是否已超過一等待臨界值，并且該片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)表示連續(xù)的回應(yīng)發(fā)送該第一存取指令的一客戶端的次數(shù)是否超過一片計(jì)數(shù)臨界值。
3.如權(quán)利要求1所述的管理方法，更包括: 若該第二存取指令為寫入指令，該臨界值是基于下列參數(shù)之一及其任意組合來決定:該隨機(jī)存取存儲器的寫入延遲時(shí)間、突發(fā)長度、寫入恢復(fù)時(shí)間、額外等待時(shí)間、庫預(yù)充電時(shí)間與行有效延遲時(shí)間；以及 若該第二存取指令為讀取指令，該臨界值是基于下列參數(shù)之一及其任意組合來決定:該隨機(jī)存取存儲器的該額外等待時(shí)間、讀預(yù)充電時(shí)間、該庫預(yù)充電時(shí)間與該行有效延遲時(shí)間。
4.如權(quán)利要求1所述的管理方法，更包括: 對應(yīng)于一最后讀寫變數(shù)，根據(jù)一行命中變數(shù)、一讀寫命中變數(shù)、一庫轉(zhuǎn)換變數(shù)與該庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)建立一讀取真值表與一寫入真值表，其中該讀取真值表包括多個(gè)讀取項(xiàng)次，每一該些讀取項(xiàng)次對應(yīng)于至少一第一操作，該寫入真值表包括多個(gè)寫入項(xiàng)次，并且每一該些寫入項(xiàng)次對應(yīng)于至少一第二操作； 根據(jù)該至少一第一操作設(shè)定每一該些讀取項(xiàng)次是對應(yīng)于多個(gè)分?jǐn)?shù)的其中之一；以及 根據(jù)該至少一第二操作設(shè)定每一該些寫入項(xiàng)次是對應(yīng)于該些分?jǐn)?shù)的其中之一。
5.如權(quán)利要求4所述的管理方法，其中計(jì)算該第一存取指令的優(yōu)先級值的步驟包括: 根據(jù)對應(yīng)于該第一存取指令的該最后讀寫變數(shù)、該行命中變數(shù)、該讀寫命中變數(shù)、該庫轉(zhuǎn)換變數(shù)與該庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)，取得該些分?jǐn)?shù)中的一第一分?jǐn)?shù)；以及根據(jù)該第一分?jǐn)?shù)、對應(yīng)于該第一存取指令的一延遲耗盡變數(shù)與一片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)計(jì)算該第一存取指令的該優(yōu)先級值。
6.如權(quán)利要求5所述的管理方法，更包括: 若該第一分?jǐn)?shù)與該延遲耗盡變數(shù)符合一預(yù)設(shè)條件時(shí)，延遲執(zhí)行該第一存取指令。
7.一種存儲器存取指令的管理系統(tǒng)，用于一隨機(jī)存取存儲器，其中該隨機(jī)存取存儲器包括多個(gè)庫，該管理系統(tǒng)包括: 第一模塊，用以接收用以存取該隨機(jī)存取存儲器的多個(gè)存取指令，其中該些存取指令尚未被執(zhí)行，該些存取指令包含一第一存取指令，該第一存取指令是要存取該些庫中的一第一庫的一第一行，接收該第一存取指令的時(shí)間晚于接收一第二存取指令的時(shí)間，并且該第二存取指令是該第一存取指令上一個(gè)要存取該第一庫的存取指令； 第二模塊，用以計(jì)算該些存取指令所各自對應(yīng)的一優(yōu)先級值，其中該第二模塊還用以: 根據(jù)該第一庫的該第一行是否為啟動，以產(chǎn)生一行命中變數(shù)； 當(dāng)該行命中變數(shù)不為啟動時(shí)，將接收該第一存取指令與該執(zhí)行第二存取指令之間的時(shí)間區(qū)間設(shè)為該第一庫所對應(yīng)的一計(jì)數(shù)值； 判斷該計(jì)數(shù)值是否大于該第一庫所對應(yīng)的一臨界值，以決定一庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)；以及 至少根據(jù)該第一庫所對應(yīng)的該庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)產(chǎn)生該第一存取指令的優(yōu)先級值；以及 第三模塊，用以根據(jù)該些存取指令所各自對應(yīng)的該優(yōu)先級值，決定該些存取指令的一執(zhí)行順序。
8.如權(quán)利要求7所述的管理系統(tǒng)，其中該第二模塊更用以根據(jù)下列參數(shù)之一及其任意組合產(chǎn)生該第一存取指令的優(yōu)先級值:一最后讀寫變數(shù)、該行命中變數(shù)、一讀寫命中變數(shù)、一庫轉(zhuǎn)換變數(shù)、該庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)、一延遲耗盡變數(shù)與一片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)， 其中，該最后讀寫變數(shù)表示該第一存取指令的前一個(gè)接收的一第三存取指令是否為寫入指令，該讀寫命中變數(shù)表示該第三存取指令與該第一存取指令是否同樣為讀取指令或?qū)懭胫噶睿搸燹D(zhuǎn)換變數(shù)表示該第三存取指令是否要存取不同的該些庫的其中之一，該延遲耗盡變數(shù)表示該第一存取指令所等待的時(shí)間是否已超過一等待臨界值，并且該片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)表示連續(xù)的回應(yīng)發(fā)送該第一存取指令的一客戶端的次數(shù)是否超過一片計(jì)數(shù)臨界值。
9.如權(quán)利要求7所述的管理系統(tǒng)，更包括: 第四模塊，若該第二存取指令為寫入指令，用以設(shè)定該臨界值是基于下列參數(shù)之一及其任意組合來決定:該隨機(jī)存取存儲器的寫入延遲時(shí)間、突發(fā)長度、寫入恢復(fù)時(shí)間、額外等待時(shí)間、庫預(yù)充電時(shí)間與行有效延遲時(shí)間；以及 第五模塊，若該第二存取指令為讀取指令，用以設(shè)定該臨界值是基于下列參數(shù)之一及其任意組合來決定:該隨機(jī)存取存儲器的該額外等待時(shí)間、讀預(yù)充電時(shí)間、該庫預(yù)充電時(shí)間與該行有效延遲時(shí)間。
10.如權(quán)利要求7所述的管理系統(tǒng)，更包括: 第六模塊，對應(yīng)于一最后讀寫變數(shù)，根據(jù)一行命中變數(shù)、一讀寫命中變數(shù)、一庫轉(zhuǎn)換變數(shù)與該庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)建立一讀取真值表與一寫入真值表，其中該讀取真值表包括多個(gè)讀取項(xiàng)次，每一該些讀取項(xiàng)次對應(yīng)于至少一第一操作，該寫入真值表包括多個(gè)寫入項(xiàng)次，并且每一該些寫入項(xiàng)次對應(yīng)于一第二操作；第七模塊，用以根據(jù)該至少一第一操作設(shè)定每一該些讀取項(xiàng)次是對應(yīng)于多個(gè)分?jǐn)?shù)的其中之一；以及 第八模塊，用以根據(jù)該至少一第二操作設(shè)定每一該些寫入項(xiàng)次是對應(yīng)于該些分?jǐn)?shù)的其中之一。
11.如權(quán)利要求10所述的管理系統(tǒng)，其中該第二模塊還用以: 根據(jù)對應(yīng)于該第一存取指令的該最后讀寫變數(shù)、該行命中變數(shù)、該讀寫命中變數(shù)、該庫轉(zhuǎn)換變數(shù)與該庫轉(zhuǎn)換耗盡變數(shù)，取得該些分?jǐn)?shù)中的一第一分?jǐn)?shù)；以及 根據(jù)該第一分?jǐn)?shù)、對應(yīng)于該第一存取指令的一延遲耗盡變數(shù)與一片計(jì)數(shù)耗盡變數(shù)計(jì)算該第一存取指令的該優(yōu)先級值。
12.如權(quán)利要求11所述的管理系統(tǒng)，更包括: 第九模塊，若該第一分?jǐn)?shù) 與該延遲耗盡變數(shù)符合一預(yù)設(shè)條件時(shí)，用以延遲執(zhí)行該第一存取指令。
【文檔編號】G06F13/16GK103729314SQ201210385322
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月11日
【發(fā)明者】田京京, 易冬柏 申請人:珠海揚(yáng)智電子科技有限公司