光學位移偵測裝置及方法
【專利摘要】本發明提出一種光學位移偵測裝置及光學位移偵測方法。光學位移偵測裝置，包含：光源，投射探照光至待測表面；影像擷取單元，其根據從待測表面反射的光線，以產生影像訊號；以及處理單元，根據影像訊號，產生曝光狀態值與影像特征值，并根據初始曝光范圍、曝光狀態值與影像特征值，以決定曝光范圍。
【專利說明】光學位移偵測裝置及方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種光學位移偵測裝置及光學位移偵測方法；特別是指一種適應性選擇曝光范圍的光學位移偵測裝置及光學位移偵測方法。
【背景技術】
[0002]光學位移偵測裝置有各種應用方式，其中最常見的應用方式就是光學鼠標。在光學鼠標中，光源發出的光線被導引至桌面或其它表面，反射后為鼠標內部的感測芯片所接收，感測芯片將光學訊號轉換為電子訊號輸出，再由后級處理器針對電子訊號加以運算，以決定鼠標的位移。
[0003]詳言之，就一般光學鼠標而言，當待測表面具有局部偏暗的現象時，也就是有暗角產生時，即使對曝光狀態的偵測結果落于自動曝光(autoexposure, AE)范圍內，此時若光學鼠標所追蹤待測表面上的圖案進入暗角，感測芯片對待測表面的圖案紋理差異，敏感度便會降低，而不易萃取出正確的特征圖案。由于特征不夠顯著，后續的位移計算也就容易產生錯誤。
[0004]有鑒于此，本發明即針對上述現有技術的不足，提出一種光學位移偵測裝置及光學位移偵測方法，通過適應性選擇曝光范圍，使得光學位移偵測裝置追蹤圖案時可以避免計算錯誤，提聞位移偵測的精確度。
【發明內容】
[0005]本發明目的之一在于克服現有技術的不足與缺陷，提出一種光學位移偵測裝置。
[0006]本發明另一目的在于，提出一種光學位移偵測方法。
[0007]為達上述目的，就其中一個觀點言，本發明提供了一種光學位移偵測裝置，包含:一光源，投射一探照光至一待測表面；一影像擷取單元，其根據從該待測表面反射的光線，以產生一影像訊號；以及一處理單元，根據該影像訊號，產生一曝光狀態值與一影像特征值，并根據一初始曝光范圍、該曝光狀態值與該影像特征值，以決定一曝光范圍。
[0008]就另一觀點言，本發明也提供了一種光學位移偵測方法，包含:投射一探照光至一待測表面；根據從該待測表面反射的光線，以產生一影像訊號；根據該影像訊號，產生一曝光狀態值與一影像特征值；以及根據一初始曝光范圍、該曝光狀態值與該影像特征值，以決定一曝光范圍。
[0009]在其中一種實施型態中，該處理單元宜根據以下情況，決定該曝光范圍:(1)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一狀態默認值或該影像特征值高于一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍；(2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該狀態默認值且該影像特征值不高于該特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍；(3)當該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于該狀態默認值且該影像特征值低于該特征默認值，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍；(4)當該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該狀態默認值或該影像特征值不低于該特征默認值，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍。
[0010]在另一種實施型態中，該處理單元宜根據以下情況，決定該曝光范圍:(I)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一第二狀態默認值或該影像特征值高于一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍；(2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該第二狀態默認值且該影像特征值不高于該特征默認值時，該處理單元根據以下情況(3)或(4)的情況，決定該曝光范圍；(3)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于一第一狀態默認值且該影像特征值低于該特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍；(4)當前述情況
(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該第一狀態默認值或該影像特征值不低于該特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍。
[0011]在又一種實施型態中，該處理單元宜根據以下情況，決定該曝光范圍:(1)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一狀態默認值或該影像特征值高于一第二特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍；(2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該狀態默認值且該影像特征值不高于該第二特征默認值時，該處理單元根據以下(3)或(4)的情況，決定該曝光范圍；(3)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于該狀態默認值且該影像特征值低于一第一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍；(4)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該狀態默認值或該影像特征值不低于該第一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍。
[0012]在又另一種實施型態中，該處理單元宜根據以下情況，決定該曝光范圍:(1)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一第二狀態默認值或該影像特征值高于一第二特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍；(2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該第二狀態默認值且該影像特征值不高于該第二特征默認值時，該處理單元根據以下(3)或(4)的情況，決定該曝光范圍；(3)當前述情況
(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于一第一狀態默認值且該影像特征值低于一第一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍；(4)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該第一狀態默認值或該影像特征值不低于該第一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍。
[0013]上述所有實施型態中，該處理單元可根據該曝光范圍，以調整該影像訊號，進而決定該光學位移偵測裝置的位移。
[0014]下面通過具體實施例詳加說明，當更容易了解本發明的目的、技術內容、特點及其所達成的功效。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015]圖1顯示本發明的第一個實施例；
[0016]圖2顯示第一個實施例的控制示意圖；
[0017]圖3顯示本發明的第二個實施例；[0018]圖4顯示本發明的第三個實施例；
[0019]圖5顯示本發明的第四個實施例；
[0020]圖6顯示本發明的第五個實施例；
[0021]圖7顯示本發明的第六個實施例。
[0022]圖中符號說明
[0023]10待測表面
[0024]11, 21 光源
[0025]13，23感測芯片
[0026]15，25處理控制電路
[0027]27記憶單元
[0028]29傳輸接口單元
[0029]100光學鼠標
[0030]200光學位移偵測裝置
【具體實施方式】
[0031]本發明中的圖式均屬示意，主要意在表示各裝置以及各元件之間的功能作用關系，至于形狀、厚度與寬度則并未依照比例繪制。
[0032]請參閱圖1，顯示本發明的光學位移偵測裝置的第一個實施例。光學位移偵測裝置在本實施例中的應用為光學鼠標100，包含光源11、影像擷取單元13、處理單元15。其中，光源11例如但不限于為發光二極管(light emitting diode, LED)元件或激光二極管(laserdiode, LD)元件，投射探照光至待測表面10，例如但不限于桌面或其它表面，使得影像擷取單元13通過接收自待測表面10上反射的光線，擷取待測表面10上的圖案或粗糙度，轉換后產生影像訊號以輸入處理單元15。影像擷取單元13例如但不限于為感測表面影像的影像傳感器或感測表面粗糙度的粗糙度傳感器，其為此領域的技術人員所熟知，在此不予贅述。處理單元15接收影像訊號，進而計算出曝光狀態值與影像特征值。
[0033]需說明的是，曝光狀態值是指影像擷取單元13所擷取的一幀影像中，相關于曝光狀態的指標值，例如可為該幀影像中，所有或某特取范圍的像素的亮度平均值，或是其經某種加權運算后的結果。曝光狀態值較高表示整幀影像的曝光亮度較高，反之則較低。此外，影像特征值是指相關于該幀影像的一種或數種影像質量的指針值，例如有關影像清晰度、噪聲、對比、失真等，可以有各種計算的方式，例如，可根據相鄰像素間的亮度差異來計算。影像特征值較高表示整幀影像的質量較高，反之則較低。
[0034]圖2顯示本實施例的控制示意圖，如前所述，處理單元15控制光源11投射探照光至待測表面10，影像擷取單元13接收自待測表面10上反射的光線，產生影像訊號輸入處理單元15。處理單元15根據影像訊號，計算出曝光狀態值與影像特征值，并根據初始曝光范圍、曝光狀態值與影像特征值，以決定曝光范圍，并且可更根據曝光范圍，以調整影像訊號，進而決定光學鼠標100的位移。
[0035]需說明的是，曝光范圍為光學鼠標100可控制的參數，例如但不限于包含以下之一、或其組合:光源11發光強度、光源11的發光時間、影像擷取單元13的取像(曝光)時間等，或是將上各參數經過運算后，產生一個綜合的參數設定。另外，初始曝光范圍例如但不限于可為一開機默認值、或為光學鼠標100對環境偵測后由處理單元15所決定，或是根據先前最后一次曝光范圍的儲存值來決定。
[0036]圖3顯示本發明的第二個實施例。本實施例意在舉例說明本發明的光學位移偵測裝置200，除了光源21、影像擷取單元23、與處理單元25之外，可更包含記憶單元27與傳輸接口單元29。其中，記憶單元27用以作為儲存裝置，以儲存處理單元25運算中數據與運算后結果；而傳輸接口單元29用以將運算后結果輸出與接受外部訊號的接口。
[0037]圖4顯示本發明的第三個實施例。顯示本發明決定曝光范圍的一種實施方式的流程圖。如圖所示，首先，通過光源發射探照光至待測表面(Sll);接著，由影像擷取單元感測待測表面影像(S12);再由處理單元計算表面影像的曝光狀態值(S13);判斷初始曝光范圍是否為聞曝光范圍(S14);并根據以下情況決定曝光范圍:
[0038](I)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一狀態默認值或該影像特征值高于一特征默認值時(S15)，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍(S16)；
[0039](2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該狀態默認值且該影像特征值不高于該特征默認值時(S15)，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍(S18)；
[0040](3)當該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于該狀態默認值且該影像特征值低于該特征默認值(S17)，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍(S18)；
[0041](4)當該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該狀態默認值或該影像特征值不低于該特征默認值(S17)，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍(S16)。
[0042]圖5顯示本發明的第四個實施例。顯示本發明決定曝光范圍的另一種實施方式的流程圖。如圖所示，首先，通過光源發射探照光至待測表面(S21);接著，由影像擷取單元感測待測表面影像(S22);再由處理單元計算表面影像的曝光狀態值以決定初始曝光范圍(S23);判斷初始曝光范圍是否為高曝光范圍(S24);并根據以下情況決定曝光范圍:
[0043](I)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一第二狀態默認值或該影像特征值高于一特征默認值時(S25)，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍(S26)；
[0044](2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該第二狀態默認值且該影像特征值不高于該特征默認值時(S25)，該處理單元根據以下情況(3)或(4)的情況，決定該曝光范圍；
[0045](3)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于一第一狀態默認值且該影像特征值低于該特征默認值時(S27)，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍(S28)；
[0046](4)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該第一狀態默認值或該影像特征值不低于該特征默認值時(S27)，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍(S26)。
[0047]圖6顯示本發明的第五個實施例。顯示本發明決定曝光范圍的又一種實施方式的流程圖。如圖所示，首先，通過光源發射探照光至待測表面(S31);接著，由影像擷取單元感測待測表面影像(S32);再由處理單元計算表面影像的曝光狀態值以決定初始曝光范圍(S33);判斷初始曝光范圍是否為高曝光范圍(S34);并根據以下情況決定曝光范圍:
[0048](I)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一狀態默認值或該影像特征值高于一第二特征默認值時(S35)，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍(S36)；
[0049](2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該狀態默認值且該影像特征值不高于該第二特征默認值時(S35)，該處理單元根據以下(3)或(4)的情況，決定該曝光范圍；
[0050](3)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于該狀態默認值且該影像特征值低于一第一特征默認值時(S37)，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍(S38)；
[0051](4)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該狀態默認值或該影像特征值不低于該第一特征默認值時(S37)，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍(S36)。
[0052]圖7顯示本發明的第六個實施例。顯示本發明決定曝光范圍的又另一種實施方式的流程圖。如圖所示，首先，通過光源發射探照光至待測表面(S41);接著，由影像擷取單元感測待測表面影像(S42);再由處理單元計算表面影像的曝光狀態值以決定初始曝光范圍(S43);判斷初始曝光范圍是否為高曝光范圍(S44);并根據以下情況決定曝光范圍:
[0053](I)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一第二狀態默認值或該影像特征值高于一第二特征默認值時(S45)，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍(S46)；
[0054](2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該第二狀態默認值且該影像特征值不高于該第二特征默認值時(S45)，該處理單元根據以下(3)或(4)的情況，決定該曝光范圍；
[0055](3)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于一第一狀態默認值且該影像特征值低于一第一特征默認值時(S47)，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍(S48)；
[0056](4)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該第一狀態默認值或該影像特征值不低于該第一特征默認值時(S47)，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍(S46)。
[0057]需注意的是，上述實施例中，初始曝光范圍可以為一開機默認值、或為對環境偵測后所決定，或是根據先前最后一次曝光范圍的儲存值來決定，皆屬本發明的范圍。狀態默認值、第一狀態默認值、第二狀態默認值皆為曝光狀態值的門坎值，其中，例如但不限于第一狀態默認值大于或等于第二狀態默認值。特征默認值、第一特征默認值、第二特征默認值皆為影像特征值的門坎值，其中，例如但不限于第一特征默認值小于或等于第二特征默認值。另外，目前光學鼠標的應用中，曝光范圍的設定值一般在0-255，而實際上的選定多設定于中位數100-150。應用本發明，例如但不限于設定低曝光范圍為100-150，高曝光范圍為151-190，或是，將低曝光范圍與高曝光范圍于0-255間，不相重疊的兩個范圍，例如但不限于設定低曝光范圍為90-140，高曝光范圍為161-200。當然，低曝光范圍與高曝光范圍亦可以為重疊或相鄰的兩個范圍。此外，根據本發明，決定曝光范圍為高曝光范圍或低曝光范圍，不限于固定的兩個曝光范圍，亦可以根據實際應用的需要，動態調整高曝光范圍與低曝光范圍的設定；例如，將所決定的曝光范圍作為初始曝光范圍后，經過上述實施例的判斷，再次選擇的高曝光范圍或低曝光范圍，可依據需要調整其范圍。
[0058]以上已針對較佳實施例來說明本發明，只是以上所述，僅為使本領域技術人員易于了解本發明的內容，并非用來限定本發明的權利范圍。在本發明的相同精神下，本領域技術人員可以思及各種等效變化。例如，實施例中圖標直接連接的兩電路或元件間，可插置不影響主要功能的其它電路或元件；又如，各結構部份的形狀不限于實施例所示而可以改變等等。因此，本發明的范圍應涵蓋上述及其它所有等效變化。
【權利要求】
1.一種光學位移偵測裝置，其特征在于，包含: 一光源，投射一探照光至一待測表面； 一影像擷取單元，其根據從該待測表面反射的光線，以產生一影像訊號；以及 一處理單元，根據該影像訊號，產生一曝光狀態值與一影像特征值，并根據一初始曝光范圍、該曝光狀態值與該影像特征值，以決定一曝光范圍。
2.如權利要求1所述的光學位移偵測裝置，其中，該處理單元根據以下情況，決定該曝光范圍: (1)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一狀態默認值或該影像特征值高于一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍； (2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該狀態默認值且該影像特征值不高于該特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍； (3)當該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于該狀態默認值且該影像特征值低于該特征默認值，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍； (4)當該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該狀態默認值或該影像特征值不低于該特征默認值，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍。
3.如權利要求1所述的光學位移偵測裝置，其中，該處理單元根據以下情況，決定該曝光范圍: (1)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一第二狀態默認值或該影像特征值高于一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍； (2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該第二狀態默認值且該影像特征值不高于該特征默認值時，該處理單元根據以下情況(3)或(4)的情況，決定該曝光范圍； (3)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于一第一狀態默認值且該影像特征值低于該特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍； (4)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該第一狀態默認值或該影像特征值不低于該特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍。
4.如權利要求1所述的光學位移偵測裝置，其中，該處理單元根據以下情況，決定該曝光范圍: (1)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一狀態默認值或該影像特征值高于一第二特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍； (2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該狀態默認值且該影像特征值不高于該第二特征默認值時，該處理單元根據以下(3)或(4)的情況，決定該曝光范圍； (3)當前述情況(2)發生， 或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于該狀態默認值且該影像特征值低于一第一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍； (4)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該狀態默認值或該影像特征值不低于該第一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍。
5.如權利要求1所述的光學位移偵測裝置，其中，該處理單元根據以下情況，決定該曝光范圍: (1)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一第二狀態默認值或該影像特征值高于一第二特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍； (2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該第二狀態默認值且該影像特征值不高于該第二特征默認值時，該處理單元根據以下(3)或(4)的情況，決定該曝光范圍； (3)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于一第一狀態默認值且該影像特征值低于一第一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該聞曝光范圍； (4)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該第一狀態默認值或該影像特征值不低于該第一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍。
6.如權利要求1所述的光學位移偵測裝置，其中，該處理單元根據該曝光范圍，以調整該影像訊號，進而決定該光學位移偵測裝置的位移。
7.一種光學位移偵測方法，其特征在于，包含: 投射一探照光至一待測表面； 根據從該待測表面反射的光線，以產生一影像訊號； 根據該影像訊號，產生一曝光狀態值與一影像特征值；以及 根據一初始曝光范圍、該曝光狀態值與該影像特征值，以決定一曝光范圍。
8.如權利要求7所述的光學位移偵測方法，其中，該決定該曝光范圍的步驟包括:根據以下情況，決定該曝光范圍: (1)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一狀態默認值或該影像特征值高于一特征默認值時，決定該曝光范圍為一低曝光范圍； (2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該狀態默認值且該影像特征值不高于該特征默認值時，決定該曝光范圍為該高曝光范圍； (3)當該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于該狀態默認值且該影像特征值低于該特征默認值，決定該曝光范圍為該高曝光范圍； (4)當該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該狀態默認值或該影像特征值不低于該特征默認值，決定該曝光范圍為該低曝光范圍。
9.如權利要求7所述的光學位移偵測方法，其中，該決定該曝光范圍的步驟包括:根據以下情況，決定該曝光范圍: (1)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一第二狀態默認值或該影像特征值高于一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍； (2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該第二狀態默認值且該影像特征值不高于該特征默認值時，該處理單元根據以下情況(3)或(4)的情況，決定該曝光范圍；(3)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于一第一狀態默認值且該影像特征值低于該特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍； (4)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該第一狀態默認值或該影像特征值不低于該特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍。
10.如權利要求7所述的光學位移偵測方法，其中，該決定該曝光范圍的步驟包括:根據以下情況，決定該曝光范圍: (1)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一狀態默認值或該影像特征值高于一第二特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍； (2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該狀態默認值且該影像特征值不高于該第二特征默認值時，該處理單元根據以下(3)或(4)的情況，決定該曝光范圍； (3)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于該狀態默認值且該影像特征值低于一第一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該高曝光范圍； (4)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該狀態默認值或該影像特征值不低于該第一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍。
11.如權利要求7所述的 光學位移偵測方法，其中，該決定該曝光范圍的步驟包括:根據以下情況，決定該曝光范圍: (1)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值低于一第二狀態默認值或該影像特征值高于一第二特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為一低曝光范圍； (2)當該初始曝光范圍為高曝光范圍，且該曝光狀態值不低于該第二狀態默認值且該影像特征值不高于該第二特征默認值時，該處理單元根據以下(3)或(4)的情況，決定該曝光范圍； (3)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值高于一第一狀態默認值且該影像特征值低于一第一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該聞曝光范圍； (4)當前述情況(2)發生，或該初始曝光范圍為低曝光范圍，且該曝光狀態值不高于該第一狀態默認值或該影像特征值不低于該第一特征默認值時，該處理單元決定該曝光范圍為該低曝光范圍。
12.如權利要求7所述的光學位移偵測方法，其中，還包括:根據該曝光范圍，以調整該影像訊號，進而決定該光學位移偵測裝置的位移。
【文檔編號】G06F3/0354GK103576909SQ201210273424
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年8月2日 優先權日:2012年8月2日
【發明者】王彥章, 陳俊瑋 申請人:原相科技股份有限公司