專利名稱：一種測磁場強度的rfid系統及其測磁場強度的方法
技術領域：
本發明涉及RFID (Radio Frequency Identif ication,射頻識別)技術領域，尤其涉及ー種測磁場強度的RFID系統及其測磁場強度的方法。
背景技術：
近幾年，RFID系統已經變得日益普遍。RFID系統主要用于對人和物的識別。一般來說，這個系統至少包含ー個RFID閱讀器，這個RFID閱讀器能夠在ー個設定的范圍內發射和接受來自ー個或多個RFID標簽的射頻信號。這個RFID標簽一般是封裝起來的，可以貼在ー個物體上，它包括一個能與天線進行信息交流的芯片，這個芯片為微芯片，其一般來講是ー個集成電路，它可以用來儲存和處理信息，調制解調射頻信號，并且可以運行其他的特殊功能。RFID標簽的天線是用來接收和發送射頻信號，并且通常適用于ー種特殊的頻率。
在一些設備中，一種測磁場強度的RFID系統已經被用于監測產品所處環境的磁場強度何時超過了可以接受的磁場強度。一般來說這些設備要求感應裝置要有一個持續的能量來源，用來檢測磁場的改變，但是這會增加設備的成本。另外，一些設備要求感應裝置還要與ー個比較器電路相連，從而來檢測出偏離參考電壓的程度大小，這ー要求大大增加了設備的成本。總之，改進RFID系統是有必要的，它要求在不使用持續的能量來源或者使用一種低成本的附加電路時可以用來檢測磁場變化。
發明內容
本發明實施例提供一種測磁場強度的RFID系統及其測磁場強度的方法，以較低成本來檢測磁場變化。一方面，本發明實施例提供了一種測磁場強度的RFID系統，所述測磁場強度的RFID系統包括RFID閱讀器、第一 RFID標簽和第二 RFID標簽，所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽具有相同的芯片和天線；所述第一 RFID標簽被放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變，此時所述第一RFID標簽工作在第一共振頻率下；所述第二 RFID標簽為帶磁敏裝置的RFID標簽，所述第ニ RFID標簽的芯片上有兩個引腳；所述磁敏裝置與這兩個引腳相連，并與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構，在磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有一電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分，外界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化，此時所述第二 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化，此時所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下；所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號，所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。可選的，在本發明ー實施例中，所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為單極子天線所述的磁敏裝置與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構。
可選的，在本發明ー實施例中，所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為雙偶極天線所述的磁敏裝置與所述第二 RFID標簽的一根天線形成并聯結構，或者與兩根天線同時形成并聯結構。可選的，在本發明ー實施例中，所述電壓-電阻轉換裝置包括一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或ー溝型場效應管、或場效應管的等效電路，所述磁敏裝置包括霍爾器件、霍爾開關集成裝置、霍爾線性集成裝置、磁敏ニ極管、磁敏三極管、CMOS磁敏器件、韋根德磁敏器件、磁通門敏感裝置。另ー方面，本發明實施例提供了一種測磁場強度的RFID系統，所述測磁場強度的RFID系統包括RFID閱讀器、第一 RFID標簽和第二 RFID標簽，所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽具有相同的芯片和天線；所述第一 RFID標簽被放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變，此時所述第一RFID標簽工作在第一共振頻率下；所述第二 RFID標簽為帶磁敏裝置的RFID標簽，所述第ニ RFID標簽的芯片上有ー個引腳；所述磁敏裝置的一端與這個引腳相連，另一端連接到所述RFID標簽的天線上，并與天線形成并聯結構，在磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的 線路上有ー電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分，外界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化，此時所述第二 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化，此時所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下；所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號，所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。可選的，在本發明ー實施例中，所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為單極子天線所述的磁敏裝置與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構。可選的，在本發明ー實施例中，所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為雙偶極天線所述的磁敏裝置與所述第二 RFID標簽的一根天線形成并聯結構，或者與兩根天線同時形成并聯結構。可選的，在本發明ー實施例中，所述電壓-電阻轉換裝置包括一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或ー溝型場效應管、或場效應管的等效電路，所述磁敏裝置包括霍爾器件、霍爾開關集成裝置、霍爾線性集成裝置、磁敏ニ極管、磁敏三極管、CMOS磁敏器件、韋根德磁敏器件、磁通門敏感裝置。又一方面，本發明實施例提供了一種測磁場強度的RFID系統，所述測磁場強度的RFID系統包括RFID閱讀器、第一 RFID標簽和第二 RFID標簽，所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽具有相同的芯片和天線；所述第一 RFID標簽被放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變，此時所述第一RFID標簽工作在第一共振頻率下；所述第二 RFID標簽為帶磁敏裝置的RFID標簽，所述磁敏裝置連接到所述RFID標簽的天線上，并與天線形成并聯結構，在磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有ー電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分，外界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化，此時所述第二 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化，此時所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下；所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號，所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。可選的，在本發明ー實施例中，所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為單極子天線所述的磁敏裝置與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構。可選的，在本發明ー實施例中，所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為雙偶極天線所述的磁敏裝置與所述第二 RFID標簽的一根天線形成并聯結構，或者與兩根天線同時形成并聯結構。可選的，在本發明ー實施例中，所述電壓-電阻轉換裝置包括一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或ー溝型場效應管、或場效應管的等效電路，所述磁敏裝置包括霍爾器件、霍爾開關集成裝置、霍爾線性集成裝置、磁敏ニ極管、磁敏三極管、CMOS磁敏器件、韋根德磁敏器件、磁通門敏感裝置。
再一方面，本發明實施例提供了一種測磁場強度的RFID系統測磁場強度的方法，所述方法應用于上述測磁場強度的RFID系統，包括將所述第一 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變，此時所述第一 RFID標簽工作在第一共振頻率下將所述第二 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化，此時所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下；通過所述RFID閱讀器發送指令給所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽并接收反饋信號；利用所述RFID閱讀器比較所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽工作時不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。上述技術方案具有如下有益效果因為采用所述測磁場強度的RFID系統包括RFID閱讀器、第一 RFID標簽和第二 RFID標簽，所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽具有相同的芯片和天線；所述第一 RFID標簽被放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第一 RFID標簽工作在第一共振頻率下；所述第二 RFID標簽為帶磁敏裝置的RFID標簽，所述磁敏裝置與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構，在磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有ー電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分，此時所述第二 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后,所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下；所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號，所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一 RFID標簽和所述第二RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變的技術手段，所以達到了以較低成本來檢測磁場變化的技術效果，并利用RFID獲得的能量，解決了磁場強度檢測的供電問題。
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發明實施例一種測磁場強度的RFID系統結構不意圖；圖2為本發明實施例磁敏裝置與第二 RFID標簽芯片相連接的示意圖；圖3為本發明實施例第二 RFID標簽芯片內部天線的等效電路圖；圖4為本發明實施例磁敏裝置、電壓-電阻轉換裝置與第二 RFID標簽芯片內部天線等效電路相連接的不意圖；圖5為本發明實施例磁敏裝置與RFID標簽天線直接相連接的示意圖；圖6為本發明實施例磁敏裝置的結構說明圖；
圖7為本發明實施例基于信號強度的測磁場強度的方法流程圖。
具體實施例方式下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。如圖I所示，為本發明實施例一種測磁場強度的RFID系統結構示意圖，所述測磁場強度的RFID系統包括RFID閱讀器I、第一 RFID標簽2和第二 RFID標簽3，所述第一RFID標簽2和所述第二 RFID標簽3具有相同的芯片和天線；所述第一 RFID標簽2被放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第一 RFID標簽2的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變，此時所述第一 RFID標簽2工作在第一共振頻率下；所述第二 RFID標簽3為帶磁敏裝置的RFID標簽，所述磁敏裝置與所述第二 RFID標簽3的天線形成并聯結構，在磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有ー電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分，外界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化，此時所述第二 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第二 RFID標簽3的天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化，此時所述第二 RFID標簽3工作在第二共振頻率下；所述第一 RFID標簽2和所述第二 RFID標簽3分別接收所述RFID閱讀器I發送的指令并反饋信號，所述RFID閱讀器I通過比較來自所述第一 RFID標簽2和所述第ニ RFID標簽3不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。本發明實施例的磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片相連至少存在三種情況兩引腳結構本發明實施例是ー種用來檢測磁場變化的RFID系統。這一系統包含了兩個RFID標簽 第一 RFID標簽和第二 RFID標簽。第二 RFID標簽的芯片上有兩個引腳，磁敏裝置與這兩個引腳相連，與天線形成并聯結構，在磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有ー電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分，外界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化。此時所述第二 RFID標簽被放置在一定的磁場強度下一段時間后，第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變。第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化，此時天線工作在第二共振頻率下。RFID閱讀器能夠給標簽發送指令，實現通信，可以通過比較第一 RFID標簽和第二 RFID標簽工作時不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。
就一個實例而言,這一系統包含了一種RFID標簽,所述標簽包含第一 RFID標簽和第二 RFID標簽，第一 RFID標簽和第二 RFID標簽都只有一根天線。第二 RFID標簽的芯片上有兩個引腳，磁敏裝置與這兩個引腳相連，與天線形成并聯結構。在磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有ー電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分，外界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化，此時所述第二 RFID標簽被放置在一定的磁場強度下一段時間后,第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變。第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化，此時天線工作在第二共振頻率下。RFID閱讀器能夠給標簽發送指令，實現通信，可以通過比較第一 RFID標簽和第二 RFID標簽工作時不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。更確切地說，所述電壓-電阻轉換裝置包括一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或ー溝型場效應管、或場效應管的等效電路等，所述磁敏裝置包括霍爾器件、霍爾開關集成裝置、霍爾線性集成裝置、磁敏ニ極管、磁敏三極管、CMOS磁敏器件、韋根德磁敏器件、磁通門敏感裝置等。
就另ー個實例而言，這一系統包含了兩個RFID標簽第一 RFID標簽和第二 RFID標簽 ，第一 RFID標簽和第二 RFID標簽都有兩根天線。第二 RFID標簽的芯片上有兩個引腳，磁敏裝置與這兩個引腳相連，與兩根天線同時形成并聯結構，在磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有ー電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分。外界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化。這與第ニ RFID標簽僅含一根天線的情況類似。此時被放置在一定的磁場強度下一段時間后，第一RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變。第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化，此時所述第二 RFID標簽天線工作在第二共振頻率下。RFID閱讀器能夠給標簽發送指令，實現通信，可以通過比較第一 RFID標簽和第二 RFID標簽工作時不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。更確切地說，所述電壓-電阻轉換裝置包括一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或ー溝型場效應管、或場效應管的等效電路等，所述磁敏裝置包括霍爾器件、霍爾開關集成裝置、霍爾線性集成裝置、磁敏ニ極管、磁敏三極管、CMOS磁敏器件、韋根德磁敏器件、磁通門敏感裝置等。一引腳結構這一系統包含了兩個RFID標簽第一 RFID標簽和第二 RFID標簽，第二 RFID標簽的芯片上有ー個引腳，這ー引腳向外與磁敏裝置的一端相連，磁敏裝置的另一端直接連到天線上。引腳在芯片內部的連接點與兩個引腳的情況類似，最終仍然是要達到與天線并聯的目的。在磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有ー電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分，外界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化。此時被放置在一定的磁場強度下一段時間后，第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變。第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化，此時所述第二 RFID標簽天線工作在第二共振頻率下。RFID閱讀器能夠給標簽發送指令，實現通信，可以通過比較第一 RFID標簽和第二 RFID標簽工作時不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。就一個實例而言,這一系統包含了兩個RFID標簽第一 RFID標簽和第二 RFID標簽 ，第一 RFID標簽和第二 RFID標簽都只有一根天線。第二 RFID標簽的芯片上有ー個引腳，磁敏裝置與這ー個引腳相連，磁敏裝置另一端直接連到天線上，與天線形成并聯結構，在磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有ー電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分。外界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化。此時被放置在一定的磁場強度下一段時間后，第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變。第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有一個發生變化，此時所述第二 RFID標簽天線工作在第二共振頻率下。RFID閱讀器能夠給標簽發送指令，實現通信，可以通過比較第一 RFID標簽和第二 RFID標簽工作時不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。更確切地說，所述電壓-電阻轉換裝置包括一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或ー溝型場效應管、或場效應管的等效電路等，所述磁敏裝置包括霍爾器件、霍爾開關集成裝置、霍爾線性集成裝置、磁敏ニ極管、磁敏三極管、CMOS磁敏器件、韋根德磁敏器件、磁通門敏感裝置等。無引腳結構
這一系統包含了兩個RFID標簽第一 RFID標簽和第二 RFID標簽，第二 RFID標簽的芯片上沒有引腳，磁敏裝置直接連到天線上。這種情況下，與磁敏裝置相連的天線不能脫離磁敏裝置而以正常的頻率通信。當被放置在一定的磁場強度下一段時間后，天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化。RFID閱讀器能夠給標簽裝置發送指令，實現通信，通過比較來自第一 RFID標簽和第二 RFID標簽的不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。就一個實例而言,這一系統包含了兩個RFID標簽第一 RFID標簽和第二 RFID標簽；第一 RFID標簽和第二 RFID標簽都只有一根天線。第二 RFID標簽的芯片上沒有引腳，磁敏裝置直接連到天線上，在磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有一電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分。外界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化。此時被放置在一定的磁場強度下一段時間后，第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變。第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化，此時所述第二 RFID標簽天線工作在第二共振頻率下。RFID閱讀器能夠給標簽發送指令，并通過比較第一 RFID標簽和第二根標簽工作時的不同頻率的信號強度之間的差異可以檢測磁場的改變。更確切地說，所述電壓-電阻轉換裝置包括一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或ー溝型場效應管、或場效應管的等效電路等，所述磁敏裝置包括霍爾器件、霍爾開關集成裝置、霍爾線性集成裝置、磁敏ニ極管、磁敏三極管、CMOS磁敏器件、韋根德磁敏器件、磁通門敏感裝置等。推而廣之，天線的芯片上可以帶也可以不帶引腳，可以帶ー個也可以帶多個引腳。天線的根數可以是ー根、兩根甚至是多根。相對應地也可以連接一個或多個磁敏裝置，同時磁敏裝置的型號可以相同也可以不同。就裝置的ー種具體實例而言，當被放置于一定的磁場強度下一段時間后，與磁敏裝置相連的天線的特征頻率和信號強度至少有ー個會發生改變。RFID閱讀器能夠給標簽裝置發送指令，通過比較來自天線的不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。就一種磁敏裝置的具體實例而言，聯立比較數值的方法包括將這些比較數值與多數的信號強度值進行比較。這些信號強度值屬于不同的頻率，并與多數的磁場強度值相聯系，同時基于上述提到的比較可以檢測磁場強度的水平。然而，就另ー個方面而言，ー個RFID系統包括兩個RFID標簽裝置和ー個RFID閱讀器裝置。這兩個RFID標簽裝置被用來發送兩種信號，即，第一 RFID標簽的信號和第二RFID標簽的信號，閱讀器分別收到第一 RFID標簽的信號和第二 RFID標簽的信號，經過后臺處理的第一 RFID標簽和第二 RFID標簽的信號強度值之間的比較值，并把這些比較值轉化為磁場強度的不同水平。再一方面，本發明實施例提供了一種測磁場強度的RFID系統測磁場強度的方法，所述方法應用于上述測磁場強度的RFID系統，包括將所述第一 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變，此時所述第一 RFID標簽工作在第一共振頻率下將所述第二 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化，此時所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下；通過所述RFID閱讀器發送指令給所述 第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽并接收反饋信號；利用所述RFID閱讀器比較所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽工作時不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。如圖2所示，為本發明實施例磁敏裝置與第二RFID標簽芯片相連接的磁敏標簽10的示意圖。圖2中，標簽裝置10，包括一個底座15，ー個集成電路板13，兩個引腳16，17和一個雙偶極天線11，12。集成電路板13上有兩個引腳16，17，這兩個引腳向外與磁敏裝置14相連，這兩個引腳在芯片內部與天線的等效電路并聯。該標簽可以與閱讀器進行通信。在一個實例中，發射端11，12由ー種或多種不同的低電阻材料制成，這些材料有較高的導電性，例如銅，銀，和鋁，它們和上述提到的磁敏裝置通過兩個引腳16，17和天線11，12相連，當天線11，12被放置于一定的磁場強度下一段時間后，磁敏裝置會引起ー個或多個發射端發生共振頻率的變化，從而導致ー個不同的頻率。這個頻率的變化與接收和發送的頻率都不一樣。例如，磁敏裝置放置于一定的磁場強度下一段時間后，就會導致發送頻率和接受頻率中至少ー個發生變化。在另ー個實例中，ー開始設定的天線頻率值將高于一定磁場強度環境下的天線頻率，然后當達到一定的磁場強度時，它就會降低。在另ー個實例中，一開始設定的天線頻率低于一定磁場強度下的天線頻率，當達到一定的磁場強度時它就會上升。可用于本發明的這樣的磁敏裝置有霍爾器件、霍爾開關集成裝置、霍爾線性集成裝置、磁敏ニ極管、磁敏三極管、CMOS磁敏器件、韋根德磁敏器件、磁通門敏感轉置等。基于磁敏裝置的類型不同，導致變化的磁場強度可能是ー個特定的磁場強度值也可能是ー個有選擇性的磁場強度值的范圍。時間的長短必然導致天線共振頻率的變化，天線質量也會導致不同的變化。例如，天線上帶有的磁敏裝置的類型能夠影響改變天線共振頻率所需時間的長短。如圖3所示，為第一 RFID標簽天線的等效電路圖。當標簽線圈天線進入讀寫器產生的交變磁場中，標簽天線與讀寫器天線之間的相互作用就類似于變壓器。兩者的線圈相當于變壓器的初級線圈和次級線圏。由標簽天線形成的諧振回路如圖所示，包括標簽天線
的線圈電感(L)、寄生電容(Cp)和并聯電容(C2),其諧振頻率為/ = ^~^^，式中^為(；和C2的并聯等效電容，R1, R2為電路內電感線圈及其他裝置的等效電阻。標簽和讀寫器雙向通信使用的載波頻率就是f。當要求標簽天線線圈外形很小，即面積小，且需一定的工作距離，RFID標簽與讀寫器問的天線線圈互感量就明顯不能滿足實際需求，可以在標簽天線線圈內部插入具有高導磁率的鐵氧體材料，以增大互感量，從而補償線圈橫截面小的問題。如圖4所示，為本發明實施例磁敏裝置、電壓-電阻轉換裝置與與第二 RFID標簽天線等效電路相連接的示意圖。由標簽天線形成的諧振回路如圖所示，包括標簽天線的線
圈電感(L)、寄生電容(Cp)和并聯電容(C2)，其諧振頻率為/ = 2，式C為Cp和C2的
并聯等效電容,R1, R2為電路內電感線圈及其他裝置的等效電阻。R3為與磁敏裝置串聯的等效電阻，F為電壓-電阻轉換裝置。M為代表磁敏裝置的可變電阻。此標簽被放置在一定的磁場強度下一段時間后，其特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化，天線工作在第二共振頻率下。如圖5所示，為本發明實施例可檢測磁場變化的無源RFID標簽裝置40的簡圖。如 圖4所示，標簽裝置40包括一個底座45，ー個集成電路43和一個雙偶極天線41，42。與天線42相連的磁敏裝置44將會影響天線42的電阻。磁敏裝置44所適用的材料可以根據天線41，42中的任何一根的當前電壓來控制任何ー個既定點的頻率。就ー個實例而言，安裝天線41，42可以使其在相同的頻率產生共振。就另ー個實例而言，安裝天線41，42可以使其在不同的頻率產生共振。在一個實例中，發射端雙偶極天線41，42由ー種或多種不同的低電阻材料制成，這些材料有較高的導電性，例如銅，銀，和鋁，它們和上述提到的磁敏裝置相連，當天線41，42被放置于一定的磁場強度下一段時間后，磁敏裝置會引起一個或多個發射端發生共振頻率的變化，從而導致ー個不同的頻率。這個頻率的變化與接收和發送的頻率都不一樣。例如，磁敏裝置放置于一定的磁場強度下一段時間后，就會導致發送頻率和接受頻率中至少ー個發生變化。在另ー個實例中，ー開始設定的天線頻率值將高于一定磁場強度環境下的天線頻率，然后當達到一定的磁場強度時，它就會降低。在另ー個實例中，一開始設定的天線頻率低于一定磁場強度下的天線頻率，當達到一定的磁場強度時它就會上升。可用于本的發明的這樣的磁敏裝置包括霍爾器件、霍爾開關集成裝置、霍爾線性集成裝置、磁敏ニ極管、磁敏三極管、CMOS磁敏器件、韋根德磁敏器件、磁通門敏感裝置等。基于磁敏裝置的類型不同，導致變化的磁場強度可能是ー個特定的磁場強度值也可能是ー個有選擇性的磁場強度值的范圍。時間的長短必然導致天線共振頻率的變化，天線質量也會導致不同的變化。例如，天線上帶有的磁敏裝置的類型能夠影響改變天線共振頻率所需時間的長短。如圖6所示，韋根德磁敏感器件是根據韋根德效應制成的的磁敏感器件。坡莫合金等強磁性金屬合金經過特殊加工以后可使絲內外層的矯頑カ出現顯著差別外層的矯頑力比內層大ー個數量級。這種金屬絲叫韋根德絲，如圖(I)。由于內外層矯頑カ差別較大，韋根德絲具有兩種穩定的磁化狀態內外層被同方向磁化內外層被反方向磁化。利用適當的外磁場作用，可使韋根德絲內層的磁化狀態突然反轉，從狀態a突然轉變為狀態b，或從狀態b突然轉變為a，這種在外磁場作用下發生狀態反轉的效應稱為韋根德效應。如圖(2)，是用韋根德絲制成的觸覺傳感器。韋根德絲上饒有探測線圈，其下方為ー個使韋根德絲磁化的永久磁鐵。當上面的鍵向下方移動至與下面部分接觸時，上面的磁鐵更接近韋根德絲，但磁極極性與下面的磁鐵相反，這就使得絲內層的磁化方向反轉，探測線圈輸出ー個尖脈沖。韋根德絲一般長約幾個厘米，直徑約O. 3mm，磁敏元件線圈匝數為1000 2000匝左右，輸出脈沖電壓為幾伏數量級，脈沖寬度為20 μ S。如圖7所示，為本發明實施例基于信號強度的測磁場強度的方法流程圖，所述方法應用于上述測磁場強度的RFID系統，包括701、將所述第一 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變，此時所述第一 RFID標簽工作在第一共振頻率下702、將所述第二 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化，此時所述第二 RFID標簽工作 在第二共振頻率下；703、通過所述RFID閱讀器發送指令給所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽并接收反饋信號；704、利用所述RFID閱讀器比較所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽工作時不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。RFID閱讀器可測量收到信號的能量強度，計算出一個反應信號強度的比較值，然后將比較值轉化成不同的磁場強度值。就ー個實例而言，閱讀器會設定ー個時間段用來接收標簽的信號，如果沒有收到信號，閱讀器就會將信號強度記錄為O。在這個系統中，RFID閱讀器將來自不與磁敏裝置相連的第一 RFID標簽的信號強度值作為ー個參考值，把它與來與磁敏裝置相連的第二 RFID標簽的信號強度值進行比較。通過接收到的來自與磁敏裝置相連和不與磁敏裝置相連的第一 RFID標簽和第二 RFID標簽的信號，RFID閱讀器會收集到代表不同信號強度的比較值。然后，RFID閱讀器會把這樣ー個比較值轉化為標簽所處的磁場強度。就ー個具體的實例而言，配置這個RFID閱讀器是為了通過使用儲存的參考數據將接受到的來自連接或者不連接磁敏裝置的RFID標簽的RF信號強度的不同轉化為磁場強度值。最好的情況是，將不連接磁敏裝置的第一 RFID標簽作為ー個參考，可以將由于標簽和閱讀器之間的耦合所導致的變化過濾掉。此外，正如之前提到的那樣，磁敏裝置被應用到設計中會使它的阻抗值的變化與第二 RFID標簽被放置于特定磁場強度下的時間長短形成ー對應的關系。同上，通過使用本發明，在RFID標簽無源的條件下，RFID閱讀器能夠檢測到標簽裝置是否已經被放置一定的磁場強度下以及這一磁場強度是否在可接受的范圍內。不使用兩根天線的各種RFID標簽也能用磁敏裝置來感知到磁場強度的變化，感知磁場強度的變化是基于天線上共振頻率的變化也能夠識別到天線接收到信號的變化。例如通過對與磁敏裝置相連的天線的設計,能夠使天線的頻率在ISM(IndustrialScientific Medical,エ業、科學、醫學)頻段內變化,標準的標簽上都可以連接上這種與磁敏裝置以及邏輯電路相連的天線。例如在ー個具體的實例中標簽天線可以這么設定，在暴露在一定磁場強度環境中之前，天線的共振頻率是902-928MHZ，但是標簽一旦暴露在一定磁場強度環境中，由于磁場強度的影響，天線的共振頻率就降為899. 5-927. 5MHZ，在美國RFID的頻率頻段(902-928MHZ)被分割為52個頻道，在這52個頻道中閱讀器可以隨機的跳過不能接收到的頻道去，閱讀器這種跳躍的好處就是可以有效的防止多個閱讀器在同一個物理空間內試圖使用同一個頻率所造成的沖突。例如在一個例子中，RFID頻段(902-928MHZ)不是劃分為52個頻道而是平均劃分成了 η個頻道標簽的天線設定在此頻段(902-928ΜΗΖ)下進行工作。由于標簽天線與磁敏裝置相連，所以磁場強度只要超過了預先設定的值的范圍，天線標簽天線的工作頻率就下降到(899. 5-927. 5ΜΗΖ)這個頻率范圍之中。因此與原來的頻段相比較就將頻道η從頻段范圍中排除去，因此變化后的頻段(899. 5-927. 5ΜΗΖ)就不再允許標簽與頻道η進行信息的交流。在具體的實例中，如果標簽所在的環境超過了預期的磁場強度范圍，閱讀器只能通過頻道I至η-l給標簽發送指令，標簽也能做出反應，因為標簽中的天線就只能在這個頻率范圍內工作，當閱讀器以η頻道的頻率向標簽發送指令吋，因為標簽磁場強度的變化已經導致標簽天線的共振頻率已經下降到899. 5-927. 5ΜΗΖ不再達到928ΜΗΖ所以標簽就不再 做出反應，將信息傳回閱讀器。有利的方面是由于磁場強度超出了預先設定的值引起的天線工作頻率的變化就被這種信息交流的消失而反映出來。在模型中，閱讀器可以向標簽發送一個在頻道η-l和頻道η之間的指令來進ー步確認ー下標簽天線的工作頻率范圍已經發生了漂移，因為標簽能夠接受到通過頻道η-l發過來的指令，并且能夠通過頻道η-l能向閱讀器反饋信息，因為標簽不能夠接受到通過頻道η發過來的指令，并且不能夠通過頻道η能向閱讀器反饋信息，這樣就確定了標簽天線的工作頻率范圍已經發生了漂移。磁場強度的變化導致標簽天線的工作頻率發生向上和向下的漂移并且目前的發明并不限制在將頻段平均劃分為η個頻道。本發明實施例可以較低成本來檢測磁場變化，并利用RFID獲得的能量，解決了磁場強度檢測的供電問題。這個系統的各個特點的實施可能會涉及到軟件，硬件也可能涉及到軟硬件的結合才能達到，例如系統的許多優點的實施是通過編程用ー種高水平的處理和面向對象的編程語言與電腦和其他設備機器的相互交流的方式實現的。每ー個這樣的功能程序可能被儲存在一個存儲中介中例如只讀存儲器中被一個電腦和處理器讀取來實現上述的功能。本領域技術人員還可以了解到本發明實施例列出的各種說明性邏輯塊(illustrative logical block),單元,和步驟可以通過電子硬件、電腦軟件,或兩者的結合進行實現。為清楚展示硬件和軟件的可替換性(interchangeability),上述的各種說明性部件(illustrative components),單元和步驟已經通用地描述了它們的功能。這樣的功能是通過硬件還是軟件來實現取決于特定的應用和整個系統的設計要求。本領域技術人員可以對于每種特定的應用，可以使用各種方法實現所述的功能，但這種實現不應被理解為超出本發明實施例保護的范圍。本發明實施例中所描述的各種說明性的邏輯塊，或単元都可以通過通用處理器，數字信號處理器，專用集成電路(ASIC)，現場可編程門陣列(FPGA)或其它可編程邏輯裝置，離散門或晶體管邏輯，離散硬件部件，或上述任何組合的設計來實現或操作所描述的功能。通用處理器可以為微處理器，可選地，該通用處理器也可以為任何傳統的處理器、控制器、微控制器或狀態機。處理器也可以通過計算裝置的組合來實現，例如數字信號處理器和微處理器，多個微處理器，一個或多個微處理器聯合一個數字信號處理器核，或任何其它類似的配置來實現。本發明實施例中所描述的方法或算法的步驟可以直接嵌入硬件、處理器執行的軟件模塊、或者這兩者的結合。軟件模塊可以存儲于RAM存儲器、閃存、ROM存儲器、EPROM存儲器、EEPROM存儲器、寄存器、硬盤、可移動磁盤、⑶-ROM或本領域中其它任意形式的存儲媒介中。示例性地，存儲媒介可以與處理器連接，以使得處理器可以從 存儲媒介中讀取信息，并可以向存儲媒介存寫信息。可選地，存儲媒介還可以集成到處理器中。處理器和存儲媒介可以設置于ASIC中，ASIC可以設置于用戶終端中。可選地，處理器和存儲媒介也可以設置于用戶終端中的不同的部件中。在一個或多個示例性的設計中，本發明實施例所描述的上述功能可以在硬件、軟件、固件或這三者的任意組合來實現。如果在軟件中實現，這些功能可以存儲與電腦可讀的媒介上，或以ー個或多個指令或代碼形式傳輸于電腦可讀的媒介上。電腦可讀媒介包括電腦存儲媒介和便于使得讓電腦程序從ー個地方轉移到其它地方的通信媒介。存儲媒介可以是任何通用或特殊電腦可以接入訪問的可用媒體。例如，這樣的電腦可讀媒體可以包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盤存儲、磁盤存儲或其它磁性存儲裝置，或其它任何可以用于承載或存儲以指令或數據結構和其它可被通用或特殊電腦、或通用或特殊處理器讀取形式的程序代碼的媒介。此外，任何連接都可以被適當地定義為電腦可讀媒介，例如，如果軟件是從ー個網站站點、服務器或其它遠程資源通過ー個同軸電纜、光纖電腦、雙絞線、數字用戶線(DSL)或以例如紅外、無線和微波等無線方式傳輸的也被包含在所定義的電腦可讀媒介中。所述的碟片(disk)和磁盤(disc)包括壓縮磁盤、鐳射盤、光盤、DVD、軟盤和藍光光盤，磁盤通常以磁性復制數據，而碟片通常以激光進行光學復制數據。上述的組合也可以包含在電腦可讀媒介中。以上所述的具體實施方式
，對本發明的目的、技術方案和有益效果進行了進ー步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發明的具體實施方式
而已，并不用于限定本發明的保護范圍，凡在本發明的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述測磁場強度的RFID系統包括RFID閱讀器、第一 RFID標簽和第二 RFID標簽，所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽具有相同的芯片和天線；所述第一 RFID標簽被放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第一RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變，此時所述第一 RFID標簽工作在第一共振頻率下；所述第二 RFID標簽為帶磁敏裝置的RFID標簽，所述第二 RFID標簽的芯片上有兩個引腳；所述磁敏裝置與這兩個引腳相連，并與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構，在磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有-電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分，外界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化，此時所述第二 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有一個發生變化，此時所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下；所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號，所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。
2.如權利要求I所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述第一RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為單極子天線所述的磁敏裝置與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構。
3.如權利要求I所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述第一RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為雙偶極天線所述的磁敏裝置與所述第二 RFID標簽的一根天線形成并聯結構，或者與兩根天線同時形成并聯結構。
4.如權利要求I所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述電壓-電阻轉換裝置包括一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或一溝型場效應管、或場效應管的等效電路，所述磁敏裝置包括霍爾器件、霍爾開關集成裝置、霍爾線性集成裝置、磁敏二極管、磁敏三極管、CMOS磁敏器件、韋根德磁敏器件、磁通門敏感裝置。
5.一種測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述測磁場強度的RFID系統包括RFID閱讀器、第一 RFID標簽和第二 RFID標簽，所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽具有相同的芯片和天線；所述第一 RFID標簽被放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第一RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變，此時所述第一 RFID標簽工作在第一共振頻率下；所述第二 RFID標簽為帶磁敏裝置的RFID標簽，所述第二 RFID標簽的芯片上有一個引腳；所述磁敏裝置的一端與這個引腳相連，另一端連接到所述RFID標簽的天線上，并與天線形成并聯結構，在磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有一電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分，外界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化，此時所述第二 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有一個發生變化，此時所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下；所述第一 RFID標簽和所述第二RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號，所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。
6.如權利要求5所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述第一RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為單極子天線所述的磁敏裝置與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構。
7.如權利要求5所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述第一RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為雙偶極天線所述的磁敏裝置與所述第二 RFID標簽的一根天線形成并聯結構，或者與兩根天線同時形成并聯結構。
8.如權利要求5所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述電壓-電阻轉換裝置包括一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或一溝型場效應管、或場效應管的等效電路，所述磁敏裝置包括霍爾器件、霍爾開關集成裝置、霍爾線性集成裝置、磁敏二極管、磁敏三極管、CMOS磁敏器件、韋根德磁敏器件、磁通門敏感裝置。
9.一種測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述測磁場強度的RFID系統包括RFID閱讀器、第一 RFID標簽和第二 RFID標簽，所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽具有相同的芯片和天線；所述第一 RFID標簽被放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第一RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變，此時所述第一 RFID標簽工作在第一共振頻率下；所述第二 RFID標簽為帶磁敏裝置的RFID標簽，所述磁敏裝置連接到所述RFID際簽的天線上，并與天線形成并聯結構，在磁敏裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有一電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分，夕卜界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化，此時所述第二 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有一個發生變化，此時所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下；所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號，所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。
10.如權利要求9所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述第一RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為單極子天線所述的磁敏裝置與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構。
11.如權利要求9所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述第一RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為雙偶極天線所述的磁敏裝置與所述第二 RFID標簽的一根天線形成并聯結構，或者與兩根天線同時形成并聯結構。
12.如權利要求9所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述電壓-電阻轉換裝置包括一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或一溝型場效應管、或場效應管的等效電路，所述磁敏裝置包括霍爾器件、霍爾開關集成裝置、霍爾線性集成裝置、磁敏二極管、磁敏三極管、CMOS磁敏器件、韋根德磁敏器件、磁通門敏感裝置。
13.—種測磁場強度的RFID系統測磁場強度的方法，其特征在于，所述方法應用于權利要求1-4中任一項所述測磁場強度的RFID系統，或權利要求5-8中任一項所述測磁場強度的RFID系統，或權利要求9-12中任一項所述測磁場強度的RFID系統，包括 將所述第一 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后,所述第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變，此時所述第一 RFID標簽工作在第一共振頻率下 將所述第二 RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有一個發生變化，此時所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下；通過所述RFID閱讀器發送指令給所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽并接收反饋信號； 利用所述RFID閱讀器比較所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽工作時不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。
全文摘要
本發明提供一種測磁場強度的RFID系統及其測磁場強度的方法，該系統包括RFID閱讀器、第一RFID標簽和第二RFID標簽，上述標簽具有相同的芯片和天線；第一RFID標簽被放置在一定的磁場強度下一段時間后，工作在第一共振頻率下；第二RFID標簽為帶磁敏裝置的RFID標簽，磁敏裝置與第二RFID標簽的天線形成并聯結構，在磁敏裝置與第二RFID標簽的芯片連接的線路上有一電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分，第二RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，工作在第二共振頻率下；第一RFID標簽和第二RFID標簽分別接收RFID閱讀器發送的指令并反饋信號，RFID閱讀器通過比較來自第一RFID標簽和第二RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。其可以較低成本來檢測磁場變化。
文檔編號G06K19/077GK102819718SQ20121018336
公開日2012年12月12日 申請日期2012年6月1日 優先權日2012年6月1日
發明者劉丙午, 霍靈瑜, 王玉泉 申請人:北京物資學院