導(dǎo)電片、導(dǎo)電片的使用方法以及電容型觸控面板的制作方法

專(zhuān)利名稱(chēng)：：導(dǎo)電片、導(dǎo)電片的使用方法以及電容型觸控面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及導(dǎo)電片、使用導(dǎo)電片的方法以及電容觸控面板，并且例如涉及適合用在投影式電容觸控面板中的導(dǎo)電片、使用導(dǎo)電片的方法以及電容觸控面板。
背景技術(shù)：
：常見(jiàn)的電容觸控面板是能夠基于人手指與導(dǎo)電膜之間的靜電電容的變化來(lái)檢測(cè)人手指觸摸位置的位置輸入裝置。該電容觸控面板包括表面電容觸控面板和投影式電容觸控面板。表面電容觸控面板的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但是不能同時(shí)檢測(cè)兩個(gè)或更多個(gè)觸摸點(diǎn)(多點(diǎn)觸摸檢測(cè))。另ー方面，投影式電容觸控面板的結(jié)構(gòu)包含以矩陣排列的大量電極，類(lèi)似于液晶顯示器裝置等的像素結(jié)構(gòu)。更具體地，該結(jié)構(gòu)是這樣的多個(gè)電極在豎直方向上排列并且串聯(lián)連接以形成第一電極陣列，多個(gè)第一電極陣列在水平方向上排列，多個(gè)電極在水平方向上排列并且串聯(lián)連接以形成第二電極陣列，多個(gè)第二電極陣列在豎直方向上排列，并且通過(guò)第一和第二電極陣列順序檢測(cè)電容變化以實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)觸摸檢測(cè)。該常規(guī)投影式電容觸控面板包括日本特開(kāi)專(zhuān)利No.2008-310551號(hào)中所描述的電容輸入裝置。
發(fā)明內(nèi)容然而，由于必須在排列在基底的ー個(gè)主表面上的第一和第二電極陣列之間形成間隙以防止第一和第二電極陣列的短路，所以日本特開(kāi)專(zhuān)利No.2008-310551中所描述的電容輸入裝置的不利之處在于手指位置檢測(cè)精度差。而且，電容輸入裝置的不利之處在于由于第二電極陣列的電極連接部形成在第一電極陣列的電極連接部上，且其間具有絕緣層以防止第一和第二電極陣列的交叉部(交點(diǎn))的短路，因此交叉部的厚度大并且在觸控面板表面呈現(xiàn)為局部黒點(diǎn)，從而使可見(jiàn)性明顯劣化了。另外，由于需要掩模圖案來(lái)形成絕緣層及其上的電極連接部，由此導(dǎo)致制造過(guò)程復(fù)雜并且制造成本高?？梢酝ㄟ^(guò)使用包含形成在透明基底的ー個(gè)主表面上的第一電極陣列以及形成在其另ー個(gè)主表面上的第二電極陣列的結(jié)構(gòu)來(lái)解決該問(wèn)題。然而，這種結(jié)構(gòu)將來(lái)可能會(huì)引發(fā)以下問(wèn)題。盡管投影式電容觸控面板目前主要用于諸如PDA(個(gè)人數(shù)字助理)和移動(dòng)電話(huà)等小裝置中，但是觸控面板預(yù)計(jì)將會(huì)用于諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)顯示器等大裝置中。這是因?yàn)樽罱呀?jīng)使得用于個(gè)人計(jì)算機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)操作系統(tǒng)(OS)與多點(diǎn)觸控技術(shù)兼容。用于常規(guī)投影式電容觸控面板的電極由ITO(氧化銦錫)構(gòu)成，并且因此具有數(shù)百ohm/sq的高電阻。因此，如果將觸控面板用于上述的未來(lái)趨勢(shì)中的大裝置中，大尺寸的觸控面板表現(xiàn)出低的電極間電流傳輸率，并且由此表現(xiàn)出低響應(yīng)速度(手指接觸與觸摸位置檢測(cè)之間的時(shí)間長(zhǎng))。鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供導(dǎo)電片以及導(dǎo)電片使用方法，其中，導(dǎo)電片能夠在基底上具有低電阻導(dǎo)電圖案，能夠表現(xiàn)出改善的可見(jiàn)性，并且能夠適用于投影式電容觸控面板等。本發(fā)明的另一目的是提供能夠在基底上具有低電阻導(dǎo)電圖案、能夠表現(xiàn)出改善的可見(jiàn)性并且能夠適當(dāng)?shù)赜米鞔蟪叽绲耐队笆诫娙萦|控面板等的投影式電容觸控面板。[I]根據(jù)本發(fā)明的第一方面的導(dǎo)電片，包括兩個(gè)或更多個(gè)形成在基底上的導(dǎo)電大格子，其中所述大格子均包含兩個(gè)或更多個(gè)小格子的組合；所述大格子均具有互相面對(duì)的邊，且所述邊的形狀是交替的。[2]在本發(fā)明的第一方面中，每ー個(gè)所述大格子的所述邊都具有矩形波形狀，在所述矩形波形狀中排列有兩個(gè)或更多個(gè)矩形形狀；并且每ー個(gè)所述大格子的所述邊中的一條邊面對(duì)另一條邊，并且所述另一條邊具有面對(duì)所述一條邊的矩形突出部分的非突出部分以及面對(duì)所述一條邊的非突出部分的矩形突出部分。[3]在本發(fā)明的第一方面中，每ー個(gè)所述大格子的所述邊的所述矩形形狀包括所述小格子。[4]在本發(fā)明的第一方面中，連接部形成在所述基底上，并且電連接相鄰的所述大格子；兩個(gè)或更多個(gè)所述大格子排列在ー個(gè)方向上，且其間設(shè)置有所述連接部。[5]在本發(fā)明的第一方面中，兩個(gè)或更多個(gè)所述大格子排列在第一方向上，其間設(shè)置有所述連接部以形成導(dǎo)電圖案；兩個(gè)或更多個(gè)所述導(dǎo)電圖案排列在垂直于所述第一方向的第二方向上；并且電隔離的絕緣部設(shè)置在相鄰的所述導(dǎo)電圖案之間。[6]根據(jù)本發(fā)明的第二方面的導(dǎo)電片，包括基底，其中兩個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電的第一大格子形成在所述基底的ー個(gè)主表面上；兩個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電的第二大格子形成在所述基底的另ー主表面上；所述第一大格子和所述第二大格子均包含兩個(gè)或更多個(gè)小格子的組合；并且所述第一大格子和所述第二大格子均具有互相面對(duì)的邊，且所述邊的形狀是交替的。[7]在本發(fā)明的第二方面中，所述第一大格子和所述第二大格子中的每ー個(gè)的所述邊具有矩形波形狀，在所述矩形波形狀中排列有兩個(gè)或更多個(gè)矩形形狀；并且所述第一大格子和所述第二大格子中的每ー個(gè)的所述邊中的一條邊面對(duì)另一條邊，并且所述另一條邊具有面對(duì)所述一條邊的矩形突出部分的非突出部分以及面對(duì)所述一條邊的非突出部分的矩形突出部分。[8]根據(jù)本發(fā)明的第三方面的導(dǎo)電片，包括基底，其中兩個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電的第一大格子形成在所述基底的ー個(gè)主表面上；兩個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電的第二大格子形成在所述基底的另ー主表面上；所述第一大格子和所述第二大格子均包含兩個(gè)或更多個(gè)小格子的組合；并且所述第一大格子的一條邊和所述第二大格子的一條邊互相面對(duì)，且所述邊的形狀是交替的。[9]在本發(fā)明的第三方面中，所述第一大格子和所述第二大格子中的每ー個(gè)的所述邊具有矩形波形狀，在所述矩形波形狀中排列有兩個(gè)或更多個(gè)矩形形狀；并且每ー個(gè)所述第一大格子的所述邊中的一條邊面對(duì)每ー個(gè)所述第二大格子的所述邊中的一條邊，并且每ー個(gè)所述第二大格子的所述邊中的所述一條邊具有面對(duì)每ー個(gè)所述第一大格子的所述邊中的所述一條邊的矩形的突出部分的非突出部分以及面對(duì)每ー個(gè)所述第一大格子的所述邊中的所述一條邊的非突出部分的矩形突出部分。[10]在本發(fā)明的第二或第三方面中，所述第一大格子和所述第二大格子中的每ー個(gè)的所述邊的所述矩形形狀包括所述小格子。[11]在本發(fā)明的第二或第三方面中，第一連接部形成在所述基底的所述ー個(gè)主表、面上，并且電連接相鄰的所述第一大格子；第二連接部形成在所述基底的所述另ー主表面上，并且電連接相鄰的所述第二大格子；兩個(gè)或更多個(gè)所述第一大格子排列在第一方向上，其間設(shè)置有所述第一連接部以形成第一導(dǎo)電圖案；兩個(gè)或更多個(gè)所述第二大格子排列在垂直于所述第一方向的第二方向上，其間設(shè)置有所述第二連接部以形成第二導(dǎo)電圖案；兩個(gè)或更多個(gè)所述第一導(dǎo)電圖案排列在所述第二方向上；兩個(gè)或更多個(gè)所述第二導(dǎo)電圖案排列在所述第一方向上；電隔離的第一絕緣部設(shè)置在相鄰的所述第一導(dǎo)電圖案之間；電隔離的第二絕緣部設(shè)置在相鄰的所述第二導(dǎo)電圖案之間；所述第一連接部和所述第二連接部排列為互相面對(duì)，其間具有所述基底；并且所述第一絕緣部和所述第二絕緣部排列為互相面對(duì)，且其間具有所述基底。[12]在本發(fā)明的第一、第二或第三方面中，所述小格子具有多邊形形狀。[13]在本發(fā)明的第一、第二或第三方面中，其中所述小格子具有正方形形狀。[14]根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了ー種使用導(dǎo)電片的方法，包括使用第一導(dǎo)電片和第二導(dǎo)電片，其中所述第一導(dǎo)電片包括兩個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電的第一大格子，所述第一大格子均包含兩個(gè)或更多個(gè)小格子的組合；所述第二導(dǎo)電片包括兩個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電的第二大格子，所述第二導(dǎo)電片均包含兩個(gè)或更多個(gè)小格子的組合；所述第一大格子和所述第二大格子均具有相互面對(duì)的邊，所述邊的形狀是交替的；并且組合所述第一導(dǎo)電片和所述第二導(dǎo)電片，使得鄰近所述第一大格子設(shè)置所述第二大格子，并且所述第一大格子的一條邊和所述第二大格子的一條邊組合形成所述小格子的排列。[15]根據(jù)本發(fā)明的第五方面的電容觸控面板，包括根據(jù)本發(fā)明的第二或第三方面的導(dǎo)電片。如上所述，在本發(fā)明的導(dǎo)電片和導(dǎo)電片使用方法中，能夠降低形成在基底上的導(dǎo)電圖案的電阻，能夠改善可見(jiàn)性，并且導(dǎo)電片能夠適用于投影式電容觸控面板等。此外，在本發(fā)明的電容觸控面板中，能夠降低形成在基底上的導(dǎo)電圖案的電阻，能夠改善可見(jiàn)性，并且觸控面板能夠用作大尺寸投影式電容觸控面板等。圖I是示出形成在第一導(dǎo)電片上的第一導(dǎo)電圖案的范例的平面圖；圖2是部分地示出第一導(dǎo)電片的截面圖；圖3是部分地示出觸控面板導(dǎo)電片的分解透視圖；圖4A是部分地示出觸控面板導(dǎo)電片的范例的截面圖；圖4B是部分地示出觸控面板導(dǎo)電片的另ー范例的截面圖；圖5是示出形成在第二導(dǎo)電片上的第二導(dǎo)電圖案的范例的平面圖；圖6是部分地示出通過(guò)組合第一和第二導(dǎo)電片得到的觸控面板導(dǎo)電片的范例的平面圖；圖7是根據(jù)本實(shí)施例的用于制造透明導(dǎo)電膜的方法的流程圖；圖8A是部分示出制造的光敏材料的截面圖；圖8B是示出光敏材料的同時(shí)雙側(cè)曝光的說(shuō)明圖；圖9是說(shuō)明圖，示出了第一和第二曝光處理，執(zhí)行第一和第二曝光處理的同時(shí)阻止第一光敏層上入射的光透射至第二光敏層和第二光敏層上入射的光透射至第一光敏層。具體實(shí)施例方式以下將參照?qǐng)DI至9描述本發(fā)明的導(dǎo)電片、導(dǎo)電片使用方法以及觸控面板的若干實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意，在此描述中，數(shù)值范圍“A至B”包括作為下限值和上限值的數(shù)值A(chǔ)和B。如圖I中所示，根據(jù)第一實(shí)施例的導(dǎo)電片(以下稱(chēng)為“第一導(dǎo)電片10A”)具有兩個(gè)或更多個(gè)形成在第一透明基底12A的ー個(gè)主表面上的、由細(xì)金屬線(xiàn)構(gòu)成的導(dǎo)電第一大格子14A(參見(jiàn)圖2)。每個(gè)第一大格子14A均包含兩個(gè)或更多個(gè)小格子18的組合。第一大格子14A均具有互相面對(duì)的邊，并且邊的形狀是交替的。由細(xì)金屬線(xiàn)構(gòu)成的第一連接部16A形成在相鄰的第一大格子14A之間，并且將這些相鄰的第一大格子14A互相電連接。第一連接部16A均包含ー個(gè)或多個(gè)中等格子20(20a至20d)，并且中等格子20的間距是小格子18的間距的η倍(其中，η是大于I的實(shí)數(shù))。小格子18具有最小的正方形形狀。例如，細(xì)金屬線(xiàn)包含金(Au)、銀(Ag)或銅(Cu)。兩個(gè)或更多個(gè)第一大格子14Α排列在X方向(第一方向)上，其間設(shè)置有第一連接部16Α，以形成由細(xì)金屬線(xiàn)構(gòu)成的第一導(dǎo)電圖案22Α。兩個(gè)或更多個(gè)第一導(dǎo)電圖案22Α排列在垂直于X方向的I方向上(第二方向)。電隔離的第一絕緣部24Α設(shè)置在相鄰的第一導(dǎo)電圖案22Α之間。更具體地，在每個(gè)第一大格子14Α的四條邊上，即在鄰近未連接至相鄰的第一大格子14Α的頂點(diǎn)部分26a的第一邊28a和第二邊28b以及鄰近未連接至相鄰的第一大格子14A的另ー頂點(diǎn)部分26b的第三邊28c和第四邊28d上，排列兩個(gè)或更多個(gè)矩形形狀，以形成矩形波形狀。特別地，在第一大格子14A中，第一邊28a上的矩形形狀與第一邊28a對(duì)面的第四邊28d上的矩形形狀相交替，并且第二邊28b上的矩形形狀與第二邊28b對(duì)面的第三邊28c上的矩形形狀相交替。排列兩個(gè)或更多個(gè)小格子18以形成每個(gè)第一大格子14A的每條邊的矩形波形狀。在第一連接部16A中，四個(gè)中等格子20(第一中等格子20a至第四中等格子20d)以鋸齒形方式排列，并且每個(gè)中等格子20的尺寸等于四個(gè)小格子18的總尺寸。第一中等格子20a設(shè)置在第二邊28b與第四邊28d之間的邊界處，并且與ー個(gè)小格子18組合形成L形空間。第二中等格子20b設(shè)置在第一中等格子20a的一條邊上(沿第二邊28b的直線(xiàn)30)，并且形成正方形空間。從而，第二中等格子20b的形狀是使四個(gè)小格子18以矩陣排列并且去除中心的十字(cross)。第三中等格子20c與第一中等格子20a和第二中等格子20b相鄰，并且具有與第二中等格子20b相同的形狀。第四中等格子20d設(shè)置在第三邊28c與第ー邊28a之間的邊界處，并與第二中等格子20b和第四中等格子20d相鄰，并且如第一中等格子20a那樣，與ー個(gè)小格子18組合形成L形空間。在小格子18的排列間距為Ps的情況下，中等格子20的排列間距Pm為2XPs。如上所述，在第一導(dǎo)電片IOA中，兩個(gè)或更多個(gè)第一大格子14A排列在X方向上，其間設(shè)置有第一連接部16A，以形成ー個(gè)第一導(dǎo)電圖案22A，組合兩個(gè)或更多個(gè)小格子18以形成每個(gè)第一大格子14A。在每個(gè)第一大格子14A中，其互相面對(duì)的邊的形狀是交替的。因此，與一個(gè)電極使用ー個(gè)ITO膜的結(jié)構(gòu)相比，第一導(dǎo)電片IOA能夠表現(xiàn)出明顯降低的電阻。從而，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電片IOA用于投影式電容觸控面板等中時(shí)，能夠容易地増大觸控面板的響應(yīng)速度和尺寸。以下將參照?qǐng)D3至6描述使用上述第一導(dǎo)電片IOA(即根據(jù)本實(shí)施例的觸控面板導(dǎo)電片5)的觸控面板導(dǎo)電片對(duì)。如圖3和4A中所不，以下將會(huì)描述通過(guò)疊置第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片IOB來(lái)獲得觸控面板導(dǎo)電片50。上文中已經(jīng)描述了第一導(dǎo)電片10A，因此將不再重復(fù)詳細(xì)描述。然而，如圖3中所不，在姆個(gè)第一導(dǎo)電圖案22A的一端中，第一連接部16A未形成在第一大格子14A的開(kāi)ロ端上。在第一導(dǎo)電圖案22A的另一端中,第一大格子14A的末端電連接至第一外部布線(xiàn)40A。如圖3和4A中所示，第二導(dǎo)電片IOB具有兩個(gè)或更多個(gè)形成在第二透明基底12B的ー個(gè)主表面上的由細(xì)金屬線(xiàn)構(gòu)成的導(dǎo)電的第二大格子14B。如圖5中所示，每個(gè)第二大格子14B均包括兩個(gè)或更多個(gè)小格子18的組合。第二大格子14B均具有互相面對(duì)的邊，并且邊的形狀是交替的。由細(xì)金屬線(xiàn)構(gòu)成的第二連接部16B設(shè)置在相鄰的第二大格子14B之間，并且將這些相鄰的第二大格子14B互相電連接。第二連接部16B均包含ー個(gè)或多個(gè)中等格子20，并且中等格子20的間距是小格子18的間距的η倍(其中，η是大于I的實(shí)數(shù))。兩個(gè)或更多個(gè)第二大格子14Β排列在y方向(第二方向)上，其間設(shè)置有第二連接部16B，以形成一個(gè)第二導(dǎo)電圖案22B。兩個(gè)或更多個(gè)第二導(dǎo)電圖案22B排列在垂直于y方向的X方向上(第一方向)。電隔離的第二絕緣部24B設(shè)置在相鄰的第二導(dǎo)電圖案22B之間。更具體地，在每個(gè)第二大格子14B的四條邊上，即在鄰近未連接至相鄰的第二大格子14B的頂點(diǎn)部分26a的第五邊28e和第六邊28f以及鄰近未連接至相鄰的第二大格子14B的另ー頂點(diǎn)部分26b的第七邊28g和第八邊28h上，排列兩個(gè)或更多個(gè)矩形形狀，以形成矩形波形狀。特別地，在第二大格子14B中，第五邊28e上的矩形形狀與第五邊28e對(duì)面的第八邊28h上的矩形形狀相交替，并且第六邊28f上的矩形形狀與第六邊28f對(duì)面的第七邊28g上的矩形形狀相交替。在第二連接部16B中，四個(gè)中等格子20(第五中等格子20e至第八中等格子20h)以鋸齒形方式排列，并且每個(gè)中等格子20的尺寸等于四個(gè)小格子18的總尺寸。第五中等格子20e設(shè)置在第六邊28f與第八邊28h之間的邊界處，并且與ー個(gè)小格子18組合形成L形空間。第六中等格子20f設(shè)置在第五中等格子20e的一條邊上(沿第六邊28f的第二直線(xiàn)30)，并且形成正方形空間。從而，第六中等格子20f的形狀是使四個(gè)小格子18以矩陣排列并且去除中心的十字。第七中等格子20g與第五中等格子20e和第六中等格子20f相鄰，并且具有與第六中等格子20f相同的形狀。第八中等格子20h設(shè)置在第七邊28g與第五邊28e之間的邊界處，并與第六中等格子20f和第七中等格子20g相鄰，并且如第五中等格子20e那樣,與ー個(gè)小格子18組合形成L形空間。同樣地，在第二導(dǎo)電片IOB中，在小格子18的排列間距為Ps的情況下，中等格子20的排列間距Pm為2XPs。如圖3中所示，在每個(gè)第二導(dǎo)電圖案22B的一端中，第二連接部16B未形成在第二大格子14B的開(kāi)ロ端上。在第二導(dǎo)電圖案22B的另一端中，第二大格子14B的末端電連接至第二外部布線(xiàn)40B。例如，如圖6中所示，在第一導(dǎo)電片IOA疊置在第二導(dǎo)電片IOB上以形成觸控面板導(dǎo)電片50的情況下，第一導(dǎo)電圖案22A的第一連接部16A與第二導(dǎo)電圖案22B的第二連接部16B相互面對(duì)地排列,其間具有第一透明基底12A(見(jiàn)圖4A)。同樣地,第一導(dǎo)電圖案22A之間的第一絕緣部24A和第二導(dǎo)電圖案22B之間的第二絕緣部24B也相互面對(duì)地排列，其間具有第一透明基底12A。盡管在圖6中分別采用粗線(xiàn)和細(xì)線(xiàn)夸大地示出了第一導(dǎo)電圖案22A和第二導(dǎo)電圖案22B，以清楚地表示其在圖6中的位置，但是它們具有相同的線(xiàn)寬。在從上方觀(guān)察疊置的第一導(dǎo)電片IOA與第二導(dǎo)電片IOB的情況下，第一導(dǎo)電片IOA的第一大格子14A之間的空間填充有第二導(dǎo)電片IOB的第二大格子14B。在此觀(guān)察中，第一大格子14A中的第一邊28a和第二邊28b上的矩形波形狀的凹槽42a的開(kāi)ロ連接至第二大格子14B中的第六邊28f和第八邊28h上的矩形波形狀的突出部42b的末端部分，使得小格子18連續(xù)地排列在疊置體上。類(lèi)似地，第一大格子14A中的第三邊28c和第四邊28d上的矩形波形狀的凹槽42a的開(kāi)ロ連接至第二大格子14B中的第五邊28e和第七邊28g上的矩形波形狀的突出部42b的末端部分，使得小格子18連續(xù)地排列在疊置體上。結(jié)果，不能容易地發(fā)現(xiàn)第一大格子14A與第二大格子14B之間的邊界。如上所述，在矩形波形狀中，凹槽42a的開(kāi)ロ與突出部42b的末端部分交疊，由此使得第一大格子14A與第二大格子14B之間的邊界更不可見(jiàn)，從而改善了可見(jiàn)性。雖然具有交叉形狀的開(kāi)ロ形成在第一絕緣部24A和第二絕緣部24B的每個(gè)交疊部中，但是與上述加粗的線(xiàn)不同，該開(kāi)ロ不阻擋光且更不可見(jiàn)。在從上方觀(guān)察第一連接部16A和第二連接部16B的交疊部的情況下，第二連接部16B中的第五中等格子20e和第七中等格子20g的連接點(diǎn)大致位于第一連接部16A中的第ニ中等格子20b的中心，第二連接部16B中的第六中等格子20f和第八中等格子20h的連接點(diǎn)大致位于第一連接部16A中的第三中等格子20c的中心，并且第一中等格子20a至第八中等格子20h組合形成多個(gè)小格子18。因此，通過(guò)交疊部中第一連接部16A和第二連接部16B的組合，形成多個(gè)小格子18。不能將如此形成的小格子18與第一大格子14A和第二大格子14B中的周?chē)男「褡?8區(qū)別開(kāi)，從而改善了可見(jiàn)性。在觸控面板導(dǎo)電片50用在觸控面板中的情況下，保護(hù)層形成在第一導(dǎo)電片IOA上。此外，從第一導(dǎo)電片IOA中的大量第一導(dǎo)電圖案22k延伸的第一外部布線(xiàn)40A以及從第二導(dǎo)電片IOB中的大量第二導(dǎo)電圖案22B延伸的第二外部布線(xiàn)40B連接至用于位置計(jì)算等的IC電路。在手指接觸到保護(hù)層的情況下，信號(hào)從面對(duì)手指觸摸位置的第一導(dǎo)電圖案22A和第二導(dǎo)電圖案22B發(fā)送至IC電路?；谒l(fā)送的信號(hào)，在IC電路中計(jì)算手指觸摸位置。因此，即使兩根手指同時(shí)接觸到保護(hù)層，也能夠檢測(cè)到每根手指的觸摸位置。如上所述，在使用觸控面板導(dǎo)電片50的情況下，例如在投影式電容觸控面板等中，能夠容易地増大觸控面板的響應(yīng)速度和尺寸。此外，第一導(dǎo)電片IOA的第一大格子14A和第二導(dǎo)電片IOB的第二大格子14B間的邊界更不可見(jiàn)，并且第一連接部16A和第二連接部16B組合形成多個(gè)小格子18，使得能夠防止諸如局部線(xiàn)加粗等缺陷，并且能夠改善整體可見(jiàn)性。在觸控面板導(dǎo)電片50中，第一大格子14A的四條邊(第一邊28a至第四邊28d)和第二大格子14B的四條邊(第五邊28e至第八邊28h)具有相等的矩形波形狀，由此能夠減少在第一大格子14A和第二大格子14B的末端中的電荷局部化，以防止錯(cuò)誤的手指位置檢測(cè)。盡管在第一連接部16A和第二連接部16B中的中等格子20的排列間距Pm是上述實(shí)施例的第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片IOB中的小格子18的排列間距Ps的兩倍，但是可以根據(jù)中等格子20的數(shù)量適當(dāng)?shù)剡x擇間距Pm。例如，間距Pm可以是間距Ps的I.5或3倍。當(dāng)中等格子20的間距Pm過(guò)小或過(guò)大時(shí)，可能難以排列大格子14，導(dǎo)致外表難看。從而，間距Pm優(yōu)選地是小格子18的間距Ps的I至10倍，更優(yōu)選地是其I至5倍。同樣地，也可以根據(jù)觸控面板的尺寸和分辨率(行數(shù))，適當(dāng)?shù)剡x擇小格子18的尺寸(包括邊長(zhǎng)和對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng))、第一大格子14A中的小格子18的數(shù)量以及第二大格子14B中的小格子18的數(shù)量。如圖3和4A中所示，在上述的觸控面板導(dǎo)電片50中，第一導(dǎo)電圖案22A形成在第一透明基底12A的ー個(gè)主表面上，且第二導(dǎo)電圖案22B形成在第二透明基底12B的ー個(gè)主表面上。替代地，如圖4B所示，觸控面板導(dǎo)電片50的結(jié)構(gòu)可以是使得第一導(dǎo)電圖案22A形成在第一透明基底12A的ー個(gè)主表面上且第二導(dǎo)電圖案22B形成在第一透明基底12A的另ー主表面上。另外，另ー層可以形成在第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片IOB之間。只要第一導(dǎo)電圖案22A和第二導(dǎo)電圖案22B間是絕緣的,它們就可以相互面對(duì)地排列。可以如下制造第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片10B。例如，可以對(duì)具有第一透明基底12A或第二透明基底12B以及其上的包含光敏鹵化銀的乳劑層的感光材料進(jìn)行曝光并顯影，由此金屬銀部分和光透射部分可以分別形成在曝光區(qū)域和未曝光區(qū)域，以得到第一導(dǎo)電圖案22A或第二導(dǎo)電圖案22B。可以使金屬銀部分經(jīng)受物理顯影處理和/或電鍍處理，以在其上沉積導(dǎo)電金屬。如圖4B中所不，第一導(dǎo)電圖案22A可以形成在第一透明基底12A的ー個(gè)主表面上，并且第二導(dǎo)電圖案22B可以形成在其另ー主表面上。在此情況下，如果以通常的方法對(duì)該ー個(gè)主表面進(jìn)行曝光并且隨后對(duì)該另一主表面進(jìn)行曝光，則有時(shí)不能獲得期望的第一導(dǎo)電圖案22A和第二導(dǎo)電圖案22B。特別地，難以均勻地形成圖案，其中矩形波形狀從第一大格子14A和第二大格子14B的所述邊突出出來(lái)。因此，能夠優(yōu)選地使用以下制造方法。如此，通過(guò)使第一透明基底12A的兩側(cè)上的光敏鹵化銀乳劑層經(jīng)受一次曝光來(lái)形成第一透明基底12A的ー個(gè)主表面上的第一導(dǎo)電圖案22A以及第一透明基底12A的另ー主表面上的第二導(dǎo)電圖案22B。以下將會(huì)參照?qǐng)D7至9描述制造方法的ー個(gè)特定范例。首先，在圖7的步驟SI中，制備長(zhǎng)光敏材料140。如圖8A中所示，光敏材料140具有第一透明基底12A、形成在第一透明基底12A的ー個(gè)主表面上的光敏鹵化銀乳劑層(以下稱(chēng)為第一光敏層142a)以及形成在第一透明基底12A的另ー主表面上的光敏齒化銀乳劑層(以下稱(chēng)為第二光敏層142b)。在圖7的步驟S2中，對(duì)光敏材料140進(jìn)行曝光。在此步驟中，進(jìn)行了同時(shí)雙側(cè)曝光，其包括以第一曝光圖案利用光照射第一透明基底12A上的第一光敏層142a的第一曝光處理以及以第二曝光圖案利用光照射第一透明基底12A上的第二光敏層142b的第二曝光處理。在圖8B的范例中，利用第一光144a(平行光)穿過(guò)第一光掩膜146a照射第一光敏層142a，并且利用第二光144b(平行光)穿過(guò)第二光掩膜146b照射第二光敏層142b，同時(shí)在ー個(gè)方向上傳送長(zhǎng)光敏材料140。第一光144a是這樣ー種光,其來(lái)自第一光源148a并通過(guò)中間第一準(zhǔn)直器透鏡150a轉(zhuǎn)換為平行光；而第二光144b則是這樣ー種光，其來(lái)自第二光源148b并通過(guò)中間第二準(zhǔn)直器透鏡150b轉(zhuǎn)換為平行光。雖然在圖SB的范例中使用了兩個(gè)光源(第一光源148a和第二光源148b)，但是可以?xún)H使用ー個(gè)光源。在此情況下，可以由光學(xué)系統(tǒng)將來(lái)自該ー個(gè)光源的光分為用于對(duì)第一光敏層142a和第二光敏層142b進(jìn)行曝光的第一光144a和第二光144b。在圖7的步驟S3中，對(duì)曝光的光敏材料140進(jìn)行顯影，以制備圖4B中所示的觸控面板導(dǎo)電片50。觸控面板導(dǎo)電片50具有第一透明基底12A、第一透明基底12A的該ー個(gè)主表面上的以該第一曝光圖案形成的第一導(dǎo)電圖案22A以及第一透明基底12A的該另ー個(gè)主表面上的以該第二曝光圖案形成的第二導(dǎo)電圖案22B。用于第一光敏層142a和第二光敏層142b的優(yōu)選曝光時(shí)間和顯影時(shí)間取決于第一光源148a、第二光源148b以及顯影劑等的類(lèi)型，從而不能明確地確定?？梢钥紤]到實(shí)現(xiàn)100%的顯影率來(lái)選擇曝光時(shí)間和顯影時(shí)間。如圖9中所示，在此實(shí)施例的制造方法中的第一曝光處理中，例如，第一光掩膜146a放置為與第一光敏層142a緊密接觸，第一光源148a布置為面向第一光掩膜146a，并且第一光144a從第一光源148a朝向第一光掩膜146a發(fā)射,從而對(duì)第一光敏層142a進(jìn)行曝光。第一光掩膜146a具有由透明鈉玻璃構(gòu)成的玻璃基底和在其上形成的掩膜圖案(第一曝光圖案152a)。因此，在第一曝光處理中，對(duì)第一光敏層142a中的對(duì)應(yīng)于第一光掩膜146a中的第一曝光圖案152a的區(qū)域進(jìn)行曝光。可以在第一光敏層142a與第一光掩膜146a之間形成約2至10μm的空間。類(lèi)似地，在第二曝光處理中，例如，第二光掩膜146b放置為與第二光敏層142b緊密接觸，第二光源148b布置為面向第二光掩膜146b，并且第二光144b從第二光源148b朝向第二光掩膜146b發(fā)射,從而對(duì)第二光敏層142b進(jìn)行曝光。第二光掩膜146b以及第一光掩膜146a都具有由透明鈉玻璃構(gòu)成的玻璃基底和在其上形成的掩膜圖案(第二曝光圖案152b)。因此，在第二曝光處理中，對(duì)第二光敏層142b中的對(duì)應(yīng)于第二光掩膜146b中的第二曝光圖案152b的區(qū)域進(jìn)行曝光。在此情況下，可以在第二光敏層142b與第二光掩膜146b之間形成約2至10μm的空間。在第一和第二曝光處理中，可以同時(shí)或單獨(dú)進(jìn)行來(lái)自第一光源148a的第一光144a的發(fā)射和來(lái)自第二光源148b的第二光144b的發(fā)射。在同時(shí)進(jìn)行該發(fā)射的情況下，能夠在ー個(gè)曝光步驟中對(duì)第一光敏層142a和第二光敏層142b同時(shí)進(jìn)行曝光，由此縮短該處理時(shí)間。在第一感光層142a和第二感光層142b都沒(méi)有被光譜增感的情況下，在光敏材料140的雙側(cè)曝光中，在ー側(cè)入射的光可以影響在另ー側(cè)(背面)上的圖像形成。因此，來(lái)自第一光源148a的第一光144a到達(dá)第一光敏層142a并且被第一光敏層142a中的鹵化銀顆粒散射，并且部分散射光透射穿過(guò)第一透明基底12A而到達(dá)第二光敏層142b。于是，曝光了第二光敏層142b和第一透明基底12A之間的邊界處的大區(qū)域，以形成潛像(latentimage)。結(jié)果,第二光敏層142b被來(lái)自第二光源148b的第二光144b以及來(lái)自第一光源148a的第一光144a曝光。當(dāng)對(duì)第二光敏層142b進(jìn)行顯影以制備觸控面板導(dǎo)電片50時(shí)，形成了對(duì)應(yīng)于第二曝光圖案152b的導(dǎo)電圖案(第二導(dǎo)電圖案22B)，并且歸因于來(lái)自第一光源148a的第一光144a，在導(dǎo)電圖案之間附加地形成了薄導(dǎo)電層，從而不能獲得期望的圖案(對(duì)應(yīng)于第二曝光圖案152b)。對(duì)于第一光敏層142a來(lái)說(shuō)也是這種情況。作為針對(duì)解決此問(wèn)題所進(jìn)行的大力研究的結(jié)果，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了如果在特定范圍內(nèi)選擇第一光敏層142a和第二光敏層142b的厚度和施加的銀量，則能夠用銀鹵化物吸收入射光來(lái)抑制光透射至背面。在此實(shí)施例中，第一光敏層142a和第二光敏層142b的厚度可以是I至4μηι。上限優(yōu)選地為2.5μηι。第一光敏層142a和第二光敏層142b的施加的銀量可以是5至20g/m2。在上述的雙側(cè)接觸曝光技術(shù)中，附著至膜表面的灰塵等可以抑制曝光，從而產(chǎn)生圖像缺陷。已知能夠通過(guò)向膜施加諸如金屬氧化物或?qū)щ娋酆衔锏葘?dǎo)電物質(zhì)來(lái)防止灰塵附著。然而，金屬氧化物等殘留在處理后的產(chǎn)品中，使最終產(chǎn)品的透明度劣化，而且導(dǎo)電聚合物在存儲(chǔ)穩(wěn)定性等方面是不利的。作為大力研究的結(jié)果，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)具有減小的粘合劑含量的銀齒化物層表現(xiàn)出滿(mǎn)意的電導(dǎo)率以防止靜電荷。因此在第一光敏層142a和第二光敏層142b中限制了銀/粘合劑的體積比。第一光敏層142a和第二光敏層142b的銀/粘合劑體積比為1/1或更大，優(yōu)選地為2/1或更大。如果如上面所述那樣選擇第一光敏層142a和第二光敏層142b的厚度、施加的銀量以及銀/粘合劑體積比，則如圖9中所示，從第一光源148a發(fā)射至第一光敏層142a的第一光144a不到達(dá)第二光敏層142b。類(lèi)似地，從第二光源148b發(fā)射至第二光敏層142b的第ニ光144b不到達(dá)第一光敏層142a。結(jié)果，如圖4B中所示，在接下來(lái)的用于制造觸控面板導(dǎo)電片50的顯影中，僅對(duì)應(yīng)于第一曝光圖案152a的導(dǎo)電圖案(第一導(dǎo)電圖案22k等)形成在·第一透明基底12A的該ー個(gè)主表面上,并且僅對(duì)應(yīng)于第二曝光圖案152b的導(dǎo)電圖案(第二導(dǎo)電圖案22B等)形成在第一透明基底12A的該另ー主表面上，從而能夠獲得期望的圖案。在使用上述的一次雙側(cè)曝光的制造方法中，第一光敏層142a和第二光敏層142b能夠都具有滿(mǎn)意的電導(dǎo)率和雙側(cè)曝光適應(yīng)性，并且通過(guò)一次曝光處理能夠在第一透明基底12A的兩側(cè)上形成相同或不同的圖案，由此能夠容易地形成觸控面板的電極，并且觸控面板能夠制作得更薄(更小)。在上述的制造方法中，使用光敏銀鹵化物乳劑層來(lái)形成第一導(dǎo)電圖案22A和第二導(dǎo)電圖案22B。其它的制造方法包括以下方法。也就是說(shuō)，可以對(duì)形成在第一透明基底12A或第二透明基底12B上的銅箔上的光刻膠膜進(jìn)行曝光和顯影以形成抗蝕圖案，并且可以蝕刻從抗蝕圖案暴露出來(lái)的銅箔以得到第一導(dǎo)電圖案22k和第二導(dǎo)電圖案22B?；蛘?，可以在第一透明基底12A或第二透明基底12B上印刷包含細(xì)金屬顆粒的漿料，并且可以用金屬鍍覆所印刷的漿料，以得到第一導(dǎo)電圖案22A和第二導(dǎo)電圖案22B。通過(guò)使用絲網(wǎng)或凹版印刷鍍覆，可以在第一透明基底12A和第二透明基底12B上印刷第一導(dǎo)電圖案22A和第二導(dǎo)電圖案22B。以下將主要描述ー種特別優(yōu)選的方法，其包含使用攝影光敏鹵化銀材料來(lái)制造根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片10B。取決于光敏材料和顯影處理，用于制造此實(shí)施例的第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片IOB的方法包括以下三種エ藝。(I)一種エ藝包括使無(wú)物理顯影晶核(freeofphysicaldevelopmentnuclei)的光敏黑-白鹵化銀材料經(jīng)受化學(xué)或熱顯影，以在光敏材料上形成金屬銀部分。(2)一種エ藝包括使具有包含物理顯影晶核的鹵化銀乳劑層的光敏黑-白鹵化銀材料經(jīng)受溶液物理顯影，以在光敏材料上形成金屬銀部分。(3)一種エ藝包括使無(wú)物理顯影晶核的光敏黑-白鹵化銀材料和具有包含物理顯影核的非光敏層的圖像接收片的疊層經(jīng)受擴(kuò)散轉(zhuǎn)移顯影，以在非光敏圖像接收片上形成金屬銀部分。在(I)的エ藝中，使用了完整的(integral)黒-白顯影過(guò)程來(lái)在光敏材料上形成諸如透光導(dǎo)電膜的可透射(transmittable)導(dǎo)電膜。得到的銀是包含高比表面積細(xì)絲(filament)的化學(xué)或熱顯影的銀，并且由此在接下來(lái)的鍍覆和物理顯影處理中顯示高活性。在(2)的エ藝中，鹵化銀顆粒在物理顯影晶核周?chē)刍⒃谄毓鈪^(qū)中的晶核上沉積，以在光敏材料上形成諸如透光導(dǎo)電膜的可透射導(dǎo)電膜。在此エ藝中，也使用了完整的黒-白顯影過(guò)程。雖然由于在顯影過(guò)程中鹵化銀沉積在物理顯影晶核上所以能夠?qū)崿F(xiàn)高活性，但是顯影的銀的形狀為具有小比表面積的球形。在(3)的エ藝中，鹵化銀顆粒在未曝光的區(qū)域熔化，并且在圖像接收片的顯影晶核上擴(kuò)散并沉積，以在該片上形成諸如透光導(dǎo)電膜等可透射導(dǎo)電膜。在此エ藝中，使用了所謂的分離型過(guò)程，從光敏材料剝離圖像接收片。上述エ藝中能夠使用負(fù)或反顯影處理。在擴(kuò)散轉(zhuǎn)移顯影中，能夠使用自動(dòng)正光敏材料來(lái)進(jìn)行負(fù)顯影處理?；瘜W(xué)顯影、熱顯影、溶液物理顯影以及擴(kuò)散轉(zhuǎn)移顯影具有本領(lǐng)域公知的含義，并且在諸如Shin-ichiKikuchi的“ShashinKagaku(PhotographicChemistry)，，，KyoritsuShuppanCo.,Ltd.,1955和C.Ε·K.Mees的“TheTheoryofPhotographicProcesses,4thed.”，Mcmillan，1977等通常的攝影化學(xué)教科書(shū)中有解釋。在本發(fā)明中通常使用液體處理，也能夠利用熱顯影處理。例如，本發(fā)明中能夠使用在日本特開(kāi)專(zhuān)利No.2004-184693、2004-334077和2005-010752以及日本專(zhuān)利申請(qǐng)No.2004-244080和2004-085655中描述的技術(shù)。以下將詳細(xì)描述此實(shí)施例的第一導(dǎo)電片10A和第二導(dǎo)電片10B中的每層的結(jié)構(gòu)。[第一透明基底12A和第二透明基底12B]第一透明基底12A和第二透明基底12B可以是塑料膜、塑料板、玻璃板等。用于塑料膜和塑料板的材料的范例包括聚酯，諸如聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)和聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN);聚烯烴，諸如聚こ烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯こ烯及EVA;こ烯樹(shù)脂；聚碳酸酯(PC);聚酰胺；聚酰亞胺；丙烯酸樹(shù)脂；和三こ?；w維素(TAC)。第一透明基底12A和第二透明基底12B優(yōu)選為熔點(diǎn)為約290°C或更低的塑料膜或塑料板，諸如PET(熔點(diǎn)258°C)、PEN(熔點(diǎn)269°C)、PE(熔點(diǎn)135°C)、PP(熔點(diǎn)163°C)、聚苯こ烯(熔點(diǎn)230°C)、聚氯こ烯(熔點(diǎn)180°C)、聚偏ニ氯こ烯(熔點(diǎn)212°C)、或TAC(熔點(diǎn)290°C)ο從透光率、可加工性等觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，PET是特別優(yōu)選的。諸如用于觸控面板導(dǎo)電片50中的第一導(dǎo)電片10A和第二導(dǎo)電片10B的透明導(dǎo)電膜要求是透明的，因此，第一透明基底12A和第二透明基底12B優(yōu)選具有高透明度。[銀鹽乳劑層]待轉(zhuǎn)化為第一導(dǎo)電片10A和第二導(dǎo)電片10B中的導(dǎo)電層(包括第一大格子14A、第一連接部16A、第二大格子14B、第二連接部16B以及小格子18的導(dǎo)電部分)的銀鹽乳劑層包含銀鹽和粘合劑，并且除此以外還可以包含溶劑和諸如染料等添加剤。用于此實(shí)施例中的銀鹽可以是諸如鹵化銀的無(wú)機(jī)銀鹽或諸如こ酸銀的有機(jī)銀鹽。在此實(shí)施例中，由于其優(yōu)秀的光感測(cè)性質(zhì)，所以?xún)?yōu)選為鹵化銀。銀鹽乳劑層的施加的銀量(銀密度中施加的銀鹽的量)優(yōu)選地為I至30g/m2，更優(yōu)選地為I至25g/m2，進(jìn)ー步優(yōu)選地為5至20g/m2。當(dāng)施加的銀量在以上范圍內(nèi)時(shí)，得到的第一觸控面板導(dǎo)電片50A或第二觸控面板導(dǎo)電片50B能夠表現(xiàn)出理想的表面電阻。此實(shí)施例中使用的粘合劑的范例包括明膠、聚こ烯醇(PVA)、聚こ烯基吡咯烷酮(PVP)、諸如淀粉等多糖、纖維素及其衍生物、聚環(huán)氧こ烷、聚こ烯胺、殼聚糖、多熔素、聚丙烯酸、聚藻酸、聚透明質(zhì)酸和羧基纖維素。取決于官能團(tuán)的離子性，該粘合劑顯示中性、陰離子性或陽(yáng)離子性。在此實(shí)施例中，不特別地限制銀鹽乳劑層中的粘合劑的量，而可以適當(dāng)?shù)剡x擇以獲得足夠的分散和粘合性質(zhì)。銀鹽乳劑層中的銀/粘合劑的體積比優(yōu)選為1/4或更大，更優(yōu)選為1/2或更大。此外，銀/粘合劑體積比優(yōu)選為100/1或更小，更優(yōu)選為50/1或更小。特別地，銀/粘合劑體積比進(jìn)ー步優(yōu)選為1/1至4/1，最優(yōu)選為1/1至3/1。如果銀鹽乳劑層的銀/粘合劑體積比在此范圍內(nèi)，則即使在各種施加的銀量的情況下，也能夠減小電阻變化。從而，能夠制造具有均勻的表面電阻的第一觸控面板導(dǎo)電片50A或第二觸控面板導(dǎo)電片50B。通過(guò)將材料的鹵化銀/粘合劑重量比轉(zhuǎn)換為銀/粘合劑重量比，并且通過(guò)進(jìn)一歩將銀/粘合劑重量比轉(zhuǎn)換為銀/粘合劑體積比，能夠獲得銀/粘合劑體積比?！慈軇垺挡惶貏e地限制用于形成銀鹽乳劑層的溶剤，其范例包括水、有機(jī)溶劑(例如，諸如甲醇的醇類(lèi)，諸如丙酮的酮類(lèi)，諸如甲酰胺的酰胺，諸如ニ甲基亞砜的亞砜，諸如こ酸こ酯的酷，醚)、離子液體及其混合物。在此實(shí)施例中，溶劑與銀鹽乳劑層中的銀鹽、粘合劑等的總和的質(zhì)量比是30%至90%，優(yōu)選的質(zhì)量比是50%至80%?！雌渌砑觿垺挡惶貏e地限制用于此實(shí)施例中的添加劑，并且可以?xún)?yōu)選地選自己知的添加劑。[其它層]保護(hù)層(未示出)可以形成在銀鹽乳劑層上。此實(shí)施例中使用的保護(hù)層包含諸如明膠或高分子聚合物等粘合剤，并且設(shè)置在光敏銀鹽乳劑層上，以改善刮擦防護(hù)或機(jī)械性質(zhì)。保護(hù)層的厚度優(yōu)選地為O.5μπι或更小。不特別地限制施加或形成保護(hù)層的方法，并且可以從已知的施加或形成方法中適當(dāng)?shù)剡x擇施加或形成保護(hù)層的方法。另外，底涂層(undercoatlayer)等可以形成在銀鹽乳劑層下。以下將描述用于制造第一導(dǎo)電片IOA或第二導(dǎo)電片IOB的步驟。[曝光]在此實(shí)施例中，可以在印刷工藝中形成第一導(dǎo)電圖案22A和第二導(dǎo)電圖案22B，并且它們可以由其它エ藝中的曝光和顯影處理等形成。從而，使具有第一透明基底12A和第ニ透明基底12B以及其上的包含銀鹽的層的光敏材料或涂覆有用于光刻的光敏聚合物的光敏材料經(jīng)受曝光處理。電磁波可以用于曝光中。例如，電磁波可以是諸如可見(jiàn)光或紫外光等的光，或諸如X射線(xiàn)等的輻射光線(xiàn)?？梢允褂镁哂胁ㄩL(zhǎng)分布或特定波長(zhǎng)的光源來(lái)進(jìn)行曝光。[顯影處理]在此實(shí)施例中，在曝光后使乳劑層經(jīng)受顯影處理。本發(fā)明中可以使用用于攝影銀鹽膜、攝影紙、印刷雕版膜、用于光掩膜的乳劑掩膜等的通常顯影處理技木。不特別地限制顯影處理中使用的顯影劑，其可以是PQ顯影劑、MQ顯影劑、MAA顯影劑等。本發(fā)明中可使用的市場(chǎng)上可獲得的顯影劑的范例包括可從富士膠片公司獲得的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3和PAPITOL;可從伊士曼柯達(dá)公司獲得的C-41、E_6、RA_4、D-19和D-72;及其套件中所包含的顯影劑。顯影劑可以是高反差(Iith)顯影劑。在本發(fā)明中，顯影エ藝可以包括用于去除未曝光區(qū)中的銀鹽以穩(wěn)定材料的定影處理。本發(fā)明中可以使用用于攝影銀鹽膜、攝影紙、印刷雕刻膜、用于光掩膜的乳劑掩膜等的定影處理技木。在定影處理中，定影溫度優(yōu)選地為約20°C至50°C，更優(yōu)選地為25°C至45°C。定影時(shí)間優(yōu)選地為5秒至I分鐘，更優(yōu)選地為7至50秒。每Im2的處理的光敏材料所用的定影劑的量?jī)?yōu)選地為600ml/m2或更少，更優(yōu)選地為500ml/m2或更少，特別優(yōu)選地為300ml/m2或更少。優(yōu)選地對(duì)經(jīng)顯影和定影的光敏材料進(jìn)行水洗處理或穩(wěn)定化處理。在水洗或穩(wěn)定化處理中，每Im2的光敏材料所使用的水量通常為20L或更少，并且可以是3L或更少。水量可以是0，并且從而可以利用存儲(chǔ)的水沖洗光敏材料。顯影后曝光區(qū)中所包含的金屬銀與曝光前該區(qū)中所包含的銀的質(zhì)量比優(yōu)選地為50%或更大，更優(yōu)選地為80%或更大。在質(zhì)量比為50%或更大的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)高電導(dǎo)率。在此實(shí)施例中，通過(guò)顯影獲得的色調(diào)(灰度)優(yōu)選地大于4.0，但是不對(duì)此進(jìn)行特別限制。在顯影后的色調(diào)大于4.O的情況下，能夠提高導(dǎo)電金屬部分的電導(dǎo)率，同時(shí)保持光透射部分的高透射性。例如，通過(guò)摻雜銠或銥離子，能夠獲得4.O或更高的色調(diào)。通過(guò)以上步驟獲得了導(dǎo)電片。得到的導(dǎo)電片的表面電阻的范圍優(yōu)選地為O.I至100ohm/sq。下限優(yōu)選地為lohm/sq,或更優(yōu)選地為10ohm/sq。上限優(yōu)選地為70ohm/sq,或更優(yōu)選地為50ohm/Sq。顯影處理后，可以使導(dǎo)電片經(jīng)受壓延(calender)處理，以獲得期望的表面電阻。[物理顯影處理和鍍覆處理]在此實(shí)施例中，為了提高通過(guò)以上曝光和顯影處理形成的金屬銀部分的電導(dǎo)率，可以通過(guò)物理顯影處理和/或鍍覆處理將導(dǎo)電金屬顆粒沉積于其上。在本發(fā)明中，通過(guò)僅進(jìn)行物理顯影和鍍覆處理之ー或通過(guò)上述處理的組合而將導(dǎo)電金屬顆粒沉積于金屬銀部分上。以此方式經(jīng)受了物理顯影處理和/或鍍覆處理的金屬銀部分也稱(chēng)作導(dǎo)電金屬部分。在此實(shí)施例中，物理顯影是諸如銀離子的金屬離子被還原劑還原，金屬顆粒由此沉積于金屬或金屬化合物核上的エ藝。這種物理顯影已經(jīng)用于即顯黑白膠片(B&Wfilm)、即顯幻燈片、印刷板產(chǎn)品等的領(lǐng)域中，并且該技術(shù)能夠用于本發(fā)明中?？梢栽谄毓夂笈c以上顯影處理同時(shí)進(jìn)行物理顯影，還可以在顯影處理后分開(kāi)進(jìn)行該物理顯影。在此實(shí)施例中，鍍覆處理可以包括無(wú)電鍍覆(諸如化學(xué)還原鍍覆或置換鍍覆)、電解鍍覆或其組合。此實(shí)施例中可以使用用于印刷電路板等的已知的無(wú)電鍍覆技木。無(wú)電鍍覆優(yōu)選地為無(wú)電銅鍍覆。[氧化處理]在此實(shí)施例中，優(yōu)選地使通過(guò)顯影處理形成的金屬銀部分以及通過(guò)物理顯影處理和/或鍍覆處理形成的導(dǎo)電金屬部分經(jīng)受氧化處理。例如，通過(guò)氧化處理，能夠去除沉積于光透射部分上的少量金屬，使得能夠?qū)⒐馔干洳糠值耐腹饴蕢埣又链蠹s100%。[導(dǎo)電金屬部分]在此實(shí)施例中，導(dǎo)電金屬部分的線(xiàn)寬(細(xì)金屬線(xiàn)的線(xiàn)寬)的下限優(yōu)選地為Iym或更大、3μm或更大、4μm或更大、或者5μm或更大,且其上限優(yōu)選地為15μm、10μm或更小、9μm或更小、或者8μm或更小。線(xiàn)距優(yōu)選地為30至500μm,更優(yōu)選地為50至400μm，最優(yōu)選地為100至350μm。為了接地連接等目的，導(dǎo)電金屬部分可以具有線(xiàn)寬大于200μm的部分。在此實(shí)施例中，考慮到可見(jiàn)光透射率，導(dǎo)電金屬部分的開(kāi)ロ率優(yōu)選地為85%或更大，更優(yōu)選地為90%或更大，最優(yōu)選地為95%或更大。開(kāi)ロ率為除包括第一大格子14A、第一連接部16A、第二大格子14B、第二連接部16B以及小格子18的導(dǎo)電部分以外的光透射部分與整體的比率。例如，線(xiàn)寬15μm且間距300μm的正方形格子的開(kāi)ロ率為90%。[光透射部分]在此實(shí)施例中，光透射部分是第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片IOB中具有光透射率的部分，而不是導(dǎo)電金屬的部分。如上所述，光透射部分的透射率為90%或更大，優(yōu)選地為95%或更大，更優(yōu)選地為97%或更大，進(jìn)ー步優(yōu)選地為98%或更大，最優(yōu)選地為99%或更大，在這里，光透射部分的透射率為忽略第一透明基底12A和第二透明基底12B的光吸收和反射而獲得的380至780nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的最小透射率值。優(yōu)選地使用玻璃掩膜方法或激光光刻曝光方法來(lái)進(jìn)行曝光。[第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片10B]在此實(shí)施例的第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片IOB中，第一透明基底12A和第二透明基底12B的厚度優(yōu)選地為5至350μm,更優(yōu)選地為30至150μm。在厚度為5至350μm的情況下，能夠獲得期望的可見(jiàn)光透射率，并且能夠容易地處理基底。通過(guò)控制施加至基底的包含銀鹽的層的涂層液體的厚度，可以適當(dāng)?shù)剡x擇形成于第一透明基底12A和第二透明基底12B上的金屬銀部分的厚度。金屬銀部分的厚度可以在O.001至O.2mm的范圍內(nèi)選擇,并且優(yōu)選地為30μm或更小,更優(yōu)選地為20μm或更小,進(jìn)ー步優(yōu)選地為O.01至9μm，最優(yōu)選地為O.05至5μm。金屬銀部分優(yōu)選地形成為圖案化的形狀。金屬銀部分可以具有單層結(jié)構(gòu)或包含兩層或更多層的多層結(jié)構(gòu)。在金屬銀部分具有包含兩層或更多層的圖案化的多層結(jié)構(gòu)的情況下，該層可以具有不同的波長(zhǎng)顏色敏感度。在此情況下，通過(guò)使用具有不同波長(zhǎng)的曝光光，能夠在所述層中形成不同圖案。為了在觸控面板中使用，導(dǎo)電金屬部分優(yōu)選地具有較小的厚度。隨著厚度減薄，改善了顯示面板的視角和可見(jiàn)性。從而，導(dǎo)電金屬部分上的導(dǎo)電金屬層的厚度優(yōu)選地小于9μm，更優(yōu)選地大于或等于O.Iμm且小于5μm,進(jìn)ー步優(yōu)選地大于或等于O.Iμm且小于3μm0在此實(shí)施例中，通過(guò)改變包含銀鹽的層的涂覆厚度，能夠控制金屬銀部分的厚度，并且能夠在物理顯影處理和/或鍍覆處理中控制導(dǎo)電金屬顆粒層的厚度，由此能夠容易地制造厚度小于5μηι(優(yōu)選地小于3μηι)的第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片10Β。在用于制造此實(shí)施例的第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片IOB的方法中不必要進(jìn)行鍍覆等。這是因?yàn)樵诖朔椒ㄖ心軌蛲ㄟ^(guò)控制所施加的銀量和銀鹽乳劑層的銀/粘合劑體積比來(lái)獲得期望的表面電阻。如果必要的話(huà)，可以進(jìn)行壓延處理等。(顯影處理后的堅(jiān)膜處理)優(yōu)選地，在對(duì)銀鹽乳劑層進(jìn)行顯影后，將產(chǎn)物浸于硬化劑中，并且從而使其經(jīng)受堅(jiān)膜處理。硬化劑的范例包括在日本特開(kāi)專(zhuān)利No.02-141279中描述的硼酸、2，3-ニ羥基-1，4-ニ氧六環(huán)以及諸如戊ニ醛、己ニ醛等的ニ醛?？梢赃m當(dāng)?shù)貙⒈景l(fā)明與表I和2中所示的以下專(zhuān)利公開(kāi)和國(guó)際專(zhuān)利単行本(pamphlet)中所描述的技術(shù)結(jié)合。省略了“日本特開(kāi)專(zhuān)利”、“公開(kāi)No.”、“単行本No.”等。表I2004-2215642004-2215652007-200922.2006-3520732007-1292052007-2351152007-2079872006-0129352006-0107952006-2284692006-3324592009-211532007-2262152006-2613152007-0721712007-1022002006-2284732006-2697952006-2697952006-3242032006-2284782006-2288362007-0093262006-3360902006-3360992006-3483512007-2703212007-2703222007-2013782007-3357292007-1344392007-1497602007-2081332007-1789152007-3343252007-3100912007-1161372007-0882192007-2078832007-0131302005-3025082008-2187842008-2273502008-2273512008-2440672008-2678142008-2704052008-2776752008-2776762008-2828402008-2830292008-2883052008-2884192008-3007202008-3007212009-42132009-100012009-165262009-213342009-269332008-1475072008-1597702008-1597712008-1715682008-1983882008-2180962008-2182642008-2249162008-2352242008-2354672008-241987I2008-251274J2008-251275[_2008-252046I2008-277428表22006/0014612006/0880592006/0983332006/0983362006/0983382006/098335I2006/098334^_2007/001008__范例以下將參照范例更具體地描述本發(fā)明。在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以適當(dāng)?shù)馗淖兎独惺褂玫牟牧?、?shù)量、比率、處理內(nèi)容、處理過(guò)程等。因此以下具體范例在其所有方面應(yīng)視為示例性的而非限制性的。(光敏鹵化銀材料)制備了包含水介質(zhì)、明膠、以及氯溴碘化銀(silveriodobromochloride)顆粒的乳剤。明膠的量為每150g的Ag10.(^，并且氯溴碘化銀顆粒具有0.211101%的1含量、40mol%的Br含量以及O.Iμm的平均球等效直徑。將K3Rh2Br9和K2IrCl6添加至濃度為10_7mOl/mOl銀的乳剤，以在溴化銀顆粒中摻雜Rh和Ir離子。進(jìn)ー步將Na2PdCl4添加至乳劑中，并且使用氯金酸和硫代硫酸鈉來(lái)使所得到的乳劑經(jīng)受金硫增感(gold-sulfursensitization)。將乳劑和明膠堅(jiān)膜劑施加至第一透明基底12A和第二透明基底12B(兩者都由聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)構(gòu)成)中的每ー個(gè)上，使得所施加的銀的量為10g/m2。Ag/明膠體積比為2/1。PET支撐體的寬度為30cm，并且乳劑施加到其中的25cm的寬度和20m的長(zhǎng)度上。切掉PET支撐體的寬度為3cm的兩個(gè)末端部分，以獲得寬度為24cm的滾軋(roll)光敏鹵化銀材料。(曝光)對(duì)第一透明基底12A的A4(210mmX297mm)尺寸的區(qū)域以圖I和3中所示的第一導(dǎo)電片10A的圖案進(jìn)行曝光，并且對(duì)第二透明基底12B的A4尺寸區(qū)域以圖3和5中所示的第二導(dǎo)電片10B的圖案進(jìn)行曝光。小格子18的排列間距為Ps為200μm,且中等格子20的排列間距Pm為2XPs。小格子18的導(dǎo)電部分的厚度為2μπι且寬度為10μm。使用來(lái)自高壓汞燈光源的平行光以及如上所述的圖案化的光掩模來(lái)進(jìn)行曝光。(顯影處理)IL顯影劑的配制氫醌20g亞硫酸鈉50g碳酸鉀40g乙ニ胺四こ酸2g溴化鉀3g聚乙醇2000Ig氫氧化鉀4gpH控制在10.3IL定影劑的配制硫代硫酸銨溶液(75%)300ml亞硫酸銨一水合物25g1,3-ニ氨基丙烷四乙酸8g乙酸5g氨水(27%)IgpH控制在6.2在以下條件下使用富士膠片公司制造的自動(dòng)處理器FG-710PTS，利用以上處理劑處理經(jīng)曝光的光敏材料。在35°C進(jìn)行顯影處理30秒，在34°C進(jìn)行定影處理23秒，然后以5L/min的水流速率進(jìn)行水洗處理20秒。[評(píng)估](表面電阻測(cè)量)在第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片IOB的每ー個(gè)中，利用直列式(in-line)四探針?lè)椒?ASP)，通過(guò)DiaInstrumentsCo.,Ltd.制造的LORESTAGP(型號(hào)No.MCP-T610)來(lái)測(cè)量任選的10個(gè)區(qū)域的表面電阻率值，并且獲得測(cè)量值的均值以評(píng)估表面電阻率的均勻性。(可見(jiàn)性評(píng)估)將第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片IOB附著在一起構(gòu)成觸控面板導(dǎo)電片50。用裸眼觀(guān)察是否形成了加粗線(xiàn)或黑點(diǎn)。(評(píng)估結(jié)果)第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片IOB的表面電阻均為5ohm/sq。發(fā)現(xiàn)第一導(dǎo)電片IOA和第二導(dǎo)電片IOB完全可適用于具有A4尺寸的投影式電容觸控面板。觸控面板導(dǎo)電片50沒(méi)有確認(rèn)的加粗線(xiàn)和黑點(diǎn)，且具有良好的可見(jiàn)性。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的導(dǎo)電片、導(dǎo)電片使用方法以及觸控面板不限于以上實(shí)施例，并且可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，在其中做出各種改變和修改。權(quán)利要求1.一種導(dǎo)電片，包括兩個(gè)或更多個(gè)形成在基底(12A)上的導(dǎo)電的大格子(14A)，其中所述大格子(14A)均包含兩個(gè)或更多個(gè)小格子(18)的組合，所述大格子(14A)均具有互相面對(duì)的邊，且所述邊的形狀是交替的。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電片，其中每一個(gè)所述大格子(14A)的所述邊具有矩形波形狀，在所述矩形波形狀中排列有兩個(gè)或更多個(gè)矩形形狀，并且每一個(gè)所述大格子(14A)的所述邊中的一條邊面對(duì)另一條邊，并且所述另一條邊具有面對(duì)所述一條邊的矩形突出部分的非突出部分以及面對(duì)所述一條邊的非突出部分的矩形突出部分。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電片，其中，每一個(gè)所述大格子(14A)的所述邊的所述矩形形狀包括所述小格子(18)。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電片，其中連接部(16A)形成在所述基底(12A)上，并且電連接相鄰的所述大格子(14A)，兩個(gè)或更多個(gè)所述大格子(14A)排列在一個(gè)方向上，其間設(shè)置有所述連接部(16A)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電片，其中兩個(gè)或更多個(gè)所述大格子(14A)排列在第一方向上，其間設(shè)置有所述連接部(16A)，以形成導(dǎo)電圖案(22A)，兩個(gè)或更多個(gè)所述導(dǎo)電圖案(22A)排列在垂直于所述第一方向的第二方向上，并且電隔離的絕緣部(24A)設(shè)置在相鄰的所述導(dǎo)電圖案(22A)之間。6.一種導(dǎo)電片，包括基底(12A)，其中兩個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電的第一大格子(14A)形成在所述基底(12A)的一個(gè)主表面上，兩個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電的第二大格子(14B)形成在所述基底(12A)的另一主表面上，所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)均包含兩個(gè)或更多個(gè)小格子(18)的組合，并且所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)均具有互相面對(duì)的邊，且所述邊的形狀是交替的。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電片，其中所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)中的每一個(gè)大格子的所述邊具有矩形波形狀，在所述矩形波形狀中排列有兩個(gè)或更多個(gè)矩形形狀，并且所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)中的每一個(gè)大格子的所述邊中的一條邊面對(duì)另一條邊，并且所述另一條邊具有面對(duì)所述一條邊的矩形突出部分的非突出部分以及面對(duì)所述一條邊的非突出部分的矩形突出部分。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電片，其中，所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)中的每一個(gè)大格子的所述邊的所述矩形形狀包括所述小格子(18)。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電片，其中第一連接部(16A)形成在所述基底(12A)的所述一個(gè)主表面上，并且電連接相鄰的所述第一大格子(14A),第二連接部(16B)形成在所述基底(12A)的所述另一主表面上，并且電連接相鄰的所述第二大格子(14B)，兩個(gè)或更多個(gè)所述第一大格子(14A)排列在第一方向上，其間設(shè)置有所述第一連接部(16A)，以形成第一導(dǎo)電圖案(22A)，兩個(gè)或更多個(gè)所述第二大格子(14B)排列在垂直于所述第一方向的第二方向上，且其間設(shè)置有所述第二連接部(16B)以形成第二導(dǎo)電圖案(22B)，兩個(gè)或更多個(gè)所述第一導(dǎo)電圖案(22A)排列在所述第二方向上，兩個(gè)或更多個(gè)所述第二導(dǎo)電圖案(22B)排列在所述第一方向上，電隔離的第一絕緣部(24A)設(shè)置在相鄰的所述第一導(dǎo)電圖案(22A)之間，電隔離的第二絕緣部(24B)設(shè)置在相鄰的所述第二導(dǎo)電圖案(22B)之間，所述第一連接部(16A)和所述第二連接部(16B)排列為互相面對(duì)，其間具有所述基底(12A)，并且所述第一絕緣部(24A)和所述第二絕緣部(24B)排列為互相面對(duì)，其間具有所述基底(12A)。10.一種導(dǎo)電片，包括基底(12A)，其中兩個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電的第一大格子(14A)形成在所述基底(12A)的一個(gè)主表面上，兩個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電的第二大格子(14B)形成在所述基底(12A)的另一主表面上，所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)均包含兩個(gè)或更多個(gè)小格子(18)的組合，并且所述第一大格子(14A)的一條邊和所述第二大格子(14B)的一條邊互相面對(duì)，且所述邊的形狀是交替的。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電片，其中所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)中的每一個(gè)大格子的所述邊具有矩形波形狀，在所述矩形波形狀中排列有兩個(gè)或更多個(gè)矩形形狀，并且每一個(gè)所述第一大格子(14A)的所述邊中的一條邊面對(duì)每一個(gè)所述第二大格子(14B)的所述邊中的一條邊，并且每一個(gè)所述第二大格子(14B)的所述邊中的所述一條邊具有面對(duì)每一個(gè)所述第一大格子(14A)的所述邊中的所述一條邊的矩形突出部分的非突出部分以及面對(duì)每一個(gè)所述第一大格子(14A)的所述邊中的所述一條邊的非突出部分的矩形突出部分。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的導(dǎo)電片，其中，所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)中的每一個(gè)大格子的所述邊的所述矩形形狀包括所述小格子(18)。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電片，其中第一連接部(16A)形成在所述基底(12A)的所述一個(gè)主表面上，并且電連接相鄰的所述第一大格子(14A),第二連接部(16B)形成在所述基底(12A)的所述另一主表面上，并且電連接相鄰的所述第二大格子(14B)，兩個(gè)或更多個(gè)所述第一大格子(14A)排列在第一方向上，其間設(shè)置有所述第一連接部(16A)，以形成第一導(dǎo)電圖案(22A)，兩個(gè)或更多個(gè)所述第二大格子(14B)排列在垂直于所述第一方向的第二方向上，其間設(shè)置有所述第二連接部(16B)，以形成第二導(dǎo)電圖案(22B)，兩個(gè)或更多個(gè)所述第一導(dǎo)電圖案(22A)排列在所述第二方向上，兩個(gè)或更多個(gè)所述第二導(dǎo)電圖案(22B)排列在所述第一方向上，電隔離的第一絕緣部(24A)設(shè)置在相鄰的所述第一導(dǎo)電圖案(22A)之間，電隔離的第二絕緣部(24B)設(shè)置在相鄰的所述第二導(dǎo)電圖案(22B)之間，所述第一連接部(16A)和所述第二連接部(16B)排列為互相面對(duì)，其間具有所述基底(12A)，并且所述第一絕緣部(24A)和所述第二絕緣部(24B)排列為互相面對(duì)，其間具有所述基底(12A)。14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電片，其中，所述小格子(18)具有多邊形形狀。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的導(dǎo)電片，其中，所述小格子(18)具有正方形形狀。16.一種使用導(dǎo)電片的方法，包括使用第一導(dǎo)電片(IOA)和第二導(dǎo)電片(10B)，其中所述第一導(dǎo)電片(10A)包括兩個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電的第一大格子(14A)，所述第一大格子(14A)均包含兩個(gè)或更多個(gè)小格子(18)的組合，所述第二導(dǎo)電片(10B)包括兩個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電的第二大格子(14B)，所述第二導(dǎo)電片(IOB)均包含兩個(gè)或更多個(gè)小格子(18)的組合，所述第一大格子(14A)和所述第二大格子(14B)均具有相互面對(duì)的邊，所述邊的形狀是交替的，并且組合所述第一導(dǎo)電片(10A)和所述第二導(dǎo)電片(10B)，從而鄰近所述第一大格子(14A)設(shè)置所述第二大格子(14B)，并且所述第一大格子(14A)的一條邊和所述第二大格子(14B)的一條邊組合形成所述小格子(18)的排列。17.—種電容觸控面板,包括根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電片。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種導(dǎo)電片、一種導(dǎo)電片的使用方法以及一種電容型觸控面板。對(duì)于第一導(dǎo)電片(10A)，兩個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電的第一大格子(14A)形成在第一透明基底(12A)上，其中每個(gè)第一大格子(14A)均通過(guò)組合兩個(gè)或更多個(gè)小格子(18)構(gòu)成，并且交替地形成每個(gè)第一大格子(14A)的相對(duì)的邊的形狀。例如，交替地產(chǎn)生第一大格子(14A)的第一邊部分(28a)的矩形波形狀和面對(duì)第一邊部分(28a)的第四邊部分(28d)的矩形波形狀，并且交替地產(chǎn)生第一大格子(14A)的第二邊部分(28b)的矩形波形狀和面對(duì)第二邊部分(28b)的第三邊部分(28c)的矩形波形狀。文檔編號(hào)G06F3/044GK102667680SQ201080053150公開(kāi)日2012年9月12日申請(qǐng)日期2010年11月24日優(yōu)先權(quán)日2009年11月24日發(fā)明者栗城匡志申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社