專利名稱：基于雙重銷毀技術(shù)的高保密固態(tài)硬盤產(chǎn)品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型專利涉及固態(tài)存儲安全領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著信息化時代的到來，以計(jì)算機(jī)為犯罪手段和以計(jì)算機(jī)信息為犯罪目標(biāo)的犯罪 活動也在增加。政府機(jī)關(guān)、軍隊(duì)、企業(yè)和很多普通用戶面臨著計(jì)算機(jī)上的機(jī)密文件刪除時 必須要徹底地銷毀，不留一點(diǎn)痕跡，不能夠被恢復(fù)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型設(shè)計(jì)旨在提供一種固態(tài)硬盤雙重?cái)?shù)據(jù)銷毀的方式和裝置。雙重?cái)?shù)據(jù)銷毀方式包括軟銷毀。固態(tài)硬盤控制器接收到軟銷毀信號，通過對存儲介質(zhì)的擦寫操作，將存儲 在Flash陣列的信息覆蓋。固態(tài)硬盤可再次使用。整個銷毀過程可以在30秒內(nèi)完成。銷 毀時間與固態(tài)硬盤的容量成正比。硬銷毀。對硬件的操作，硬銷毀信號發(fā)出后，通過高電壓擊穿固態(tài)硬盤主控以及 NANDFLASH IO 口。徹底摧毀物理介質(zhì)，固態(tài)硬盤不再可用，保證數(shù)據(jù)不被恢復(fù)。整個過程可 在短短的幾秒鐘內(nèi)完成。銷毀時間與固態(tài)硬盤的容量大小沒有直接關(guān)系。固態(tài)硬盤雙重?cái)?shù)據(jù)銷毀裝置包括固態(tài)硬盤主控部、NAND Flash陣列、單片機(jī)、升 壓電路，其中升壓電路與固態(tài)硬盤主控部、NAND Flash陣列、單片機(jī)連接，固態(tài)硬盤主控部 與NANDFlash陣列連接。當(dāng)MCU單片機(jī)接收到用戶發(fā)出的數(shù)據(jù)自毀命令時，MCU單片機(jī)給升壓模塊輸入一 個使能信號，使升壓模塊輸出高壓，待升壓輸出電壓穩(wěn)定后，MCU單片機(jī)發(fā)出一個開關(guān)使能 信號，將高壓通過高壓開關(guān)導(dǎo)入固態(tài)硬盤主控制部分和FLASH的I/O端口，從而將固態(tài)硬盤 主控制部分和FLASH擊穿，徹底銷毀FLASH中的數(shù)據(jù)。固態(tài)硬盤主控部分，控制對NAND FLASH陣列的管理，包括對NAND FLASH讀寫和擦 除操作、壞塊管理、ECC校驗(yàn)、均衡損耗算法、控制SATA接口與主機(jī)通訊等等。NAND Flash陣列，存儲介質(zhì)，用來記錄 儲的信息。單片機(jī)，單片機(jī)控制對外部物理銷毀觸發(fā)輸入的銷毀控制。升壓電路，升壓電路將外部5V電壓升壓將控制器及Flash IO 口擊穿。本實(shí)用新型設(shè)計(jì)結(jié)合竊密者可能采用的各種竊密途徑，系統(tǒng)研究數(shù)據(jù)銷毀的方 式，成功設(shè)計(jì)出雙重銷毀方式，由于采用固態(tài)存儲技術(shù)，在銷毀觸發(fā)后，進(jìn)入數(shù)據(jù)銷毀狀 態(tài)，存儲數(shù)據(jù)的存儲介質(zhì)可以在幾秒鐘內(nèi)徹底銷毀。
圖1 基于雙重銷毀示技術(shù)的高保密固態(tài)硬盤產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實(shí)例對本 發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施實(shí)例僅用以解釋本發(fā)明，并不 用于限定本發(fā)明。在本發(fā)明方案中，通過使用一個升壓模塊，并利用MCU單片機(jī)控制升壓模塊的開 啟，從而利用高壓作用于SSD固態(tài)硬盤主控制部分和FLASH，將主控和FLASH擊穿燒毀。圖示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的電子硬盤結(jié)構(gòu)框圖，該電子硬盤可以為電子設(shè)備的 存儲設(shè)備，當(dāng)然電子設(shè)備可以為計(jì)算機(jī)、電視機(jī)或機(jī)頂盒。當(dāng)MCU單片機(jī)接收到用戶發(fā)出的數(shù)據(jù)自毀命令時，MCU單片機(jī)給升壓模塊輸入一 個使能信號，使升壓模塊輸出高壓，待升壓輸出電壓穩(wěn)定后，MCU單片機(jī)發(fā)出一個開關(guān)使能 信號，將高壓通過高壓開關(guān)導(dǎo)入固態(tài)硬盤主控制部分和FLASH的I/O端口，從而將固態(tài)硬盤 主控制部分和FLASH擊穿，徹底銷毀FLASH中的數(shù)據(jù)。當(dāng)電子硬盤上的MCU單片機(jī)未接收到輸入觸發(fā)信號時，由主板電源對SSD固態(tài)硬 盤主控制部分進(jìn)行正常供電，使控制器和FLASH正常工作。作為本發(fā)明的實(shí)施例，該數(shù)據(jù)自毀信號為一個電平信號，低電平有效。當(dāng)給觸發(fā)信 號一個寬度大于Is的低電平時，MCU單片機(jī)將相應(yīng)這個觸發(fā)電平，執(zhí)行銷毀控制操作。升壓模塊主要完成電壓的轉(zhuǎn)換功能。其輸入電壓為SSD固態(tài)硬盤主控制部分5V 接口輸入，輸出為一高電壓，其高電壓的電平的為20V。高壓開關(guān)，主要完成將20V高壓信號導(dǎo)入給控制器和FLASH的IO 口，從而將SSD 固態(tài)硬盤主控制部分徹底銷毀。MCU單片機(jī)為銷毀控制的大腦。主要接收來自觸發(fā)輸入端的輸入信號，當(dāng)確定有 銷毀信號輸入時，將進(jìn)行一系列的控制操作，包括使能升壓模塊、使能高壓開關(guān)的動作開啟 等。確保銷毀操作能有序執(zhí)行。以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和 原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求基于雙重銷毀技術(shù)的高保密固態(tài)硬盤產(chǎn)品，固態(tài)硬盤主控部、NAND Flash陣列、單片機(jī)、升壓電路，其特征在于固態(tài)硬盤主控部、NAND Flash陣列、單片機(jī)連接，固態(tài)硬盤主控部與NAND Flash陣列連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種基于雙重銷毀技術(shù)的高保密固態(tài)硬盤產(chǎn)品。該裝置包括固態(tài)硬盤主控部、NAND Flash陣列、單片機(jī)、升壓電路，其中升壓電路與固態(tài)硬盤主控部、NAND Flash陣列、單片機(jī)連接，固態(tài)硬盤主控部與NAND Flash陣列連接。采用固態(tài)存儲技術(shù)，在銷毀觸發(fā)后，進(jìn)入數(shù)據(jù)銷毀狀態(tài)，存儲數(shù)據(jù)的存儲介質(zhì)可以在幾秒鐘內(nèi)徹底銷毀。
文檔編號G06F21/02GK201707677SQ20102016505
公開日2011年1月12日 申請日期2010年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月21日
發(fā)明者于紅旗, 吳佳, 吳順平, 徐欣, 畢雅潔 申請人:湖南源科高新技術(shù)有限公司