專利名稱：靜電電容輸入裝置以及具有輸入裝置的電光設備的制作方法
技術領域：
本發明涉及用于根據連接到輸入位置檢測電極的靜電電容的變化來檢測輸入位 置的靜電電容輸入裝置，以及配備有靜電電容輸入裝置的輸入裝置的電光設備。
背景技術：
諸如移動電話、汽車導航儀、個人計算機、售票機和銀行終端的一些電子設備例如 在液晶裝置表面上結合有稱作觸摸面板的輸入裝置，從而當使用者觀看顯示在液晶裝置的 圖像顯示區域上的圖像時可以輸入信息。靜電電容輸入裝置屬于這種類型的輸入裝置，并 可以監測連接到多個輸入位置檢測電極的每個的靜電電容。因此，當手指接近多個輸入位 置檢測電極中的一個時，連接到該被討論的電極的靜電電容以形成在電極和手指間的靜電 電容的量增加，從而使得可以識別該被討論的電極。因為這樣的靜電電容輸入裝置檢測耦接到輸入位置檢測電極的電容的變化，所以 它容易受到電磁噪聲的影響。出于這樣的原因，已經提出了在與靜電電容輸入裝置的輸入 操作側相反的側的整個表面上提供屏蔽電極(見JP-T-2003-511799，在下文稱為專利文件 1)。
發明內容
然而，專利文件1中描述的屏蔽結構的問題在于，它不能遮蔽試圖從輸入操作側 進入靜電電容輸入裝置的電磁噪聲。鑒于以上情況，所希望的是提供不易受到試圖從輸入操作側進入靜電電容輸入裝 置的電磁噪聲影響的靜電電容輸入裝置以及配備有該靜電電容輸入裝置的輸入裝置的電 光設備。為了解決上述問題，根據本發明實施例的靜電電容輸入裝置的特征在于其包括輸 入區域、多條配線和屏蔽電極。多個輸入位置檢測電極提供在基板的輸入區域中。多條配 線電連接到多個輸入位置檢測電極并在基板的輸入區域之外延伸。屏蔽電極在輸入操作側
與配線重疊。本發明打破了屏蔽電極不能提供在靜電電容輸入裝置的輸入操作側的現有觀念。 因此，配線的屏蔽電極提供在輸入操作側，該配線提供在輸入區域之外。這遮蔽了試圖從輸 入操作側進入配線的電磁噪聲，因此確保了不受試圖從輸入操作側進入的電磁波的影響。 因此，根據本發明實施例的靜電電容輸入裝置不可能因電磁噪聲而失靈。屏蔽電極不提供 在輸入操作側的輸入區域中，因此基于靜電電容的輸入位置檢測不會受到干擾。在本發明中，屏蔽電極優選提供為沿著基板的整個外周邊緣。該構造更加可靠地 遮蔽了來自輸入操作側的電磁波。在本發明中，第一導電膜、層間絕緣膜和第二導電膜優選從基板側開始依次形成 在基板上。在第一導電膜和第二導電膜中，該兩個導電膜中的至少一個優選用于形成輸入 位置檢測電極。在第一導電膜和第二導電膜中，在輸入操作側的相反側的導電膜優選用于形成配線。在第一導電膜和第二導電膜中，輸入操作側的導電膜優選用于形成屏蔽電極。該 構造允許用形成在基板上的導電膜來形成屏蔽電極，因此不需要在外部提供屏蔽電極。在本發明中，在第一導電膜和第二導電膜中，在輸入操作側的相反側的導電膜在 基板上優選用于在配線的外周側形成屏蔽輔助電極。屏蔽輔助電極和屏蔽電極優選在沒有 形成層間絕緣膜的區域中重疊且電連接在一起。該構造提供了屏蔽電極的實質降低的電 阻。此外，該構造抑制了試圖從周圍環境進入配線的電磁噪聲。在本發明中，屏蔽輔助電極優選形成為沿著基板的所有邊，并且屏蔽輔助電極和 屏蔽電極優選沿著屏蔽輔助電極的整個縱向方向重疊且電連接在一起。該構造提供了屏蔽 電極的實質降低的電阻。此外，該構造更加可靠地抑制了試圖從周圍環境進入配線的電磁噪聲。在本發明中，在第一導電膜和第二導電膜中，該兩個導電膜中的至少一個優選用 于在基板的輸入區域之外提供第一安裝端子和第二安裝端子。第一安裝端子優選連接到配 線，第二安裝端子連接到屏蔽電極。該構造允許例如通過以第一安裝端子連接到基板的柔 性配線板來從外部給屏蔽電極施加電勢，因此使得容易施加電勢給屏蔽電極。此外，該構造 允許公用的柔性配線板連接到第一安裝端子和第二安裝端子。在本發明中，在第一導電膜和第二導電膜中，該兩個導電膜中的至少一個優選用 于在基板上提供多個第一輸入位置檢測電極和多個第二輸入位置檢測電極以作為輸入位 置檢測電極。第一輸入位置檢測電極在基板的平面內沿第一方向延伸。第二輸入位置檢測 電極在基板的平面內沿與第一方向交叉的第二方向延伸。連接部分、中斷部分和中繼電極 優選提供在第一輸入位置檢測電極和第二輸入位置檢測電極間的每個交叉部分處。連接部 分使第一輸入位置檢測電極和第二輸入位置檢測電極中的一方連續并包括第一導電膜和 第二導電膜中的一個。中斷部分是使第一輸入位置檢測電極和第二輸入位置檢測電極中的 另一方中斷的部分。中繼電極隔著層間絕緣膜與連接部分重疊，以電連接第一輸入位置檢 測電極和第二輸入位置檢測電極中的另一方的中斷部分。中繼電極包括第一導電膜和第二 導電膜中的另一個。在本發明中，第一導電膜、層間絕緣膜和第二導電膜可以形成在基板的輸入操作 側的基板表面上。配線可以用第一導電膜形成，并且屏蔽電極可以用第二導電膜形成。在本發明中，第一導電膜、層間絕緣膜和第二導電膜可以形成在輸入操作側的相 反側的基板表面上。配線可以用第二導電膜形成，并且屏蔽電極可以用第一導電膜形成。在本發明中，與施加給輸入位置檢測電極的位置檢測信號具有相同波形和相位的信 號優選施加給屏蔽電極。該構造保證了在屏蔽電極和輸入位置檢測電極之間沒有寄生電容。應用本發明的靜電電容輸入裝置被用于構成配備有輸入裝置的電光設備。在配備 有輸入裝置的電光設備中，用于產生圖像的電光面板形成在相對于基板的輸入操作側的相 反側。配備有應用本發明的輸入裝置的電光設備例如用于移動電話、汽車導航儀、個人 計算機、售票機和銀行終端。
圖IA至IC是應用本發明實施例的靜電電容輸入裝置的示意5
圖2A和2B是示意性地圖解配備有應用本發明實施例的輸入裝置的電光設備的截 面構造的示意圖；圖3A至3D是示意性地圖解根據本發明實施例1的靜電電容輸入裝置的二維構造 的示意圖；圖4是以放大的方式圖解在根據本發明實施例1的靜電電容輸入裝置的基板上形 成的電極和其它部件的二維構造的示意圖；圖5A至5C是圖解根據本發明實施例1的靜電電容輸入裝置的基板的截面構造的 示意圖；圖6A至6C是圖解在根據本發明實施例1的靜電電容輸入裝置的基板上形成的配 線的構造的示意圖；圖7A至7D是示意性地圖解根據本發明實施例2的靜電電容輸入裝置的二維構造 的示意圖；圖8是以放大的方式圖解在根據本發明實施例2的靜電電容輸入裝置的基板上形 成的電極和其它部件的二維構造的示意圖；圖9A至9C是示意性地圖解根據本發明實施例2的靜電電容輸入裝置的基板的截 面構造的示意圖；圖IOA至IOD是示意性地圖解根據本發明實施例3的靜電電容輸入裝置的二維構 造的示意圖；圖11是以放大的方式圖解在根據本發明實施例3的靜電電容輸入裝置的基板上 形成的電極和其它部件的二維構造的示意圖；圖12A至12C是示意性地圖解根據本發明實施例3的靜電電容輸入裝置的基板的 截面構造的示意圖；圖13A至13D是示意性地圖解根據本發明實施例4的靜電電容輸入裝置的二維構 造的示意圖；圖14是以放大的方式圖解在根據本發明實施例4的靜電電容輸入裝置的基板上 形成的電極和其它部件的二維構造的示意圖；圖15A至15C是圖解根據本發明實施例4的靜電電容輸入裝置的截面構造的示意 圖；圖16A至16D是示意性地圖解根據本發明實施例5的靜電電容輸入裝置的二維構 造的示意圖；圖17是以放大的方式圖解在根據本發明實施例5的靜電電容輸入裝置的基板上 形成的電極和其它部件的二維構造的示意圖；圖18A至18C是示意性地圖解根據本發明實施例5的靜電電容輸入裝置的基板的 截面構造的示意圖；以及圖19A至19C是具有應用本發明實施例的靜電電容輸入裝置的電子設備的示意 圖。
具體實施例方式下面，將參考附圖描述本發明的優選實施例。應當注意的是，在下面給出的描述所參考的附圖中，層和構件以不同的比例繪制，以使它們以可識別的尺寸示出。首選將描述所 有實施例相同的基本構造。然后，進行每個實施例的詳細描述。[基本構造](配備有輸入裝置的電光設備的總體構造)圖IA至IC是應用本發明的靜電電容輸入裝置的示意圖。圖IA是示意性地圖解配 備有根據本發明實施例的靜電電容輸入裝置的輸入裝置的電光設備的總體構造的示意圖。 圖IB是示意性地圖解靜電電容輸入裝置的電學構造的示意圖。圖IC是供應到靜電電容輸 入裝置的電勢的示意圖。圖2A和2B是示意性地圖解配備有應用本發明的輸入裝置的電光 設備的截面構造的示意圖。圖2A是在基板的輸入操作側的第一表面上提供輸入位置檢測 電極的構造示例的示意圖。圖2B是在與基板輸入操作側相反的側的第二表面上提供輸入 位置檢測電極的構造示例的示意圖。在圖IA中，根據本實施例的配備有輸入裝置的電光設備100通常包括圖像產生裝 置5和靜電電容輸入裝置1。圖像產生裝置5例如由液晶裝置制成。靜電電容輸入裝置1 堆疊在圖像產生裝置5的顯示光發射側的表面上。靜電電容輸入裝置1包括輸入面板2 (觸 摸面板)。圖像產生裝置5包括用作電光面板5a(顯示面板)的液晶面板。在本實施例中， 輸入面板2和電光面板5a 二者在平面圖中都是矩形。靜電電容輸入裝置1和配備有輸入 裝置的電光設備100在平面圖中看時中央區域為輸入區域2a。另一方面，裝置5和100在 平面圖中看時與輸入區域2a重疊的區域為圖像形成區域。柔性配線板35在邊緣部分20e 側連接到輸入面板2。柔性配線板73在邊緣部分20e側連接到電光面板5a。如圖IB所示，用于檢測輸入面板2上的輸入操作的控制IC 10經由柔性配線板35 電連接到靜電電容輸入裝置1。稍后參考圖IC描述的電勢從IClO被供應到輸入面板2。在圖1A、2A和2B中，圖像產生裝置5是透射式或半透射式的主動矩陣液晶顯示裝 置。背光裝置(未示出)提供在與提供有輸入面板2的側相反的一側(背光裝置(未示 出)提供在與顯示光發射側相反的一側)。背光裝置包括透光光導板和光源。透光光導板 提供在電光面板5a的與提供有靜電電容輸入裝置1的側相反的一側。光源包括LED，用于 朝著光導板的側邊緣部分發射白光。從光源發射的光從光導板的側邊緣部分進入光導板， 并在傳播通過光導板的同時朝著電光面板5a發射。片形式的光學構件如散光片或棱鏡片 可以設置在光導板和電光面板5a之間。在圖像產生裝置5中，第一偏光片81堆疊在電光面板5a的顯示光發射側，并且第 二偏光片82堆疊在電光面板5a的與顯示光發射側相反的側。因此，靜電電容輸入裝置1 被諸如丙烯酸樹脂基粘合劑的透光粘合劑(未示出)粘附到第一偏光片81。電光面板5a 包括透光元件基板50和透光對向基板60。透光元件基板50提供在顯示光發射側。對向基 板60提供為與元件基板50相對。元件基板50和對向基板60用矩形框形式的密封材料71 接合在一起。液晶層55容納在對向基板60和元件基板50之間由密封材料71圍繞的區域 中。多個像素電極58形成在元件基板50的與對向基板60相對的表面上。像素電極58用 諸如ITO(氧化銦錫)膜的透光導電膜形成。公共電極68形成在對向基板60的與元件基 板50相對的表面上。公共電極68用諸如ITO(氧化銦錫)膜的透光導電膜形成。應當注 意的是，如果圖像產生裝置5是IPS (平面內切換)或FFS (邊緣場切換)裝置，則公共電極 68提供在元件基板50上。另一方面，元件基板50可以提供在顯示光發射側。在元件基板50中，驅動IC 75C0G-安裝于在對向基板60的邊緣上伸出的伸出部分59。此外，柔性配線 板73連接到伸出部分59。應當注意的是，驅動電路可以與元件基板50上的開關元件同時 形成在元件基板50上。在配備有如上所述構造的輸入裝置的電光設備100中，例如由ITO膜制成的透光 導電層99 (在圖IA至IC中未示出，參見圖2A和2B)提供在電光面板5a和輸入面板2之 間。導電層99防止從電光面板5a發射的電磁噪聲進入輸入面板2。(輸入裝置1的詳細構造)在圖2A和2B所示的靜電電容輸入裝置1中，輸入面板2包括例如由玻璃或塑料 板制成的透光基板20。在本實施例中，玻璃基板用作基板20。應當注意的是，當基板20包 括塑料材料時，由PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PC (聚碳酸酯)、PES (聚醚砜)、PI (聚酰 亞胺)或諸如聚降冰片烯的環烯樹脂制成的耐熱透光片可以用作塑料材料。下面的描述假 設基板20在輸入操作側的表面是第一表面20a，在與輸入操作側相反的一側的表面是第二 表面20b ο在圖2A和2B所示兩個示例中的圖2A所示的靜電電容輸入裝置1的構造示例中， 第一導電膜4a、層間絕緣膜214和第二導電膜4b從基板20開始依次形成在基板20的第一 表面20a上。輸入位置檢測電極21用第一導電膜4a和第二導電膜4b中的至少一個形成。 柔性配線板35在基板20的邊緣部分20e連接到第一表面20a。透光絕緣蓋90例如用粘合 劑90e粘合到基板20的第一表面20a。絕緣遮光層90a印刷在蓋90的與基板20的第一表 面20a上的外圍區域2b重疊的區域中。輸入區域2a由遮光層90a圍繞。遮光層90a與電 光面板5a的外圍區域重疊，從而遮蔽從圖像產生部分5的光源以及光導的邊緣部分泄漏的 光。另一方面，透光導電層99大致形成在基板20的整個第二表面20b上，以防止從電 光面板5a發射的電磁噪聲進入輸入面板2。柔性配線板35的配線35a連接到導電層99， 因此使得稍后描述的屏蔽電勢經由柔性配線板35施加給導電層99。在圖2B所示的構造示例中，第一導電膜4a、層間絕緣膜214和第二導電膜4b從 基板20開始依次形成在基板20的第二表面20a上，如稍后所詳細描述的。在第一導電膜 4a和第二導電膜4b中，兩個膜的至少一個用于形成輸入位置檢測電極21。在這樣的構造 中，柔性配線板35在基板20的邊緣部分20e連接到第二表面20b。在本實施例中，透光絕 緣蓋90例如也用粘合劑90e粘合到基板20的第一表面20a。絕緣遮光層90a印刷在蓋90 的與基板20的第一表面20a上的外圍區域2b重疊的區域中。另一方面，透光導電層99大致形成在元件基板50的在輸入面板2側的整個表面 上，以防止從電光面板5a發射的電磁噪聲進入輸入面板2。柔性配線板35的配線35a連接 到導電層99，因此使得稍后描述的屏蔽電勢經由柔性配線板35施加給導電層99。下面將描述如實施例1、2和3的示例，其中本發明應用于在基板20的第一表面 20a上形成第一導電膜4a、層間絕緣膜214和第二導電膜4b的實施例(圖2A所示的實施 例)。另一方面，下面將描述如實施例4和5的示例，其中本發明應用于在基板20的第二表 面20b上形成第一導電膜4a、層間絕緣膜214和第二導電膜4b的實施例(圖2B所示的實 施例)。[實施例1]
下面將參考圖2A以及圖3A至6C描述靜電電容輸入裝置1的類型。圖3A至3D是 示意性地圖解根據本發明實施例1的靜電電容輸入裝置1的二維構造的示意圖。圖3A是 圖解在靜電電容輸入裝置1的基板20上形成的電極和其它部件之間的二維位置關系的示 意圖。圖3B是圖解在基板20上形成的第一導電膜4a的二維構造的示意圖。圖3C是圖解 在基板20上形成的層間絕緣膜214的二維構造的示意圖。圖3D是圖解在基板20上形成 的第二導電膜4b的二維構造的示意圖。圖3A以重疊方式圖解了圖3B、3C和3D示出的元 件。圖4是以放大方式圖解在根據本發明實施例1的靜電電容輸入裝置1的基板20上 形成的電極和其它部件的二維構造的示意圖。圖5A至5C是圖解根據本發明實施例1的靜 電電容輸入裝置1的基板20的截面構造的示意圖。圖5A、5B和5C是分別沿著圖4所示的 線Al-Al，、線Β1-ΒΓ和線Cl-Cl，剖取的基板20的截面圖。圖6A至6C是圖解在根據本發 明實施例1的靜電電容輸入裝置1的基板20上形成的配線的構造的示意圖。圖6A、6B和 6C分別為配線的平面圖和沿著線E-E’和線F-F’剖取的配線的截面圖。應當注意的是，在圖3A、3B、3D和4中，第一導電膜4a用向右上方傾斜的斜線來陰 影表示，并且第二導電膜4b用向右下方傾斜的斜線來陰影表示。在圖3C中，層間絕緣膜 214用多個點來陰影表示。在圖3B、3C、3D和4中，輸入區域2a的拐角用字母L形式的標記 示出。應當注意的是，這些對于稍后描述實施例2至5所參考的附圖也適用。如圖3A至5C所示，第一導電膜4a、層間絕緣膜214和第二導電膜4b從基板20開 始依次形成在基板20的第一表面20a上。在本實施例中，第一導電膜4a和第二導電膜4b 由厚度為10至40nm的諸如ITO或IZO(氧化銦鋅)膜的透光導電膜制成。層間絕緣膜214 由厚度為40至60nm的諸如氧化硅膜的透光絕緣膜制成。在本實施例中，例如由氧化硅膜 制成的透光下保護膜217形成在基板20的整個第一表面20a上。第一導電膜4a、層間絕緣 膜214和第二導電膜4b依次形成在透光下保護膜217上。另一方面，如參考圖2A所描述 的，透光導電層99大致形成在基板20的整個第二表面20b上，以防止從電光面板5a發射 的電磁噪聲進入輸入面板2 (參見圖5A至5C)。如圖3B所示，首先第一導電膜4a在輸入區域2a中形成為多個矩形區域。這些矩 形區域構成輸入位置檢測電極21 (第一輸入位置檢測電極211和第二輸入位置檢測電極 212的焊墊部分211a和212a(大面積部分))。焊墊部分211a和212a交替地設置在X方向 和Y方向上。在多個焊墊部分211a中，彼此對角相鄰的焊墊部分211a通過連接部分211c 部分地連接在一起。在多個焊墊部分212a中，彼此對角相鄰的焊墊部分212a也由連接部 分211c部分地連接在一起。此外，隨著配線27從輸入位置檢測電極21延伸，第一導電膜 4a形成在輸入區域2a的外側區域2b中。第一導電膜4a也形成在靠近邊緣部分20e的與 第一安裝端子24a和第二安裝端子24b重疊的區域中。如圖3C所示，層間絕緣膜214形成在整個輸入區域2a上。此外，膜214形成在基 板20的除外周邊緣之外的大區域上。此外，接觸孔214a形成在層間絕緣膜214中，其中每 組包含四個接觸孔214a。這里，層間絕緣膜214的外周邊緣與基板20的邊緣部分20e之間 的間隙寬于層間絕緣膜214的外周邊緣與其它邊緣部分20f、20g和21h之間的間隙，因此 保證了形成第一安裝端子24a和第二安裝端子24b的空間。如圖3D所示，第二導電膜4b在輸入區域2a的與圖3C所示的接觸孔214a重疊的區域中形成為中繼電極(relay electrode) 215。此外，膜4b以完全圍繞輸入區域2a的矩 形框形式在輸入區域2a的外側區域2b中形成為屏蔽電極28。此外，膜4b形成在靠近邊緣 部分20e的與第一安裝端子24a和第二安裝端子24b重疊的區域中。
當如上構造的第一導電膜4a、層間絕緣膜214和第二導電膜4b依次堆疊時，基板 20構造為如圖3A、4和5A至5C所示。在平面上看時，基板20具有形成在輸入區域2a中的 多個輸入位置檢測電極21。在本實施例中，輸入位置檢測電極21包括多列第一輸入位置檢 測電極211和第二輸入位置檢測電極212。第一輸入位置檢測電極211 (圖3A中由粗實線 示出)延伸在第一方向(箭頭Y所示的方向)上。第二輸入位置檢測電極212 (圖3A中由 粗點線示出)延伸在第二方向(由箭頭X示出的方向)上。在第一導電膜4a和第二導電膜4b中，第一導電膜4a用于形成輸入位置檢測電極 21 (第一輸入位置檢測電極211和第二輸入位置檢測電極212)。結果，輸入位置檢測電極 21由相同的層制成。因此，在基板20的第一表面20a上，多個交叉部分218存在于第一輸 入位置檢測電極211和第二輸入位置檢測電極212之間。在本實施例中，在第一輸入位置 檢測電極211和第二輸入位置檢測電極212中，第一輸入位置檢測電極211通過交叉部分 218處由第一導電膜4a制成的連接部分211c而在Y方向上連接在一起，從而在Y方向上延 伸。相反，對于第二輸入位置檢測電極212，在交叉部分218處形成中斷部分218a。此外， 例如由氧化硅膜制成的層間絕緣膜214形成在第一輸入位置檢測電極211和第二輸入位置 檢測電極212的上層中。透光中繼電極215用在層間絕緣膜214的上層中的第二導電膜4b 形成。電極215經由層間絕緣膜214的四個接觸孔214a與在交叉部分218中斷的第二輸 入位置檢測電極212電連接在一起。結果，第二輸入位置檢測電極212在X方向上電連接 在一起。應當注意的是，因為中繼電極215隔著層間絕緣膜214與連接部分211c重疊，所 以該電極215不可能短路。如上所述構造的第一輸入位置檢測電極211和第二輸入位置檢測電極212的每 個包括在夾設在交叉部分218之間的區域中具有大面積的矩形焊墊部分211a或212a。在 第一輸入位置檢測電極211中，位于交叉部分218處的連接部分211c比焊墊部分211a和 212a窄。此外，中繼電極215也形成為比焊墊部分211a和212a窄。(配線27和屏蔽電極28的構造)在根據本實施例的靜電電容輸入裝置1中，多條配線27在基板20的第一表面20a 上形成在輸入區域2a的外側區域2b中。該配線27的每一個從第一輸入位置檢測電極211 和第二輸入位置檢測電極212中的一個延伸到基板20的邊緣部分20e。更具體地講，連接 到第一輸入位置檢測電極211的配線27在基板20的輸入區域2a和邊緣部分20e之間布 線。另一方面，連接到第二輸入位置檢測電極212的配線27首先在基板20的輸入區域2a 和邊緣部分20f或20h之間線性地延伸，然后在基板20的輸入區域2a和邊緣部分20e之 間布線。在如上所述構造的配線27中，靠近基板20邊緣部分20e的部分包括第一安裝端 子24a。參考圖IA至IC和圖2描述的柔性配線板35連接到第一安裝端子24a。另一方面，屏蔽電極28在基板20的第一表面20a上形成在與輸入區域2a的外側 區域2b中的配線27重疊的區域中。在本實施例中，在第一導電膜4a和第二導電膜4b中， 輸入操作側的第二導電膜4b用于形成屏蔽電極28。層間絕緣膜214提供在配線27和屏蔽 電極28之間。
在本實施例中，配線27形成在對應于三邊的區域中，即基板20的輸入區域2a和 邊緣部分20e之間的一個區域、基板20的輸入區域2a和邊緣部分20f之間的另一個區域 以及基板20的輸入區域2a和邊緣部分20h之間的又一個區域。相反，屏蔽電極28以在周 邊方向上連接的矩形框架形式形成在對應于四邊的區域中，即基板20的輸入區域2a和邊 緣部分20e之間的一個區域、基板20的輸入區域2a和邊緣部分20f之間的另一個區域、基 板20的輸入區域2a和邊緣部分20g之間的又一個區域以及基板20的輸入區域2a和邊緣 部分20h之間的再一個區域。此外，屏蔽電極28比每條配線27寬。因此，屏蔽電極28形 成在大的區域中，該大的區域包括配線27在輸入操作側延伸的區域。此外，屏蔽電極28在 層間絕緣膜214的外周邊緣伸出。結果，屏蔽電極28覆蓋層間絕緣膜214的側部214e。另一方面，在基板20的第一表面20a上的外圍區域2b中，兩個第二安裝端子24b 以在兩側夾設布置成列的第一安裝端子24a的方式形成。第一安裝端子24a電連接到配線 27，并且第二安裝端子24b在設置有第一安裝端子24a的區域的兩側電連接到屏蔽電極28。
(基板20的制造方法)簡要地描述如上所述構造的基板20的制造方法，并同時例如描述第一安裝端子 24a和第二安裝端子24b的構造。為了形成基板20，首先形成構成第一導電膜4a的透光 導電膜。然后，如圖3B所示，通過蝕刻圖案化該透光導電膜，由此形成輸入位置檢測電極 21 (第一輸入位置檢測電極211和第二輸入位置檢測電極212)和配線27。接下來，形成層間絕緣膜214。然后，如圖3C所示，通過蝕刻圖案化該膜214，由此 形成接觸孔214a。此時，從基板20的邊緣部分去除層間絕緣膜214。接下來，形成構成第二導電膜4b的透光導電膜。然后，如圖3D所示，通過蝕刻來圖 案化該膜，由此形成中繼電極215和屏蔽電極28。此時，屏蔽電極28以從層間絕緣膜214 的外周邊緣伸出的方式形成。結果，屏蔽電極28覆蓋層間絕緣膜214的側部214e。應當注 意的是，在本實施例中，透光頂涂層219形成在第二導電膜4b的頂部上。頂涂層219例如 由樹脂成分或氧化硅制成并且通過涂敷并硬化液體成分而形成。在本實施例中，第一安裝端子24a和第二安裝端子24b在上面的步驟中同時形成。 就是說，當輸入位置檢測電極21和配線27由第一導電膜4a形成時，該膜4a留在與第一安 裝端子24a或第二安裝端子24b重疊的區域中，如圖5B和5C所示。然而，應當注意的是， 在這樣的條件下，當用第二導電膜4b形成中繼電極215和屏蔽電極28時，留在與第一安裝 端子24a或第二安裝端子24b重疊的區域中的第一導電膜4a會通過蝕刻而被去除。因此， 在本實施例中，當用第二導電膜4b形成中繼電極215和屏蔽電極28時，在與第一安裝端子 24a或第二安裝端子24b重疊的區域中保留第二導電膜4b。這保證了在與第一安裝端子24a 或第二安裝端子24b重疊的區域中形成的第一導電膜4a被保留而沒有通過蝕刻被去除。應當注意的是，當由第二導電膜4b形成中繼電極215和屏蔽電極28時，以第二安 裝端子24b保留的第二導電膜4b連接到屏蔽電極28。相反，中斷部分提供在以第一安裝端 子24a保留的膜4b和屏蔽電極28之間。然而，應當注意的是，以第一安裝端子24a保留的 第二導電膜4b的邊緣部分與層間絕緣膜214重疊。因此，形成在與第一安裝端子24a重疊 的區域中的第二導電膜4b完全與形成在與第一安裝端子24a重疊的區域中的第一導電膜 4a重疊。這無疑保證了第一導電膜4a在與第一安裝端子24a重疊的區域中被保留而不去 除。
此外，在本實施例中形成配線27時，第一導電膜4a優選沿著形成配線27的區域 延伸，并且例如由鉻、銀、鋁或銀鋁合金制成的金屬層4c優選提供在第一導電膜4a上以沿 著形成配線27的區域延伸，如圖6A至6C所示。該多層結構有助于降低配線27的電阻。(輸入位置 檢測操作)在根據本實施例的靜電電容輸入裝置1中，IC 10經由柔性配線板35連接到輸入 面板2的第一安裝端子24a和第二安裝端子24b，如圖IB所示。這里，IC 10包括端子Ila 和端子lib。端子Ila經由柔性配線板35依次輸出位置檢測信號VD至第一安裝端子24a。 端子lib經由柔性配線板35輸出屏蔽電勢VS至第二安裝端子24b。應當注意的是，IC 10 還包括接地端子，用于輸出地電勢至輸入面板2。然而，本發明不直接涉及該端子。因此，省 略其描述和圖解。在如上構造的靜電電容輸入裝置1中，IC 10例如以圖IC所示的矩形脈沖的形式 輸出位置檢測信號VD。結果，當輸入位置檢測電極21沒有寄生電容時，從端子Ila輸出具 有如圖IC中實線所示的波形的信號。相反，如果輸入位置檢測電極21具有寄生電容，則波 形因該電容而變形，如圖IC中的虛線所示。這使得能夠確定輸入位置檢測電極21是否具有 任何的寄生電容。因此，在本實施例中，位置檢測信號VD依次輸出到多個輸入位置檢測電 極21的每一個，以監測其耦接的靜電電容。結果，當手指接近多個輸入位置檢測電極21中 的一個時，手指接近的電極21的靜電電容以在電極和手指之間形成的靜電電容的量增加， 因此使得可以識別所討論的電極。(本實施例的作用與效果)根據本實施例的靜電電容輸入裝置1由于檢測耦接到輸入位置檢測電極21的電 容的變化而容易受到電磁噪聲的影響。因此，在本實施例中，為形成在柔性配線板35上的 配線35a形成屏蔽層35b。屏蔽電勢VS經由屏蔽配線35c施加給屏蔽層35b。在本實施例 中，作為屏蔽電勢VS施加給屏蔽層35b的電勢與供應到輸入位置檢測電極21的位置檢測 信號VD具有相同的波形(和相位)。這保證了在配線35a和屏蔽層35b之間沒有寄生電 容。此外，在本實施例中，與位置檢測信號VD具有相同波形(和相位)的屏蔽電勢VS 經由柔性配線板35的屏蔽配線35d和第二安裝端子24b從IC 10施加給屏蔽電極28。這 里，屏蔽電極28在輸入操作側與在基板20的輸入區域2a的外側區域2b中延伸的多條配 線27重疊。屏蔽電極28遮蔽了試圖從輸入操作側進入配線27的電磁噪聲，因此使輸入面 板2不受來自輸入操作側的電磁波的影響。因此，根據本實施例的靜電電容輸入裝置1不 會因電磁噪聲而失靈。此外，屏蔽電極28沒有提供在輸入操作側的輸入區域2a中，因此對 基于靜電電容的輸入位置檢測沒有干擾。此外，屏蔽電勢VS與供應到輸入位置檢測電極21的位置檢測信號VD具有相同的 波形(和相位)。這保證了在配線27和屏蔽電極28之間沒有寄生電容。結果，即使提供屏 蔽電極28，基于靜電電容的輸入位置檢測也不會受干擾。此外，在用于形成第一輸入位置檢測電極211和第二輸入位置檢測電極212以及 中繼電極215的第一導電膜4a和第二導電膜4b中，在輸入操作側的相反側的第一導電膜 4a用于形成配線27。相反，在第一導電膜4a和第二導電膜4b中，輸入操作側的第二導電 膜4b用于形成屏蔽電極28。這提供了不需要在外部提供屏蔽電極的優點。
此外，屏蔽電極28提供為沿著基板20的整個外周邊緣，因此能更加確定地遮蔽試 圖從輸入操作側進入的電磁噪聲。此外，屏蔽電極28覆蓋層間絕緣膜214的靠近基板20 外周邊緣的側部214e。這遮蔽了試圖從周圍環境進入配線27的電磁噪聲。此外，第一安裝端子24a和第二安裝端子24b采用第一導電膜4a和第二導電膜4b 二者而提供在基板20的外圍區域2b中。這使得能夠將電勢經由連接到基板20的柔性配 線板35從外部施加給屏蔽電極28，因此使得能夠容易地施加屏蔽電勢VS至屏蔽電極28。 此外，公用的柔性配線板35可以連接到第一安裝端子24a和第二安裝端子24b。而且，在設 置有第一安裝端子24a的區域的每側，第二安裝端子24b電連接到屏蔽電極28，因此遮蔽了 試圖從周圍環境進入配線27的電磁噪聲。
[實施例2]將參考圖7A至9C描述基于實施例1的示例，其中給基板20增加了屏蔽輔助電極 29。圖7A至7D是示意性地圖解根據本發明實施例2的靜電電容輸入裝置1的二維構造的 示意圖。圖7A是圖解在靜電電容輸入裝置1的基板20上形成的電極和其它部件之間的二 維位置關系的示意圖。圖7B是圖解在基板20上形成的第一導電膜4a的二維構造的示意 圖。圖7C是圖解在基板20上形成的層間絕緣膜214的二維構造的示意圖。圖7D是圖解 在基板20上形成的第二導電膜4b的二維構造的示意圖。圖7A以重疊方式圖解了圖7B、7C 和7D所示的元件。圖8是以放大的方式圖解在根據本發明實施例2的靜電電容輸入裝置1的基板20 上形成的電極和其它部件的二維構造的示意圖。圖9A至9C是圖解根據本發明實施例2的 靜電電容輸入裝置1的基板20的截面構造的示意圖。圖9A、9B和9C是分別沿著圖8所示 的線A2-A2’、線B2-B2’和線C2-C2’剖取的基板20的截面圖。應當注意的是，本實施例在 基本構造上與實施例1相同。因此，相同的部件由相同的附圖標記表示，并且省略其描述。在根據本實施例的靜電電容輸入裝置1中，第一導電膜4a、層間絕緣膜214和第二 導電膜4b與實施例1 一樣從基板20開始依次形成在基板20的第一表面20a上，如圖7A 至9C所示。如圖7B所示，與實施例1 一樣第一導電膜4a形成為第一輸入位置檢測電極211 和第二輸入位置檢測電極212的焊墊部分211a和212a及配線27。第一導電膜4a也形成 在靠近邊緣部分20e的與第一安裝端子24a和第二安裝端子24b重疊的區域中。與實施例1不同的是，在本實施例中第一導電膜4a在基板20的外圍區域2b中形 成為在配線27外側的屏蔽輔助電極29。這里，配線27形成在對應于基板20的三邊的區域 中，即基板20的輸入區域2a和邊緣部分20e之間的一個區域、基板20的輸入區域2a和邊 緣部分20f之間的另一個區域以及基板20的輸入區域2a和邊緣部分20h之間的又一個區 域。相反，屏蔽輔助電極29形成為沿著基板20的所有邊，即基板20的輸入區域2a和邊緣 部分20e之間的一個區域、基板20的輸入區域2a和邊緣部分20f之間的另一個區域、基板 20的輸入區域2a和邊緣部分20g之間的又一個區域以及基板20的輸入區域2a和邊緣部 分20h之間的再一個區域。應當注意的是，在夾設在基板20的輸入區域2a和邊緣部分20e 之間的區域中，屏蔽輔助電極29中途彎向的第二安裝端子24b。該電極29在配線27延伸 的區域中中斷。如圖7C所示，與實施例1 一樣層間絕緣膜214形成在基板20的除外周邊緣之外的大區域上。接觸孔214a形成在層間絕緣膜214中，每組包括四個接觸孔214a。這里，層 間絕緣膜214形成為比基板20的外周邊緣稍微向里。結果，層間絕緣膜214不形成為靠近 基板20的外周邊緣。如圖7D所示，第二導電膜4b在輸入區域2a的與圖7C所示的接觸孔214a重疊的 區域中形成為中繼電極215。此外，該膜4b在輸入區域2a的外側區域2b中形成為屏蔽電 極28。此外，該膜4b形成在靠近邊緣部分20e的與第一安裝端子24a和第二安裝端子24b 重疊的區域中。與供應到輸入位置檢測電極21的位置檢測信號具有相同波形(和相位) 的電勢施加給屏蔽電極28。此外，兩個第二安裝端子24b形成在基板20的第一表面20a上的外圍區域2b中， 其中在設置有第一安裝端子24a的區域的每一側設置一個。第一安裝端子24a電連接到配 線27，并且第二安裝端子24b在設置有第一安裝端子24a的區域的兩側電連接到屏蔽電極 28。本實施例與實施例1的其它構造類似。因此，省略其描述。
在如上所述構造的輸入面板2中，在第一導電膜4a和第二導電膜4b中，在輸入操 作側的相反側的第一導電膜4a與實施例1 一樣用于形成配線27。在第一導電膜4a和第二 導電膜4b中，輸入操作側的第二導電膜4b用于形成屏蔽電極28。該電極28在輸入操作側 與配線27重疊。這提供了與實施例1相同的優點由于屏蔽電極28而遮蔽了試圖從輸入 操作側進入配線27的電磁噪聲。屏蔽輔助電極29在對應于基板20四邊的位置處形成到層間絕緣膜214的外周邊 緣之外。該電極29的一部分從層間絕緣膜214暴露。另一方面，屏蔽電極28在對應于基 板20四邊的位置處形成到層間絕緣膜214的外周邊緣之外。因此，屏蔽電極28覆蓋層間 絕緣膜214的外周側的側部214e。在層間絕緣膜214的外周側(沒有形成層間絕緣膜214 的區域中)，電極28沿著電極29的整個縱向方向(延伸方向)連接到從層間絕緣膜214暴 露的屏蔽輔助電極29。這提供了屏蔽電極28的實質降低的電阻。此外，屏蔽電極28和屏 蔽輔助電極29抑制了試圖從周圍環境進入配線27的電磁噪聲。[實施例3]將對一示例進行描述，在該示例中輸入位置檢測電極以參考圖2A描述的靜電電 容輸入裝置1的形式用第二導電膜4b形成。圖IOA至IOD是示意性地圖解根據本發明實 施例3的靜電電容輸入裝置1的二維構造的示意圖。圖IOA是圖解在靜電電容輸入裝置1 的基板20上形成的電極和其它部件之間二維位置關系的示意圖。圖IOB是圖解在基板20 上形成的第一導電膜4a的二維構造的示意圖。圖IOC是圖解在基板20上形成的層間絕緣 膜214的二維構造的示意圖。圖IOD是圖解在基板20上形成的第二導電膜4b的二維構造 的示意圖。圖IOA以重疊的方式圖解了圖10BU0C和IOD所示的元件。圖11是以放大的方式圖解在根據本發明實施例3的靜電電容輸入裝置1的基板 20上形成的電極和其它部件的二維構造的示意圖。圖12A至12C是圖解根據本發明實施例 3的靜電電容輸入裝置1的基板20的截面構造的示意圖。圖12A、12B和12C是分別沿著圖 11所示的線A3-A3’、線B3-B3’和線C3-C3’剖取的基板20的截面圖。應當注意的是，本實 施例在基本構造上與實施例1相同。因此，相同的部件由相同的附圖標記表示，并且省略其 描述。在根據本實施例的靜電電容輸入裝置1中，與實施例1 一樣第一導電膜4a、層間絕緣膜214和第二導電膜4b從基板20開始依次形成在基板20的第一表面20a上，如圖IOA 至12C所示如圖IOB所示，第一導電膜4a首先在輸入區域2a中形成為多個中繼電極215。此 夕卜，該膜4a在外圍區域2b中形成為多條配線27。這里，各配線27具有位于輸入區域2a內 的邊緣部分。這些邊緣部分用作比配線27寬的連接部分27a。此外，在外圍區域2b的對應 于基板20四邊的區域中，與實施例2 —樣第一導電膜4a形成為屏蔽輔助電極29。如圖IOC所示，層間絕緣膜214在輸入區域2a中僅形成在稍后描述的交叉部分 218處。該膜214以矩形框架的形式形成在外圍區域2b中以圍繞輸入區域2a。這里，層間 絕緣膜214形成為比基板20的外周邊緣略向里。結果，層間絕緣膜214沒有形成為靠近基 板20的外周邊緣。如圖IOD所示，第二導電膜4b在輸入區域2a中形成為多個矩形區域。這些矩形 區域構成第一輸入位置檢測電極211和第二輸入位置檢測電極212的焊墊部分211a和 212a(大面積部分)。此外，該膜4b在外圍區域2b中以矩形框架的形式形成為屏蔽電極 28。此外，該膜4b形成在靠近邊緣部分20e的與第一安裝端子24a和第二安裝端子24b重 疊的區域中當如上所述構造的第一導電膜4a、層間絕緣膜214和第二導電膜4b依次堆疊時， 基板20構造為如圖10A、11和12A至12C所示。在平面上看時，基板20具有形成在輸入 區域2a中的多個輸入位置檢測電極21。在本實施例中，輸入位置檢測電極21包括多列第 一輸入位置檢測電極211和第二輸入位置檢測電極212。第一輸入位置檢測電極211 (圖 IOA中由粗實線所示)延伸在第一方向(箭頭Y所示的方向)上。第二輸入位置檢測電極 212 (圖IOA中由粗虛線示出)延伸在第二方向(由箭頭X所示的方向)上。這里，在第一 導電膜4a和第二導電膜4b中，第二導電膜4b用于形成輸入位置檢測電極21 (第一輸入位 置檢測電極211和第二輸入位置檢測電極212)。結果，輸入位置檢測電極21由相同的層制 成。因此，在基板20的第一表面20a上，多個交叉部分218存在于第一輸入位置檢測電極 211和第二輸入位置檢測電極212之間。在本實施例中，在第一輸入位置檢測電極211和 第二輸入位置檢測電極212中，第一輸入位置檢測電極211通過交叉部分218處由第二導 電膜4b制成的連接部分211c而在Y方向上連接在一起，從而在Y方向上延伸。相反，對于 第二輸入位置檢測電極212，中斷部分218a形成在交叉部分218處。此外，在交叉部分218 處由第一導電膜4a形成中繼電極215。應當注意的是，第二輸入位置檢測電極212在X方 向上通過中繼電極215電連接在一起。另一方面，盡管配線27用第一導電膜4a形成，但是連接部分27a位于輸入區域2a 內。而且，連接部分27a沒有用層間絕緣膜214覆蓋。因此，在形成第二導電膜4b時，輸入 位置檢測電極21與配線27的連接部分27a重疊。結果，電極21電連接到連接部分27a。此外，兩個第二安裝端子24b形成在基板20的第一表面20a上的外圍區域2b中， 其中在設置有第一安裝端子24a的區域的每一側設置一個。第一安裝端子24a電連接到配 線27，并且第二安裝端子24b在設置有第一安裝端子24a的區域的兩側電連接到屏蔽電極 28。本實施例與實施例1的其它構造類似。因此，省略其描述。在如上所述構造的輸入面板2中，在第一導電膜4a和第二導電膜4b中，與實施例 1和2 —樣在輸入操作側的相反側的第一導電膜4a用于形成配線27。在第一導電膜4a和第二導電膜4b中，輸入操作側的第二導電膜4b用于形成屏蔽電極28。該電極28在輸入操 作側與配線27重疊。這提供了與實施例相同的優點由于屏蔽電極28而遮蔽了試圖從輸 入操作側進入配線27的電磁噪聲。此外，與實施例2 —樣屏蔽電極28覆蓋層間絕緣膜214的外周側的側部214e。在 層間絕緣膜214的外周側(沒有形成層間絕緣膜214的區域中)，電極28沿著電極29的整 個縱向方向(延伸方向)連接到從層間絕緣膜214暴露的屏蔽輔助電極29。這提供了屏蔽 電極28的實質降低的電阻。此外，屏蔽電極28和屏蔽輔助電極29抑制了試圖從周圍環境 進入配線27的電磁噪聲。此外，在本實施例中，在輸入區域2a中層間絕緣膜214僅形成在交叉部分218處。 因此，膜214幾乎不形成在與輸入位置檢測電極21 (第一輸入位置檢測電極211和第二輸 入位置檢測電極212)的焊墊部分211a和212a重疊的位置處。因此，輸入面板2提供了高 的透光性，從而使得配備有根據本實施例的輸入裝置的電光設備100顯示明亮的圖像。
[實施例4]下面將參考圖13A至15C描述參考圖2B描述的靜電電容輸入裝置1的構造示例。 圖13A至13D是示意性地圖解了根據本發明實施例4的靜電電容輸入裝置1的二維構造的 示意圖。圖13A是圖解在靜電電容輸入裝置1的基板上形成的電極和其它部件之間的二維 位置關系的示意圖。圖13B是圖解在基板20上形成的第一導電膜4a的二維構造的示意圖。 圖13C是圖解在基板20上形成的層間絕緣膜214的二維構造的示意圖。圖13D是圖解在 基板20上形成的第二導電膜4b的二維構造的示意圖。圖13A以重疊的方式圖解了圖13B、 13C和13D所示的元件。圖14是以放大的方式圖解在根據本發明實施例4的靜電電容輸入裝置1的基板 20上形成的電極和其它部件的二維構造的示意圖。圖15A至15C是圖解根據本發明實施例 4的靜電電容輸入裝置1的基板的截面構造的示意圖。圖15A、15B和15C是分別沿著圖14 所示的線A4-A4’、線B4-B4’和線C4-C4’剖取的基板20的截面圖。應當注意的是，本實施 例在基本構造上與實施例1相同。因此，相同的部件由相同的附圖標記表示，并且省略其描 述。在根據本實施例的靜電電容輸入裝置1中，第一導電膜4a、層間絕緣膜214和第二 導電膜4b從基板20開始依次形成在基板20的第二表面20b上，如圖13A至15C所示。如圖13B所示，第一導電膜4a首先在輸入區域2a中形成為多個矩形區域。這些 矩形區域構成第一輸入位置檢測電極211和第二輸入位置檢測電極212的焊墊部分211a 和212a(大面積部分)。此外，第一導電膜4a在外圍區域2b中形成為屏蔽電極28。與供 應到輸入位置檢測電極21的位置檢測信號VD具有相同波形(和相位)的電勢施加給屏蔽 電極28。如圖13C所示，與實施例1 一樣層間絕緣膜214形成在基板20的除外周邊緣之外 的大區域上。接觸孔214a形成在層間絕緣膜214中，其中每組包含四個接觸孔214a。此 夕卜，接觸孔214b形成在層間絕緣膜214的與圖13D所示的配線27的連接部分27a重疊的 位置處。如圖13D所示，與實施例1 一樣第二導電膜4b在輸入區域2a中形成為與圖13C 所示的接觸孔214a重疊的中繼電極215。此外，膜4b形成在靠近邊緣部分20e的與第一安裝端子24a和第二安裝端子24b重疊的區域中。此外，膜4b在外圍區域2b中形成為多條 配線27。各配線27具有位于輸入區域2a內的邊緣部分。這些邊緣部分用作比配線27寬 的連接部分27a。而且，在外圍區域2b的對應于基板20四邊的區域中，第二導電膜4b形成 為屏蔽輔助電極29。這里，第一安裝端子24a連接到配線27，并且第二安裝端子24b連接 到屏蔽輔助電極29。當如上所述構造的第一導電膜4a、層間絕緣膜214和第二導電膜4b依次堆疊時， 基板20構造為如圖13A、14和15A至15C所示。結果，多個輸入位置檢測電極21形成在輸 入區域2a中。另一方面，輸入位置檢測電極21 (第一輸入位置檢測電極211和第二輸入位 置檢測電極212)用第一導電膜4a形成，并且配線27用第二導電膜4b形成。在此情況下， 接觸孔214b形成在層間絕緣膜21 4中。因此，輸入位置檢測電極21和配線27經由接觸孔 214b而電連接。此外，兩個第二安裝端子24b形成在基板20的第一表面20a上的外圍區域2b中， 其中在設置有第一安裝端子24a的區域的每一側設置一個。第一安裝端子24a電連接到配 線27，并且第二安裝端子24b在設置有第一安裝端子24a的區域的兩側電連接到屏蔽電極 28。本實施例與實施例1的其它構造類似。因此，省略其描述。在如上所述構造的輸入面板2中，在第一導電膜4a和第二導電膜4b中，在輸入操 作側的相反側的第二導電膜4b用于形成配線27。在第一導電膜4a和第二導電膜4b中，輸 入操作側的第一導電膜4a用于形成屏蔽電極28。電極28在輸入操作側與配線27重疊。 這提供了與實施例1相同的優點由于屏蔽電極28而遮蔽了試圖從輸入操作側進入配線 27的電磁噪聲。另一方面，與實施例2 —樣屏蔽輔助電極29在對應于基板20四邊的位置處形成 到層間絕緣膜214的外周邊緣之外。電極29的一部分從層間絕緣膜214暴露。另一方面， 屏蔽電極28在對應于基板20四邊的位置處形成到層間絕緣膜214的外周邊緣之外。因此， 屏蔽輔助電極29覆蓋層間絕緣膜214的外周側的側部214e。在層間絕緣膜214的外周側 (沒有形成層間絕緣膜214的區域中)，屏蔽電極28沿著電極29的整個縱向方向連接到從 層間絕緣膜214暴露的屏蔽輔助電極29。這提供了屏蔽電極28的實質降低的電阻。此外， 屏蔽電極28和屏蔽輔助電極29抑制了試圖從周圍環境進入配線27的電磁噪聲。[實施例5]將參考圖16A至18C描述基于實施例4的構造示例，其中輸入位置檢測電極21用 第二導電膜4b形成。圖16A至16D是示意性地圖解根據本發明實施例5的靜電電容輸入 裝置1的二維構造的示意圖。圖16A是圖解在靜電電容輸入裝置1的基板20上形成的電 極和其它部件之間的二維位置關系的示意圖。圖16B是圖解在基板20上形成的第一導電 膜4a的二維構造的示意圖。圖16C是圖解在基板20上形成的層間絕緣膜214的二維構造 的示意圖。圖16D是圖解在基板20上形成的第二導電膜4b的二維構造的示意圖。圖16A 是以重疊的方式圖解圖16B、16C和16D所示的元件。圖17是以放大的方式圖解在根據本發明實施例5的靜電電容輸入裝置1的基板 上形成的電極和其它部件的二維構造的示意圖。圖18A至18C是圖解根據本發明實施例5 的靜電電容輸入裝置1的基板20的截面構造的示意圖。圖18A、18B和18C是分別沿著圖 17所示的線A5-A5’、線B5-B5’和線C5-C5’剖取的基板20的截面圖。應當注意的是，本實施例在基本構造上與實施例1相同。因此，相同的部件由相同的附圖標記表示，并且省略其 描述。在根據本實施例的靜電電容輸入裝置1中，第一導電膜4a、層間絕緣膜214和第二 導電膜4b從基板20開始依次形成在基板20的第二表面20b上，如圖16A至18C所示。如圖16B 所示，第一導電膜4a在輸入區域2a的與稍后描述的接觸孔214a重疊的 位置處形成為為中繼電極215。此外，第一導電膜4a也在外圍區域2b中形成為屏蔽電極 28。如圖16C所示，與實施例1 一樣層間絕緣膜214形成在基板20的除外周邊緣之外 的大區域上。接觸孔214a形成在層間絕緣膜214中，其中每組包含四個接觸孔214a。如圖16D所示，第二導電膜4b首先在輸入區域2a中形成為多個矩形區域。這些 矩形區域構成第一輸入位置檢測電極211和第二輸入位置檢測電極212的焊墊部分211a 和212a (大面積部分)。此外，該膜4b形成在靠近邊緣部分20e的與第一安裝端子24a和 第二安裝端子24b重疊的區域中。此外，該膜4b在外圍區域2b中形成為多條配線27。而 且，第二導電膜4b在外圍區域2b的對應于基板20四邊的區域中形成為屏蔽輔助電極29。 這里，第一安裝端子24a連接到配線27，并且第二安裝端子24b連接到屏蔽輔助電極29。當如上所述構造的第一導電膜4a、層間絕緣膜214和第二導電膜4b依次堆疊時， 基板20構造為如圖16A、17和18A至18C所示。結果，多個輸入位置檢測電極21 (第一輸 入位置檢測電極211和第二輸入位置檢測電極212)形成在輸入區域2a中。此外，兩個第二安裝端子24b形成在基板20的第一表面20a上的外圍區域2b中， 其中在設置有第一安裝端子24a的區域的每一側設置一個。第一安裝端子24a電連接到配 線27，并且第二安裝端子24b在設置有第一安裝端子24a的區域的兩側電連接到屏蔽電極 28。本實施例與實施例1的其它構造類似。因此，省略其描述。 在如上所述構造的輸入面板2中，在第一導電膜4a和第二導電膜4b中，在輸入操 作側的相反側的第二導電膜4b用于形成配線27。在第一導電膜4a和第二導電膜4b中， 輸入操作側的第一導電膜4a用于形成屏蔽電極28。該電極28在輸入操作側與配線27重 疊。這提供了與實施例1相同的優點由于屏蔽電極28而遮蔽了試圖從輸入操作側進入配 線27的電磁噪聲。此外，與實施例2 —樣屏蔽輔助電極29在對應于基板20四邊的位置處形成到層 間絕緣膜214的外周邊緣之外。電極29的一部分從層間絕緣膜214暴露。另一方面，屏蔽 電極28在對應于基板20四邊的位置處形成到層間絕緣膜214的外周邊緣之外。因此，屏蔽 輔助電極29覆蓋層間絕緣膜214的外周側的側部214e。在層間絕緣膜214的外周側(沒 有形成層間絕緣膜214的區域中)，屏蔽電極28沿著電極29的整個縱向方向連接到從層間 絕緣膜214暴露的屏蔽輔助電極29。這提供了屏蔽電極28的實質降低的電阻。此外，屏蔽 電極28和屏蔽輔助電極29抑制了試圖從周圍環境進入配線27的電磁噪聲。[其它實施例]在上述實施例中，僅第一導電膜4a和第二導電膜4b中的任一個用于形成第一輸 入位置檢測電極211和第二輸入位置檢測電極212。然而，第一導電膜4a和第二導電膜4b 二者可以用于形成電極211和212。例如，第一導電膜4a可以用于形成第一輸入位置檢測 電極211，并且第二導電膜4b用于形成第二輸入位置檢測電極212。
在如上所述的實施例中，第一導電膜4a或者第二導電膜4b用于形成配線27的在 輸入操作側的屏蔽電極28。然而，備選地，圖2A和2B所示蓋90的遮光層90a可以用諸如 鉻的導電膜形成并用作屏蔽電極。在上述的實施例中，液晶裝置用作圖像產生裝置5。然而，備選地，有機電致發光裝 置可以用作圖像產生裝置5。[結合到電子設備的示例]接下來，將描述電子設備，其應用了配備有根據上述任一實施例的輸入裝置的電 光設備100。圖19A圖解了膝上個人計算機的構造，其具有配備了輸入裝置的電光設備100。 個人計算機2000包括作為顯示單元的配備有輸入裝置的電光設備100和主體部分2010。 電源開關2001和鍵盤2002提供在主體部分2010上。圖19B圖解了移動電話的構造，其具 有配備了輸入裝置的電光設備100。移動電話3000包括多個操作按鈕3001和滾動條按鈕 3002以及作為顯示單元的配備有輸入裝置的電光設 備100。顯示在配備有輸入裝置的電 光設備100上的屏幕可以通過操作滾動條按鈕3002進行滾動。圖19C圖解了個人數字助 理(PDA)的構造，其應用了配備有輸入裝置的電光設備100。PDA 4000包括多個操作按鈕 4001、電源開關4002和作為顯示單元的配備有輸入裝置的電光設備100。諸如地址簿和日 程表的各種信息通過操作操作按鈕4001而顯示在配備有輸入裝置的電光設備100上。應當注意的是，應用配備有輸入裝置的電光設備100的電子設備不僅僅只包括圖 19A至19C所示的電子設備，而且還包括數字靜態照相機、液晶電視機、取景器和直視型磁 帶錄像機、汽車導航儀、尋呼機、電子記事本、電子計算器、文字處理器、工作基站、TV電話、 POS終端和銀行終端。配備有輸入裝置的電光設備100可用作這些電子設備的顯示部分。本申請包含2009年7月27日提交至日本專利局的日本優先權專利申請JP 2009-173984中公開的相關主題事項，其全部內容通過弓I用結合于此。本領域的技術人員應當理解的是，在所附權利要求或其等同方案的范圍內，根據 設計需要和其他因素，可以進行各種修改、結合、部分結合和替換。
權利要求
一種靜電電容輸入裝置，包括基板的輸入區域，在該輸入區域中提供多個輸入位置檢測電極；多條配線，電連接到所述多個輸入位置檢測電極并且在所述基板的所述輸入區域之外延伸；以及屏蔽電極，在輸入操作側與所述配線重疊。
2.如權利要求1所述的靜電電容輸入裝置，其中 所述屏蔽電極提供為沿著所述基板的整個外周邊緣。
3.如權利要求1所述的靜電電容輸入裝置，其中第一導電膜、層間絕緣膜和第二導電膜從基板側開始依次形成在所述基板上， 在所述第一導電膜和所述第二導電膜中，該兩個導電膜中的至少一個用于形成所述輸 入位置檢測電極，在所述第一導電膜和所述第二導電膜中，在所述輸入操作側的相反側的導電膜用于形 成所述配線，并且在所述第一導電膜和所述第二導電膜中，在所述輸入操作側的導電膜用于形成所述屏 蔽電極。
4.如權利要求3所述的靜電電容輸入裝置，其中在所述第一導電膜和所述第二導電膜中，在所述輸入操作側的相反側的導電膜在所述 基板上用于形成在所述配線的外周側的屏蔽輔助電極，并且所述屏蔽輔助電極和所述屏蔽電極在沒有形成所述層間絕緣膜的區域中重疊并電連接在一起。
5.如權利要求4所述的靜電電容輸入裝置，其中 所述屏蔽輔助電極形成為沿著所述基板的所有邊，并且沿著所述屏蔽輔助電極的整個縱向方向所述屏蔽輔助電極和所述屏蔽電極重疊并電 連接在一起。
6.如權利要求3所述的靜電電容輸入裝置，其中在所述第一導電膜和所述第二導電膜中，該兩個導電膜中的至少一個用于在所述基板 的所述輸入區域之外提供第一安裝端子和第二安裝端子，并且所述第一安裝端子連接到所述配線，所述第二安裝端子連接到所述屏蔽電極。
7.如權利要求3所述的靜電電容輸入裝置，其中在所述第一導電膜和所述第二導電膜中，該兩個導電膜中的至少一個用于在所述基板 上提供多個第一輸入位置檢測電極和多個第二輸入位置檢測電極以作為所述輸入位置檢 測電極，所述第一輸入位置檢測電極在所述基板的平面內沿第一方向延伸， 所述第二輸入位置檢測電極在所述基板的平面內沿與所述第一方向交叉的第二方向 延伸，連接部分、中斷部分和中繼電極提供在所述第一輸入位置檢測電極和所述第二輸入位 置檢測電極間的每個交叉部分處，所述連接部分使所述第一輸入位置檢測電極和所述第二輸入位置檢測電極中的一方 連續并包括所述第一導電膜和所述第二導電膜中的一個，所述中斷部分是所述第一輸入位置檢測電極和所述第二輸入位置檢測電極中的另一 方中斷的部分，所述中繼電極隔著所述層間絕緣膜與所述連接部分重疊，以電連接所述第一輸入位置 檢測電極和所述第二輸入位置檢測電極中的所述另一方的所述中斷部分，并且所述中繼電極包括所述第一導電膜和所述第二導電膜中的另一個。
8.如權利要求3所述的靜電電容輸入裝置，其中所述第一導電膜、所述層間絕緣膜和所述第二導電膜形成在所述基板的所述輸入操作 側的基板表面上，所述配線用所述第一導電膜形成，并且所述屏蔽電極用所述第二導電膜形成。
9.如權利要求3所述的靜電電容輸入裝置，其中所述第一導電膜、所述層間絕緣膜和所述第二導電膜形成在所述基板的所述輸入操作 側的相反側的基板表面上，所述配線用所述第二導電膜形成，并且所述屏蔽電極用所述第一導電膜形成。
10.如權利要求1所述的靜電電容輸入裝置，其中與施加給所述輸入位置檢測電極的位置檢測信號具有相同波形和相位的電勢被施加 給所述屏蔽電極。
11.一種電光設備，配備有靜電電容輸入裝置的輸入裝置，該靜電電容輸入裝置包括基板的輸入區域，在所述輸入區域中提供多個輸入位置檢測電極；多條配線，電連接到所述多個輸入位置檢測電極并在所述基板的所述輸入區域之外延 伸；以及屏蔽電極，在輸入操作側與所述配線重疊，其中用于產生圖像的電光面板形成在與所述基板的所述輸入操作側相反的側。
全文摘要
本發明提供了靜電電容輸入裝置以及具有該輸入裝置的電光設備。該靜電電容輸入裝置包括基板的輸入區域，在該輸入區域中提供多個輸入位置檢測電極；多條配線，電連接到多個輸入位置檢測電極并在基板的輸入區域之外延伸；以及屏蔽電極，在輸入操作側與配線重疊。
文檔編號G06F3/044GK101968702SQ20101023448
公開日2011年2月9日 申請日期2010年7月20日 優先權日2009年7月27日
發明者倉島健 申請人:索尼公司