專利名稱：一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法
技術領域：
本發明涉及芯片技術領域，特別是涉及一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法。
背景技術：
在開發、設計和調試存儲器的過程中，需要對存儲器的功能進行仿真驗證。針對存儲器功能的仿真驗證可以采用能夠代替實際存儲器硬件功能的行為模型(即虛擬存儲器) 來進行，具體可以通過生成測試代碼(testbench)，使用仿真軟件(如NC_Verilog軟件或 modeIsim軟件)來實現。對于這種虛擬存儲器功能的仿真驗證，實質上與實際存儲器的仿真驗證并無二致。以對某個虛擬閃存(Flash Memory)進行讀操作的仿真驗證為例，目前閃存的讀操作方式主要包括l)Read data(單通道讀取方式)；2)Fast read(快速讀取方式)；3)Dual output fast read(雙輸出快速讀取方式)三種，在仿真驗證時，需要預先設置讀操作模式控制位，然后基于相應的讀操作模式控制位預定值的定義Normal Mode和DualSPI Mode, 寫入對應讀操作方式的指令代碼，通過執行所述指令代碼進行相應讀操作方式的功能驗證。即對于三種讀操作方式的全面驗證而言，可以包括如下步驟步驟Sl、取讀操作模式控制位默認值DSPI_L0CK = 1，DREAD_L0CK = 0，在這種設置下,在Normal Mode下,采用Dual outputfast read讀操作方式對Flash Memory進行仿真驗證；步驟S2、將讀操作模式控制位更改為DSPI_L0CK = 1，DREAD_L0CK = 1，在這種設置下，在Normal Mode下，采用Read data讀操作方式對Flash Memory進行仿真驗證；步驟S3、將讀操作模式控制位更改為DSPI_L0CK = 0, DREAD_L0CK = 1，在這種設置下，在Dual SPI Mode下，采用i^ast read讀操作方式對Flash Memory進行仿真驗證；在上述讀操作模式控制位更改的過程中，讀操作模式控制位會經歷從0到1的變換，由于閃存具有只能在擦除成功狀態下寫入的特性，因而在上述寫入11 (步驟S2)的過程中，必須先擦除在先讀操作模式控制位10才能寫入。除上述示例，無論采用何種驗證讀操作方式的順序，都會涉及將讀操作模式控制位從0到1的更改操作，即每一次全面驗證的過程必須經過至少一次讀操作模式控制位的擦除操作，從而影響存儲器讀操作功能驗證的效率。因此，目前需要本領域技術人員迫切解決的一個技術問題就是如何能夠創新地提出一種存儲器讀操作功能的仿真驗證機制，在能夠保證仿真驗證結果的基礎上，減少針對存儲器讀操作功能的仿真驗證時間，提高虛擬存儲器的仿真驗證效率。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法，用以在能夠保證仿真驗證結果的基礎上，減少針對存儲器功能的仿真驗證的時間，提高采用虛擬存儲器的仿真驗證效率。為了解決上述技術問題，本發明實施例公開了一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法，包括獲取仿真存儲器，所述仿真存儲器具有設置讀操作模式的控制位；讀取所述讀操作模式控制位的默認值，采用針對該讀操作模式控制位預設的第一讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證，所述默認值為表示存儲單元已擦除狀態的邏輯值；將所述讀操作模式控制位逐位更改為表示存儲單元編程狀態的邏輯值，并針對每次更改后的讀操作模式控制位，分別采用對應的其它讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證。優選的，所述讀操作模式控制位的默認值11，所述逐位更改讀操作模式控制位的步驟包括將所述讀操作模式控制位更改為10或者01，采用針對該讀操作模式控制位預設的第二讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證；將所述讀操作模式控制位更改為00，采用針對該讀操作模式控制位預設的第三讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證。優選的，所述讀操作模式控制位的默認值11對應于原始讀操作模式控制位10，所述第一讀操作方式為普通模式Normal mode下的雙輸出快速讀取方式Dual output fast read ；所述讀操作模式控制位10、01分別對應于原始讀操作模式控制位11、00，所述第二讀操作方式為普通模式Normal mode下的單通道讀取方式Read data ；所述讀操作模式控制位00對應于原始讀操作模式控制位01，所述第三讀操作方式為雙通道模式Dual SPI mode下的快速讀取方式i^ast read。優選的，通過加載指令代碼!3Bh，對存儲器采用普通模式Normal mode下的雙輸出快速讀取方式Dual output fast read進行仿真驗證；通過加載指令代碼03h，對存儲器采用普通模式Normal mode下的單通道讀取方式Read data進行仿真驗證；進入雙通道模式Dual SPI mode后，通過加載指令代碼OBh，對存儲器采用快速讀取方式i^ast read進行仿真驗證。優選的，寫入第一讀操作參數控制字，將所述讀操作模式控制位更改為10，或者， 寫入第二讀操作參數控制字，將所述讀操作模式控制位更改為01 ；寫入第三讀操作參數控制字，將所述讀操作模式控制位更改為00。優選的，所述寫入數據的步驟包括將欲寫入數據中為0的數據位，與讀出數據中的相應數據位進行比較；若讀出數據中的相應數據位為1，則寫0 ；若讀出數據中的相應數據位為0，則保持不變。優選的，所述讀操作模式控制位的默認值11對應于原始讀操作模式控制位01，所述第一讀操作方式為雙通道模式Dual SPI mode下的快速讀取方式i^ist read；所述讀操作模式控制位01、10分別對應于原始讀操作模式控制位11、00，所述第二讀操作方式為普通模式Normal mode下的單通道讀取方式Read data ；所述讀操作模式控制位00對應于原始讀操作模式控制位10，所述第三讀操作方式為普通模式Normal mode下的雙輸出快速讀取方式Dualoutput fast read。優選的，進入雙通道模式Dual SPI mode后，通過加載指令代碼OBh，對存儲器采用快速讀取方式i^ast read進行仿真驗證；通過加載指令代碼03h，對存儲器采用普通模式Normal mode下的單通道讀取方式Read data進行仿真驗證；通過加載指令代碼!3Bh，對存儲器采用普通模式Normal mode下的雙輸出快速讀 Mtj^ Dual output fast read ii^fi^^^iiHo優選的，寫入第一讀操作參數控制字，將所述讀操作模式控制位更改為10，或者， 寫入第二讀操作參數控制字，將所述讀操作模式控制位更改為01 ；寫入第三讀操作參數控制字，將所述讀操作模式控制位更改為00。優選的，所述寫入數據的步驟包括將欲寫入數據中為0的數據位，與讀出數據中的相應數據位進行比較；若讀出數據中的相應數據位為1，則寫0 ；若讀出數據中的相應數據位為0，則保持不變。優選的，所述讀操作模式控制位為位于存儲器中控制參數配置扇區ID Sector中一地址存儲單元的高兩位。與現有技術相比，本發明具有以下優點本發明通過將原始讀操作模式控制位的其中1位設置為反位，使得讀操作模式控制位的設置過程消除從0到1的變化，從而省略對控制參數配置扇區(ID Sector)的擦除步驟，提高虛擬存儲器的仿真驗證效率，并能保證仿真驗證結果的準確性。
圖1是本發明的一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法實施例1的流程圖；圖2是本發明的一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法實施例2的流程圖；圖3是本發明的一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法實施例3的流程圖；圖4是本發明的一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法實施例4的流程圖。
具體實施例方式為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖和具體實施方式
對本發明作進一步詳細的說明。以下簡單介紹存儲器的三種讀操作方式。第一種Read data在普通模式(Normal mode)下，對應讀操作模式控制位設置為DSPI_L0CK = 1，DREAD_L0CK = 1 ；或者，DSPI_L0CK= 0，DREAD_L0CK = 0。在這種讀操作方式中，DI_PAD為輸入端口，發送8位指令(0 )，M位首地址后， 數據將從D0_PAD (輸出端口)輸出。
第二種Fast read在Normal mode下，對應讀操作模式控制位設置為DSPI_L0CK = 1，DREAD_L0CK = 1，或者，DSPI_L0CK= 0，DREAD_L0CK = 0。在這種讀操作方式中，DI_PAD為輸入端口，發送8位指令(OBh)，24位首地址，8位隨機數后，數據將從D0_PAD (輸出端口 )輸出。在Dual SPI mode (dual spi mode，雙通道模式)下，對應讀操作模式控制位設置為DSPI_L0CK = 0，DREAD_L0CK = 1。在這種讀操作方式中，DI_PAD和D0_PAD為雙向端口，在發送8位指令(OBh)，24 為首地址，8位隨機數時，DI_PAD和D0_PAD為輸入端口，并行輸入，輸入完成后，DI_PAD和 D0_PAD為輸出端口，并行輸出數據。這種方式可以加快讀數據的速度。HHft :Dual output fast read 在Normal mode下，對應讀操作模式控制位設置為DSPI_L0CK = 1，DREAD_L0CK = 0。在這種讀操作方式中，DI_PAD為輸入端口，發送8位指令(!3Bh)，24位首地址，8位隨機數后，數據將從DI_PAD(輸出端口 )和D0_PAD(輸出端口 )并行輸出數據，這樣可以加快讀數據速度。在仿真存儲器中，讀操作方式的讀操作參數控制字通常在專用的控制參數配置扇區中固定地址存儲單元(8位)中的某兩位設置，如ID kctor中的地址M’h000004，DSPI_ LOCK和DREAD_L0CK通常為高兩位，為使本領域技術人員更準確地理解本發明，在本專利說明書中，均以IDkctor中高兩位的讀操作模式控制位設置，即DSPI_L0CK和DREAD_L0CK的對應設置為例詳細說明。采用現有技術全面驗證存儲器的讀操作功能時，若先對ID kctor的地址 24，h000004寫入讀操作參數控制字數據8，hbf,即使得DSPI_L0CK = 1，DREAD_L0CK = 0， 從而可以進行Normal mode下第三種方式的讀操作，根據存儲器寫操作的原理，接下來如果不擦除讀操作參數控制字，只能直接寫入讀操作參數控制字數據8，h3f,即使得DSPI_L0CK =0，DREAD_L0CK = 0，相應地只能實現第一種方式的讀操作。如果要實現第二種方式的讀操作，就必須先對ID kctor進行擦除后，再寫入讀操作參數控制字數據8’h7f，使得DSPI_ LOCK = 0,DREAD_L0CK = 1。顯然，這種對ID Sector的擦除操作會影響到存儲器整體讀操作驗證過程的效率。正是由于本專利發明人注意到了這一點，因此創造性地提出了本發明實施例的核心構思之一在于，通過消除讀操作模式控制位設置過程中從0到1變換的操作，從而省略對 ID Sector的擦除步驟，以提高虛擬存儲器的仿真驗證效率，并能保證仿真驗證結果的準確性。參考圖1，示出了本發明的一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法實施例1的流程圖，具體可以包括以下步驟步驟101、獲取仿真存儲器，所述仿真存儲器具有設置讀操作模式的控制位；步驟102、讀取所述讀操作模式控制位的默認值，采用針對該讀操作模式控制位預設的第一讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證，所述默認值為表示存儲單元已擦除狀態的邏輯值；步驟103、將所述讀操作模式控制位逐位更改為表示存儲單元編程狀態的邏輯值， 并針對每次更改后的讀操作模式控制位，分別采用對應的其它讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證。公知的是，所述表示存儲單元已擦除狀態(erase)的邏輯值由1位或多位1表征；所述表示存儲單元編程狀態(program)的邏輯值通常由1位或多位0表征，則在本發明實施例中，可以使得讀操作模式控制位的變換過程消除從0到1的變化，從而省略對ID kctor的擦除步驟，提高虛擬存儲器的仿真驗證效率。參考圖2，示出了本發明的一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法實施例2的流程圖，具體可以包括以下步驟步驟201、獲取仿真存儲器，所述仿真存儲器具有設置讀操作模式的2位讀操作參數控制字；步驟202、讀取所述讀操作模式控制位的默認值11，采用針對該讀操作模式控制位預設的第一讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證；步驟203、將所述讀操作模式控制位更改為10或者01，采用針對該讀操作模式控制位預設的第二讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證；步驟204、將所述讀操作模式控制位更改為00，采用針對該讀操作模式控制位預設的第三讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證。可以看出，上述讀操作模式控制位的設置只涉及從1到0變換的操作，而不涉及從 0到1變換的操作，因此，在本發明實施例中，不需要在更改讀操作模式控制位的設置過程中執行對ID Sector的擦除步驟，即可實現三種讀操作方式的全面驗證過程。參考圖3，示出了本發明的一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法實施例3的流程圖，具體可以包括以下步驟步驟301、獲取仿真存儲器，所述仿真存儲器具有設置讀操作模式的2位讀操作模式控制位；步驟302、讀取所述讀操作模式控制位的默認值11，加載指令代碼!3Bh，采用普通模式Normal mode下的雙輸出快速讀取方式Dual outputfast read，對所述存儲器進行仿真驗證；其中，所述讀操作參數控制字的默認值11對應于原始讀操作參數控制字DSPI_ LOCK = 1，DREAD_L0CK = 0，即在本實施例中，所述讀操作模式控制位為DSPI_L0CK = 1， DREAD_L0CK_b = 1 ；其中，DREAD_L0CK 與 DREAD_L0CK_b 為相反關系。步驟303、將所述讀操作模式控制位更改為10或01，加載指令代碼03h，采用普通模式Normal mode下的單通道讀取方式Read data，對所述存儲器進行仿真驗證；其中，所述讀操作模式控制位的默認值10對應于原始控制位DSPI_L0CK = 1， DREAD_L0CK = 1，所述讀操作模式控制位的默認值01對應于原始讀操作模式控制位DSPI_ LOCK = 0，DREAD_L0CK = 0，即在本實施例中，所述讀操作模式控制位為DSPI_L0CK = 1， DREAD_L0CK_b = 0 ；或為，DSPI_L0CK = 0，DREAD_L0CK_b = 1。步驟304、將所述讀操作模式控制位更改為00，進入雙通道模式DualSPI mode下，通過加載指令代碼OBh，采用快速讀取方式i^ast read,對所述存儲器進行仿真驗證。其中，所述控制位的默認值00對應于原始讀操作模式控制位DSPI_L0CK = 0， DREAD_L0CK = 1，即在本實施例中，所述讀操作模式控制位為DSPI_L0CK = 0,DREAD_L0CK_ b = 0。可以理解，本實施例通過將原始讀操作模式控制位的第2位(即DREAD_L0CK)設置為反位，即可使得控制位的設置過程消除從0到1的變化，為保證全面驗證的準確性，在具體實現中，只需要預先配置讀操作模式控制位的相應識別方式即可。即在本實施例中，三種讀操作方式的讀操作模式控制位設置還可以為第一種Read data在Normal mode下，對應讀操作模式控制位設置為DSPI_L0CK = 1，DREAD_L0CK_b = 0 ；或者，DSPI_L0CK= 0，DREAD_L0CK_b = 1。第二種Fast read在Normal mode下，對應讀操作模式控制位設置為DSPI_L0CK = 1，DREAD_L0CK_b = 0，或者，DSPI_L0CK= 0，DREAD_L0CK_b = 1。在Dual SPI mode下，對應讀操作模式控制位設置為DSPI_L0CK = 0，DREAD_L0CK_b = 0。HHft :Dual output fast read在Normal mode下，對應讀操作模式控制位設置為DSPI_L0CK = 1，DREAD_L0CK_b = 1。以下通過一個具體的應用示例更進一步說明本實施例。在采用SPI(串行外設接口)技術的閃存中，發指令和傳送數據或地址都是采用8 位串行傳送的方式。在全面驗證讀操作功能的過程中，選擇讀操作方式時，先取ID Sector 中的讀操作參數控制字地址24’ h000004的默認值，由于通常默認值是全1，即存入的數據為8’ hff，即相應的讀操作模式控制位為DSPI_L0CK = 1，DREAD_L0CK_b = 1 ；在這種情況下，可以進行Normal mode下Dual output fast read方式的讀操作，于是相應地寫入該方式的指令代碼3Bh，即可發起存儲器采用該方式的讀操作驗證。進行下一種讀操作方式的驗證，將ID Sector的地址M’h000004寫入第一讀操作參數控制字數據8’ hbf,即DSPI_L0CK = l，DREAD_L0CK_b = 0，或者，寫入第二讀操作參數控制字數據 8，h7f,即 DSPI_L0CK = 0，DREAD_L0CK_b = 1，可以進行 Normal mode 下 Read data方式的讀操作，相應地寫入該方式的指令代碼03h，即可發起存儲器采用該方式的讀操作驗證。繼續進行下一種讀操作方式的驗證，將對ID Sector的地址M’h000004寫入第三讀操作參數控制字數據8’ h3f，即DSPI_L0CK = 0，DREAD_L0CK_b = 0，可以進行Dual SPI mode下Fast read的讀操作，相應地在進入Dual SPI mode后寫入Fast read方式的指令代碼OBh，即可發起存儲器采用該方式的讀操作驗證。其中，所述寫入數據的步驟可以包括將欲寫入數據中為0的數據位，與讀出數據中的相應數據位進行比較；
若讀出數據中的相應數據位為1，則寫0 ；若讀出數據中的相應數據位為0，則保持不變。例如，從存儲器(memory)中讀出的數據SAOUT為8，bOlOllOlO,欲寫入數據 SRAM0UT為8’ blOOlOOll，將SRAM0UT中為“0”的數據位與SAOUT的相應數據位(第2，3， 5，6位)進行比較，第3，6位不同，由于SAOUT第3，6位為1，則直接寫0，或如讀出數據SAOUT 為 8，b00010010，欲寫入數據 SRAM0UT 是 8，blOOlOOll，進行第2，3，5，6位數據的比較，完全相同，則不需要執行寫操作。當然，上述讀操作參數控制字的具體數據僅僅用作示例，在實際中，本領域技術人員根據實際情況采用對應的其它數據均是可行的，本發明對此無需加以限制。從上述示例可以看出，本實施例中每一次讀操作參數控制字的設置是符合寫操作的原理，不需要進行擦除后再執行寫操作，因而可以有效縮短驗證時間，提高驗證效率。參考圖4，示出了本發明的一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法實施例4的流程圖，具體可以包括以下步驟步驟401、獲取仿真存儲器，所述仿真存儲器具有設置讀操作模式的2位讀操作模式控制位；步驟402、讀取所述讀操作模式控制位的默認值11，進入雙通道模式Dual SPI mode，通過加載指令代碼OBh，采用快速讀取方式i^ast read，對所述存儲器進行仿真驗證；其中，所述讀操作模式控制位的默認值11對應于原始讀操作模式控制位DSPI_ LOCK = 0,DREAD_L0CK = 1，即在本實施例中，所述讀操作模式控制位為DSPI_L0CK_b = 1， DREAD_L0CK = 1 ；其中，DSPI_L0CK 與 DSPI_L0CK_b 為相反關系。步驟403、將所述讀操作模式控制位更改為01，加載指令代碼03h，采用普通模式 Normal mode下的單通道讀取方式Read data，對所述存儲器進行仿真驗證；其中，所述讀操作模式控制位的默認值01對應于原始讀操作模式控制位DSPI_ LOCK = 1，DREAD_L0CK = 1，即在本實施例中，所述讀操作模式控制位為DSPI_L0CK_b = 0， DREAD_L0CK = 1。步驟404、將所述讀操作參數控制字更改為00，加載指令代碼!3Bh，采用普通模式 Normal mode下的雙輸出快速讀取方式Dual output fastread，對所述存儲器進行仿真驗證。其中，所述讀操作模式控制位的默認值00對應于原始讀操作模式控制位DSPI_ LOCK = 1，DREAD_L0CK = 0，即在本實施例中，所述讀操作模式控制位為DSPI_L0CK_b = 0， DREAD_L0CK = 0。本實施例與圖2所示實施例的不同之處在于，本實施例是將原始讀操作參數控制字的第1位(即DSPI_L0CK)設置為反位，從而消除讀操作模式控制位的設置過程中從0到 1的變化，為保證全面驗證的準確性，在具體實現中，只需要預先配置讀操作模式控制位的相應識別方式即可。可以理解，在本實施例中，三種讀操作方式的讀操作模式控制位設置還可以為第一種Read data在Normal mode下，對應讀操作模式控制位設置為DSPI_L0CK_b = 0，DREAD_L0CK = 1 ；
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或者，DSPI_L0CK_b= 1，DREAD_L0CK = 0。第二種:Fast read在Normal mode下，對應讀操作模式控制位設置為DSPI_L0CK_b = 0，DREAD_L0CK = 1，或者，DSPI_L0CK_b= 1，DREAD_L0CK_b = 0。在Dual SPI mode下，對應讀操作模式控制位設置為DSPI_L0CK_b = 1，DREAD_L0CK = 1。HHft :Dual output fast read在Normal mode下，對應讀操作模式控制位設置為DSPI_L0CK_b = 0，DREAD_L0CK = 0。以下通過一個具體的應用示例更進一步說明本實施例。在采用SPI(串行外設接口)技術的閃存中，發指令和傳送數據或地址都是采用8 位串行傳送的方式。在全面驗證讀操作功能的過程中，選擇讀操作方式時，先取ID Sector 中的讀操作參數控制字地址24’ h000004的默認值，由于通常默認值是全1，即存入的數據為8’ hff，即相應的讀操作模式控制位為DSPI_L0CK_b = 1，DREAD_L0CK = 1 ；在這種情況下，可以進行Dual SPI mode下i^ast read方式的讀操作，于是相應地在進入Dual SPImode 后寫入i^ast read方式的指令代碼OBh，即可發起存儲器采用該方式的讀操作驗證。進行下一種讀操作方式的驗證，將ID kctor的地址M，h000004寫入數據8，hbf， 即 DSPI_L0CK_b = 1，DREAD_L0CK = 0，或者，寫入數據 8，h7f，即 DSPI_L0CK_b = 0，DREAD_ LOCK = 1，可以進行Normal mode下Readdata方式的讀操作，相應地寫入該方式的指令代碼03h，即可發起存儲器采用該方式的讀操作驗證。繼續進行下一種讀操作方式的驗證，將對ID Sector的地址M’h000004寫入數據 8，h3f,即 DSPI_L0CK_b = 0，DREAD_L0CK = 0，可以進行 Normalmode 下 Dual output fast read的讀操作，相應地寫入該方式的指令代碼!3Bh，即可發起存儲器采用該方式的讀操作驗證。從上述示例可以看出，本實施例中每一次讀操作模式控制位的設置是符合寫操作的原理，不需要進行擦除后再執行寫操作，因而可以有效縮短驗證時間，提高驗證效率。需要說明的是，盡管本發明實施例中以2位的讀操作模式控制位為示例，但本領域技術人員結合實際情況對3位、4位或更多位的讀操作模式控制位采用本發明的方法進行存儲器讀操作功能的仿真驗證均是可行的，本發明對此無需加以限制。本說明書中的各個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。以上對本發明所提供的一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法進行了詳細介紹， 本文中應用了具體個例對本發明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發明的方法及其核心思想；同時，對于本領域的一般技術人員，依據本發明的思想，在具體實施方式
及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本發明的限制。
權利要求
1.一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法，其特征在于，包括 獲取仿真存儲器，所述仿真存儲器具有設置讀操作模式的控制位；讀取所述讀操作模式控制位的默認值，采用針對該讀操作模式控制位預設的第一讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證，所述默認值為表示存儲單元已擦除狀態的邏輯值；將所述讀操作模式控制位逐位更改為表示存儲單元編程狀態的邏輯值，并針對每次更改后的讀操作模式控制位，分別采用對應的其它讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述讀操作模式控制位的默認值11，所述逐位更改讀操作模式控制位的步驟包括將所述讀操作模式控制位更改為10或者01，采用針對該讀操作模式控制位預設的第二讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證；將所述讀操作模式控制位更改為00，采用針對該讀操作模式控制位預設的第三讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述讀操作模式控制位的默認值11對應于原始讀操作模式控制位10，所述第一讀操作方式為普通模式Normal mode下的雙輸出快速Dual output fast read ； 所述讀操作模式控制位10、01分別對應于原始讀操作模式控制位11、00，所述第二讀操作方式為普通模式Normal mode下的單通道讀取方式Read data ；所述讀操作模式控制位00對應于原始讀操作模式控制位01，所述第三讀操作方式為雙通道模式Dual SPI mode下的快速讀取方式i^ast read。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，通過加載指令代碼:3Bh，對存儲器采用普通模式Normal mode下的雙輸出快速讀取方式Dualoutput fast read進行仿真驗證；通過加載指令代碼03h，對存儲器采用普通模式Normal mode下的單通道讀取方式 Read data進行仿真驗證；進入雙通道模式Dual SPI mode后，通過加載指令代碼OBh，對存儲器采用快速讀取方式i^ast read進行仿真驗證。
5.如權利要求2、3或4所述的方法，其特征在于，寫入第一讀操作參數控制字，將所述讀操作模式控制位更改為10，或者，寫入第二讀操作參數控制字，將所述讀操作模式控制位更改為01 ；寫入第三讀操作參數控制字，將所述讀操作模式控制位更改為00。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述寫入數據的步驟包括 將欲寫入數據中為0的數據位，與讀出數據中的相應數據位進行比較；若讀出數據中的相應數據位為1，則寫0;若讀出數據中的相應數據位為0，則保持不變。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述讀操作模式控制位的默認值11對應于原始讀操作模式控制位01，所述第一讀操作方式為雙通道模式Dual SPI mode下的快速讀取方式Fast read ；所述讀操作模式控制位01、10分別對應于原始讀操作模式控制位11、00，所述第二讀操作方式為普通模式Normal mode下的單通道讀取方式Read data ；所述讀操作模式控制位00對應于原始讀操作模式控制位10，所述第三讀操作方式為普通模式Normal mode下的雙輸出快速讀取方式Dualoutput fast read。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，進入雙通道模式DualSPImode后，通過加載指令代碼OBh，對存儲器采用快速讀取方式i^ast read進行仿真驗證；通過加載指令代碼03h，對存儲器采用普通模式Normal mode下的單通道讀取方式 Read data進行仿真驗證；通過加載指令代碼3Bh，對存儲器采用普通模式Normal mode下的雙輸出快速讀取方 ζ Dual output fast read :
9.如權利要求7或8所述的方法，其特征在于，寫入第一讀操作參數控制字，將所述讀操作模式控制位更改為10，或者，寫入第二讀操作參數控制字，將所述讀操作模式控制位更改為01 ；寫入第三讀操作參數控制字，將所述讀操作模式控制位更改為00。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述寫入數據的步驟包括 將欲寫入數據中為0的數據位，與讀出數據中的相應數據位進行比較；若讀出數據中的相應數據位為1，則寫0;若讀出數據中的相應數據位為0，則保持不變。
11.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述讀操作模式控制位為位于存儲器中控制參數配置扇區ID Sector中一地址存儲單元的高兩位。
全文摘要
本發明公開了一種存儲器讀操作功能的仿真驗證方法，包括獲取仿真存儲器，所述仿真存儲器具有設置讀操作模式的控制位；讀取所述讀操作模式控制位的默認值，采用針對該讀操作模式控制位預設的第一讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證，所述默認值為表示存儲單元已擦除狀態的邏輯值；將所述讀操作模式控制位逐位更改為表示存儲單元編程狀態的邏輯值，并針對每次更改后的讀操作模式控制位，分別采用對應的其它讀操作方式，對所述存儲器進行仿真驗證。本發明可以在能夠保證仿真驗證結果的基礎上，減少針對存儲器功能的仿真驗證的時間，提高采用虛擬存儲器的仿真驗證效率。
文檔編號G06F9/455GK102200926SQ20101013211
公開日2011年9月28日 申請日期2010年3月24日 優先權日2010年3月24日
發明者涂美紅, 胡洪, 舒清明 申請人:北京兆易創新科技有限公司