專利名稱：一種用于存儲少量可更改信息的rom模擬改寫方法
技術領域：
本發明涉及一種可模擬改寫ROM內容的實現方法，屬于家用電器產品的信息改寫 技術領域，特別適用含ROM單片機/IC的電磁爐產品。
背景技術：
隨著單片機/IC技術在電子應用領域的普及，越來越多的電子產品開始使用單片 機/IC，尤其是涉及程序化產品。依據單片機/IC的永久記憶體是否可以重復拆寫分ROM, EEPROM，FLASH。前者只可以編程一次，后兩種可以進行多次編程，但價格比ROM高很多。在 產品競爭劇烈的環境下，不少廠家紛紛采用ROM單片機/IC，特別是家電領域。
因為ROM單片機/IC只可以編程一次，是優點也是缺點。優點是程序或信息一旦 寫入ROM無法再變更，信息相對安全可靠。缺點則是一旦程序或信息寫錯，將引起此單片機 /IC的更換或報廢，因此要承受相當大風險。 在家電應用上，有時需要將一些關鍵信息放置于單片機/IC的R0M里，以方便查閱 或跟蹤品質等，如將生產日期，批次等信息組成的電子條碼寫入單片機/IC的ROM中。可問 題是一旦寫入錯的電子條碼就無法得到修正。如果需要修正只有棄用此顆已經寫入錯誤電 子條碼的單片機/IC，而更換空白的單片機/IC，重新燒入正確的電子條碼。這對生產是一 個極大的浪費。 使用EEPROM， FLASH單片機/IC雖然可以克服上述缺點，但其成本高。不是最好的 解決方案。
發明內容
本發明的目的提供一種用于存儲少量可更改信息的ROM模擬改寫方法，能在現有 ROM單片機/IC的基礎上，實現有限次數ROM改寫功能，相當于使含有ROM的單片機/IC具 有了可擦寫的功能。 本發明包括如下技術特征一種用于存儲少量可更改信息的ROM模擬改寫方法， 包括如下步驟 a、在單片機/IC的ROM燒錄固定程序后的余下空間里，區分若干個可外部指定的 ROM地址； b、依據外部設定條件判斷是否需要改寫ROM內容，如需要改寫，對指定的ROM地址 進行燒錄； c、通過指針跳轉到指定的ROM地址，讀取數據取代原來數據，實現數據改寫。
本發明所述的少量可更改信息為家電產品的電子條碼。 通過外部電阻模塊的電平組合實現是否需要改寫ROM內容的條件判斷和對ROM地 址的外部指定。具體為所述外部電阻模塊包括電阻R1、R2、R3、R4、R5、R6 ;電阻R1與R4 組成的串聯電路一端接電源，另一端接地；電阻R2與R5組成的串聯電路一端接電源，另一 端接地；電阻R3與R6組成的串聯電路一端接電源，另一端接地，含有ROM的單片機/IC的端口 SI接在電阻Rl與R4之間；含有ROM的單片機/IC的端口 S2接在電阻R2與R5之間； 含有ROM的單片機/IC的端口 S3接在電阻R3與R6之間。 本發明通一個可顯示ROM內容的顯示裝置顯示信息數據并判斷是否正確。所述的 顯示裝置是LED燈、液晶屏、VFD或數碼管。 本發明是一種基于低成本的ROM單片機/IC的技術方案，具體為一種用于存儲少 量可更改信息的ROM模擬改寫方法，應用此方法可克服ROM只可以編程一次而不能再更改 其內容的弊端。 一般在程序設計時，ROM內部空間不會全部用完，還會留有空余區域用作程 序擴展升級，利用此特性，在ROM空余區域再安排一小部分空白空間用作存放要改寫ROM內 容的數據。因為此部分是沒有燒錄過的，可以輸入任意我們需要的數據，依據地址的分配， 可以實現多次輸入，從而實現多次改寫的目的。
圖1為本發明各部件的連接框圖， 圖2為本發明判定改寫ROM內容的不同電平組合與對應的改寫次數圖，
圖3為本發明第一實施例的存儲體分布圖，
圖4為本發明第一實施例的改寫ROM內容流程圖，
圖5為本發明第一實施例的燒錄裝置工作流程圖，
具體實施例方式
下面結合附圖1至5的實施例對本發明作進一步描述。 配合如圖1的硬件系統連接框圖，發明包括包含ROM的單片機/IC，外部電阻模塊 4，顯示裝置2和燒錄裝置3。電阻Rl與R4組成的串聯電路一端接+5V電源，另一端接地； 電阻R2與R5組成的串聯電路一端接+5V電源，另 一端接地；電阻R3與R6組成的串聯電路 一端接+5V電源，另一端接地。此三組串聯電路之間又相互并聯。含有R0M的單片機/IC 的端口 SI接在電阻Rl與R4之間；含有ROM的單片機/IC的端口 S2接在電阻R2與R5之 間；含有ROM的單片機/IC的端口 S3接在電阻R3與R6之間。 圖2給出是否需要改寫ROM內容以及改寫次數的電平組合圖。控制程序完成初始
化，隨后完成其他任務，單片機/IC開始判斷端口 Sl， S2， S3的電平狀態。 如果SI = 0， S2 = 0， S3 = 0，即T = 0，說明不用更改，程序讀取默認地址數據即
為正確值，然后程序繼續執行其他任務即可。 如果SI = 0， S2 = 0， S3 = 1，即T = 1，則依照其數值的指向，使指針跳轉到指定 ROM地址讀取相應數據來取代默認數據，這樣便可以實現用新數據代替原來數據，完成了 一 次改寫數據過程。 如果SI = 0，S2 = 1，S3 = 0，即T = 2，則指針跳轉到另外一個指定ROM地址讀取 相應數據來取代默認數據，完成了第二次改寫。
其他次數讀取原理同此，依次類推。 其中，所述的指定ROM地址所對應的空間由于原來是空白的，因此可以由燒錄裝 置輸入任意所需要的數據。 燒錄裝置工作流程依照圖5，同樣是完成初始化，其他任務，然后判斷S1，S2，S3的電平狀態， 如果SI = 0， S2 = 0， S3 = 0，即T = 0，說明不用燒錄了 。 如果SI = 0， S2 = 0， S3 = 1，即T = l，則到指定ROM地址去燒入需要的數據，完成了一次改變數據功能。 如果Sl =0，S2= 1，S3 = O，即T = 2，則到另外一個指定R0M地址去燒入需要的
數據，完成了第二次改變數據功能。 其他次數原理同此，依次類推。 當然，由于ROM空間是有限的，所以改寫次數理論是有限的，本例中舉例為7次。
實際應用中，可以擴展端口的個數或命令，擴展ROM空間，從而實現更多次改寫。
以電磁爐產品為例，在生產時，需要將生產日期，批號等信息制作成電子條碼用燒錄裝置輸入單片機/IC的ROM中，以方便查詢跟蹤產品品質，去向等。 在生產過程查詢時，通過相關按鍵進入顯示程序，將電子條碼數據(實際是ROM內容)顯示在顯示裝置的LED或其他顯示屏上。此時通過校驗，確認是否正確，正確就不用更改了，正常出貨。 如果發現數據有錯，就需要對ROM內容進行改寫而糾正錯誤。 可以改變圖1中的相關電阻值，實現不同的電平組合信號來識別是否需要改寫以及改寫的次數。
權利要求
一種用于存儲少量可更改信息的ROM模擬改寫方法，其特征在于包括如下步驟a、在單片機/IC的ROM燒錄固定程序后的余下空間里，區分若干個可外部指定的ROM地址；b、依據外部設定條件判斷是否需要改寫ROM內容，如需要改寫，對指定的ROM地址進行燒錄；c、通過指針跳轉到指定的ROM地址，讀取數據取代原來數據，實現數據改寫。
2. 根據權利要求1所述的用于存儲少量可更改信息的ROM模擬改寫方法，其特征在于 所述的少量可更改信息為產品的電子條碼。
3. 根據權利要求1所述的用于存儲少量可更改信息的R0M模擬改寫方法，其特征在于 步驟b通過外部電阻模塊的電平組合實現是否需要改寫ROM內容的條件判斷和對ROM地址 的外部指定。
4. 根據權利要求3所述的用于存儲少量可更改信息的R0M模擬改寫方法，其特征在于 所述外部電阻模塊包括電阻R1、R2、R3、R4、R5、R6 ;電阻Rl與R4組成的串聯電路一端接電 源，另 一端接地；電阻R2與R5組成的串聯電路一端接電源，另 一端接地；電阻R3與R6組成 的串聯電路一端接電源，另一端接地，含有ROM的單片機/IC的端口 Sl接在電阻R1與R4 之間；含有ROM的單片機/IC的端口 S2接在電阻R2與R5之間；含有ROM的單片機/IC的 端口 S3接在電阻R3與R6之間。
5. 根據權利要求1所述的用于存儲少量可更改信息的R0M模擬改寫方法，其特征在于 步驟c后通一個可顯示ROM內容的顯示裝置顯示信息數據并判斷是否正確。
6. 根據權利要求5所述的用于存儲少量可更改信息的R0M模擬改寫方法，其特征在于 所述的顯示裝置是LED燈、液晶屏、VFD或數碼管。
全文摘要
本發明為一種用于存儲少量可更改信息的ROM模擬改寫方法，包括外部電阻模塊、含有ROM的單片機/IC、燒錄裝置和顯示裝置。先通過燒錄裝置將控制程序燒入單片機/IC中的ROM，此時ROM中仍留有空白空間。單片機/IC通過判斷外部電阻模塊識別條件，判斷是否需要改寫ROM內容，如需要改寫，可利用燒錄裝置對ROM空白空間的指定地址進行燒錄，而單片機/IC控制程序則跳轉到此ROM指定地址讀取相關數據。由于此ROM指定地址內容是后來燒錄更新的，所以相當于原ROM地址內容已經進行更新了。顯示裝置顯示此ROM指定地址的數據確認ROM是否更新了，以及是否是用戶所需要的正確數據。用此方法模擬實現了改寫ROM的功能，從而免除了寫錯就報廢的缺點。本發明操作簡單，成本低，實用性強。
文檔編號G06F11/32GK101719071SQ20091019423
公開日2010年6月2日 申請日期2009年11月27日 優先權日2009年11月27日
發明者洪堯枝 申請人:美的集團有限公司