制造坐標檢測器的方法

專利名稱：制造坐標檢測器的方法
技術領域：
本方面涉及制造坐標檢測器的方法；更具體地，涉及制造一種被 配置為檢測輸入位置的坐標并輸出與輸入位置相對應的信號的坐標 檢測器的方法。
背景技術：
用于計算機系統的輸入裝置的例子包括觸摸面板。觸摸面板安裝 于顯示器上，并能夠檢測顯示器上的坐標位置并獲得與坐標位置相對 應的檢測信號。觸摸面板允許直接、簡單和直觀的輸入。
提出了用于觸摸面板的各種系統，諸如利用電阻膜的系統、利用 光學成像的系統以及利用電容耦合的系統。 一般使用的是結構簡單且 易于控制的電阻膜型觸摸面板。根據電極在電阻膜上的排列有若干種 類型的低電阻系統觸摸面板，例如四線型、五線型和八線型。
其中，與四線或者八線電阻膜觸摸面板相比，五線觸摸面板沒有 四線型和八線型所具有的邊緣滑動(edge sliding)缺陷的問題，這是 因為，在五線觸摸面板中，設置在操作表面一側上的上部襯底的導電 膜只被用于讀出電勢。因此，五線觸摸面板被用于苛刻的使用環境或 者要求長使用壽命的情況。
圖l給出了五線電阻膜觸摸面板的概要圖。
參照

圖1 ，五線電阻膜觸摸面板1包括上部基板11和下部基板12。
下部基板12包括玻璃基板21和形成于玻璃基板21的整個表面 上的透明電阻膜22。在電阻膜22上形成用于檢測X軸坐標的X坐標
上部基板11包括膜基板31和形成于膜基板31上的透明電阻膜32。在透明電阻膜32上形成用于檢測坐標的坐標檢測電極33。
首先，對X坐標檢測電極23和24施加電壓引起沿下部基板12 上的透明電阻膜22的沿X軸方向的電位分布。此時，可以通過檢測 下部基板12的透明電阻膜22中的電位檢測出上部基板11接觸下部 基板12的位置處的X坐標。
然后，對Y坐標檢測電極25和26施加電壓引起沿下部基板12 上的透明電阻膜22的沿Y軸方向的電位分布。此時，可以通過檢測 下部基板12的透明電阻膜22中的電位檢測出上部基板11接觸下部 基板12的位置處的Y坐標。
此時，如何使電位在下部基板12的透明電阻膜22中均勻地分布 成為該類型觸摸面板中的問題。專利文獻1 (以下列出)公開了為了 使電位在下部基板12的透明電阻膜22中均勻分布而設置多級的外圍 電位分布校正圖案的方法。
專利文獻2 (以下列出)公開了設置公共電極以包圍輸入表面的 方法。專利文獻3 (以下列出)公開了在設置于透明電阻膜上的絕緣 膜內形成開口并經此開口施加電位的方法。
圖2給出了本實施方式的坐標檢測器的系統結構的概要圖。在本 實施方式中，對作為坐標輸入系統100的所謂的五線模擬電阻膜觸摸 面板給出了說明。本實施方式的坐標輸入系統100包括面板部分111 和接口板112。
面板部分111包括下部基板121、上部基板122、間隔件123以 及柔性印刷電路(FPC)線纜124。下部基板121和上部基板122通 過間隔件123附著在一起。間隔件123由絕緣雙面膠帶等形成，并以 下部基板121與上部基板122之間的預定的間隙將下部基板121與上 部基板122連在一起。FPC線纜124具有形成于柔性印刷電路板(圖 中未示出)上的第一~五互連，并通過以熱壓焊在該FPC線纜124 上接合各向異性導電膜而被連接至下部基板121。
接下來，參照圖3A至3E說明下部基板121的結構。 圖3A為下部基板121的俯視圖。圖3B為下部基板121沿圖3A 的A-A線的截面圖。圖3C為下部基板121沿圖3A的B-B線的截面圖。圖3D為下部基板121沿圖3A的C-C線的截面圖。圖3E為下部 基板121沿圖3A的D-D線的截面圖。
下部基板121包括玻璃基板131、透明電阻膜132、電阻膜去除 區域133、公共電極134、第一絕緣膜135,互連136-1、 136-2、 136-3 和136-4、以及第二絕緣膜137。互連136-1至136-4還可集體地以附 圖標記136表示。
透明電阻膜132形成于玻璃基板141的整個表面上方。透明電阻 膜132是通過諸如真空蒸鍍之類的方法沉積ITO (銦錫氧化物)等形 成的，是一種可透射可見光并具有預定電阻的膜。根據本實施方式，
所有透明電阻膜132可以-但不必須——在電阻膜去除區域133中
被去除。即，透明電阻膜132可以在電阻膜去除區域133中被部分地 去除。可以通過將電阻膜去除區域133的外圍中的透明電阻膜132的 一部分去除來為保留在電阻膜去除區域133內的透明電阻膜132與電 阻膜去除區域133外的透明電阻膜132之間提供電絕緣。這樣，電阻 膜去除區域133例如可以由不具有透明電阻膜132的線性區域構成， 而透明電阻膜132由該線性區域包圍或者處于線性區域內。在圖3B 至圖3E中，為圖示方便之目的，以附圖標記133表示該線性區域。
通過這樣在保留在電阻膜去除區域133內的透明電阻膜132與電 阻膜去除區域133外的透明電阻膜132之間提供電絕緣，可以產生與 去除電阻膜去除區域133內的所有透明電阻膜132相同的效果。與去 除電阻膜去除區域133內的所有透明電阻膜132的情況相比，由于透 明電阻膜132的去除量的減少，生產能力得到提高。
第一互連136-1例如由諸如銀的低電阻材料形成，并沿下部基板 121的第一側邊171-1形成于第一絕緣膜135上。形成第一互連136-1 以填充形成于第一絕緣膜135中的第一通孔151-1。此外第一互連 136-1連接至FPC線纜124 (圖2 )的第一互連。
第二互連136-2例如由諸如銀的低電阻材料形成，并沿下部基板 121的與第一側邊171-1相對置的第二側邊171-2形成于第一絕緣膜 135上。形成第二互連136-2以填充形成于第一絕緣膜135中的第二 通孔151-2。此外第二互連136-2連接至FPC線纜124 (圖2 )的第二 互連。
第三互連136-3例如由諸如銀的低電阻材料形成，并沿下部基板 121的與第一側邊171-1和第二側邊171-2垂直的第三側邊171-3的一 半形成于第一絕緣膜135上，該一半位于第二側邊171-2—側。形成 第三互連136-3以填充形成于第一絕緣膜135中的第三通孔151-3。 此外第三互連136-3連接至FPC線纜124 (圖2)的第三互連。
第四互連136-4例如由諸如銀的低電阻材料形成，并沿下部基板 121的與第一側邊171-1和第二側邊171-2垂直的第三側邊171-3的一 半形成于第一絕緣膜135上，該一半位于第一側邊171-1—側。形成 第四互連136-4以填充形成于第一絕緣膜135中的第四通孔15"4。 此外第四互連136-4連接至FPC線纜124 (圖2)的第四互連。
接下來，對制造本實施方式的坐標檢測器的方法進行說明。尤其 是，參照圖8A至8H對制造下部基板121的方法進行說明。
首先，如圖8A所示，通過諸如濺射或者真空蒸鍍的工藝在玻璃 基板131上形成ITO等的透明電阻膜132。
接下來，如圖8B所示，在透明電阻膜132上形成抗蝕劑圖案。 例如，利用旋轉涂布等的方法在透明電阻膜132上涂敷光致抗蝕劑。 然后，將光致抗蝕劑進行預烘焙，利用曝光裝置曝光，并進行顯影。 據此，形成抗蝕劑圖案138。抗蝕劑圖案138在透明電阻膜132的要 被去除以形成電阻膜去除區域133的區域上具有開口 。
接下來，如圖8C所示，利用諸如鹽酸或者磷酸溶液的酸溶液進 行化學刻蝕。該工藝亦稱濕法刻蝕。通過該工藝，去除透明電阻膜132 在抗蝕劑圖案138的開口下方的部分。在本實施方式中，透明電阻膜 132也可以通過諸如RIE (反應性離子刻蝕)的干法刻蝕以與濕法刻 蝕相同的方式去除。
接下來，如圖8D所示，利用有機溶液等去除抗蝕劑圖案138。 其結果，在玻璃基板131上形成在其中形成了電阻膜去除區域133的 透明電阻膜132。
接下來，如圖8E所示，在透明電阻膜132上，在形成了電阻膜 去除區域133處形成Ag-C公共電極134。例如，利用絲網印刷法來 印刷含有Ag-C的糊劑的圖案并隨后對糊劑進行烘焙，從而形成公共 電極134。其結果，在每兩個相鄰的電阻膜去除區域133之間的透明
14電阻膜132上形成電位施加部分141。
接下來，如圖8F所示，形成具有第一通孔至第四通孔151-1至 151-4的第一絕緣膜135。例如，利用絲網印刷法來印刷絕緣糊劑的圖 案并隨后對絕緣糊劑進行烘焙，從而形成第一絕緣膜135。
接下來，如圖8G所示，在第一絕緣膜135上形成第一至第四 Ag互連136-1至136-4。例如，利用絲網印刷法來印刷含Ag的導電 糊劑圖案并隨后對導電糊劑進行烘焙，從而形成第一至第四Ag互連 136-1至136-4。
接下來，如圖8H所示，形成第二絕緣膜137。例如，利用絲網 印刷法來印刷絕緣糊劑圖案并隨后對絕緣糊劑進行烘焙，從而形成第 二絕緣膜137。
這樣，制成了下部基板121。
在本實施方式中，說明了五線電阻膜模擬觸摸面板。但是，本實 施方式不限于此，亦可應用于其它類型的觸摸面板，例如四線電阻膜 觸摸面板或者七線電阻膜觸摸面板。 (b)第二實施方式
對本發明的第二實施方式進行說明。本實施方式涉及制造坐標檢 測器的方法，尤其是涉及利用刻蝕糊劑制造上述下部基板121的方法。 以下參照圖9A至9G對本實施方式進行說明。
首先，如圖9A所示，通過諸如濺射或者真空蒸鍍的工藝在玻璃 基板231上形成ITO等的透明電阻膜232。
接下來，如圖9B所示，在透明電阻膜232上形成刻蝕糊劑238。 例如，利用諸如絲網印刷法的印刷工藝形成該刻蝕糊劑238。刻蝕糊 劑238形成于下述的電阻膜去除區域233上。
接下來，如圖9C所示，在熱處理之后去除刻蝕糊劑238。例如， 采用熱處理去除形成有刻蝕劑238處的透明電阻膜232。然后，通過 清洗去除余下的刻蝕糊劑。其結果，在玻璃基板231上形成了在其中 形成有電阻膜去除區域233的透明電阻膜232 。
接下來，如圖9D所示，在透明電阻膜232上，在形成有電阻膜去除區域233處形成Ag-C公共電極234。例如，利用絲網印刷法來 印刷含有Ag-C的糊劑的圖案并隨后對糊劑進行烘焙，從而形成公共 電極234。其結果，在每兩個相鄰的電阻膜去除區域233之間的透明 電阻膜232上形成電位施加部分241。
接下來，如圖9E所示，形成具有第一通孔至第四通孔251-1、 251-2、 251-3以及251-4的第一絕緣膜235。例如，利用絲網印刷法 印刷絕緣糊劑的圖案并隨后對絕緣糊劑進行烘焙，從而形成第一絕緣 膜235。
接下來，如圖9F所示，在第一絕緣膜235上形成第一至第四Ag 互連236畫1、 236-2、 236-3以及236-4。例如，利用絲網印刷法印刷含 Ag的導電糊劑的圖案并隨后對導電糊劑進行烘焙，從而形成第一至 第四互連236-1至236-4。
接下來，如圖9G所示，形成第二絕緣膜237。例如，利用絲網 印刷法印刷絕緣糊劑圖案并隨后對絕緣糊劑進行烘焙，從而形成第二 絕緣膜237。
據此，可以制成下部基板121。與第一實施方式的情形類似，根 據本實施方式制造的下部基板121也可用作第一實施方式的坐標檢測 器的下部基板121。
(c)第三實施方式
對本發明的第三實施方式進行說明。本實施方式涉及制造坐標檢 測器的方法，尤其是涉及制造上述的下部基板121的方法。以下參照 圖IOA至10D對本實施方式進行說明。圖10A至10D為下部基板121 的俯視圖，表示了根據本實施方式的制造工藝。
首先，如圖10A所示，利用諸如濺射或者真空蒸鍍的工藝在形 成于玻璃基板(圖中未示出)上的ITO等的透明電阻膜332上形成公 共電極334。例如，利用絲網印刷法印刷含Ag-C的糊劑的圖案并隨 對糊劑進行烘焙，從而形成公共電極334。
接下來，如圖IOB所示，在透明電阻膜332上形成抗蝕劑圖案 338。例如，利用諸如旋轉涂布機等在透明絕緣膜332上涂敷光致抗
16蝕劑。然后，對光致抗蝕劑進行預烘焙，通過曝光裝置曝光，并進行
顯影。據此，形成抗蝕劑圖案338。抗蝕劑圖案338在透明電阻膜332 的要被去除以形成下述的電阻膜去除區域333的區域上具有開口。將 在公共電極334內部形成沿透明電阻膜332 (或者玻璃基板)的外圍 邊緣延伸設置的電阻膜去除區域333，使得公共電極334與各個電阻 膜去除區域333的相鄰的側邊之間、即公共電極334的內側邊與各個 電阻膜去除區域333的面向公共電極334內側邊的側邊之間的距離S (圖IOD)大于或者等于Omm并小于或者等于5mm( 0mm5S^5mm )。 接下來，如圖10C所示，利用諸如鹽酸或者磷酸溶液的酸溶液 進行化學刻蝕。該工藝亦稱濕法刻蝕。通過該工藝，去除透明電阻膜 332在抗蝕劑圖案338的開口下方的部分，從而形成透明電阻膜去除 區域333。在本實施方式中，透明電阻膜332也可以通過諸如RIE的 干法刻蝕以與濕法刻蝕相同的方式去除。
接下來，如圖10D所示，利用有機溶液等去除抗蝕劑圖案338。 其結果，在玻璃基板上形成了在其中形成有電阻膜去除區域333的透 明電阻膜332。
隨后通過形成第一絕緣膜135、第一至第四互連136-1至136-4、 第二絕緣膜137等，可以以與第一實施方式中相同的方式制造下部基 板121。與第一實施方式的情形類似，根據本實施方式制造的下部基 板121也可用作第一實施方式的坐標檢測器的下部基板121。在根據 本實施方式制造的下部基板121中，公共電極334并非形成于電阻膜 去除區域333上方。但是，通過在公共電極334內部形成電阻膜去除 區域333，電位可以如同在第一實施方式中同樣地在透明電阻膜332 中均勻分布。公共電極334與電阻膜去除區域333的相鄰側邊之間的 距離S大于或者等于Omm并且小于或者等于5mm( 0mm^SS5mm )， 從而產生這種效果。
(d)第四實施方式
對本發明的第四實施方式進行說明。本實施方式涉及制造坐標檢 測器的方法，尤其是涉及制造上述下部基板121的方法。以下參照圖11A至11C對本實施方式進行說明。圖11A至11C為下部基板121 的俯視圖，表示了其根據本實施方式的制造過程。
首先，如圖11A所示，利用諸如濺射或者真空蒸鍍的工藝在形 成于玻璃基板(圖中未示出)之上的ITO等的透明電阻膜432上形成 抗蝕劑圖案438。例如，利用諸如旋轉涂布機等在透明絕緣膜432上 涂敷光致抗蝕劑。然后，對光致抗蝕劑進行預烘焙，通過膝光裝置膝 光，并進行顯影。據此，形成抗蝕劑圖案438。抗蝕劑圖案438在透 明電阻膜432的要被去除以形成下述電阻膜去除區域433的區域上具 有開口。將在公共電極434內部形成沿透明電阻膜432 (或者玻璃基 板)的外圍邊緣延伸設置的電阻膜去除區域333，使得公共電極434 與各個電阻膜去除區域433的相鄰的側邊之間、即公共電極434的內 側邊與各個電阻膜去除區域433的面向公共電極434內側邊的側邊之 間的距離S (圖11C)大于或者等于0mm并小于或者等于5mm (0mm^SS5mm)。
接下來，如圖11B所示，利用諸如鹽酸或者磷酸溶液的酸溶液 進行化學刻蝕。該工藝亦稱濕法刻蝕。通過該工藝，去除在抗蝕劑圖 案438的開口下方的透明電阻膜432，從而形成透明電阻膜去除區域 433。在本實施方式中，透明電阻膜432也可以通過諸如RIE的干法 刻蝕以與濕法刻蝕相同的方式去除。
接下來，如圖11C所示，利用有機溶液等去除抗蝕劑圖案438， 從而形成公共電極434。例如，利用絲網印刷法印刷含Ag-C的糊劑 的圖案并隨后對糊劑進行烘焙，從而形成公共電極434。其結果，在 玻璃基板上形成了在其中形成有電阻膜去除區域433的透明電阻膜 432。
隨后通過形成第一絕緣膜135、第一至第四互連136-1至136-4、 第二絕緣膜137等，可以以與第一實施方式中相同的方式制造下部基 板121。與第一實施方式的情形類似，根據本實施方式制造的下部基 板121也可用作第一實施方式的坐標檢測器的下部基板121。在根據 本實施方式制造的下部基板121中，公共電極434并非形成于電阻膜去除區域433上方。但是，通過在公共電極434內部形成電阻膜去除 區域433，電位可以如同在第一實施方式中同樣地在透明電阻膜432 中均勻分布。公共電極434與電阻膜去除區域433的相鄰側邊之間的 距離S大于或者等于0mm并且小于或者等于5mm( 0mmSS55mm )， 從而產生這種效果。
(e)第五實施方式
對本發明的第五實施方式進行說明。本實施方式涉及制造坐標檢 測器的方法，尤其是涉及制造上述的下部基板121的方法。以下參照 圖12A至12C對本實施方式進行i兌明。圖12A至12C為下部基;l1121 的俯視圖，表示了其根據本實施方式的制造過程。
首先，如圖12A所示，利用諸如濺射或者真空蒸鍍的工藝在形 成于玻璃基板(圖中未示出)上的ITO等的透明電阻膜532上形成公 共電極534。例如，利用絲網印刷法印刷含Ag-C的糊劑的圖案并隨 后對糊劑進行烘焙，從而形成公共電極534。
接下來，如圖12B所示，在透明電阻膜532上形成刻蝕糊劑538。 例如，利用諸如絲網印刷法的印刷工藝形成該刻蝕糊劑538。如下所 述，刻蝕糊劑538形成電阻膜去除區域533上。在沿透明電阻膜532 (或者玻璃基板)的外圍邊緣延伸設置的公共電極534內部形成刻蝕 糊劑538，使得公共電極534與各個電阻膜去除區域533的相鄰側邊 之間、即/>共電極534的內側邊與各個電阻膜去除區域533的面向z^ 共電極534內側邊的側邊之間的距離S (圖12C)大于或者等于Omm 并小于或者等于5mm (0mm^S￡5mm)。
接下來，如圖12C所示，通過熱處理去除形成有刻蝕糊劑538 處的透明電阻膜532。然后，通過清洗去除余下的刻蝕糊劑538。其 結果，在玻璃基板上形成在其上形成有電阻膜去除區域533的透明電 阻膜532。
隨后通過形成第一絕緣膜135、第一至第四互連136-1至136-4、 第二絕緣膜137等，可以以與第一實施方式中相同的方式制造下部基 板121。與第一實施方式的情形類似，根據本實施方式制造的下部基板121也可用作第一實施方式的坐標檢測器的下部基板121。在根據 本實施方式制造的下部基板121中，公共電極534并非形成于電阻膜 去除區域533上方。但是，通過在公共電極534內部形成電阻膜去除 區域533,電位可以如同在第一實施方式中同樣地在透明電阻膜532 中均勻分布。公共電極534與電阻膜去除區域533的相鄰側邊之間的 距離S大于或者等于0mm并且小于或者等于5mm( 0mmSS55mm )， 從而產生這種效果。
(f)第六實施方式
對本發明的第六實施方式進行說明。該實施方式涉及制造坐標檢 測器的方法，尤其是涉及制造上述下部基板121的方法。以下參照圖 13A至13C對該實施方式進行說明。圖13A至13C為下部基板121 的俯視圖，表示了其根據本實施方式的制造過程。
首先，如圖13A所示，利用諸如濺射或者真空蒸鍍的工藝在形 成于玻璃基板(圖中未示出)之上的ITO等的透明電阻膜632上形成 刻蝕糊劑638。例如，利用諸如絲網印刷法的印制工藝形成該刻蝕糊 劑638。如下所述，刻蝕糊劑238形成于電阻膜去除區域633上。在 沿透明電阻膜632 (或者玻璃基板)的外圍邊緣延伸設置的公共電極 634內部形成刻蝕糊劑638，使得公共電極634和各個電阻膜去除區 域633的相鄰的側邊之間、即>^共電極634的內側邊與各個電阻膜去 除區域633的面向zi^共電極634的內側邊的側邊之間的距離S (圖 13C)大于或者等于Omm并小于或者等于5mm ( 0mm^S55mm )
接下來，如圖13B所示，通過熱處理去除形成有刻蝕糊劑638 處的透明電阻膜632。然后，通過清洗去除余下的刻蝕糊劑638。其 結果，在玻璃基板上形成了在其上形成有電阻膜去除區域633的透明 電阻膜632。
接下來，如圖13C所示，在其中形成有電阻膜去除區域633的 透明電阻膜632上形成公共電極634。例如，利用絲網印刷法印刷包 含Ag-C的糊劑的圖案并隨后對糊劑進行烘焙，從而形成公共電極 634。
20隨后通過形成第一絕緣膜135、第一至第四互連136-1至136-4、 第二絕緣膜137等，可以以與第一實施方式中相同的方式制造下部基 板121。與第一實施方式的情形類似，根據本實施方式制造的下部基 板121也可用作第一實施方式的坐標檢測器的下部基板121。在根據 本實施方式制造的下部基板121中，公共電極634并非形成于電阻膜 去除區域633上方。但是，通過在公共電極634內部形成電阻膜去除 區域633，電位可以如同在第一實施方式中同樣地在透明電阻膜632 中均勻分布。公共電極634與電阻膜去除區域633的相鄰側邊之間的 距離S大于或者等于0mm并且小于或者等于5mm( 0mm^Sl5mm )， 從而產生這種效果。
根據本發明的一個實施方式，通過示例，提供了一種制造具有電 阻膜和用于對電阻膜施加電壓的公共電極的坐標檢測器的方法，其中 從公共電極對電阻膜施加電壓以使電壓在電阻膜中分布并通過檢測 電阻膜的接觸位置的電位來檢測電阻膜接觸位置的坐標。本方法包 括(a)在形成于由絕緣體構成的基板上的電阻膜上涂敷光致抗蝕 劑；(b)經過預定的掩模將所涂敷的光致抗蝕劑曝光并隨后對光致 抗蝕劑進行顯影從而在電阻膜上形成抗蝕劑圖案；(c)通過去除電 阻膜的沒有抗蝕劑圖案的部分以形成電阻膜去除區域；(d)在工序 (c)之后去除抗蝕劑圖案；以及(e)在工序(d)之后在電阻膜去 除區域上形成公共電極。
這樣，根據本發明的一個實施方式，通過去除透明電阻膜的一部 分，可以以高成品率制造能夠使透明電阻膜電位均勻分布的坐標檢測 器。
本方面不限于具體公開的實施方式，在不偏離本發明范圍的前提 下可以進行改動和^f奮正。
本申請基于2008年5月15日提出的在先日本專利申請第 2008-128139號，其全部內容通過引用包含于此。
權利要求
1、一種制造具有電阻膜和用于對所述電阻膜施加電壓的公共電極的坐標檢測器的方法，包括以下工序a、在形成于由絕緣體構成的基板上的所述電阻膜上涂敷光致抗蝕劑；b、經過預定的掩模將所涂敷的光致抗蝕劑曝光并隨后將所涂敷的光致抗蝕劑顯影，從而在所述電阻膜上形成抗蝕劑圖案；c、通過去除沒有所述抗蝕劑圖案的所述電阻膜的一部分以形成電阻膜去除區域；d、在所述工序c后去除所述抗蝕劑圖案；以及e、在所述工序d后在所述電阻膜去除區域上方形成公共電極。
2、 如權利要求l記載的方法，其中，所述工序c通過利用酸的濕法刻蝕和干法刻蝕之一來去除所述 電阻膜的所述一部分。
3、 如權利要求l記載的方法，其中，所迷電阻膜去除區域包括通過去除沒有所述抗蝕劑圖案的所述 電阻膜的所述一部分而形成在其外圍的第一部分，和由殘留在所述第 一部分內的所述電阻膜構成的第二部分，并且所述第一部分與所述第 二部分電絕緣。
4、 一種制造具有電阻膜和用于對所迷電阻膜施加電壓的公共電 極的坐標檢測器的方法，包括以下工序a、 在形成于由絕緣體構成的基板上的所述電阻膜上涂敷光致抗蝕劑；b、 經過預定的掩模將所涂敷的光致抗蝕劑曝光并隨后將所涂敷 的光致抗蝕劑膝光從而在所述電阻膜上形成抗蝕劑圖案；c、 通過去除沒有所述抗蝕劑圖案的所述電阻膜的一部分以形成 電阻膜去除區域，其中，在所述電阻膜的外圍邊緣與所述電阻膜去除區域之間形成所述公共電極，使得所述公共電極與所述電阻膜去除區域的相鄰的邊之間的距離大于或者等于Omm且小于或者等于5mm。
5、 如權利要求4記載的方法，其中，所述工序c通過利用酸的濕法刻蝕和干法刻蝕之一去除所述電 阻膜的所述一部分。
6、 如權利要求4記載的方法，其中，所述電阻膜去除區域包括通過去除沒有所述抗蝕劑圖案的所述 電阻膜的所述一部分而形成在其外圍的第一部分，和由殘留在所述第 一部分內的所述電阻膜構成的第二部分，所述笫一部分與所述第二部 分電絕緣。
7、 一種制造具有電阻膜和用于對所述電阻膜施加電壓的公共電 極的坐標檢測器的方法，包括以下工序a、 在形成于由絕緣體構成的基板上的所述電阻膜的一部分上印 刷刻蝕糊劑，所述一部分將被去除以形成電阻膜去除區域；b、 通過熱處理去除具有所述刻蝕糊劑的所述電阻膜的所述一部分；c、 在所述熱處理之后去除殘留的所述刻蝕糊劑；以及d、 在所述電阻膜去除區域上形成所述公共電極。
8、 如權利要求7記載的方法，其中，所述電阻膜去除區域包括通過去除所述電阻膜的所述一部分而 形成在其外圍的第一部分，和由殘留在所述第一部分內的所述電阻膜 構成的第二部分，并且所述第一部分與所述第二部分電絕緣。
9、 一種制造具有電阻膜和用于對所述電阻膜施加電壓的公共電 極的坐標檢測器的方法，包括以下工序a、 在形成于由絕緣體構成的基板上的所述電阻膜的一部分上印 刷刻蝕糊劑，所述一部分將被去除以形成電阻膜去除區域；b、 通過熱處理去除具有所述刻蝕糊劑的所述電阻膜的所述一部分；c、 在所述熱處理之后去除殘留的所述刻蝕糊劑，其中，在所述電阻膜的外圍邊緣與所述電阻膜去除區域之間形成 所述公共電極，使得所述公共電極與所述電阻膜去除區域的相鄰的邊之間的距離大于或者等于Omm且小于或者等于5mm。
10、如權利要求9記載的方法，其中，所述電阻膜去除區域包括通過去除所述電阻膜的所述一部分而 形成在其外圍的第一部分，和由殘留在所述第一部分內的所述電阻膜 構成的第二部分，并且所述第一部分與所述第二部分電絕緣。
全文摘要
本發明提供一種制造具有電阻膜和用于對電阻膜施加電壓的公共電極的坐標檢測器的方法，包括以下工序(a)在形成于由絕緣體構成的基板上的電阻膜上涂敷光致抗蝕劑；(b)經過預定的掩模將所涂敷的光致抗蝕劑曝光并隨后將所涂敷的光致抗蝕劑顯影，從而在電阻膜上形成抗蝕劑圖案；(c)通過去除沒有抗蝕劑圖案的電阻膜的一部分以形成電阻膜去除區域；(d)在工序(c)后去除抗蝕劑圖案；以及(e)在工序(d)后在電阻膜去除區域上方形成公共電極。
文檔編號G06F3/041GK101582004SQ20091013906
公開日2009年11月18日 申請日期2009年5月15日 優先權日2008年5月15日
發明者近藤幸一 申請人:富士通電子零件有限公司