專利名稱：等離子體尋址的微型鏡顯示器的制作方法
等離子體尋址的微型鏡顯示器本發明的背景本發明的領域本發明一般涉及顯示板并涉及使用雙穩態光調制器的顯示器的矩陣尋址。更具體 地，本發明涉及使用低壓氣體放電的靜電力驅動的微型鏡顯示器的矩陣尋址。現有技術的討論平板顯示器一般包括產生或調制光以提供圖像的像素陣列。為了向各個像素提供 數據，一般使用包括行和列電極以及對于每個像素的電子開關的尋址結構。目前薄膜晶體 管被用作液晶平板顯示器中的電子開關，且氣體放電被用于等離子體顯示器中的尋址。氣 體放電尋址還被提出用于液晶顯示器和電致發光顯示器。頒發給Buzak等人的第4，896，149號美國專利描述了使用電離氣體介質尋址數據 存儲單元的尋址結構，該數據存儲單元通過重疊第一基片上的多個列電極和第二基片上的 多個通道的區域來限定。電介質材料層分離第一和第二基片。Buzak等人的結構的每個通 道包括參考電極和行電極。參考電極被設置在地電勢，且行電極接收負向的DC脈沖信號以 選擇性地實現包含在通道中的氣體的電離。頒發給Stoller的第5，519，520號美國專利描述了矩陣類型平板顯示器，其中AC 等離子體氣體放電系統使用空間調制來控制液晶層的灰度。液晶介質是可以通斷(雙水 平)模式操作的一種介質，在通斷(雙水平)模式中飽和的總面積由空間面積直接決定，該 空間區域由連續的或與其相鄰的氣體放電來充電。電荷存儲表面例如透明電極陣列之間的 電介質層，LC介質和氣體介質存儲電荷，該電荷被致使以與被選的矩陣交叉點上的結點電 壓的幅度成比例的方式擴散。電荷擴散面積建立了液晶材料改變狀態所在地點的空間或面 積大小，從而提供在被選的矩陣交叉點上的光發射的空間灰度水平。如以下段落中將要詳細討論的，與現有技術清楚地相區分的本發明獨特地針對基 于具有調制光的光學性質的微機械驅動器的顯示器的矩陣尋址。本發明概述本發明的一個目的是提供帶有由雙穩態光調制器組成的像素的氣體放電尋址顯 示器板。在本發明的一種形式中，這個目的通過提供基片上的多個第一和第二尋址電極和 多個像素來實現。每個像素包括具有光學性質的微機械驅動器和驅動電極。每個驅動電極 與從第一尋址電極中選擇的一個第一尋址電極形成電容器，并與從第二尋址電極中選擇的 一個第二尋址電極形成在低壓放電氣體中工作的弧隙。本發明的另一個目的是提供用于帶有雙穩態像素的顯示器板的尋址結構。這個目 的通過提供基片上的多個第一和第二尋址電極和多個像素電極來實現。其中每個像素電極 與從第一尋址電極中選擇的一個第一尋址電極形成電容器，并與從第二尋址電極中選擇的 一個第二尋址電極形成在低壓放電氣體中工作的弧隙，并向從雙穩態像素中選擇的一個雙 穩態像素提供電壓電勢。本發明的另一個目的是提供用于尋址雙穩態像素的電子電路。這個目的通過提供 串聯連接的電子電路來實現，該電子電路包括第一尋址電極、電容器、在低壓放電氣體中操作的弧隙以及第二尋址電極。其中等效電路作為電壓控制的自終止電流開關操作，并向雙 穩態像素提供電壓電勢。本發明的前述的以及其他目的將通過附圖中所示出的和以下的說明書中所描述 的新穎的顯示器尋址結構和方法來實現。附圖簡要描述
圖1是本發明的顯示器板的一種形式的一般透視圖。圖2是圖1的沿著線2-2截取的放大的橫截面視圖。圖3是在圖2中被指示為3-3區域的放大的不完全的橫截面視圖。圖4是部分斷開以示出顯示器板的內部結構的一般透視圖，該顯示器板實現了本 發明的尋址結構的一種形式并實現了本發明的尋址方法的一種形式。圖5是包括顯示器板和相關的板驅動電子器件的本發明的平板顯示器的一般示 意圖。圖6是示出了應用到本發明的行和列電極以用于尋址顯示器板的各種電壓波形 的一般示意圖。圖7是部分斷開以示出本發明的顯示器板的可選形式的內部結構的一般透視圖。圖8是包括顯示器板和顯示器的板驅動電子器件的本發明的平板顯示器的可選 形式的一般示意圖。圖9是示出了應用到行和列電極以用于尋址圖7中所示出的顯示器板的電壓波形 的一般示意圖。本發明的描述參考附圖尤其是圖1到圖3，這些附圖示出了顯示器板的結構和光學功能，該顯示 器板具有可在以下段落中描述的本發明的實施方式中尋找到的光波導和傾斜微型鏡特征。 如圖1中所最好地看到的，顯示器板一般由標號20指示，包括橫截面一般是楔形的矩形光 學波導21。波導21優選地由光學透明材料例如丙烯酸酯或玻璃構成，且包括由一般是平行 的側表面28和29(見圖1)連接的一般是平行的第一和第二端表面26和27。波導21還 包括特別設置的主要上表面30和向上斜的下表面31 (也見圖2)。多個空間等間隔的槽32 在上表面30上形成，且如圖1中所示，延伸在側表面28和29之間。細長的光源24安裝在 波導21的寬邊緣26附近，且傾斜微型鏡33的矩陣構造在波導的上表面30上。在圖2中， 一列傾斜微型鏡被指示為33a，33b，33c，33d，33e和33f。然后參考附圖的圖3，其代表在波導21的上表面30上形成的所有的槽32都包括 三個一般是平的面34、35和36。如圖2和圖3中所示，面34相對于上表面30以80和90 之間的陡的角度向下傾斜。第二面35從上表面30凹進(recessed)且一般平行于上表面 30，且面36相對于上表面30以45和60之間的角度向上傾斜。圖3中進一步示出，多層膜涂層應用到面35和36。第一層37是僅沉積在面36上 的光吸收黑色聚合物膜。可由材料例如鋁合金中形成的第二層38包括沉積在面35上和光 吸收層37上的導電鏡面反射鏡膜。第三層39包括僅沉積在導電鏡膜層38的平面水平部 分上的透明電絕緣體。圖3還示出了傾斜微型鏡組33中的一個傾斜微型鏡33e。傾斜微型鏡中的每個都 包括被固定到波導21的上表面30上的薄鋁合金彈性膜。為了在傾斜軸42(見圖3)處彎曲微型鏡，每個微型鏡的厚度在波導21的向下傾斜的面34與上表面30的結合處減小。為 了吸收外部光，薄黑色聚合物膜41被沉積在每個微型鏡的上表面上。在顯示器板的當前形式中，傾斜微型鏡33由靜電吸引力和由彈性膜產生的相反 的彈簧力操作。電學上，每個傾斜微型鏡33代表電容器極板，其與導電鏡膜38形成可變 電容器。當適當的電壓“V”應用在固定的導電鏡膜38和微型鏡33之間時，微型鏡被靜 電吸引力傾斜，且當沒有電壓應用時，微型鏡被彈性膜的相反彈簧力轉到平面位置(flat position)。作為對槽的替代，適當設置的腔可在波導的上表面30上形成，且傾斜微型鏡可 在腔內而不是槽內被接收。在附圖的圖2所最好地看到的，從波導21的寬邊緣26進入的光線43通過全內反 射均勻地分布在X軸的傳播方向上，并從向下傾斜的面34離開波導21。根據傾斜微型鏡的 位置，光線被吸收或可選地定向到觀看者(viewer)。當傾斜微型鏡處于平面位置時，例如微型鏡33c和33d(圖2)，光線從微型鏡的較 低的光反射表面和鏡涂層38被反射，并被導向到觀察者。當被選的微型鏡被向下傾斜時， 例如微型鏡33a和33b，光線從微型鏡的較低光反射表面和鏡涂層38被反射并將角度朝法 向改變。在多次反射之后，光線損失其能量，且光被吸收。一些光線可通過從微型鏡和鏡涂 層38來改變它們的反射角度，且這樣的光線從向下傾斜的面34重新進入光導，并往回行進 至光源的方向。(見圖2和圖3中示出的微型鏡33e和33f)。光吸收層37吸收向后行進 的光線。根據顯示器的大小和分辨率，每個像素都可包括若干傾斜的微型鏡。減小各個微 型鏡的大小有助于減小所需的靜電驅動電壓。而且，當適當的電壓應用在固定的電極38和 被選的一組微型鏡之間時，每個像素的微型鏡都可被組合以調制不同水平的光。這減少了 顯示器尋址的限制。圖1中示出的顯示器板可構造在單獨的基片上并與背光組件組合。本 發明提供了用于這種類型的顯示器板系統的矩陣尋址結構和方法。圖4示出了顯示器板50，其實現了本發明的尋址結構的一種形式，實現了本發明 的尋址方法的一種形式。本發明的顯示板一般包括相當大數量的像素和相關的尋址電極。 但是為了說明的目的，圖4中示出的四個像素和兩對行和列電極作為用于顯示器板50的第
一和第二尋址電極。如圖4中所示出的，顯示器板50包括由光學透明材料例如丙烯酸酯或玻璃構成的 兩個一般來說平行的第一和第二基片51和52，并通過間隔物53空間分離。在本發明的當 前形式中，基片51和52之間的空間實質上用放電氣體例如氖、氬、氦和氙或其任意混合物 以大約30托和大約500托之間的壓力填充。如附圖的圖4所示，基片51在形狀上一般是矩形，且包括由平行的側表面56和57 連接的一般是平行的第一和第二端表面54和55。基片51還包括特別設置的主要上表面 58和空間隔離的下表面59。空間等間隔的槽60在上表面58上形成并延伸在側表面56和 57之間。設置在被置于槽60內的凹進的表面上的是第一尋址或行電極Rl和R2。行電極 Rl和R2優選地由鎳或鋁沉積成并用電介質膜的薄層61絕緣。由薄鋁合金彈性膜構成的四個傾斜微型鏡Ml、M2、M3和M4和第二尋址或列電極 Cl和C2附在基片51的上表面58上。在本發明的顯示器板的當前形式中，傾斜微型鏡Ml、 M2、M3和M4可在第一和第二位置之間移動，并通過傾斜微型鏡和相應的行電極Rl和R2之
6間的靜電吸引力和由彈性膜產生的相反的彈簧力操作。電學上，每個傾斜微型鏡代表電容 器極板，并與行電極一起形成可變電容器。在列電極和微型鏡之間形成四個空隙G1、G2、G3 和G4。為了防止串擾，希望在微型鏡和列電極之間有最小的雜散電容。因此，只有列電極的 一部分延伸與微型鏡較近。如前所闡述的，本發明使用低壓氣體放電以用于尋址微型鏡。在操作中，需要最小的擊穿電壓Vb來發起列電極和微型鏡之間的火花。所需的最 小擊穿電壓Vb —般遵守帕申定律，帕申定律闡述了空隙的最小擊穿電壓是氣壓和空隙長 度的乘積。這是非線性函數且一般寫作Vb = f(p*d)，其中ρ是壓力且d是空隙距離。在操 作期間，為了避免列電極Cl和微型鏡M2或M4之間的電弧放電，列電極Cl和微型鏡M2和 M4之間的距離dl被制作為明顯大于弧隙的長度。圖5示出了包括顯示器板50和板驅動電子器件的平板顯示器65的示意圖。如圖 5所描述，數據處理和顯示器掃描電子器件塊62提供掃描信號到行驅動器64以用于順序地 選擇顯示器板50的行電極并提供同步的數據信號到列驅動器63。塊62還提供了同步控制 信號到光源65。行驅動器64和列驅動器63包括移位寄存器和緩沖放大器以用于驅動顯示 器板50的電極。一般的緩沖放大器包括互補晶體管和反向偏置保護二極管。在圖5中，與行電極的相應部分形成電容器的顯示器板50的傾斜微型鏡被示出為 電容器極板M1、M2、M3和M4。圖5中還示出了四個弧隙Gl、G2、G3和G4，每個都具有連接 到相應的列電極Cl和C2的第一端子以及連接到相應的電容器極板Ml、M2、M3和M4的第二 端子。圖6示出了應用到行和列電極以用于尋址顯示器板50的各種電壓波形。另外地， 圖6示出了作為應用到列和行電極的電壓的結果而產生的微型鏡Ml和M2的電壓波形。在 圖6中，一個視頻場時間間隔被示出，其包括重置、尋址和顯示時間段。初始地，列電極被設 置為OV電勢，行電極被設置為-40V電勢。初始地，由微型鏡和行電極形成的電容器被放電 以使得微型鏡Ml和M2具有與行電極相同的-40V電勢。如先前所討論，需要跨弧隙的特定的最小氣體擊穿電壓Vb來啟動電弧。每次氣體 放電都還具有大約是擊穿電壓Vb的70%的特定的滅弧電壓Ve。對于這個應用，假定擊穿 電壓Vb = 100V,且滅弧電壓Ve = 70V。在1微秒或更短的時間間隔Tl期間，40V脈沖被應用到列電極Cl和C2，且-80V被 應用到行電極R1。這產生了跨弧隙Gl和G2的120V電勢并啟動了每個弧隙上的電弧。所 啟動的電弧為由微型鏡Ml和M2和行電極Rl的相應部分形成的電容器充電。應用到微型 鏡Ml和M2的電荷將微型鏡的電勢提高到50V。隨后，跨弧隙的電壓電勢落到滅弧電壓Ve =70V以下且電弧熄滅。等效電路作為電壓控制的自終止電流開關操作。在時間間隔T2期間，列電極Cl和C2上的電壓被設置為0V，且行電極Rl被提高到 70V電勢。這增加到在Tl時間間隔期間應用到微型鏡Ml和M2的50V電荷上，并產生跨弧 隙Gl和G2的120V電勢，在每個弧隙上啟動電弧。所啟動的電弧將由微型鏡Ml和M2和行 電極Rl的相應部分形成的電容器放電。這將跨弧隙的電壓電勢從120V降低到70V，且電弧 熄滅。在圖6中，最后兩個波形示出了在微型鏡Ml和M2與行電極Rl之間產生靜電吸引 力的電壓電勢差。在時間間隔T2期間，先前驅動的微型鏡被彈性膜產生的相反彈簧力重新 設置到上平面位置。因為這個原因，T2時間間隔保持得足夠長(>20微秒)。對于時間Tl和T2的所描述的操作應用到顯示器的所有的微型鏡和行電極。如圖6中所示出的，在尋址時間段時間間隔T3期間，列電極Cl應用40V，列電極C2 應用0V，且行電極Rl應用-80V。這產生了跨弧隙Gl的120V電勢以及跨弧隙G2的80V電 勢。因為期望的擊穿電壓是Vb = 100V，所以，電弧僅在弧隙Gl啟動，且所啟動的電弧為微 型鏡Ml充電50V。微型鏡通過在行電極和接收50V充電的微型鏡之間產生的靜電力驅動。 在時間間隔T3之后，對微型鏡M3和M4的尋址通過將-80V脈沖應用到行電極R2以及將相 應的數據應用到列電極來執行。參考圖7，本發明的顯示器板的可選形式被示出并一般由標號70指示。實現了尋 址結構并實現了本發明的尋址方法的可選實施方式與附圖的圖4中示出的實施方式的一 些方面類似，且圖7中使用的相同的數字標識相同的部件。這里的顯示器板70包括兩個間隔開的部分，即由一般是透明的材料例如丙烯酸 酯或玻璃構成的一般是平行的基片51和52。在顯示器板70中，尋址結構構建在前覆蓋基 片52上且微型鏡和較低的靜電驅動電極構建在基片51上。基片51 —般是矩形形狀并包 括由平行的側表面56和57連接的平行的第一和第二端表面54和55。基片51還包括特別 設置的主要上表面58和間隔的下表面59。空間等間隔的槽60形成在上表面58上并在側表面56和57之間延伸。較低電極 Ll和L2承載在設置在槽60內的凹進的表面上，并由鋁沉積成，且用薄的透明電介質膜61 絕緣。由薄的鋁膜構成的四個傾斜微型鏡Ml、M2、M3和M4和第一和第二微型鏡驅動電極 El和E2附在基片51的上表面58上。電極El電連接到微型鏡Ml和M2上，且電極E2電 連接到微型鏡M3和M4上。包括矩形形狀的電容器極板PI、P2、P3和P4的第一尋址或行 電極Rl和R2承載在基片52的下表面73上并由鋁沉積成。如圖7中所示出，電容器極板 P1、P2、P3和P4定位在相應的微型鏡之上。行電極Rl電連接到電容器極板Pl和P2，而行電極R2電連接到電容器極板P3和 P4。薄的透明絕緣體71旋涂在行尋址電極和電容器極板P1、P2、P3和P4上。由鋁膜構成 的四個一般是矩形形狀的像素電極A1、A2、A3和A4以及兩個第二尋址或列電極Cl和C2附 在絕緣體71的下表面上。列電極的部分延伸靠近像素電極形成弧隙Gl、G2、G3和G4。薄 的透明絕緣體膜72置于像素電極的下表面上，且絕緣體膜71和72之間的空間用低壓的放 電氣體填充。與真空成形相似的這個過程使絕緣體膜72變型，并在像素電極和列電極之間 的每個弧隙處形成放電氣體的袋(pocket)。在顯示器板70中，像素代表三電極靜電驅動器。微型鏡M1、M2和M3和M4是位于 相應的上像素電極A1、A2、A3和A4和下電極Ll和L2之間的移動電極。像素電極和微型鏡 之間的靜電吸引力將微型鏡移動到第一上平面位置，且微型鏡和下電極之間的靜電吸引力 將微型鏡在向下的方向上朝著第二位置傾斜。圖8包括平面板顯示器80的示意圖，其包括顯示器板70和本發明的板驅動電子 器件。本文的板驅動電子器件包括用于順序地驅動顯示器板70的行電極Rl和R2的塊74、 用于向列電極Cl和C2提供同步數據的塊75，用于向下電極Ll和L2提供電壓的塊76 ；以 及用于驅動顯示器板70的電極El和E2的塊77。在顯示器板70中，每個像素代表串聯連 接的三個電容器。第一電容器由像素電極A1、A2、A3和A4和連接到相應的行電極Rl和R2 的電容器板PI、P2、P3和P4形成。第二電容器由像素電極Al、A2、A3和A4和連接到相應的驅動電極El和E2的微型鏡M1、M2、M3和M4形成。微型鏡Ml、M2、M3和M4和下電極Ll 和L2的相應部分形成第三電容器。四個弧隙G1、G2、G3和G4設置在顯示器板70中，其中 每個弧隙具有連接到相應的列電極Cl和C2的第一端子，以及連接到相應的像素電極Al、 A2、A3和A4的第二端子。圖9示出了應用到用于尋址顯示器板70的行和列電極的電壓波形。圖9還示出 了作為應用到行電極Rl和列電極Cl和C2的電壓的結果而產生的Al和A2像素電極的電 壓波形。圖9中示出的最后兩個波形示出了提供到電極L1、L2、E1和E2的靜電驅動電壓。如先前討論的，像素電極與行電極和微型鏡形成電容器。對于本申請，假定用像素 電極Al和A2和行電極Rl形成的電容器的值比由像素電極Al和A2和微型鏡Ml和M2形 成的電容器大10倍。圖9中示出的電壓值說明了這些10比1的電容分壓器。如圖9中所示出，其中示出了兩個視頻場時間間隔，可看到顯示器板70能夠同步 尋址和顯示操作。視頻場0的顯示時間段與視頻場1的尋址時間段重疊，而視頻場1的顯 示時間段與視頻場2的尋址時間段重疊。在視頻場尋址時間段之前，所有的像素電極被重設為大約是行電極的電壓電勢。 類似地，在每個驅動時間段期間并在視頻場顯示時間段之前，所有的微型鏡被重設到它們 的新位置上。另外，在驅動時間段期間，光源被關閉，且在顯示時間段期間光源打開。初始地，列電極被設置為OV電勢，且行電極被設置到-85V電勢。對于本申請，再 次假定放電氣體的擊穿電壓是Vb = 100V，且滅弧電壓是Ve = 70V。在1微秒或更短的時間間隔Tl期間，OV應用到列電極Cl和C2，且大約-140V應 用到行電極R1。這產生了跨弧隙Gl和G2的大于擊穿電壓Vb= 100V的電壓電勢，從而在 每個弧隙上啟動電弧。所啟動的電弧為像素電極Al和A2充電并將像素電極的電壓電勢提 高到大約70V。隨后，跨弧隙的電壓電勢落到滅弧電壓Ve = 70V以下且電弧熄滅。在時間間隔T2 期間，行電極Rl上的電壓提高到大約87V電勢。這提高并增加到在Tl時間間隔期間應用 到像素電極上的70V電荷，并啟動了弧隙Gl和G2上的電弧。所啟動的電弧將像素電極Al 和A2放電。隨后，跨弧隙的電壓落到大約70V且電弧熄滅。在時間間隔T3期間，應用到行電極Rl上的電壓減小到大約-85V，將像素電極Al 和A2上的電壓電勢設置為大約-85V。還應理解到，前述的對應于時間間隔Tl和T2的操作 適用于顯示器板70的所有的行電極和像素電極。在視頻場1的尋址時間段和時間間隔T4期間，列電極Cl應用大約10V，列電極C2 應用0V，行電極Rl應用-95V。這產生了跨弧隙Gl的105V電勢和跨弧隙G2的95V。因為 期望的擊穿電壓是Vb = 100V，所以，僅在弧隙Gl啟動電弧。在弧隙Gl所啟動的電弧將像 素電極Al充電大約35V。在時間間隔T3后，-95脈沖被應用到行電極R2，且相應的數據被 應用到列電極。在重置和尋址時間段期間，OV應用到電極El和E2，且大約50V應用到電極Ll和 L2。每個傾斜的微型鏡和較低電極之間的50V電勢提供將微型鏡保持在傾斜的位置上的偏 置力。相似地，對于上平面位置的微型鏡，每個微型鏡和相應的像素電極之間的50V或85V 電勢提供將微型鏡保持在上平面位置的偏置力。將微型鏡重設到它們的新的位置是兩步驟過程。首先，傾斜的微型鏡移動到上平面位置，且然后微型鏡根據新的尋址選擇性地傾斜。在驅動時間段和時間間隔T5期間，電極E1、E2、L1和L2應用大約50V。這些在每 個微型鏡和相應的像素電極之間產生了靜電吸引力。所產生的力將先前傾斜的微型鏡移動 到上平面位置。現在所有的微型鏡在上平面位置并靠近像素電極。在時間間隔T6期間，電 極El和E2的電壓電勢被降低到大約-55V。這在下較低電極Ll和微型鏡Ml和M2之間產 生了大約105V電勢，以及在像素電極Al和微型鏡Ml之間產生了 0V。微型鏡Ml和較低電 極Ll之間的靜電力使得微型鏡Ml傾斜。微型鏡M2和像素電極A2之間的大約35V電勢提 供了微型鏡M2和像素電極A2之間的偏置力，將微型鏡M2保持在上平面位置。雖然本發明的實施方式是對于傾斜微型鏡描述的，應理解有本發明的教導適用的 若干其他雙穩態光調制器。通過本發明現根據專利法規的要求的詳細描述，本領域技術人員不難對各個部分 或其相關組件作出改變和修改以符合指定的需要或條件。可按以下的權利要求的闡述在不 偏離本發明的范圍和精神的情況下作出這樣的修改和改變。
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權利要求
一種用于顯示器的雙穩態像素的尋址結構，包括(a)基片；(b)布置在所述基片上的多個第一尋址電極和多個第二尋址電極；(c)多個像素電極，每個像素電極與所述第一尋址電極中選擇的一個第一尋址電極形成電容器；以及(d)在每個所述像素電極和所述第二尋址電極中選擇的一個第二尋址電極之間形成的、在低壓放電氣體中工作的多個弧隙，其中所述像素電極向所述顯示器的所述雙穩態像素中選擇出的一個雙穩態像素提供電壓電勢。
2.如權利要求1所述的尋址結構，其中每個所述雙穩態像素是具有光學性質的微機械 驅動器。
3.如權利要求1所述的尋址結構，其中每個所述雙穩態像素包括具有光學性質并用靜 電吸引力操作的微機械驅動器。
4.如權利要求1所述的尋址結構，其中所述低壓放電氣體的壓力在大約30托到大約 500托之間。
5.如權利要求1所述的尋址結構，其中所述低壓放電氣體從由氦、氖、氬、氙組成的組 中選擇。
6.一種氣體放電尋址顯示器板，包括(a)第一基片和第二基片，所述第一基片和所述第二基片間隔開并在之間限定一空間；(b)低壓放電氣體，其實質上填充所述空間；(c)在所述空間內布置在所述第一基片上的多個第一尋址電極和多個第二尋址電極；以及(d)多個像素，每個像素包括具有光學性質的、連接到所述第一基片的至少一個微機械 驅動器，每個所述像素具有驅動電極，所述驅動電極與所述第一尋址電極中選擇的一個第 一尋址電極形成電容器，并與所述第二尋址電極中選擇的一個第二尋址電極形成弧隙。
7.如權利要求6所述的氣體放電尋址的顯示器板，其中具有光學性質的所述微機械驅 動器包括傾斜微型鏡。
8.如權利要求6所述的氣體放電尋址的顯示器板，其中所述第一基片設置有實質上空 間等間隔的槽，且其中具有光學性質的所述微機械驅動器被接納在所述槽中。
9.如權利要求6所述的氣體放電尋址的顯示器板，其中所述第一基片設置有實質上空 間等間隔的腔，且其中具有光學性質的所述微機械驅動器被接納在所述腔中。
10.如權利要求6所述的氣體放電尋址的顯示器板，其中所述低壓放電氣體的壓力在 大約30托到大約500托之間。
11.如權利要求6所述的氣體放電尋址的顯示器板，其中所述低壓放電氣體從由氦、 氖、氬、氙組成的組中選擇。
12.如權利要求6所述的氣體放電尋址的顯示器板，還包括連接到所述第一尋址電極 和所述第二尋址電極的顯示器板驅動電子器件。
13.一種氣體放電尋址的顯示器板，包括 (a)間隔開的第一基片和第二基片；以及(b)構建在所述第一基片上的尋址結構，所述尋址結構包括(i)多個第一尋址電極和多個第二尋址電極，(ii)多個像素電極，每個所述像素電極與所述第一尋址電極中選擇的一個第一尋址電 極形成電容器，并與所述第二尋址電極中選擇的一個第二尋址電極形成在低壓放電氣體中 工作的弧隙，以及(C)構建在所述第二基片上的多個雙穩態像素，其中所述像素電極向所述雙穩態像素 中選擇的一個雙穩態像素提供電壓電勢。
14.如權利要求13所述的氣體放電尋址的顯示器板，還包括連接到所述第一尋址電極 和所述第二尋址電極的顯示器板驅動電子器件。
15.如權利要求13所述的氣體放電尋址的顯示器板，還包括布置在所述第二基片上的 多個像素驅動電極。
16.一種用于對顯示器的雙穩態像素尋址的電子電路，包括(a)第一尋址電極和第二尋址電極；(b)電容器，其具有第一電容器極板和第二電容器極板；(c)弧隙，其在低壓放電氣體中工作，所述弧隙具有第一端子和第二端子，所述電容器 的所述第一電容器極板連接到所述第一尋址電極，且所述電容器的所述第二電容器極板連 接到所述弧隙的所述第一端子；且所述弧隙的所述第二端子連接到所述第二尋址電極，且 其中所述電容器的所述第二電容器極板向所述顯示器的所述雙穩態像素提供電壓電勢。
17.如權利要求16所述的電子電路，其中所述電子電路是電壓控制的、自終止的電流 開關。
18.如權利要求16所述的電子電路，其中所述雙穩態像素包括具有光學性質的微機械 驅動器。
19.如權利要求16所述的電子電路，其中所述雙穩態像素包括具有光學性質的、用靜 電吸引力操作的微機械驅動器。
20.如權利要求16所述的電子電路，其中所述低壓放電氣體從由氦、氖、氬、氙組成的 組中選擇。
21.如權利要求16所述的電子電路，其中所述低壓放電氣體的壓力在大約30托到大約 500托之間。
22.如權利要求16所述的電子電路，其中所述第一電容器極板和所述第二電容器極板 由光反射導體構成。
23.如權利要求16所述的電子電路，其中所述第二電容器極板包括用于具有光學性質 的微機械驅動器的固定的電極。
全文摘要
一種具有像素矩陣的氣體放電尋址顯示器，包括具有光學性質的多個電極微機械驅動器。
文檔編號G06F3/038GK101965548SQ200880127820
公開日2011年2月2日 申請日期2008年12月22日 優先權日2008年3月27日
發明者海克·梅斯羅皮安, 愛德華·帕克奇亞恩, 賽茨·帕克奇亞恩 申請人:愛德華·帕克奇亞恩;海克·梅斯羅皮安;賽茨·帕克奇亞恩