專利名稱：：建立場效應管不匹配模型的方法
技術領域：
：本發明涉及建立場效應管不匹配模型的方法。
背景技術：
：目前，隨著場效應管最小工藝尺寸的不斷減小，對場效應管的精度的要求也越來越高，因此場效應管的不匹配也成為越來越值得關注的問題。場效應管的不匹配是指由于工藝生產流程的偏差，使得在進行設計時尺寸完全相同的兩個場效應管，在最終成品后都會存在電性能不匹配的現象，例如，閾值電壓不同等。而對于高要求的半導體設計，尤其是高頻數字/模擬轉換器的設計來說，場效應管的不匹配都會影響性能。因此，建立一個能夠精確反映場效應管不匹配情況的模型就變得必不可少了。美國專利號7171346的發明公開了一種不匹配模型工具。該不匹配模型工具根據輸入的晶體管參數，應用其內置的不匹配模型來給出不匹配結果。然而，現有的模型都是在一些設定的偏置電壓或溫度的條件下來對器件的電性能進行測量，并根據測量數據來建立的。但是，基于不同的設計要求，場效應管的設計尺寸和偏置電壓以及場效應管工作時所處的溫度往往會有很大的不同，這些因素都會影響場效應管的不匹配程度，而現有技術建立的模型往往并沒有考慮到這些因素，因此現有技術建立的模型不夠全面，并不能夠很精確地衡量場效應管不匹配的程度。
發明內容本發明解決的問題是現有技術建立的模型并沒有考慮到場效應管的不匹配程度會隨設計尺寸、偏置電壓和工作溫度的變化而變化，因而建立的模型不夠精確。為解決上述問題，本發明提供了一種建立場效應管不匹配模型的方法，包括下列步驟挑選兩個場效應管的第一偏置電壓參數和第二偏置電壓參數作為變量；至少針對三個第一偏置電壓參數和三個第二偏置電壓參數的所有組合值，測量對應的場效應管的漏極電流；比較兩個場效應管的漏極電流，獲得兩個場效應管的漏極電流差值百分比曲線；將漏極電流差值百分比作為第一層一元二次函數的值，將所述第一偏置電壓參數作為第一層一元二次函數變量，得到至少三個一元二次函數的二次項系數、一次項系數和常數項的值；分別將得到的二次項系數、一次項系數和常系數作為第二層一元一次函數的值，將場效應管的尺寸參數作為一元一次函數變量，得到至少三個對應的一元一次函數的斜率；將得到的斜率作為第三層一元二次函數的值，將所述第二偏置電壓參數作為第三層一元二次函數變量，得到至少三個對應的一元二次函數的二次項系數、一次項系數和常系數的值；至少變換三個不同的溫度，重復上述所有步驟；分別將得到的不同溫度下相應的二次項系數、一次項系數和常數項作為第四層一元二次函數的值，將溫度參數作為第四層一元二次函數變量，得到至少三個對應的一元二次函數的二次項系數、一次項系數和常數項的值；將上一步驟中得到的二次項系數、一次項系數和常數項的值代入相應的函數，并將所有函數代入上一層次的函數中，最后得到漏極電流差值百分比隨場效應管的偏置電壓參數、尺寸參數和溫度參數變化的一元二次函數，作為衡量場效應管不匹配模型。與現有技術相比，本發明具有以下優點本發明通過函數擬和測量得到的場效應管間的不匹配曲線，并逐步將偏置電壓、尺寸和溫度作為函數變量增加到函數中，最終得到場效應管的不匹配程度隨偏置電壓、尺寸和溫度變化的關系來作為場效應管的不匹配模型，所以能夠較精確地衡量場效應管不匹配程度。圖1是線性工作電壓下的場效應管漏極電流差值百分比的測量值曲線圖2是飽和工作電壓下的場效應管漏極電流差值百分比的測量值曲線圖3至圖5是線性工作電壓下，擬和漏極電流差值百分比的一元二次函數的二次項系數、一次項系數和常數項的線性圖6是線性工作電壓下，擬和圖3至圖5中各系數的一元一次函數的斜率與基極-源極電壓關系曲線圖7至圖9是飽和工作電壓下，擬和漏極電流差值百分比的一元二次函數的二次項系數、一次項系數和常數項的線性圖IO是飽和工作電壓下，擬和圖7至圖9中各系數的一元一次函數的斜率與基極-源極電壓關系曲線圖11至圖13是線性工作電壓下，擬和斜率曲線的一元二次函數的二次項系數、一次項系數和常數項與溫度關系曲線圖14是各函數代入關系圖15是設定偏置電壓下，本發明場效應管不匹配模型曲線與測量所得不匹配曲線比專交圖。具體實施方式本發明通過函數擬和測量得到的場效應管間的不匹配曲線，并逐步將偏置電壓、尺寸和溫度作為函數變量增加到函數中，最終得到場效應管的不匹配程度隨偏置電壓、尺寸和溫度變化的關系來作為場效應管的不匹配模型。下面通過兩個具體的實施例來詳細論述本發明建立場效應管不匹配模型的方法。實施例1,建立兩個設計尺寸相同的場效應管在漏極-源極電壓處于線性工作電壓下的不匹配模型。對場效應管施加偏置電壓，使得漏極-源極電壓Vds=0.05V:步驟1,挑選柵極-源極電壓Vgs和基極-源極Vbs電壓作為變量；步驟2,在溫度T二25。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs二OV,柵極-源極電壓Vgs=0.5V、0.6V、0.7V、0.8V、0.9V、l.OV、1.1V和1.2V,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T=25°C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=—0.3V,4冊才及陽源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T:25。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=—0.6V,牙冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏才及電流Idl和Id2;在溫度T二25。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=—0.9V,一冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏纟及電流Idl和Id2;在溫度T二25。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=—1.2V，才冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏才及電流Idl和Id2;步驟3，根據所測得的漏極電流，利用公式，，1rf2x100%得到線性工作電壓下兩個場效應管的漏極電流差值百分比Idlm,如表1所示,<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>表1如圖1所示，以柵極-源極電壓Vgs為橫坐標，以表l中所得的漏極電流差值百分比Id,m為縱坐標，得到在不同的基極-源極電壓Vbs下，漏極電流差值百分比IdHn隨柵極-源極電壓Vgs變化的曲線，例如，以Vgs^0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2為橫坐標，以Vbs=OV時對應的漏極電流差值百分比Un二5.680、3,428、2.269、1.647、1.309、1.130、1.045和1.015為縱坐標得到Vbs=OV時，漏極電流差值百分比Idlin隨柵極-源極電壓Vgs變化的曲線。從圖l中可以看到，在相同的基極-源極電壓下，隨著柵極-源極電壓的增大，漏極電流差值百分比Idlin減小。而在相同的柵極-源極電壓下，隨著基極-源極電壓增大，漏極電流差值百分比I他n增大。步驟4,以柵極-源極電壓Vgs為一元二次函數變量x，以漏極電流差值百分比Idim為一元二次函數值Y，用一元二次函數Y=Ax2+Bx+C去擬和圖1所示的每一根曲線，例如，用一元二次函數Y產AixVBp+d擬和圖1中代表Vbs=OV的曲線，得到二次項系數、一次項系數和常數項Q。以此類推，得到基極-源極電壓Vbs=-0.3V、-0.6V、-0.9V和-1.2V時，對應的一元二次函數Y2、Y3、Y4和Y5的二次項系數A2-A5、一次項系數B2-B5和常數項C2－C5。步驟5,以尺寸參數1/W"^L"為橫坐標，分別以二次項系數、一次項系數和常數項為縱坐標，得到線性圖，如圖3至圖5所示。并以尺寸參數l/Wm*Ln為一元一次函數變量x，以步驟4中得到的二次項系數、一次項系數和常數項為一元一次函數值，用一元一次函數y二Dx去擬和各系數對應的直線，得到斜率D。例如，如圖3所示，以Vbs=0V時的一元二次函數Y尸A,x2+B,x+C,的二次項系數A！為一元一次函數值yi，用一元一次函數y產DAlx去擬和A,對應的直線，得到斜率D的但Dm,其中尺寸參數中的W即晶體管的溝道寬度，L即晶體管的溝道長度，m和n分別為設定的溝道寬度系數和溝道長度系數，m=0.3、n=l。以此類推，得到步驟4中得到的其他二次項系數八2-八5、一次項系數B！-B5和常數項Q-C5對應的一元一次函數的斜率DA2、DA3、DA4、DA5、DB1、DB2、DB3、DB4、DB5、Dcl、DC2、DC3、DC4*DC5;步驟6,以基力及-源極電壓Vbs為橫坐標，分別以步驟5得到的二次項系數的斜率、一次項系數的斜率和常數項的斜率為縱坐標，得到斜率隨基極-源極電壓變化曲線DA、Db和Dc。如圖6所示，以Vbs為一元二次函數變量x,以DA=DA1、DA2、DA3、DA4、DA5為一元二次函數值y,用一元二次函數y二a0x2+alx+a2擬和DA,得到二次項系數a0、一次項系數al和常數項a2;以Vbs為一元二次函lt變量x,以DB=DB1、DB2、DB3、DB4、DB5為一元二次函數值y，用一元二次函數y二b0x^blx+b2擬和DB，得到二次項系數bO、一次項系數bl和常數項b2;以Vbs為一元二次函數變量x，以DC=DCI、DC2、DC3、DC4、Dc5為一元二次函數值y,用一元二次函數y二c0x2+clx+c2擬和Dc,得到二次項系數cO、一次項系數cl和常數項c2;步驟7,變換溫度，重復步驟1-步驟6,在溫度T二40。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs-OV，柵極-源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T;40。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電i￡Vbs=-0.3V,柵極-源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏一及電流Idl和Id2;在溫度T二40。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs--0.6V,柵極-源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1,1和1.2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T;40。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs;0.9V,4冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T二40。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs--1.2V，耳又一冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;根據所測得的漏極電流，利用公式/rf2x100%得到線性工作電壓>^+D下兩個場效應管的漏極電流差值百分比Idlin，以柵極-源極電壓Vgs為橫坐標，以所得的漏極電流差值百分比IdUn為縱坐標，得到在不同的基極-源極電壓Vbs下，漏極電流差值百分比Idlm隨柵極-源極電壓Vgs變化的曲線；以柵4及-源才及電壓Vgs為一元二次函lt變量x,以漏豐及電流差j直百分比Idlin為一元二次函凄t值Y,用一元二次函數Y=Ax2+Bx+C去擬和曲線，得到基極-源極電壓Vbs二OV、-0.3V、-0.6V、-0.9V和-1.2V時，對應的一元二次函數的二次項系數A,-A5、一次項系數-B5和常數項C,-C5;以尺寸參數l/Wm*Ln為橫坐標，分別以二次項系數、一次項系數和常數項為縱坐標，得到線性圖，并以尺寸參數l/W、Ln為一元一次函數變量x,以二次項系數為一元一次函數值y,用一元一次函數y=Dx去擬和^對應的直線，得到斜率D的值DAi，其中尺寸參數中的W即晶體管的溝道寬度，L即晶體管的溝道長度，m和n分別為設定的溝道寬度系數和溝道長度系數，m=0.3、n=l。以此類推，得到其他二次項系數A2-A5、一次項系數B廣B5和常數項d-C5對應的一元一次函數的斜率DA2、DA3、DA4、DA5、DB1、DB2、DB3、DB4、DB5、DC1、DC2、DC3、Dc4和Dc5;以基極-源極電壓Vbs為橫坐標，分別以二次項系數的斜率、一次項系數的斜率和常數項的斜率為縱坐標，得到斜率隨基極-源極電壓變化曲線DA、DB和Dc，并以Vbs為一元二次函數變量x，以DA=DA1-DA5為一元二次函凄t值y,用一元二次函數y二a0x^alx+a2擬和DA，得到二次項系數aO、一次項系數al和常數項a2;以Vbs為一元二次函數變量x，以DB=DB1-DB5為一元二次函數值y，用一元二次函數y=b0x2+blx+b2擬和DB,得到二次項系數bO、一次項系數bl和常數項b2;以Vbs為一元二次函凄t變量x,以DC=DC-DC5為一元二次函凄史值y，用一元二次函凄丈y=c0x2+clx+c2擬和Dc，得到二次項系數cO、一次項系數c1和常數項c2;在溫度T二15。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs二OV，柵才及-源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏4及電流Idl和Id2;在溫度T二15。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs:—0.3V,柵極陽源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏極電流idl和id2;在溫度T二15。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs二—0.6V，4冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1,1禾口1.2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T二15。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs二0.9V,柵極-源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T二15。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs:—1.2V,耳又片冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;根據所測得的漏極電流，利用公式，/"一^2x100%得到線性工作電壓肌+。下兩個場效應管的漏極電流差值百分比Idlin，以柵極-源才及電壓Vgs為橫坐標，以所得的漏極電流差值百分比Idlin為縱坐標，得到在不同的基極-源極電壓Vbs下，漏極電流差值百分比Idlin隨柵極-源極電壓Vgs變化的曲線；以才冊才及-源才及電壓Vgs為一元二次函數變量x，以漏才及電流差值百分比Idlln為一元二次函數值Y,用一元二次函數Y=Ax2+Bx+C去擬和曲線，得到基極-源極電壓Vbs二OV、-0.3V、-0.6V、-0.9V和-1.2V時，對應的一元二次函數的二次項系數-A5、一次項系數-B5和常數項Q-C5;以尺寸參數1/W"^L"為橫坐標，分別以二次項系數、一次項系數和常數項為縱坐標，得到線性圖，并以尺寸參數1/WL"為一元一次函數變量x，以二次項系數A,為一元一次函數值y,用一元一次函數y=Dx去擬和A!對應的直線，得到斜率D的值DA1，其中尺寸參數中的W即晶體管的溝道寬度，L即晶體管的溝道長度，m和n分別為設定的溝道寬度系數和溝道長度系數，m=0.3、n=l。依此類推，得到其他二次項系數A2-A5、一次項系數B^B5和常數項d-Cs對應的一元一次函數的斜率DA2、DA3、DA4、DA5、DB1、DB2、DB3、DB4、DB5、DC1、DC2、DC3、DC4*DC5;以基極-源極電壓Vbs為橫坐標，分別以二次項系數的斜率、一次項系數的斜率和常數項的斜率為縱坐標，得到斜率隨基極-源極電壓變化曲線DA、Db和Dc,并以Vbs為一元二次函數變量x,以DA=DA1-DAs為一元二次函數值y,用一元二次函數y二a0x、alx+a2擬和DA，得到二次項系數aO、一次項系數al和常數項a2;以Vbs為一元二次函數變量x,以DB=DB1-DB5為一元二次函數值y，用一元二次函數y=b0x2+blx+b2擬和DB，得到二次項系數bO、一次項系數bl和常數項b2;以Vbs為一元二次函數變量x,以DC=DC1-DC5為一元二次函數值y,用一元二次函數y=c0x2+clx+c2擬和Dc，得到二次項系數cO、一次項系數cl和常數項c2;在溫度T-85。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=OV，柵才及-源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏4及電流Idl和Id2;在溫度T二85。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=-0.3V,斗冊才及-源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏極電流idi和id2;在溫度T二85。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=-0.6V,4冊才及-源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1,0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏極電流idi和id2;在溫度T^85。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=-0.9V，4冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T-85。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs二一1.2V,耳又4冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1牙口1,2,測量對應的場效應管的漏才及電流idi和Id2;根據所測得的漏極電流，利用公式4x100%得到線性工作電壓肌+。下兩個場效應管的漏極電流差值百分比idlin,以柵極-源極電壓Vgs為橫坐標，以所得的漏極電流差值百分比Idto為縱坐標，得到在不同的基極-源極電壓Vbs下，漏極電流差值百分比Idlin隨柵極-源極電壓Vgs變化的曲線；以柵極-源極電壓Vgs為一元二次函數變量x,以漏極電流差值百分比IdHn為一元二次函數值Y，用一元二次函數Y=Ax2+Bx+C去擬和曲線，得到基極-源才及電壓Vbs^OV、-0.3V、-0.6V、-0.9V和-1.2V時，對應的一元二次函數的二次項系數At-A5、一次項系數-B5和常數項Q-C5;以尺寸參數l/Wm*Ln為橫坐標，分別以二次項系數、一次項系數和常數項為縱坐標，得到線性圖，并以尺寸參數1/W"^Ln為一元一次函數變量X，以二次項系數A,為一元一次函l"直y,用一元一次函凄ty=Dx去擬和A！對應的直線，得到斜率D的值DA1,其中尺寸參數中的W即晶體管的溝道寬度，L即晶體管的溝道長度，m和n分別為設定的溝道寬度系數和溝道長度系數，m=0.3、n=l。依此類推，得到其他二次項系數A2-A5、一次項系數Bi-B5和常數項d-C5對應的一元一次函數的斜率DA2、DA3、DA4、DA5、DB1、DB2、DB3、DB4、DB5、DC1、DC2、DC3、DC4~DC5;以基極-源極電壓Vbs為橫坐標，分別以二次項系數的斜率、一次項系數的斜率和常數項的斜率為縱坐標，得到斜率隨基極-源極電壓變化曲線DA、DB和Dc，并以Vbs為一元二次函數變量x，以DA=DA1_DA5為一元二次函數值y,用一元二次函數y二a0x2+alx+a2擬和DA,得到二次項系數aO、一次項系數al和常數項a2;以Vbs為一元二次函數變量x,以DB=DB1-DB5為一元二次函數值y,用一元二次函數y=b0x2+blx+b2擬和DB,得到二次項系數bO、一次項系數bl和常數項b2;以Vbs為一元二次函數變量x,以DC=DC1-DC5為一元二次函數值y,用一元二次函數y=c0x2+clx+c2擬和Dc，得到二次項系數cO、一次項系數cl和常數項c2;在溫度T二125。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs^OV，才冊極-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場^t應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T-125。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs二-0.3V，柵極-源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏纟及電流Idl和Id2;在溫度T=125°C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs^—0.6V，才冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1牙口1.2，測量對應的場效應管的漏極電流Id,和Id2;在溫度T425。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs;0.9V,柵才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T^125。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs--1.2V,取4冊才及陽源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;根據所測得的漏極電流，利用公式，，"x100%得到線性工作電壓下兩個場效應管的漏極電流差值百分比Idlin,以柵極-源極電壓Vgs為橫坐標，以所得的漏極電流差值百分比I拋為縱坐標，得到在不同的基極-源極電壓Vbs下，漏極電流差值百分比I犯n隨柵極-源極電壓Vgs變化的曲線；以才冊才及-源4及電壓Vgs為一元二次函lt變量x，以漏才及電流差j直百分比Idlin為一元二次函數值Y，用一元二次函數Y^Ax^Bx+C去擬和曲線，得到基極-源極電壓Vbs二OV、-0.3V、-0.6V、-0.9V和-1.2V時，對應的一元二次函數的二次項系數-A5、一次項系數-B5和常數項-C5;以尺寸參數l/Wm*Ln為橫坐標，分別以二次項系數、一次項系數和常數項為縱坐標，得到線性圖，并以尺寸參數l/W"^Ln為一元一次函數變量x,以二次項系數A,為一元一次函數值y,用一元一次函數y=Dx去擬和At對應的直線，得到斜率D的值DM，其中尺寸參數中的W即晶體管的溝道寬度，L即晶體管的溝道長度，m和n分別為設定的溝道寬度系數和溝道長度系數，m=0.3、n=l。依此類推，得到其他二次項系數A2-A5、一次項系數B,-B5和常數項d-C5對應的一元一次函數的斜率DA2、DA3、DA4、DA5、DB1、DB2、DB3、DB4、DB5、DC1、DC2、Dc3、DC4*DC5;以基極-源極電壓Vbs為橫坐標，分別以二次項系數的斜率、一次項系數的斜率和常數項的斜率為縱坐標，得到斜率隨基極-源極電壓變化曲線DA、Db和Dc,并以Vbs為一元二次函數變量x,以DA=DA1-DA5為一元二次函數值y,用一元二次函數y-a0x、alx+a2擬和DA,得到二次項系數aO、一次項系數al和常數項a2;以Vbs為一元二次函數變量x,以DB=DB1-DB5為一元二次函數值y，用一元二次函數y=b0x2+blx+b2擬和DB,得到二次項系數bO、一次項系數bl和常數項b2;以Vbs為一元二次函數變量x,以DC=DC1-DC5為一元二次函婆t值y,用一元二次函數y=c0x2+clx+c2擬和Dc,得到二次項系數cO、一次項系數cl和常數項c2;步驟8,以溫度參數T-Tnom為橫坐標，分別以得到的各個溫度下的系數a0、al、a2為縱坐標，得到系數as隨溫度參數變化的曲線，如圖11所示；以b0、bl、b2為縱坐標，得到系數bs隨溫度參數變化的曲線，如圖12所示；以cO、cl和c2為縱坐標，得到系數cs隨溫度參數變化的曲線，如圖13所示。例如，如圖11所示，以溫度參^tT-Tnom為一元二次函凄t變量x，以各個溫度下系數aO的值為一元二次函數值y,用y=Ta02x2+Ta01x+Ta00擬和曲線aO，得到二次項系數Ta02、一次項系數TaOl和常數項TaOO,其中Tnom代表室溫，Tnom-25。C或27°C;以此類推，用y=Tal2x2+Tallx+TalO擬和各個溫度下系數al的曲線；用y=Ta22x2+Ta21x+Ta20擬和各個溫度下系數a2的曲線；用y=Tb02x2+Tb01x+TbOO擬和各個溫度下系數b0的曲線；用y=Tbl2x2+Tbllx+TblO擬和各個溫度下系數bl的曲線；用y=Tb22x2+Tb21x+Tb20擬和各個溫度下系數b2的曲線；用y=Tc02x2+Tc01x+Tc00擬和各個溫度下系數cO的曲線；用y=Tc12x2+Tc11x+Tc10擬和各個溫度下系數c1的曲線；用y-Tc22xVTc21x+Tc20擬和各個溫度下系數c2的曲線，得到al、a2、b0、M、b2、cO、cl和c2對應的一元二次函數的二次項系數Tal2、Ta22、Tb02、Tbl2、Tb22、Tc02、Tcl2和Tc22,—次項系數Tall、Ta21、TbOl、Tbll、Tb21、TcOl、Tell和Tc21以及常數項TalO、Ta20、TbOO、TblO、Tb20、TcOO、TclO和Tc20。步驟9，如圖14所示，按如下關系，將得到的各個系數帶入相應函數，例如，將二次項系數Ta02、一次項系數Ta01和常數項Ta00代入aO=Ta02(T-Tnom)2+Ta01(T-Tnom)+Ta00，將二次項系數Tal2、一次項系數Tal1和常數項TalO代入al=Tal2(T-Tnom)2+Tal1(T-Tnom)+TalO，將二次項系數Ta22、一次項系數Ta21和常數項Ta20代入a2=Ta22(T-Tnom)2+Ta21(T-Tnom)+Ta20,再將a0、al和a2的表達式代入DA=aO*Vbs2+al*Vbs+a2，以此類推，將b0、bl和b2的表達式代入DB=bO*Vbs2+bl*Vbs+b2、將c0、cl和c2的表達式代入Dc=cO*Vbs2+cl*Vbs+c2,再將Da代入A=DA/Wm*Ln、Db代入B:Db/W叫L"和Dc代入C:Dc/Wm*Ln，最后得到線性工作電壓條件下，漏極電流差值百分比Icmn隨偏置電壓、尺寸和溫度變化的函數Y^F(Vgs，Vbs，W,T)=Ax2+Bx+C。為了驗證函數Y-F(Vgs,Vbs，W，L，T)的精確性，分別挑選兩個設計尺寸為W/L=8/0.13以及兩個設計尺寸為W/L=0.5/0.13的場效應管，在基極-源極電壓=-1.2V,溫度=-40。C的情況下，分別測量柵極-源極電壓=0.35、0.6、0.85、1.1和1.35時兩個場效應管的漏極電流差值百分比，并且用函數Y=F(Vgs,Vbs,W，L,T)作為模型，在相同的條件下進行仿真。從圖15中可以看到，函數Y二F(Vgs,Vbs,W,L，T)的曲線與測量值吻合地很好，證明了精確性。實施例2,建立兩個設計尺寸相同的場效應管在漏才及-源才及電壓處于飽和工作電壓下的不匹配才莫型。參照實施例l的步驟，對場效應管施加偏置電壓，使得漏極-源極電壓Vds=1.2V:步驟1,挑選柵極-源極電壓和基極-源極電壓作為變量；步驟2,在溫度T二25。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=0V，柵極-源極電壓Vgs=0.5V、0.6V、0.7V、0.8V、0.9V、l.OV、1.1V和1.2V,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T二25。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=—0.3V，4冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏才及電流Idl和Id2;在溫度T^25。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=—0.6V，4冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1禾口1.2，測量對應的場效應管的漏才及電流Idl和Id2;在溫度T-25。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=-0.9V，柵極-源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T二25。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=-1.2V,4冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏才及電流Idl和Id2;步驟3,根據所測得的漏極電流，利用公式，—7"xioo%得到飽和工作電壓下兩個場效應管的漏;t及電流差值百分比Idsat,如表2所示，<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>表2以柵極-源極電壓Vgs為橫坐標，以表2所得的漏極電流差值百分比Idsat為縱坐標，得到在不同的基極-源極電壓Vbs下，漏極電流差值百分比Idsaj4柵極-源極電壓VgS變化的曲線，如圖2所示。從圖2中可以看到，在相同的基極-源極電壓下，隨著柵極-源極電壓的增大，漏極電流差值百分比IdHn減小。而在相同的柵極-源極電壓下，隨著基極-源極電壓增大，漏極電流差值百分比Idlin增大。步驟4,以柵極-源極電壓Vgs為一元二次函數變量x，以漏極電流差值百分比Id^為一元二次函數值Y,用一元二次函數Y=Ax2+Bx+C去擬和圖2所示的每一根曲線，得到基極-源極電壓Vbs=0V、-0.3V、-0.6V、-0.9V和-1.2V時，對應的一元二次函^L的二次項系凄tA!-A5、一次項系凄tBi-Bs和常數項d-C5;步驟5，以尺寸參數1/W"^L"為橫坐標，分別以二次項系數、一次項系數和常數項為縱坐標，得到線性圖，如圖7至圖9所示，并以尺寸參數l/Wm*Ln為一元一次函數變量x,以二次項系數A,為一元一次函數值y,用一元一次函數y^Dx去擬和A,對應的直線，得到斜率D的但Da,,其中尺寸參數中的W即晶體管的溝道寬度，L即晶體管的溝道長度，m和n分別為設定的溝道寬度系數和溝道長度系數，m=0.3、n=l。依此類推，得到其他二次項系數A2-A5、一次項系數Bt-Bs和常數項d-Cs對應的一元一次函數的斜率DA2、DA3、DA4、DA5、DB1、DB2、DB3、DB4、DB5、DC1、DC2、DC3、DC4—DC5;步驟6,以基極-源極電壓Vbs為橫坐標，分別以二次項系數斜率、一次項系數斜率和常數項系數斜率為縱坐標，得到斜率隨基極-源極電壓變化曲線DA、Db和Dc。如圖10所示，以Vbs為一元二次函數變量x,"DA=DA1-0八5為一元二次函數值y，用一元二次函數y=a0x2+alx+a2擬和DA，得到二次項系數a0、一次項系數al和常數項a2;以Vbs為一元二次函數變量x,以DB=DB1-DB5為一元二次函凄tf直y，用一元二次函凄ty二b0x2+blx+b2擬和DB，得到二次項系數b0、一次項系數bl和常數項b2;以Vbs為一元二次函數變量x,以Dc=DC1-DC5為一元二次函凝f直y，用一元二次函凄史y=c0x2+clx+c2擬和Dc,得到二次項系數c0、一次項系數cl和常數項c2;步驟7，變換溫度，重復步驟1-步驟6，在溫度T二40。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs二OV，柵極-源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T;40。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs^-0.3V,才冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1禾口1.2，測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T;40。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs--0.6V,一冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1牙口1.2，測量對應的場效應管的漏一及電流idi和id2;在溫度1^-40°(:的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs二0.9V，柵極-源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1,2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T二40。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs^-1.2V，耳又才冊極-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏才及電流idl和id2;根據所測得的漏極電流，利用公式^x100%得到飽和工作電壓下兩個場效應管的漏極電流差值百分比Idsat,以柵極-源極電壓Vgs為橫坐標，以所得的漏極電流差值百分比Idsat為縱坐標，得到在不同的基極-源極電壓Vbs下，漏極電流差值百分比Idsat隨柵極-源極電壓Vgs變化的曲線；以柵極-源極電壓Vgs為一元二次函數變量x,以漏極電流差值百分比Idsat為一元二次函數值Y,用一元二次函數Y二Ax^Bx+C去擬和曲線，得到基極-源極電壓Vbs二OV、-0.3V、-0.6V、-0.9V和-1.2V時，對應的一元二次函數的二次項系數A,-A5、一次項系數B,-B5和常數項d-C5;以尺寸參數l/Wm*Ln為橫坐標，分別以二次項系數、一次項系數和常數項為縱坐標，得到線性圖，并以尺寸參數1/W"^L"為一元一次函數變量x,以二次項系數A！為一元一次函數值y，用一元一次函數y=Dx去擬和Ai對應的直線，得到斜率D的但Dm，其中尺寸參數中的W即晶體管的溝道寬度，L即晶體管的溝道長度，m和n分別為設定的溝道寬度系數和溝道長度系數，m=0.3、n=l。依此類推，得到其他二次項系數A2-A5、一次項系數B,-B5和常數項d-Q對應的一元一次函數的斜率DA2、DA3、DA4、DA5、DB1、DB2、DB3、DB4、DB5、DC1、DC2、DC3、DC4*DC5;以基極-源極電壓Vbs為橫坐標，分別以二次項系數斜率、一次項系數斜率和常數項斜率為縱坐標，得到斜率隨基極-源極電壓變化曲線DA、Db和Dc,并以Vbs為一元二次函凄l變量x，以DA=DA1-DA5為一元二次函K值y,用一元二次函數"a0x^alx+a2擬和DA，得到二次項系數aO、一次項系數al和常數項a2;以Vbs為一元二次函數變量x,以DB=DB1-DB5為一元二次函數值y，用一元二次函數y二b0x^blx+b2擬和DB,得到二次項系數bO、一次項系數bl和常數項b2;以Vbs為一元二次函數變量x，以DC=DC1-DC5為一元二次函數值y，用一元二次函數y=c0x2+clx+c2擬和Dc，得到二次項系數cO、一次項系數cl和常數項c2;在溫度T二15。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs二OV,4冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T二15。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs二—0.3V,4冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1牙口1.2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T二15。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電AVbs=_0.6V,才冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1牙口1.2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T;15。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs二-0.9V，柵才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T;15。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs二-1.2V，取4冊極-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;根據所測得的漏極電流，利用公式I——7"x100%得到飽和工作電壓下兩個場效應管的漏一及電流差值百分比Idsat,以一冊極-源4及電壓Vgs為橫坐標，以所得的漏極電流差值百分比Idsat為縱坐標，得到在不同的基才及-源極電壓Vbs下，漏極電流差值百分比Idsat隨柵極-源極電壓Vgs變化的曲線；以柵極-源極電壓Vgs為一元二次函數變量x,以漏極電流差值百分比Idsat為一元二次函^:值Y,用一元二次函數Y=Ax2+Bx+C去擬和曲線，得到基極-源才及電壓Vbs二OV、-0.3V、-0.6V、-0.9V和-1.2V時，對應的一元二次函凝:的二次項系數A-A5、一次項系數-B5和常數項Q-C5;以尺寸參數1/W叫Ln為橫坐標，分別以二次項系數、一次項系數和常數項為縱坐標，得到線性圖，并以尺寸參數l/W^L"為一元一次函數變量x，以二次項系數A,為一元一次函數值y,用一元一次函數y二Dx去擬和A!對應的直線，得到斜率D的但Da,,其中尺寸參數中的W即晶體管的溝道寬度，L即晶體管的溝道長度，m和n分別為設定的溝道寬度系數和溝道長度系數，m=0.3、n=l。依此類推，得到其他二次項系數A2-A5、一次項系數B廣Bs和常數項C廣Cs對應的一元一次函數的斜率DA2、DA3、DA4、DA5、DB1、DB2、DB3、DB4、DB5、DC1、DC2、DC3、DC4*DC5;以基極-源極電壓Vbs為橫坐標，分別以二次項系數斜率、一次項系數斜率和常數項斜率為縱坐標，得到斜率隨基極-源極電壓變化曲線DA、Db和Dc,并以Vbs為一元二次函數變量x，以DA=DA1-DA5為一元二次函數值y,用一元二次函數y=a0x2+alx+a2擬和DA,得到二次項系數a0、一次項系數al和常數項a2;以Vbs為一元二次函數變量x，以DB=DB1-DB5為一元二次函數值y，用一元二次函數y-b0x^blx+b2擬和DB，得到二次項系數bO、一次項系數bl和常數項b2;以Vbs為一元二次函數變量x,以DC=DC1-DC5為一元二次函數值y,用一元二次函數y=c0x2+clx+c2擬和Dc，得到二次項系數cO、一次項系數cl和常數項c2;在溫度T二85。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs-OV,4冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T二85。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=—0.3V，4冊極-源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2，測量對應的場效應管的漏纟及電流Idl和Id2;在溫度T=85°C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=—0.6V，才冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏一及電流Idl和Id2;在溫度T二85。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=-0.9V，才冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1,2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T=85°C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs=—1.2V，耳又4冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1牙口1.2，測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;根據所測得的漏極電流，利用公式，x100%得到飽和工作電壓肌+D下兩個場效應管的漏極電流差值百分比Idsat，以柵極-源極電壓Vgs為橫坐標，以所得的漏極電流差值百分比Idsat為縱坐標，得到在不同的基極-源極電壓Vbs下，漏極電流差值百分比Idsat隨柵極-源極電壓Vgs變化的曲線；以柵極-源極電壓VgS為一元二次函數變量X，以漏極電流差值百分比Idsat為一元二次函數值Y，用一元二次函數Y=Ax2+Bx+C去擬和曲線，得到基極-源才及電壓Vbs二OV、-0.3V、-0.6V、-0.9V和-1.2V時，^j"應的一元二次函凄t的二次項系數A,-A5、一次項系數-B5和常數項-C5;以尺寸參數l/Wm*Ln為橫坐標，分別以二次項系數、一次項系數和常數項為縱坐標，得到線性圖，并以尺寸參數1/W"^Ln為一元一次函數變量x,以二次項系數A!為一元一次函數值y,用一元一次函凄史y=Dx去擬和Ai對應的直線，得到斜率D的但Dap其中尺寸參數中的W即晶體管的溝道寬度，L即晶體管的溝道長度，m和n分別為設定的溝道寬度系數和溝道長度系數，m=0.3、n=l。依此類推，得到其他二次項系數A2-A5、一次項系數B!-B5和常數項d-Q對應的一元一次函數的斜率DA2、DA3、DA4、DA5、DB1、DB2、DB3、DB4、DB5、DC1、DC2、DC3、DC4*DC5;以基極-源極電壓Vbs為橫坐標，分別以二次項系數斜率、一次項系數斜率和常數項斜率為縱坐標，得到斜率隨基極-源極電壓變化曲線DA、Db和Dc，并以Vbs為一元二次函數變量x，以DA=DA1-DA5為一元二次函數值y,用一元二次函數y=a0x2+alx+a2擬和DA，得到二次項系數a0、一次項系數al和常數項a2;以Vbs為一元二次函數變量x,以DB=DB1-DB5為一元二次函數值y，用一元二次函數y二b0x^blx+b2擬和DB,得到二次項系數bO、一次項系數bl和常數項b2;以Vbs為一元二次函數變量x,以DC=DC1-DC5為一元二次函數值y，用一元二次函數y二c0x^clx+c2擬和Dc，得到二次項系數cO、一次項系數cl和常數項c2;在溫度T-125。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs:OV，才冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T425。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs:—0.3V,才冊才及-源極電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏一及電流Idl和Id2;在溫度T^125。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電AVbs=—0.6V,一冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1,口1.2,測量對應的場效應管的漏一及電流idl和ld2;在溫度T425。C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs;0.9V，4冊極-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和1.2,測量對應的場效應管的漏極電流Idl和Id2;在溫度T=125°C的情況下，對場效應管施加偏置電壓，使得基極-源極電壓Vbs二-1.2V,耳又4冊才及-源才及電壓Vgs=0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1和l.2，測量對應的場效應管的漏極電流idi和id2;根據所測得的漏極電流，利用公式J"—7"x100%得到飽和工作電壓下兩個場效應管的漏極電流差值百分比idsat,以柵極-源極電壓Vgs為橫坐標，以所得的漏極電流差值百分比Idsat為縱坐標，得到在不同的基極-源極電壓Vbs下，漏極電流差值百分比Idsat隨柵極-源極電壓Vgs變化的曲線；以沖冊才及-源才及電壓Vgs為一元二次函lt變量x，以漏4及電流差值百分比Idsat為一元二次函數值Y,用一元二次函數Y=Ax2+Bx+C去擬和曲線，得到基極-源極電壓Vbs二OV、-0.3V、-0.6V、-0.9V和-1.2V時，對應的一元二次函數的二次項系數A!-A5、一次項系數-B5和常數項Q-C5;以尺寸參數l/Wm*Ln為橫坐標，分別以二次項系數、一次項系數和常數項為縱坐標，得到線性圖，并以尺寸參數l/W叫Ln為一元一次函數變量x,以二次項系數Ai為一元一次函數值y,用一元一次函數y=Dx去擬和A!對應的直線，得到斜率D的但Dm,其中尺寸參數中的W即晶體管的溝道寬度，L即晶體管的溝道長度，m和n分別為設定的溝道寬度系數和溝道長度系數，m=0.3、n=l。依此類推，得到其他二次項系數A2-A5、一次項系數B廣B5和常數項d-C5對應的一元一次函數的斜率DA2、DA3、DA4、DA5、DB1、DB2、DB3、DB4、DB5、DC1、DC2、DC3、DC4*DC5;以基極-源極電壓Vbs為橫坐標，分別以二次項系數斜率、一次項系數斜率和常數項斜率為縱坐標，得到斜率隨基極-源極電壓變化曲線DA、Db和Dc,并以Vbs為一元二次函數變量x，以DA=DA1-DA5為一元二次函凄t值y，用一元二次函數y=a0x2+alx+a2擬和DA，得到二次項系數a0、一次項系數al和常數項a2;以Vbs為一元二次函數變量x，以DB=DB1-DB5為一元二次函數值y,用一元二次函數y二b0xVblx+b2擬和DB,得到二次項系數bO、一次項系數bl和常數項b2;以Vbs為一元二次函數變量x,以DC=DC1-DC5為一元二次函數值y，用一元二次函數y=c0x2+clx+c2擬和Dc，得到二次項系數cO、一次項系數cl和常數項c2;步驟8，以溫度參數T-Tnom為橫坐標，分別以得到的系數aO、al、a2、b0、bl、b2、cO、cl和c2為縱坐標，得到各系數隨溫度參數變化的曲線，并以溫度參數T-Tnom為一元二次函數變量x，以a0為一元二次函數值y，用y=Ta02x2+TaOlx+Ta00擬和曲線a0,得到二次項系數Ta02、一次項系數TaO1和常數項TaOO,其中Tnom代表室溫，Tnom-25。C或27°C;依此類推，用y=Tal2x2+Tallx+TalO擬和曲線al;用y=Ta22x2+Ta21x+Ta20擬和曲線a2;用y=Tb02x2+Tb01x+Tb00擬和曲線bO;用y=TM2x2+Tbllx+Tb10擬和曲線bl;用y=Tb22xVTb21x+Tb20擬和曲線b2;用y=Tc02x2+Tc01x+Tc00擬和曲線cO;用y=Tcl2x2+Tcllx+TclO擬和曲線cl;用y=Tc22x2+Tc21x+Tc20擬和曲線c2，得到al、a2、b0、bl、b2、cO、cl和c2對應的一元二次函數的二次項系l史Ta12、Ta22、Tb02、Tbl2、Tb22、Tc02、Tcl2和Tc22，一次項系數Tal1、Ta21、TbOl、Tbl1、Tb21、TcOl、Tcl1和Tc21以及常數項TalO、Ta20、TbOO、TblO、Tb20、TcOO、TclO和Tc20。步驟9,按圖14所示的關系，參照實施例l的方法，將得到的各個系數帶入相應函數，得到飽和工作電壓條件下，漏極電流差值百分比Idsat隨偏置電壓、尺寸和溫度變化的函數Y4(Vgs，Vbs,W,L，T)。綜上所述，本發明通過函數擬和測量得到的場效應管間的不匹配曲線，并逐步將偏置電壓、尺寸和溫度作為函數變量增加到函數中，最終得到場效應管的不匹配程度隨偏置電壓、尺寸和溫度變化的關系來作為場效應管的不匹配模型，所以能夠較精確地衡量場效應管不匹配程度。權利要求1.一種建立場效應管不匹配模型的方法，其特征在于，包括下列步驟，挑選兩個場效應管的第一偏置電壓參數和第二偏置電壓參數作為變量；至少針對三個第一偏置電壓參數和至少三個第二偏置電壓參數的所有組合值，測量對應的場效應管的漏極電流；比較兩個場效應管的漏極電流，獲得兩個場效應管的漏極電流差值百分比；將漏極電流差值百分比作為第一層一元二次函數的值，將所述第一偏置電壓參數作為第一層一元二次函數變量，得到至少三個一元二次函數的二次項系數、一次項系數和常數項的值；分別將得到的二次項系數、一次項系數和常系數作為第二層一元一次函數的值，將場效應管的尺寸參數作為一元一次函數變量，得到至少三個對應的一元一次函數的斜率；將得到的斜率作為第三層一元二次函數的值，將所述第二偏置電壓參數作為第三層一元二次函數變量，得到至少三個對應的一元二次函數的二次項系數、一次項系數和常系數的值；至少變換三個不同的溫度，重復上述所有步驟；分別將得到的不同溫度下相應的二次項系數、一次項系數和常數項作為第四層一元二次函數的值，將溫度參數作為第四層一元二次函數變量，得到至少三個對應的一元二次函數的二次項系數、一次項系數和常數項的值；將上一步驟中得到的二次項系數、一次項系數和常數項的值代入相應的函數，并將所有函數代入上一層次的函數中，最后得到漏極電流差值百分比隨場效應管的偏置電壓參數、尺寸參數和溫度參數變化的一元二次函數，作為衡量場效應管不匹配模型。2.如權利要求1所述的建立場效應管不匹配模型的方法，其特征在于，所述第一偏置電壓參數為場效應管的柵極-源極電壓，第二偏置電壓參數為場效應管的基極-源極電壓。3.如權利要求1或2所述的建立場效應管不匹配模型的方法，其特征在于，所述柵極-源極電壓取0.6V至1.2V。4.如權利要求1或2所述的建立場效應管不匹配模型的方法，其特征在于，所述基極-源極電壓取0V至-1.2V。5.如權利要求1所述的建立場效應管不匹配模型的方法，其特征在于，所述漏極電流差值百分比由公式,<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>X100%得到，其中IcU和Id2分別表示兩個場效應管的漏4及電流。6.如權利要求1所述的建立場效應管不匹配模型的方法，其特征在于，所述尺寸參數為l/Wm*Ln,W表示晶體管的溝道寬度，L表示晶體管的溝道長度，m和n分別為設定的溝道寬度系數和溝道長度系數。7.如權利要求6所述的建立場效應管不匹配模型的方法，其特征在于，所述m=0.3，n=l。8.如權利要求1所述的建立場效應管不匹配模型的方法，其特征在于，所述溫度范圍為-40。C至125°C。全文摘要本發明公開了一種建立場效應管不匹配模型的方法，通過函數擬和測量得到的場效應管間的不匹配曲線，并逐步將偏置電壓、尺寸和溫度作為函數變量增加到函數中，最終得到場效應管的不匹配程度隨偏置電壓、尺寸和溫度變化的關系來作為場效應管的不匹配模型，所以能夠較精確地衡量場效應管不匹配程度。文檔編號G06F17/50GK101286179SQ200710039479公開日2008年10月15日申請日期2007年4月13日優先權日2007年4月13日發明者佳何,蘇鼎杰,芳邵,黃俊誠申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司