基板處理方法、基板處理系統及基板處理程序的制作方法

專利名稱：基板處理方法、基板處理系統及基板處理程序的制作方法
技術領域：
本發明涉及基板處理方法、基板處理系統及基板處理程序，特別是，輸送基板并對基板進行所需的處理的基板處理方法、基板處理系統及基板處理程序。
背景技術：
通常，對作為基板的半導體晶片(以下稱“晶片”)進行成膜處理、蝕刻處理等處理的基板處理系統具有容納晶片并進行處理的工藝模塊(以下稱“P/M”)；從作為存放規定片數的晶片的密閉容器的晶片盒中取出晶片的大氣系統輸送裝置配置在該大氣系統輸送裝置和P/M之間，并將晶片從大氣系統輸送裝置到P/M或從P/M到大氣系統輸送裝置輸出輸入的負載鎖定室(以下稱“L/L”)室。
在這種基板處理系統中，為提高作為晶片處理時間的處理效率，以往，單獨地對各裝置進行了工序改進，但是，近年來，由于要求更進一步地提高處理效率，從OEE(Overall Equipment Efficiency整機效率)的觀點出發，研討了使構成基板處理系統的各裝置的聯動中的效率提高的方法。而且，為提高各裝置的聯動中的效率，對基板處理系統中各裝置的工序進行集中管理控制的外部設備的開發，也取得了進展。
作為使各裝置的聯動中的效率提高的裝置，在具有多個工作機構、例如多個處理模塊和對該處理模塊的工作進行驅動控制的CCU(中央控制單元)的單片式半導體制造裝置中，已知一種各處理模塊具有由氣缸進行開閉驅動的閘閥的半導體制造裝置的處理效率調整裝置(例如，參照專利文獻1)。
該處理效率調整裝置，由CCU所具有的CPU將氣缸的電磁閥驅動到閉鎖側，使同一個CCU所具有的RAM內的計時器T起動并開始將閘閥閉鎖，與此同時開始測量實際的動作時間T1。然后，當閘閥完全閉鎖時，CPU根據計時器T的值取得動作時間T1，并由從RAM讀入的動作監視時間T0減去動作時間T1而計算出剩余時間T2，在處理效率調整裝置的顯示器上顯示當前的狀況。由此，操作人員可以簡便且迅速地測量工作機構的動作時間，并能很容易地根據其測量結果提高半導體制造裝置的處理效率。
另外，作為提高各裝置的聯動中的效率的方法，在決定半導體生產中的剩余盒數量的生產條件決定方法中，已知一種利用由緩沖尺寸決定裝置根據生產裝置的處理效率值、晶片總數量、晶片移載時間、盒內所保持的晶片數量或盒的數量，從規定的公式計算出的OEE值計算剩余晶片數量W，并根據該W值以高的精度簡易地決定剩余盒的數量的方法(例如，參照專利文獻2)。
專利文獻1特開平10-135093號公報專利文獻2特開2002-141255號公報發明內容但是，上述的裝置或方法都是計算和預測使處理效率提高的剩余量，并沒有提出任何具體的提高處理效率的對策。因此，作為提高處理效率的對策，只是執行根據計算和預測出的提高剩余量縮短處理中的各工序間的待機時間之類的與以往相同的對策，當由某個裝置執行某個動作時，與該動作的實施無關的其他裝置在隨后的下一個動作之前都只能待機，因此存在著不能使處理效率飛躍地提高的問題。
本發明的目的在于，提供一種可以使處理效率飛躍地提高的基板處理方法、基板處理系統及基板處理程序。
為達到上述目的，項1所述的基板處理方法是在至少具有基板處理裝置及基板輸送裝置的基板處理系統中執行，并包括輸送基板的基板輸送工序和對上述基板進行規定處理的基板處理工序的基板處理方法，其特征在于上述基板輸送工序及上述基板處理工序由多個動作完成，并使上述多個動作中的至少2個動作并行地執行。
項2所述的基板處理方法，其特征在于在項1所述的基板處理方法中，上述基板處理裝置，具有容納室、配置在該容納室內且用于載置上述基板的載置臺、向載置在上述載置臺上的上述基板和上述載置臺之間供給傳熱氣體的傳熱氣體供給管線，并使進行上述傳熱氣體供給管線的抽真空的抽真空動作和進行上述基板的對上述容納室的送入的送入動作并行地執行。
項3所述的基板處理方法，其特征在于在項1所述的基板處理方法中，上述基板處理裝置，具有容納室、配置在該容納室內且用于載置上述基板的載置臺、從該載置臺伸出而使上述基板升降的升降銷，并使進行上述升降銷的伸出的銷伸出動作和進行上述基板的對上述容納室的送入的送入動作并行地執行。
項4所述的基板處理方法，其特征在于在項3所述的基板處理方法中，使進行上述升降銷的下降的銷下降動作和進行上述基板的從上述容納室的送出的送出動作并行地執行。
項5所述的基板處理方法，其特征在于在項1所述的基板處理方法中，上述基板處理裝置，具有容納室和控制該容納室內的壓力的壓力控制裝置，并使進行上述基板的對上述容納室的送入的送入動作和進行上述壓力控制裝置的上述容納室的升壓的升壓動作并行地執行。
項6所述的基板處理方法，其特征在于在項1所述的基板處理方法中，上述基板處理裝置，具有容納室、配置在該容納室內且用于載置上述基板的載置臺、向載置在上述載置臺上的上述基板和上述載置臺之間供給傳熱氣體的傳熱氣體供給管線、對上述載置臺施加高頻電力的高頻電源、控制所需氣體的流量并將其供給上述容納室的氣體流量控制供給裝置，并使將上述高頻電源的高頻電力施加停止的施加停止動作、將上述氣體流量控制供給裝置的氣體供給停止的供給停止動作和進行上述傳熱氣體供給管線的抽真空的抽真空動作并行地執行。
項7所述的基板處理方法，其特征在于在項1所述的基板處理方法中，上述基板處理裝置，具有容納室、配置在該容納室內且用于載置上述基板的載置臺、從該載置臺伸出而使上述基板升降的升降銷、控制上述容納室內的壓力的壓力控制裝置、控制所需氣體的流量并將其供給上述容納室的氣體流量控制供給裝置，并使進行上述升降銷的伸出的伸出動作、進行上述壓力控制裝置的上述容納室的降壓的降壓動作和將上述氣體流量控制供給裝置的氣體供給停止的供給停止動作并行地執行。
項8所述的基板處理方法，其特征在于在項1所述的基板處理方法中，上述基板輸送裝置，具有可升降且可伸縮地構成并用于對容納多個上述基板的基板容納器中的上述基板的片數進行計數的橫臂狀的基板片數計數裝置，對上述基板的片數進行計數后，使進行上述基板片數計數裝置的升降的升降動作和進行上述基板片數計數裝置的縮短的縮短動作并行地執行。
項9所述的基板處理方法，其特征在于在項1所述的基板處理方法中，上述基板處理裝置，具有容納室、配置在該容納室內且用于載置上述基板的載置臺、控制該容納室內的壓力的壓力控制裝置，并使進行上述壓力控制裝置的上述容納室的升壓的升壓動作和進行上述載置臺的上升的載置臺上升動作并行地執行。
項10所述的基板處理方法，其特征在于在項9所述的基板處理方法中，使進行上述壓力控制裝置的上述容納室的降壓的降壓動作和進行上述載置臺的下降的載置臺下降動作并行地執行。
項11所述的基板處理方法，其特征在于在項1所述的基板處理方法中，上述基板處理裝置，具有容納室、配置在該容納室內且用于載置上述基板的載置臺、從上述載置臺伸出而使上述基板升降的升降銷、連接上述基板輸送裝置和上述基板處理裝置的開閉自如的門裝置，并使進行上述升降銷的伸出的銷伸出動作和進行上述門裝置的閉鎖的閉鎖動作并行地執行。
為達到上述目的，項12所述的基板處理系統，是至少具有基板處理裝置及基板輸送裝置的基板處理系統，其特征在于上述基板處理裝置及上述基板輸送裝置由多個構成要素構成，至少在處理基板時或輸送上述基板時，上述多個構成要素中至少2個構成要素同時工作。
為達到上述目的，項13所述的基板處理程序，是在至少具有基板處理裝置及基板輸送裝置的基板處理系統中，由計算機使被執行的基板處理方法執行的基板處理程序，其特征在于具有輸送基板的基板輸送模塊和處理上述基板的基板處理模塊，上述基板輸送模塊及上述基板處理模塊由多個動作構成，并使上述多個動作中的至少2個動作并行地執行。
按照項1的基板處理方法，由于基板輸送工序及基板處理工序由多個動作構成并使基板輸送工序的多個動作和基板處理工序的多個動作中的至少2個動作并行地執行，所以當基板處理裝置及基板輸送裝置的構成要素中的某1個構成要素執行某個動作時，通過使與該動作的執行無關的其他構成要素執行其他動作，可以縮短基板處理所需要的時間，因而可以使處理效率飛躍地提高。
按照項2所述的基板處理方法，由于使進行傳熱氣體供給管線的抽真空的抽真空動作和進行基板的向容納室的送入的送入動作并行地執行，可以使處理效率進一步飛躍地提高。
按照項3所述的基板處理方法，由于使進行升降銷的伸出的銷伸出動作和進行基板的對容納室的送入的送入動作并行地執行，可以使處理效率進一步飛躍地提高。
按照項4所述的基板處理方法，由于使進行升降銷的下降的下降動作和進行基板的從容納室的送出的送出動作并行地執行，可以使處理效率進一步飛躍地提高。
按照項5所述的基板處理方法，由于使進行基板的對容納室送入的送入動作和進行壓力控制裝置的上述容納室的升壓的升壓動作并行地執行，可以使處理效率進一步飛躍地提高。
按照項6所述的基板處理方法，由于使將高頻電源的高頻電力施加停止的施加停止動作、將氣體流量控制供給裝置的氣體供給停止的供給停止動作以及進行傳熱氣體供給管線的抽真空的抽真空動作并行地執行，可以使處理效率進一步飛躍地提高。
按照項7所述的基板處理方法，由于使進行升降銷的伸出的伸出動作、進行上述壓力控制裝置的上述容納室的降壓的降壓動作以及將氣體流量控制供給裝置的氣體供給停止的供給停止動作并行地執行，可以使處理效率進一步飛躍地提高。
按照項8所述的基板處理方法，由于使進行基板個數計數裝置的升降的升降動作和進行基板片數計數裝置的縮短的縮短動作并行地執行，可以使處理效率進一步飛躍地提高。
按照項9所述的基板處理方法，由于使進行壓力控制裝置的上述容納室的升壓的升壓動作和進行載置臺的上升的載置臺上升動作并行地執行，可以使處理效率進一步飛躍地提高。
按照項10所述的基板處理方法，由于使進行上述壓力控制裝置的上述容納室的降壓的降壓動作和進行載置臺的下降的載置臺下降動作并行地執行，可以使處理效率進一步飛躍地提高。
按照項11所述的基板處理方法，由于使進行升降銷的伸出的銷伸出動作和進行門裝置的閉鎖的閉鎖動作并行地執行，可以使處理效率進一步飛躍地提高。
按照項12所述的基板處理系統，由于至少在處理基板時或輸送基板時使基板處理裝置及基板輸送裝置的多個構成要素中的至少2個構成要素同時動作，可以縮短基板處理所需要的時間，因而可以使處理效率飛躍地提高。
按照項13所述的基板處理程序，由于基板輸送模塊及基板處理模塊由多個動作構成，并使這些多個動作中的至少2個動作并行地執行，當基板處理裝置及基板輸送裝置的構成要素中的某1個構成要素執行某個動作時，通過使與該動作的執行無關的其他構成要素執行其他動作，可以縮短基板處理所需要的時間，因而可以使處理效率飛躍地提高。


圖1是表示本發明實施方式的基板處理系統的概略結構的截面圖。
圖2是表示圖1中的基板處理裝置的概略結構的截面圖。
圖3是表示圖1的基板處理系統中可與負載鎖定室連接的另一種基板處理裝置的概略結構的截面圖。
圖4是采用本實施方式的基板處理方法的晶片處理的流程圖。
圖5是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第一具體例的順序圖。
圖6是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第二具體例的順序圖。
圖7是圖4的晶片送入工序和晶片送出工序中的本實施方式的基板處理方法的具體例，(A)是晶片送入工序的第二具體例，(B)是表示圖4的晶片送出工序的第一具體例的順序圖。
圖8是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第三具體例的順序圖。
圖9是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第四具體例的順序圖。
圖10是表示圖4的背面抽真空工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第一具體例的順序圖。
圖11是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第五具體例的順序圖。
圖12是表示圖4的工序0中采用的本實施方式的基板處理方法的第一具體例的順序圖。
圖13是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第六具體例的順序圖。
圖14是表示在負載鎖定室和大氣輸送裝置之間送入送出半導體晶片W時的具體例的順序圖。
圖15是表示圖4的晶片送出工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第二具體例的順序圖。
圖16是表示圖4的工序2中采用的本實施方式的基板處理方法的第一具體例的順序圖。
圖17是表示圖2的基板處理裝置中的傳熱氣體供給部的概略結構的圖。
圖18是表示圖17的傳熱氣體供給部的閥控制的順序圖。
圖19是表示圖4的工序2中采用的本實施方式的基板處理方法的第二具體例的順序圖。
圖20是表示圖4的工序1中采用的本實施方式的基板處理方法的第一具體例的順序圖。
圖21是表示圖4的工序1中采用的本實施方式的基板處理方法的第二具體例的順序圖。
圖22是表示圖4的背面抽真空工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第二具體例的順序圖。
圖23是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第七具體例和晶片送出工序中的第三具體例的順序圖。
圖24是表示本實施方式的晶片轉換處理的流程圖。
圖25是表示圖24的晶片轉換處理的順序圖。
圖26是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第八具體例及晶片送出工序中的第四具體例的順序圖。
圖27是表示圖4的工序1中采用的本實施方式的基板處理方法的第三具體例的順序圖。
圖28是表示圖4的晶片送出工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第五具體例的順序圖。
圖29是表示圖4的晶片送出工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第六具體例的順序圖。
符號說明W 半導體晶片 1 基板處理系統 2，60 基板處理裝置(P/M)3 大氣輸送裝置4 負載鎖定室(L/L) 5，6 閘閥7，V45，V46，V61，V62，V65，V66，V67，V68 閥8 連通管 10，51，61 容室11 基座12 排氣路徑 13，75 緩沖室 14 APC15 TMP16 DP 17，57 排氣管18，69 高頻電源 19，70 匹配器 20，35，72 電極板22，73 直流電源 24，74 聚焦環 25，81 制冷劑室26，82 配管 27 傳熱氣體供給孔 28，83 傳熱氣體供給管線29，84 傳熱氣體供給部 30，80 推起銷 31 送入送出口33，6 5噴頭 34 氣體通氣孔 36 電極支撐體37，85 緩沖室 38，86 處理氣體導入管 39，87 MFC40 晶片盒 41 晶片盒載置臺42 裝入模塊43 輸送臂 44 輸送臂橫臂部45，54 拾取部46 交換臂 47 基部48 臂基端部支柱49 升降臺 50 移送臂 52 N2氣體供給系統53L/L排氣系統 55 N2氣體導入管 56，58 控制閥62 下部電極 63 絕緣材料64 支撐體66 上室 67 下室68 偶極環形磁鐵
71 靜電抑制板76 排氣系統 77 滾珠絲桿78 波紋管79 波紋管罩 100 噴散過濾器101a，101b 第一配管 102a，102b 第二配管 103a，103b 第三配管具體實施方式
以下，參照

本發明的實施方式。
首先，說明本發明實施方式的基板處理系統及基板輸送方法。
圖1是表示本實施方式的基板處理系統的概略結構的截面圖。
在圖1中，基板處理系統1，具有對作為基板的半導體晶片W按每個單片進行成膜處理、擴散處理、蝕刻處理等各種處理的基板處理裝置(Process Module工藝模塊)(以下稱“P/M”)2、從存放規定片數的半導體晶片W的晶片盒40取出半導體晶片W的大氣系統輸送裝置3、配置在該大氣系統輸送裝置3和P/M2之間并將半導體晶片W從大氣系統輸送裝置3到P/M2或從P/M2到大氣系統輸送裝置3送入送出的負載鎖定室(以下稱“L/L”)4。
P/M2和L/L4的內部，構成為可以抽成真空，大氣系統輸送裝置3的內部始終保持在大氣壓。另外，P/M2和L/L4、及L/L4和大氣系統輸送裝置3分別由閘閥5、6連接。該閘閥5、6開閉自如，用于將P/M2和L/L4、及L/L4和大氣系統輸送裝置3之間連通或切斷。而且，L/L4的內部和大氣系統輸送裝置3的內部，還由在中間部位配置了開閉自如的閥7的連通管8連接。
圖2是表示圖1中的P/M的概略結構的截面圖。
在圖2中，作為對半導體晶片W進行蝕刻處理的蝕刻處理裝置而構成的P/M2，具有金屬制、例如鋁或不銹鋼制的圓筒型容室10，在該容室10內，例如配置有作為載置直徑為300mm的半導體晶片W的載置臺的圓拄狀基座11。
在容室10的側壁和基座11之間，形成有作為將基座11上方的氣體排出到容室10的外部的流路而起作用的排氣路徑12。在該排氣路徑12的中間部位配置有環狀的隔板13，排氣路徑12的自隔板13起的下游空間，與可調式蝶閥即自動壓力控制閥(Automatic Pressure ControlValve)(以下稱“APC”)14連通。APC14與作為抽真空用的排氣泵的渦輪分子泵(以下稱“TMP”)15連接，進一步，通過TMP15與作為排氣泵的干式泵(以下稱“DP”)16連接。以下將由APC14、TMP15及DP16構成的排氣流路稱為“主排氣管路”，該主排氣管路，不僅由APC14進行容室10內的壓力控制，而且由TMP15及DP16將容室10內減壓到大致為真空狀態。
另外，上述的排氣路徑12的自隔板13起的下游空間，還連接于和主排氣管路不同的排氣流路(以下稱“副排氣管路”)。該副排氣管路，具有將上述空間與DP16連通的直徑例如為25mm的排氣管17和配置在排氣管17的中間部位的閥V2。該閥V2，可以將上述空間與DP16切斷。副排氣管路利用DP16將容室10內的氣體排出。
高頻電源18通過匹配器19與基座11連接，高頻電源18，對基座11施加規定的高頻電力。因此，基座11具有下部電極的作用。此外，匹配器19，用于減小高頻電力從基座11的反射從而使高頻電力對基座11的入射效率為最大。
基座11的內部上方，配置有由用于以靜電吸附力吸附半導體晶片W的導電膜構成的電極板20。電極板20與直流電源22電氣連接。半導體晶片W，由從直流電源22施加于電極板20的直流電壓所產生的庫侖力或約翰遜·勒比克(Johnsen-Rahbek)力吸附并保持在基座11的表面上。此外，在基座11的上方還配置有由硅(Si)等構成的圓環狀的聚焦環24，該聚焦環24，用于將在基座11的上方產生的等離子體會聚并射向半導體晶片W。
在基座11的內部，設置有例如沿圓周方向延伸的環形的制冷劑室25。從冷卻裝置(圖中未示出)通過配管26向該制冷劑室25循環地供給規定溫度的制冷劑、例如冷卻水，并由該制冷劑的溫度控制基座11上的半導體晶片W的處理溫度。
在基座11表面的吸附半導體晶片W的部分(以下稱“吸附面”)上，配置有多個傳熱氣體供給孔27及傳熱氣體供給溝道(圖中未示出)。這些傳熱氣體供給孔27等，通過配置在基座11內部的傳熱氣體供給管線28與傳熱氣體供給部29連接。該傳熱氣體供給部29，向吸附面與半導體晶片W的背面的間隙供給傳熱氣體、例如He(氦)氣。該傳熱氣體供給部29，構成為可以將吸附面與半導體晶片W的背面的間隙抽成真空。
另外，在吸附面上，配置有從基座11的表面自由伸出的作為升降銷的多個推起銷30。這些推起銷30，通過滾珠絲桿等將電機(圖中未示出)的旋轉運動變換為直線運動，從而沿圖中上下方向移動。當半導體晶片W被吸附和保持在吸附面上時，推起銷30容納到基座11內，在將進行了蝕刻處理等而結束了等離子體處理的半導體晶片W從容室10送出時，推起銷30從基座11的表面伸出而使半導體晶片W從基座11離開并向上方推起。
在容室10的頂部，配置著噴頭33。噴頭33接地(與地線連接)，因此噴頭33具有接地電極的作用。
噴頭33，包括具有多個氣體通氣孔34的底面的電極板35和以可拆卸的方式支撐該電極板35的電極支撐體36。而且，在該電極支撐體36的內部設有緩沖室37，該緩沖室37與接自處理氣體供給部(圖中未示出)的處理氣體導入管38連接。在該處理氣體導入管38的中間部位配置有MFC(Mass Flow Controller質量流量控制器)39。該MFC39，通過緩沖室37將規定的氣體、例如處理氣體或N2氣供給容室10，同時控制該氣體的流量并通過與上述APC14協同動作而將容室10的壓力控制在所需的值。這里，基座11和噴頭33之間的電極間距離D，例如設定在35±1mm以上。
在容室10的側壁上，安裝有用于開閉半導體晶片W的送入送出口31的閘閥5。在該P/M2的容室10內，如上所述，對基座11施加高頻電力，由該所施加的高頻電力在基座11和噴頭33之間的空間S內從處理氣體產生高密度的等離子體，并生成離子或原子團。
在該P/M2中，當進行蝕刻處理時，首先將閘閥5打開，將作為加工對象的半導體晶片W送入容室10內并載置在基座11上。然后，由噴頭33將處理氣體(例如，由規定的流量比率的C4F8氣、O2氣及Ar氣組成的混合氣)以規定的流量及流量比導入容室10內，并由APC14等將容室10內的壓力調整到規定值。進一步，由高頻電源18對基座11施加高頻電力，并由直流電源22對電極板20施加直流電壓，從而將半導體晶片W吸附在基座11上。接著，由噴頭33噴出的處理氣體進行如上所述的等離子體化。由該等離子體生成的原子團或離子，由聚焦環24會聚到半導體晶片W的表面上，對半導體晶片W的表面進行物理蝕刻或化學蝕刻。
再來看圖1，大氣系統輸送裝置3，具有載置晶片盒40的晶片盒載置臺41和裝入模塊(以下稱“L/M”)42。
晶片盒載置臺41，是表面呈平面的臺狀物，晶片盒40，以等間距按多層載置并存放例如25片半導體晶片W。此外，L/M42，是長方體狀的箱形物，內部具有輸送半導體晶片W的定標式的輸送臂43。
另外，在L/M42的晶片盒載置臺41側的側面上，與載置在該晶片盒載置臺41上的晶片盒40相對地設置一個閘門(圖中未示出)。該閘門將晶片盒40和L/M42的內部連通。
輸送臂43，具有構成為可伸縮的多關節狀的輸送臂橫臂部44和安裝在該輸送臂橫臂部44的前端的拾取部45。該拾取部45構成為可直接載置半導體晶片W。此外，輸送臂43，還具有構成為可伸縮的多關節橫臂狀的變換臂46，在該變換臂46的前端，例如配置有發出激光以確認半導體晶片W的有無的變換傳感器(圖中未示出)。該輸送臂橫臂部44和變換臂46的各自的基端，與沿著從輸送臂43的基部47豎立設置的臂基端部支柱48升降的升降臺49連結。該臂基端部支柱48，按可旋轉的方式構成。在為識別存放在晶片盒40內的半導體晶片W的位置及數量而進行的變換操作中，在使變換臂46延伸的狀態下，通過使該變換臂46上升或下降，可以確認晶片盒40內的半導體晶片W的位置及數量。
輸送臂43，利用輸送臂橫臂部44而自由伸縮，并利用臂基端部支柱48而自由轉動，因此，可以將載置在拾取部45上的半導體晶片W自由地在晶片盒40和L/L4之間輸送。
L/L4，具有配置了伸縮自如及旋轉自如的移送臂50的容室51、和向該容室51內供給N2氣的N2氣供給系統52、以及從容室51內排氣的L/L排氣系統53。
移送臂50，是由多個橫臂部構成的定標式的輸送臂，具有安裝在其前端的拾取部54。該拾取部54構成為可直接載置半導體晶片W。
在將半導體晶片W從大氣系統輸送裝置3送入P/M2的情況下，當打開閘閥6時，移送臂50從L/M42內的輸送臂43接受半導體晶片W，當打開閘閥5時，移送臂50進入P/M2的容室10內，將半導體晶片W載置在從基座11的表面伸出的推起銷30的上端。而在將半導體晶片W從P/M2送入大氣系統輸送裝置3的情況下，當打開閘閥5時，移送臂50進入P/M2的容室10內，接受載置在從基座11的表面伸出的推起銷30的上端的半導體晶片W。當打開閘閥6時，移送臂50將半導體晶片W交接到L/M42內的輸送臂43上。
另外，移送臂50，并不限于定標式，也可以是蛙足式或雙臂式。
N2氣供給系統52，具有從容室51的外部貫通到容室51的內部的N2氣導入管55、配置在該N2氣導入管55的中間部位的控制閥56、配置在N2氣導入管55的容室51內部側前端的噴出N2氣的一對噴散過濾器(Break Filter)100、與N2氣導入管55的容室51外部側前端連接的N2氣供給裝置(圖中未示出)。N2氣供給系統52，按規定的時間向容室51供給N2氣，并控制該容室51內的壓力。
噴散過濾器100，是其長度設定為例如200mm的網狀的金屬制過濾器，可以增大N2氣的噴出面積，因此能夠使噴出的N2氣的氣流減速，并可以在很寬的范圍內均勻地噴出N2氣，從而使容室51的內部的壓力均勻上升。
在以往的基板處理系統的L/L中，噴散過濾器的長度例如為100mm，N2氣的噴出面積小，因此，當供給N2氣時，從噴散過濾器噴出的N2氣的氣流的速度變快，因而成為將容室51內的顆粒卷起的主要原因。與此對應地，在以往的L/L中在N2氣導入管的中間部位配置SSV(Slow Start Valve)，并由該SSV使N2氣的氣流減速。
與此不同，在本實施方式的基板處理系統的L/L4中，如上所述，在噴散過濾器100中使N2氣的氣流減速，因此不需要SSV也能夠防止顆粒的卷起。此外，由于將噴散過濾器100的N2氣的噴出面積設定得很大，可以迅速地向容室51內供給所需體積的N2氣，因而可以使處理效率飛躍地提高。
L/L排氣系統53，具有貫通到容室51的內部的排氣管57和配置在該排氣管57的中間部位的控制閥58，通過與上述的N2氣供給系統52協同動作而控制容室51的內部壓力。
這些構成基板處理系統1的P/M2、大氣系統輸送裝置3及L/L4的各構成要素的動作，由基板處理系統1所具有的作為控制裝置的計算機(圖中未示出)，和與基板處理系統1連接的作為控制裝置的外部服務器(圖中未示出)等根據執行本實施方式的基板處理方法的后文所述的程序進行控制。
在上述的基板處理系統1中，在與L/L4連接的P/M2內，作為下部電極的基座11并不相對于容室10移動，但與L/L4連接的P/M不限于此，例如，也可以是下部電極相對于容室移動的型式。
圖3是表示圖1的基板處理系統中可與L/L連接的另一種P/M的概略結構的截面圖。
在圖3中，作為蝕刻處理裝置構成的P/M60，具有例如鋁制的圓筒型容室61、和配置在該容室61內的隔著絕緣材料63支撐載置例如直徑為200mm的半導體晶片W的下部電極62的升降自如的支撐體64、以及與下部電極62相對地配置在容室61內的上方的作為上部電極的噴頭65。
容室61，上部形成為小直徑的上室66，下部形成為大直徑的下室67。在上室66的周圍配置有偶極環形磁鐵68，該偶極環形磁鐵68，在上室66內形成指向一個方向的均勻水平磁場。在下室67的側面上部，安裝著用于開閉半導體晶片W的送入送出口的閘閥5。P/M60通過該閘閥5與L/L4連接。
高頻電源69通過匹配器70與下部電極62連接，高頻電源69，對下部電極62施加規定的高頻電力。因此，下部電極62具有下部電極的作用。
在下部電極62的表面上，配置有用于以靜電吸附力吸附半導體晶片W的靜電抑制板(ESC)71。在該靜電抑制板71的內部，配置由導電膜構成的圓板狀的電極板72，該電極板72與直流電源73電連接。半導體晶片W，由從直流電源73施加于電極板72的直流電壓所產生的庫侖力等吸附并保持在靜電抑制板71的表面上。在靜電抑制板71的周圍，配置有圓環狀的聚焦環74，該聚焦環74，用于將在下部電極62的上方產生的等離子體會聚并射向半導體晶片W。
在上室66的側壁和下部電極62之間，形成將下部電極62上方的氣體排出到容室61的外部的排氣路徑。在該排氣路徑的中間部位配置有環狀的隔板75，排氣路徑的自隔板75起的下游空間(下室67的內部空間)，與由具有APC、TMP及DP的主排氣管路和作為下室67的內部空間與DP之間的旁通管路的副排氣管路構成的排氣系統76連通。該排氣系統76，不僅進行容室61內的壓力控制，而且將容室61內減壓到大致為真空狀態。
在下部電極62的下方，配置有由從該支撐體64的下部向下方延伸設置的滾珠絲桿77構成的下部電極升降機構。該下部電極升降機構，通過支撐體64支撐下部電極62，并由圖中未示出的電機等使滾珠絲桿77轉動從而使作為GAP的下部電極62升降。該下部電極升降機構，由配置在其周圍的波紋管78及配置在該波紋管78的周圍的波紋管罩79與容室61內的氣體隔斷。
另外，在下部電極62上，還配置有從該靜電抑制板71的表面自由伸出的多個推起銷80。這些推起銷80，與圖1中的推起銷30一樣，沿圖中上下方向移動。
在該P/M60中，當由L/L4的移送臂50送入送出半導體晶片W時，在使下部電極62下降到半導體晶片W的送入送出位置的同時，使推起銷80從靜電抑制板71的表面伸出而使半導體晶片W從下部電極62離開并向上方推起。而當對半導體晶片W進行蝕刻處理時，在使下部電極62上升到半導體晶片W的處理位置的同時，使推起銷80存放到下部電極62內，并由靜電抑制板71吸附和保持半導體晶片W。
另外，在下部電極62的內部，設置有例如沿圓周方向延伸的環形的制冷劑室81。從冷卻裝置(圖中未示出)通過配管82向該制冷劑室81循環地供給規定溫度的制冷劑、例如冷卻水，并由該制冷劑的溫度控制下部電極62上的半導體晶片W的處理溫度。
在靜電抑制板71的表面上，配置有多個傳熱氣體供給孔及傳熱氣體供給溝道(圖中未示出)。這些傳熱氣體供給孔等，通過配置在下部電極62內部的傳熱氣體供給管線83與傳熱氣體供給部84連接。該傳熱氣體供給部84，向靜電抑制板71和半導體晶片W的間隙供給傳熱氣體、例如He氣。該傳熱氣體供給部84，也可以構成為能夠將靜電抑制板71和半導體晶片W的間隙抽成真空。
在容室61的頂部配置的噴頭65接地(與地線連接)，因此噴頭65起著接地電極的作用。而且，在噴頭65的上面設有緩沖室85，該緩沖室85與接自處理氣體供給部(圖中未示出)的處理氣體導入管86連接。在該處理氣體導入管86的中間部位配置有MFC87。該MFC87，通過緩沖室85及噴頭65將規定的氣體、例如處理氣體或N2氣供給到容室61內，同時控制該氣體的流量并通過與上述APC協同動作而將容室61內的壓力控制在所需的值。
在該P/M60的容室61內，如上所述，對下部電極62施加高頻電力，由該所施加的高頻電力，在下部電極62和噴頭65之間從處理氣體產生高密度的等離子體，并生成離子或原子團。
在P/M60中，當進行蝕刻處理時，首先使閘閥5為打開狀態，將作為加工對象的半導體晶片W送入容室61內。然后，由噴頭65將處理氣體(例如，由規定的流量比率的C4F8氣、O2氣及Ar氣組成的混合氣)以規定的流量及流量比導入容室61內，并由APC等將容室61內的壓力調整到規定值。進一步，由高頻電源69對下部電極62施加高頻電力，并由直流電源73對電極板72施加直流電壓，從而將半導體晶片W吸附在下部電極62上。接著，由噴頭65噴出的處理氣體進行如上所述的等離子體化。由該等離子體生成的原子團或離子，由聚焦環74會聚到半導體晶片W的表面上，對半導體晶片W的表面進行物理蝕刻或化學蝕刻。
以下，說明本實施方式的基板處理方法。該基板處理方法由上述的基板處理系統1執行。
圖4是采用本實施方式的基板處理方法的晶片處理的流程圖。以下，對基板處理系統1中將P/M2與L/L4連接的情況進行說明。
在圖4中，首先，由大氣系統輸送裝置3的輸送臂43及L/L4的移送臂50將模擬晶片從晶片盒40輸送到P/M2的容室10內，P/M2進行由所輸送的模擬晶片整理容室10內的處理環境的模擬處理(工序S41)。
接著，與基板處理系統1連接的控制裝置將計數器n設定為1(工序S42)，并由大氣系統輸送裝置3的輸送臂43及L/L4的移送臂50將未處理的半導體晶片W從晶片盒40送入P/M2的容室10內(工序S43)，P/M2，進行用于由APC14及MFC39使容室10內的壓力達到蝕刻處理前的半導體晶片W的吸附壓力(以下稱“工藝壓力”)的處理即工序0(工序S44)。
當容室10內的壓力達到工藝壓力時，P/M2，進行由電極板20將半導體晶片W吸附并保持在基座11的表面上并由傳熱氣體供給部29向基座11的吸附面和半導體晶片W的背面的間隙供給He氣的穩定化處理即工序1(工序S45)。
然后，P/M2，進行由對基座11施加高頻電力在空間S內從處理氣體產生高密度的等離子體而生成離子或原子團并由該離子等對半導體晶片W實施蝕刻處理的工序2(工序S46)。
接著，P/M2，為防止在后面的晶片除靜電工序中半導體晶片W從基座11彈起，進行將傳熱氣體供給孔27和傳熱氣體供給管線28抽真空以除去He氣的背面抽真空處理(工序S47)，然后，進行對電極板20施加逆電位或如后文所述使等離子體與半導體晶片W接觸而將半導體晶片W帶有的靜電除去的晶片除靜電處理(工序S48)。
下一步，由大氣系統輸送裝置3的輸送臂43及L/L4的移送臂50將實施了蝕刻處理后的半導體晶片W從容室10送出并送入晶片盒40內(工序S49)。
然后，控制裝置，判別計數器n的值是否大于表示規定的處理片數的設定值N(工序S50)，當計數器n的值小于等于設定值N時，返回工序S43，當計數器n的值大于設定值N時，結束本處理。
該晶片處理中的工序S43及S49(基板輸送工序)及工序S44～S48(基板處理工序)的各工序，由多個動作構成。例如，在工序S43中，包括使閘閥5打開的閘閥打開動作、推起銷30從基座11的表面伸出的推起銷伸出動作、移送臂50進入容室10內的移送臂伸長動作、使APC14全開的吹洗動作、以及MFC39將對容室10的N2氣的供給停止的N2氣供給停止動作等。
在以往的基板處理方法中，構成各工序的多個動作是按順序執行的，與此不同，本實施方式的基板處理方法，在構成圖4的處理中的各工序的多個動作中，至少并行地執行2個動作。例如，在上述的工序S43中，使吹洗動作、N2氣供給停止動作和推起銷伸出動作并行地執行。
另外，在基板處理系統1中即使將P/M60與L/L4連接時也能執行與上述圖4的處理相同的處理。
按照本實施方式的基板處理方法，在構成圖4的處理的各工序的多個動作中至少并行地執行2個動作，因此，當P/M2、大氣系統輸送裝置3及L/L4的構成要素中的某1個構成要素執行某個動作時，通過使與該動作的執行無關的其他構成要素執行其他動作，可以縮短半導體晶片W的蝕刻處理所需要的時間，因而可以使處理效率飛躍地提高。
另外，按照本實施方式的基板處理裝置，在圖4的處理的各工序中的至少1個工序中，P/M2、大氣系統輸送裝置3及L/L4的構成要素中的至少2個構成要素同工作，因此，可以縮短半導體晶片W的蝕刻處理所需要的時間，因而可以使處理效率飛躍地提高。
以下，說明在基板處理系統1中將P/M2與L/L4連接時的本實施方式的基板處理方法的具體例。而且，在以下的圖中，用實線表示本實施方式的基板處理方法的動作，用虛線表示以往的基板處理方法的動作。
圖5是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第一具體例的順序圖。
以往，在將半導體晶片W送入容室10內時，首先，由傳熱氣體供給部進行傳熱氣體供給管線的抽真空(VACCUM)，在該抽真空結束后(OFF)，使移送臂進入容室內(EXTEND)并將半導體晶片W載置在推起銷的上端，進一步，再使該移送臂從容室內退出(RETRACT)，但在本實施方式的基板處理方法中，在傳熱氣體供給部29開始進行傳熱氣體供給管線28的抽真空的同時，使移送臂50進入容室10內，并在抽真空結束的同時使移送臂50從容室10內退出。
因此，使傳熱氣體供給管線28的抽真空和半導體晶片W的送入并行地執行，因而可以使處理效率飛躍地提高。
另外，在以往的P/M中，當移送臂停止時將因慣性力而產生振擺，因此，在移送臂停止后，在執行下一個動作、例如接受半導體晶片W之前設定了規定的延遲時間。與此不同，在P/M2中，通過使移送臂50的移動控制中的增益最佳化，可以無需設定規定的延遲時間。因此，可以使處理效率進一步飛躍地提高。
圖6和圖7(A)是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第二具體例的順序圖。
以往，推起銷的設定位置，有容納到基座內的容納位置(DOWN向下)和用于從移送臂接受半導體晶片W的接受位置(UP向上)的2個位置，但在本實施方式的基板處理方法中，還追加了一個等待接受移送臂50的進入的等待位置(WAIT等待)。
另外，以往，在將半導體晶片W送入容室內時，在移送臂的伸長結束后，使推起銷從容納位置伸出到接受位置，但在本實施方式的基板處理方法中，處于容納位置(圖6(A))的推起銷30，當移送臂50伸長并開始進入容室10內時，就伸出到等待位置(圖6(B))，進一步，在將載置在拾取部54上的半導體晶片W輸送到基座11的上方之前一直保持等待狀態(圖6(C))。然后，當移送臂50的伸長結束時，推起銷30伸出到接受位置，并接受半導體晶片W(圖(D))。
因此，使推起銷30的伸出和半導體晶片W的送入并行地執行，因而可以使處理效率飛躍地提高。
另外，在移送臂50的伸長結束后，推起銷30只需上升從等待位置到接受位置的較短距離，因此可以在短時間內進行半導體晶片W的接受，因而可以使處理效率進一步飛躍地提高。
進一步，在以往的P/M中，推起銷30的升降速度為15mm/sec，但在P/M2中，將推起銷的升降速度設定為25mm/sec。因此，可以使處理效率進一步飛躍地提高。
圖7(B)是圖4的晶片送出工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第一具體例的順序圖。
以往，在將半導體晶片W從容室送出時，在移送臂的退出結束后，推起銷從接受位置下降到容納位置，但在本實施方式的基板處理方法中，首先，處于容納位置的推起銷30伸出到接受位置而將半導體晶片W推起，并保持等待狀態。接著，在移送臂50的伸長結束后，推起銷30下降到等待位置，然后，在接受了半導體晶片W的移送臂50開始退出時，推起銷30進一步下降到容納位置。
因此，使推起銷30的下降和半導體晶片W的送出并行地執行，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖8是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第三具體例的順序圖。
以往，在將半導體晶片W送入容室內時，使將送入送出口閉鎖(CLOSE)的閘閥打開(OPEN)，在將半導體晶片W送入容室內的移送臂從容室退出后，從全開APC，對容室內進行吹洗的OPEN模式切換到將容室內的壓力保持在用于使基座除靜電的壓力(ESC除靜電)的ESC除靜電壓力模式。與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，使將送入送出口31閉鎖的閘閥5打開，并且，當載置了半導體晶片W的移送臂50開始進入容室10內時，將APC14從OPEN模式切換到ESC除靜電壓力模式。
因此，使半導體晶片W的送入和APC14的從OPEN模式到ESC除靜電壓力模式的切換并行地執行，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖9是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第四具體例的順序圖。
以往，在將半導體晶片W送入容室內時，將直流電源(HV)從對電極板施加逆電位而對基座進行除靜電的HV逆施加模式(-)切換到不對電極板施加電位的無施加模式(0)，進一步，將APC從ESC除靜電壓力模式切換到OPEN模式，并當開始進行P/M的主排氣系統等的抽真空時，從直流電源切換到無施加模式經過了規定的時間、例如10秒后，將MFC從以最大流量向容室內供給N2氣的最大供給模式(max流量)切換到不向容室內供給氣體的無供給模式(0)。然后，將APC從OPEN模式切換到用于使容室內的壓力急劇地上升到工藝壓力的STEP0壓力模式，并結束P/M的主排氣系統等的抽真空操作。而且，閘閥，在MFC切換到無供給模式之前，將送入送出口閉鎖。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，由閘閥5將送入送出口閉鎖后，監控容室10內的壓力，當該所監控的壓力降低到規定的壓力以下時，將MFC39從最大供給模式切換到無供給模式，然后，將APC14從OPEN模式切換到STEP0壓力模式，并結束P/M2的主排氣系統等的抽真空操作。
因此，由于根據容室10內的壓力結束P/M2的主排氣系統等的抽真空操作，不進行多余的抽真空操作，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖10是表示圖4的背面抽真空工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第一具體例的順序圖。
以往，在將半導體晶片W的背面抽真空時，在將高頻電源(RF)從對基座施加著高頻電力的高頻電力施加模式(ON)切換到不對基座施加高頻電力的無施加模式(OFF)的同時，將MFC從為保持工藝壓力而以規定的流量向容室內供給處理氣體的處理氣體設定流量模式(PRO GAS的設定流量)切換到無供給模式后，將該MFC從無供給模式切換到以規定流量向容室內供給用于容室內的N2吹洗的N2氣的N2氣設定流量模式(N2GAS的設定流量)，進一步，由傳熱氣體供給部進行傳熱氣體供給管線的抽真空。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，在將高頻電源18從高頻電力施加模式切換到無施加模式、并將MFC39從處理氣體設定流量模式切換到無供給模式的同時，由傳熱氣體供給部29進行傳熱氣體供給管線28的抽真空。然后，將MFC39切換到N2氣設定流量模式。
因此，使高頻電源18的從高頻電力施加模式到無施加模式的切換、MFC39的從處理氣體設定流量模式到無供給模式的切換、以及傳熱氣體供給部29的傳熱氣體供給管線28的抽真空并行地執行，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖11是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第五具體例的順序圖。
以往，在將半導體晶片W送入到容室內時，首先，將直流電源從HV逆施加模式切換到無施加模式，并進一步使推起銷從容納位置伸出到接受位置后，將APC從ESC除靜電壓力模式切換到OPEN模式的同時，將MFC從N2氣設定流量模式切換到無供給模式，進一步在經過了規定的時間后，再次切換到N2氣設定流量模式。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，當將直流電源22從HV逆施加模式切換到無施加模式時，使推起銷30從容納位置上升到僅從基座11的表面下降了0.5mm的第一等待位置(ESC位置(一0.5mm))，進一步，當經過規定的時間后使推起銷30開始從第一等待位置上升到僅從基座11的表面伸出了0.5mm的第二等待位置(ESC位置(+0.5mm))時，在將APC14從ESC除靜電壓力模式切換到OPEN模式的同時，將MFC39從N2氣設定流量模式切換到無供給模式。
因此，使推起銷30的上升、APC14的從ESC除靜電壓力模式到OPEN模式的切換、和MFC39的從N2氣設定流量模式到無供給模式的切換并行地執行，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖12是表示圖4的工序0中采用的本實施方式的基板處理方法的第一具體例的順序圖。
以往，當容室內的壓力達到工藝壓力時，首先，由閘閥將送入送出口閉鎖，并將MFC從最大供給模式切換到無供給模式。接著，在將MFC從無供給模式切換到處理氣體設定流量模式的同時，將APC從OPEN模式切換到STEP0壓力模式，在經過了規定的時間后，將直流電源從無施加模式切換到對電極板施加直流電壓的HV施加模式。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，在將MFC39從最大供給模式切換到無供給模式后，接著，在將MFC39從無供給模式切換到處理氣體設定流量模式的同時，當STEP0壓力模式的目標壓力小于等于工序1中的設定壓力、即工藝壓力時，將APC14從OPEN模式切換到用于將容室內的壓力保持在工藝壓力的工藝壓力模式，當STEP0壓力模式的目標壓力大于工藝壓力時，將APC14從OPEN模式切換到STEP0壓力模式，在經過了規定的時間后，再將APC14從STEP0壓力模式切換到工藝壓力模式。
因此，可以根據STEP0壓力模式的目標壓力使APC14選擇最佳的模式，因此，無需進行多余的壓力上升，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖13是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第六具體例的順序圖。
以往，在將半導體晶片W送入容室內時，首先，在將半導體晶片W送入容室內之前，將APC從OPEN模式切換到ESC除靜電壓力模式，接著，將直流電源從無施加模式切換到HV逆施加模式，進一步，將直流電源從該HV逆施加模式切換到無施加模式而對基座進行除靜電，在送入作為處理基板的半導體晶片W后，由閘閥將送入送出口閉鎖，然后，將APC從ESC除靜電壓力模式切換到OPEN模式。這時，APC的從ESC除靜電壓力模式到OPEN模式的切換所需要的時間，比閘閥的閉鎖所需要的時間長，因此，閘閥閉鎖后，APC繼續向OPEN模式的轉移。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，在將直流電源22從HV逆施加模式切換到無施加模式后，緊接著將APC14從ESC除靜電壓力模式切換到OPEN模式，在APC向OPEN模式的轉移結束后，由閘閥5將送入送出口31閉鎖。
因此，閘閥5閉鎖后，APC14不會繼續向OPEN模式轉移，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖14是表示在L/L和大氣輸送裝置之間送入送出半導體晶片W時的具體例的順序圖。
在以往的基板處理系統中的L/L和大氣輸送裝置之間送入送出半導體晶片W時，首先，由N2氣供給系統以設定流量向L/L的容室內供給N2氣，在將L/L的PSW(Pressure Switch壓力開關)從OFF切換到ON并轉移到大氣壓模式后，將連通管的閥打開而使容室與L/M連通，進一步，從PSW切換到ON經過規定的時間后，將閘閥打開。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，在將L/L4的PSW(圖中未示出)從OFF切換到ON并轉移到大氣壓模式后，將連通管的閥打開而使容室與L/M連通。而且，在PSW切換到ON后，當輸送臂43在L/M42內移動并移動到閘閥6的前面時，將閘閥6打開。
因此，在輸送臂43移動到閘閥6的前面后，不存在使該輸送臂43在閘閥6的前面等待的時間，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖15是表示圖4的晶片送出工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第二具體例的順序圖。
以往，在將半導體晶片W從容室送出時，在將APC從ESC除靜電壓力模式切換到OPEN模式之前，開始由副排氣管路進行容室內的排氣，并當容室內的壓力降低到例如133Pa(100Torr乇)時，將APC切換到OPEN模式，開始由主排氣管路進行容室內的排氣。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，當開始由副排氣管路進行容室內的排氣并使容室內的壓力降低到例如666Pa(500Torr乇)時，將APC14切換到OPEN模式，開始由主排氣管路進行容室內的排氣。
因此，由于更早地由主排氣管路進行容室內的排氣，因而可以使處理效率飛躍地提高。
另外，在以往的大氣輸送裝置中，在一邊使輸送臂43下降，一邊由延伸了的變換臂46對晶片盒40內的半導體晶片W的位置及片數進行確認后，首先，使升降臺49沿臂基端部支柱48上升，當到達該臂基端部支柱48的上端時，使變換臂46縮短。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，在升降臺49開始沿臂基端部支柱48上升的同時，就使變換臂46縮短。
因此，使升降臺49的上升和變換臂46的縮短并行地執行，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖16是表示圖4的工序2中采用的本實施方式的基板處理方法的第一具體例的順序圖。
以往，在對半導體晶片W進行蝕刻處理之前，將直流電源從無施加模式切換到HV施加模式，然后，將高頻電源從無施加模式切換到高頻電源施加模式。而在對半導體晶片W進行了蝕刻處理之后，將高頻電源從高頻電力施加模式切換到無施加模式，然后，將直流電源從HV施加模式切換到無施加模式。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，為減小半導體晶片W的由靜電吸附于基座11所需的容室10內壓力的減壓量，同時縮短HV逆施加的時間，由等離子體對半導體晶片W供給電荷，增大半導體晶片W和基座11之間的靜電吸附力。而且，為促進半導體晶片W的除靜電，還由等離子體將半導體晶片W的電荷除去。即，在本實施方式的基板處理方法中，與以往的基板處理方法相比，以更長的時間執行高頻電源18的高頻電力施加模式。
具體地說，在對半導體晶片W進行蝕刻處理之前，將高頻電源18從無施加模式切換到高頻電力施加模式，然后，將直流電源22從無施加模式切換到HV施加模式。而在對半導體晶片W進行了蝕刻處理之后，將直流電源22從HV施加模式切換到無施加模式，然后，再將高頻電源18從高頻電力施加模式切換到無施加模式。
因此，可以減小半導體晶片W的由靜電吸附于基座11所需的容室10內壓力的減壓量，并且能促進半導體晶片W的除靜電，因而可以使處理效率飛躍地提高。
另外，在以往的P/M的傳熱氣體供給部中，與載置在基座表面上的半導體晶片W的背面的中心部及周邊部相對的各傳熱氣體供給孔，通過具有1個閥的配管及具有另1個閥和節流孔板的另一配管與DP連接。該傳熱氣體供給部，通過將配管及另一配管上的閥打開而使傳熱氣體供給孔與DP連通，對半導體晶片W的背面進行抽真空。
與此不同，在本實施方式的基板處理系統中，如圖17所示，在P/M2的傳熱氣體供給部29中，與載置在基座11表面上的半導體晶片W的背面的中心部(CENTER)及周邊部(EDGE)相對的各傳熱氣體供給孔27，分別通過閥V65、V66與PCV(Pressure Control Valve壓力控制閥)(圖中未示出)連接。
另外，與上述中心部及周邊部相對的各傳熱氣體供給孔27，不僅通過分別具有閥V67、V68的第一配管101a、101b及分別具有閥V45、V46和節流孔板(ORIFICE)的第二配管102a、102b與DP16連接，而且通過分別具有閥V61、V62的第三配管103a、103b與容室10和APC14之間的配管105連接。因此，與半導體晶片W的背面的中心部及周邊部相對的各傳熱氣體供給孔27，通過第三配管103a、103b及APC14與TMP15連接。
因此，可以由TMP15對半導體晶片W的背面進行抽真空，并可以迅速地進行半導體晶片W的背面的抽真空、以及進一步的傳熱氣體供給管線28的抽真空，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖18是表示圖17的傳熱氣體供給部的閥控制的順序圖。
在圖4的工序2中對半導體晶片W進行了蝕刻處理后，在工序2中打開了的閥V45、V46、V65、V66繼續保持開啟狀態，并通過PCV向半導體晶片W的背面供給He氣，同時由DP16將剩余的He氣從傳熱氣體供給管線28排除。
接著，在圖4的背面抽真空工序中，首先，將閥V67、V68打開而由DP16將傳熱氣體供給管線28內的He氣排除，在經過了規定的時間后，再將閥V61、V62打開，接著，將閥V67、V68關閉而由TMP15將傳熱氣體供給管線28內的He氣排除。然后，將閥V61、V62關閉，進一步，將閥V45、V46、V65、V66也關閉。
在將閥V61、V62打開時，第三配管103a、103b的兩端與容室10內連通，因此，如殘留在傳熱氣體供給管線28內的He氣的壓力高，則該He氣有時會流入到容室10內，使容室10內的壓力不能降低。在圖18的順序中，與此對應地，在由TMP15排除He氣之前，先由DP16將傳熱氣體供給管線28內的He氣排除，并使傳熱氣體供給管線28內的He氣的壓力減低，因此，在將閥V61、V62打開時，可以防止He氣流入到容室10內。
圖19是表示圖4的工序2中采用的本實施方式的基板處理方法的第二具體例的順序圖。
以往，在對半導體晶片W進行蝕刻處理時，高頻電源反復進行高頻電力施加模式和無施加模式的切換，但在本實施方式的基板處理方法中，與此不同，高頻電源18，反復進行高頻電力施加模式和使對基座施加著的高頻電力逐漸減小的高頻電力漸減模式的切換。
因此，在某個工序2和隨后的工序2之間，在基座11上殘留若干量的等離子體，所以在隨后的工序2中可以迅速地產生所需要的量的等離子體，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖20是表示圖4的工序1中采用的本實施方式的基板處理方法的第一具體例的順序圖。
以往，當以靜電吸附半導體晶片W時，在將MFC從無供給模式切換到處理氣體設定流量模式后，將直流電源從無施加模式切換到HV施加模式。這里，作為處理氣體設定流量模式中的處理氣體的供給流量，設定為足以使容室內的壓力提高并使基座吸附面上帶有剩余的電荷易于放電同時將半導體晶片W吸附在基座上的流量。并且，當只為吸附半導體晶片W所需要的半導體晶片W的表面和背面的差壓增大了時，直流電源，切換到HV施加模式，以靜電吸附半導體晶片W。
在本實施方式的基板處理方法中，將MFC39從無供給模式切換到處理氣體設定流量模式后，將直流電源22從無施加模式切換到HV施加模式，雖然與以往的基板處理方法相同，但其不同點在于，MFC39的處理氣體設定流量模式中的處理氣體的供給流量比以往的供給流量多，例如，設定為與最大供給模式中的N2氣供給流量相同的流量。
因此，可以使容室內的壓力迅速地達到可以將基座吸附面上的剩余電荷放電的壓力，并可以更早地將直流電源22切換到HV施加模式，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖21是表示圖4的工序1中采用的本實施方式的基板處理方法的第二具體例的順序圖。
以往，當向半導體晶片W的背面供給He氣時，在將直流電源從無施加模式切換到HV施加模式后，在規定的穩定時間、例如2秒后，由傳熱氣體供給部通過傳熱氣體供給管線向半導體晶片W的背面供給He氣，但在本實施方式的基板處理方法中，將上述的穩定時間縮短到例如0.5秒。
因此，可以更早地進行對半導體晶片W的背面的He氣供給，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖22是表示圖4的背面抽真空工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第二具體例的順序圖。
以往，當將容室內升壓到ESC除靜電壓力時，通過反饋控制等改變APC的蝶閥的開度(角度)以控制容室內的壓力。這時，對APC進行自動控制(AUTO)，改變蝶閥的角度，直到使容室內的壓力穩定，但該蝶閥很難進行精細的角度變更，因此使容室內的壓力反復地超調和欠調。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，當控制容室10內的壓力時，如容室10內的壓力小于規定值，則對APC進行自動控制而改變蝶閥的角度。接著，當容室10內的壓力上升并超過規定值時，APC解除自動控制并將蝶閥的角度固定(SET ANGLE規定角度)。然后，由MFC39的處理氣體供給量控制容室10內的壓力。
因此，當容室10內的壓力超過規定值時，將APC的蝶閥的角度固定，所以能夠防止容室10內的壓力反復地超調和欠調，因而可以更早地將容室10內的壓力穩定在規定值。因此，可以使處理效率飛躍地提高。
另外，在以往的P/M中，當由APC或MFC進行容室內的壓力控制時，無論是哪個工序，都設定了使作為裝置停止模式的聯鎖起動的壓力變動閾值，但在本實施方式的基板處理方法中，按照圖4中的各工序變更和設定壓力變動閾值。具體地說，將工序1或工序2中的壓力變動閾值設定得小，但容許容室內有少許壓力變動的晶片送入工序、背面抽真空工序、及晶片除靜電工序等中的壓力變動閾值設定得較大。
因此，可以減少晶片送入工序、背面抽真空工序、及晶片除靜電工序等中的不必要的聯鎖起動次數，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖23是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第七具體例及晶片送出工序中的第三具體例的順序圖。
以往，當推起銷伸出時，處于容納位置的推起銷，首先，上升到僅從基座表面下降了0.5mm的第一等待位置，在等待了規定的時間后，上升到僅從基座表面伸出了0.5mm的第二等待位置，進一步，在等待了規定的時間后，上升到接受位置。而當推起銷下降時，按照與上述的推起銷的伸出步驟相反的步驟下降。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，將推起銷30的等待位置的設定廢除。具體地說，處于容納位置的推起銷30，當開始伸出時，直接上升到接收位置，而處于接受位置的推起銷30，當開始下降時，直接下降到容納位置。
因此，在推起銷30的升降中可以不存在等待時間，因而可以使處理效率飛躍地提高。
以往，在晶片轉換處理中，在閘閥打開期間，因L/L的容室和P/M的容室的壓力差而使L/L的容室內的N2氣流入到P/M的容室內，因此，除基座進行除靜電時以外，APC保持OPEN模式，并對容室內進行吹洗。所以，在閘閥打開期間，不能由MFC向內供給處理氣體，因此，很難盡早地通過處理氣體的供給而使容室內過渡到工藝壓力。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法的晶片轉換處理中，根據L/L4的容室51和P/M2的容室10的壓力差控制L/L4的N2氣供給系統52和L/L排氣系統53的動作，并在閘閥5打開之前將該壓力差消除。因此，可以防止L/L4的容室51內的N2氣流入到P/M2的容室10內，從而能更早地通過處理氣體的供給而使容室內過渡到工藝壓力。
圖24是表示本實施方式的晶片轉換處理的流程圖。
在圖24中，首先，控制N2氣供給系統52和L/L排氣系統53的動作，而將L/L4的容室51和P/M2的容室10的壓力差消除(工序S241)，將閘閥5打開(工序S242)，由移送臂50將半導體晶片W從容室10內送出(工序S243)。
接著，將APC14從OPEN模式切換到ESC除靜電壓力模式，并將MFC39從無供給模式切換到最大供給模式，進一步，將直流電源22從無施加模式切換到HV逆施加模式，從而進行基座11的除靜電(ESC除靜電)(工序S244)。
然后，在將MFC39從最大供給模式切換到處理氣體設定流量模式的同時，將APC14從ESC除靜電壓力模式切換到OPEN模式(工序S245)，在經過規定時間后，將APC14從OPEN模式切換到工藝壓力模式，使容室10內過渡到工藝壓力(工序S246)。
下一步，由移送臂50將下一個半導體晶片W送入容室10內(工序S247)，將閘閥5關閉(工序S248)，并結束本處理。
按照圖24的處理，在將閘閥5打開之前，將L/L4的容室51和P/M2的容室10的壓力差消除，因此，L/L4的容室51內的N2氣不會流入到P/M2的容室10內。
以往，如圖25的虛線所示，即使在ESC除靜電后，為了吹洗從L/L的容室流入的N2氣，也要長時間地使APC保持OPEN模式，而且，為提高吹洗的效率必需將MFC保持在最大供給模式，但如上所述，按照圖24的處理，L/L4的容室51內的N2氣不會流入到P/M2的容室10內，所以，在ESC除靜電后沒有必要使APC14長時間地保持OPEN模式，進一步，也沒有必要將MFC39保持在最大供給模式。因此，在圖24的處理中，如圖25所示，在ESC除靜電后，立即將MFC39從最大供給模式切換到處理氣體設定流量模式，同時將APC14從ESC除靜電壓力模式切換到OPEN模式，進一步，將APC14切換到工藝壓力模式，從而可以更早地使容室10內的壓力過渡到工藝壓力，因而可以使處理效率飛躍地提高。
以下，說明在基板處理系統1中將P/M60與L/L4連接時的本實施方式的基板處理方法的具體例。而且，在以下的圖中，也用實線表示本實施方式的基板處理方法的動作，用虛線表示以往的基板處理方法的動作。
圖26是表示圖4的晶片送入工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第八具體例以及晶片送出工序中的第四具體例的順序圖。
以往，在將半導體晶片W送入容室內時，推起銷從處于送入送出位置的下部電極(GAP)上的靜電抑制板的表面伸出，并上升到接受半導體晶片W的位置。接收到半導體晶片W的推起銷下降到容納位置，從而將半導體晶片W載置在靜電抑制板上。載置了該半導體晶片W的靜電抑制板，與下部電極一起上升到處理位置。
另外，在將半導體晶片W從容室內送出時，載置了該半導體晶片W的靜電抑制板，與下部電極一起下降到送入送出位置，然后，推起銷從靜電抑制板的表面伸出，將靜電抑制板上的半導體晶片W推起到接受位置。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，在將半導體晶片W送入容室61內時，推起銷80從處于送入送出位置的下部電極(GAP)62上的靜電抑制板71的表面伸出，并上升到接受半導體晶片W的位置(圖26(A))。接收到半導體晶片W的推起銷80在接受位置保持等待狀態。然后，靜電抑制板71開始與下部電極62一起上升。靜電抑制板71在上升的過程中從推起銷80接受半導體晶片W，進一步，上升到處理位置(圖26(B))。
另外，在將半導體晶片W從容室61內送出時，在對半導體晶片W進行了蝕刻處理后，載置了半導體晶片W的靜電抑制板71開始與下部電極62一起下降。靜電抑制板71，在下降的過程中將半導體晶片W交接給在接受位置等待的推起銷80，并下降到送入送出位置(圖26(C))。然后，已將半導體晶片W交接給移送臂50的推起銷80，下降到容納位置。
因此，在將半導體晶片W送入容室61內時，推起銷80沒有從接受位置下降到容納位置，而在將半導體晶片W從容室61內送出時，推起銷80不必再從容納位置上升到接受位置，所以，可以迅速地進行半導體晶片W的交接，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖27是表示圖4的工序1中采用的本實施方式的基板處理方法的第三具體例的順序圖。
以往，在使靜電抑制板與下部電極一起上升到處理位置時，首先，將閘閥關閉，同時使推起銷從接受位置下降到容納位置。然后，將APC從OPEN模式切換到工藝壓力模式，將直流電源從無施加模式切換到HV施加模式，進一步，使靜電抑制板與下部電極一起從送入送出位置上升到處理位置。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，首先，將閘閥5關閉，然后，使推起銷80從接受位置下降到容納位置，并將APC從OPEN模式切換到工藝壓力模式，且使靜電抑制板71與下部電極62一起從送入送出位置上升到處理位置。接著，將直流電源73從無施加模式切換到HV施加模式。
因此，使APC的從OPEN模式到工藝壓力模式的切換和靜電抑制板71的從送入送出位置到處理位置的上升并行地執行，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖28是表示圖4的晶片送出工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第五具體例的順序圖。
以往，在將半導體晶片W從容室內送出時，首先，在結束了由傳熱氣體供給部進行的傳熱氣體供給管線的抽真空后，使靜電抑制板與下部電極一起從處理位置下降到送入送出位置，然后，將APC從工藝壓力模式切換到OPEN模式。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，在下部電極62的上升中，在處理位置和送入送出位置之間設定中間位置(MIDDLE)。而且，在將半導體晶片W從容室61內送出時，首先，在結束了由傳熱氣體供給部84進行的傳熱氣體供給管線83的抽真空后，使靜電抑制板71與下部電極62一起從處理位置下降到中間位置，在經過規定時間后，再使靜電抑制板71與下部電極62一起從中間位置下降到送入送出位置，同時將APC從工藝壓力模式切換到OPEN模式。
因此，使靜電抑制板71的從中間位置到送入送出位置的下降和APC的從工藝壓力模式到OPEN模式的切換并行地執行，因而可以使處理效率飛躍地提高。
圖29是表示圖4的晶片送出工序中采用的本實施方式的基板處理方法的第六具體例的順序圖。
以往，在將半導體晶片W從容室內送出時，首先，使推起銷從容納位置上升到接受位置并將半導體晶片W推起。然后，在將閘閥打開后，使移送臂進入容室內接受半導體晶片W，進一步，從容室內退出。
與此不同，在本實施方式的基板處理方法中，在將半導體晶片W從容室61內送出時，首先，在使推起銷80從容納位置上升到接受位置并將半導體晶片W推起的同時，將閘閥5打開。然后，使移送臂50進入容室61內接受半導體晶片W，進一步，從容室61內推出。
因此，使推起銷80的從容納位置到接受位置的上升和閘閥5的打開并行地執行，因而可以使處理效率飛躍地提高。
另外，上述的各具體例，既可以單獨地應用于基板處理系統1，也可以將多個具體例適當地組合后使用。
另外，與基板處理系統1連接的主計算機和外部服務器等，監控基板處理系統1的構成裝置、例如P/M2、大氣輸送裝置3和L/L4的維修周期，當監控到該維修周期時，主計算機等向基板處理系統1的計算機上的軟件發送維修指令。接收到該維修指令的軟件，判斷P/M2、大氣輸送裝置3和L/L4等是否可以轉移到維修狀態。當P/M2等為空閑狀態就可以轉移到維修狀態時，軟件執行使P/M2的容室10的壓力和L/L4的容室51內的壓力等升壓到大氣壓的大氣敞開程序。
因此，管理人員等可以立即進行維修作業，因而可以提高基板處理系統1的運行率。
另外，本發明的目的，當然也可以通過將記錄了實現上述實施方式的功能的軟件的程序代碼的存儲介質(或記錄介質)供給基板處理系統1或P/M2等，并由該基板處理系統1或P/M2等所具有的控制裝置、例如計算機(或CPU和MPU等)、或與基板處理系統1連接的控制裝置、例如外部服務器讀出并執行存儲在存儲介質內的程序代碼來完成。
另外，不僅可以通過由計算機等執行所讀出的程序代碼實現上述實施方式的功能，而且也包括由在計算機等上工作著的操作系統(OS)等，根據該程序代碼的指示執行實際處理的一部分或全部，并通過該處理實現上述實施方式的功能的情況。
進一步，也包括將從存儲介質讀出的程序代碼寫入插入到計算機或外部服務器內的功能擴展卡或與計算機或外部服務器連接的功能擴展單元所具有的存儲器后，由該功能擴展卡或功能擴展單元所具有的CPU等根據該程序代碼的指示執行實際處理的一部分或全部并通過該處理實現上述實施方式的功能的情況。
另外，上述程序代碼，不僅可以由計算機或外部服務器實現上述實施方式的功能，而且其方式也可以具有目標代碼、由解釋程序執行的程序代碼、供給OS的腳本數據等方式。
作為供給程序代碼的記錄介質，例如，可使用RAM、NV-RAM、軟(注冊商標)磁盤、硬盤、光盤、磁性光盤、CD-ROM、MO、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)、磁帶、非易失性存儲卡、其他ROM等可存儲上述程序代碼的存儲介質。或者，上述程序代碼，也可以通過從與因特網、商用網或局域網等連接的圖中未示出的其他計算機或數據庫等下載而供給。
另外，與基板處理系統1連接的主計算機和外部服務器，也可以監控基板處理系統1的各構成裝置、例如P/M2、大氣輸送裝置3和L/L4等的構成要素的工作狀況或半導體晶片W的處理狀況，根據該監控結果，抽出可并行執行的動作，并通過將該抽出的動作組合而構筑最佳基板處理順序。在這種情況下，對構成基板處理系統1的P/M2、大氣輸送裝置3以及L/L4的各構成要素的動作，根據最佳基板處理順序進行控制。因此，可以有效地提高處理效率。
另外，當基板處理系統1具有多個P/M2，并由多個P/M2按順序處理多個半導體晶片W時，主計算機或外部服務器等，生成定義多個半導體晶片W的處理工序的晶片處理工序表，基板處理系統1根據該晶片處理工序表處理各半導體晶片W。另外，主計算機或外部服務器等，當執行晶片處理工序表中的1個半導體晶片W的處理時，也可以監控P/M2、大氣輸送裝置3和L/L4等的構成要素的工作狀況和半導體晶片W的處理狀況等，并根據該監控結果構筑進行處理的過程中的半導體晶片W的最佳基板輸送順序、和晶片處理工序表中的下1個半導體晶片W的最佳基板處理順序。因此，不僅可以提高晶片處理工序表中的下1個半導體晶片W的處理效率，而且還可以提高進行著處理的過程中的處理效率。
在上述的實施方式中，對基板處理系統中的基板處理裝置為蝕刻處理裝置的情況進行了說明，但可應用本發明的基板處理系統中的基板處理裝置并不限于此，例如，也可以是涂敷顯影裝置、基板清洗裝置、熱處理裝置，蝕刻處理裝置等。
另外，在上述的實施方式中，所輸送的基板為半導體晶片，但所輸送的基板不限于此，例如，也可以是LCD(Liquid Crystal Display液晶顯示器)和FPD(Flat Panel Display平板顯示器)等的玻璃基板。
權利要求
1.一種基板處理方法，是在至少具有基板處理裝置和基板輸送裝置的基板處理系統中執行，并包括輸送基板的基板輸送工序和對所述基板進行規定處理的基板處理工序的基板處理方法，其特征在于所述基板輸送工序和所述基板處理工序由多個動作構成，并使所述多個動作中的至少2個動作并行地執行。
2.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于所述基板處理裝置，具有容納室、配置在該容納室內且用于載置所述基板的載置臺、以及向載置在所述載置臺上的所述基板和所述載置臺之間供給傳熱氣體的傳熱氣體供給管線，使進行所述傳熱氣體供給管線的抽真空的抽真空動作和進行所述基板的對所述容納室的送入的送入動作并行地執行。
3.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于所述基板處理裝置，具有容納室、配置在該容納室內且用于載置所述基板的載置臺、以及從該載置臺伸出而使所述基板升降的升降銷，使進行所述升降銷的伸出的銷伸出動作和進行所述基板的對所述容納室的送入的送入動作并行地執行。
4.如權利要求3所述的基板處理方法，其特征在于使進行所述升降銷的下降的銷下降動作和進行所述基板的從所述容納室的送出的送出動作并行地執行。
5.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于所述基板處理裝置，具有容納室和控制該容納室內的壓力的壓力控制裝置，使進行所述基板的對所述容納室的送入的送入動作和進行所述壓力控制裝置的所述容納室的升壓的升壓動作并行地執行。
6.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于所述基板處理裝置，具有容納室、配置在該容納室內且用于載置所述基板的載置臺、向載置在所述載置臺上的所述基板和所述載置臺之間供給傳熱氣體的傳熱氣體供給管線、對所述載置臺施加高頻電力的高頻電源、以及控制所需氣體的流量并將其供給所述容納室的氣體流量控制供給裝置，使將所述高頻電源的高頻電力施加停止的施加停止動作、將所述氣體流量控制供給裝置的氣體供給停止的供給停止動作、以及進行所述傳熱氣體供給管線的抽真空的抽真空動作并行地執行。
7.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于所述基板處理裝置，具有容納室、配置在該容納室內且用于載置所述基板的載置臺、從該載置臺伸出而使所述基板升降的升降銷、控制所述容納室內的壓力的壓力控制裝置、以及控制所需氣體的流量并將其供給所述容納室的氣體流量控制供給裝置，使進行所述升降銷的伸出的伸出動作、進行所述壓力控制裝置的所述容納室的降壓的降壓動作、和將所述氣體流量控制供給裝置的氣體供給停止的供給停止動作并行地執行。
8.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于所述基板輸送裝置，具有構成為升降自如且伸縮自如的用于對容納多個所述基板的基板容納器中的所述基板的片數進行計數的橫臂狀的基板片數計數裝置，在對所述基板的片數進行計數后，使進行所述基板片數計數裝置的升降的升降動作和進行所述基板片數計數裝置的縮短的縮短動作并行地執行。
9.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于所述基板處理裝置，具有容納室、配置在該容納室內且用于載置所述基板的載置臺、控制該容納室內的壓力的壓力控制裝置，使進行所述壓力控制裝置的所述容納室的升壓的升壓動作和進行所述載置臺的上升的載置臺上升動作并行地執行。
10.如權利要求9所述的基板處理方法，其特征在于使進行所述壓力控制裝置的所述容納室的降壓的降壓動作和進行所述載置臺的下降的載置臺下降動作并行地執行。
11.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于所述基板處理裝置，具有容納室、配置在該容納室內且用于載置所述基板的載置臺、從所述載置臺伸出而使所述基板升降的升降銷、連接所述基板輸送裝置和所述基板處理裝置的開閉自如的門裝置，使進行所述升降銷的伸出的銷伸出動作和進行所述門裝置的閉鎖的閉鎖動作并行地執行。
12.一種基板處理系統，是至少具有基板處理裝置和基板輸送裝置的基板處理系統，其特征在于所述基板處理裝置和所述基板輸送裝置由多個構成要素構成，至少在處理基板時或輸送所述基板時，所述多個構成要素中至少2個構成要素同時工作。
13.一種基板處理程序，由計算機執行在至少具有基板處理裝置和基板輸送裝置的基板處理系統中執行的基板處理方法的基板處理程序，其特征在于具有輸送基板的基板輸送模塊和處理所述基板的基板處理模塊，所述基板輸送模塊和所述基板處理模塊由多個動作構成，使所述多個動作中的至少2個動作并行地執行。
全文摘要
提供一種可以使處理效率飛躍地提高的基板處理方法。作為晶片處理的基板處理方法，在具有基板處理裝置(2)、大氣輸送裝置(3)以及負載鎖定室(4)的基板處理系統(1)中執行，具有輸送半導體晶片W的基板輸送工序(工序S43和S49)、和對半導體晶片W進行蝕刻處理的基板處理工序(工序S44～S48)，基板輸送工序和基板處理工序由多個動作構成，該基板處理方法，使構成各工序的多個動作中的至少2個動作并行地執行。
文檔編號G06Q50/04GK1779906SQ200510117318
公開日2006年5月31日 申請日期2005年11月1日 優先權日2004年11月1日
發明者貝瀨精一, 巖渕紀之, 加藤茂昭, 中村博, 橫內健, 柴田真理子, 小尾章 申請人:東京毅力科創株式會社