專利名稱：Ddrram與sdram共存于主機(jī)板的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型有關(guān)一種DDR RAM與SDRAM共存裝置。
一般在主機(jī)板上通常設(shè)有存儲(chǔ)器模塊插槽(Socket)供存儲(chǔ)器模塊(MemoryModule)插置，且借助連接于存儲(chǔ)器模塊插槽與主機(jī)板上存儲(chǔ)器控制器(北橋)之間的總線，可使CPU通過該北橋介面對(duì)存儲(chǔ)器模塊進(jìn)行存取動(dòng)作。而目前主機(jī)板上常使用的一種存儲(chǔ)器模塊插槽主要是供目前較廣為使用的SDRAM存儲(chǔ)器模塊設(shè)置，故其上設(shè)計(jì)的電氣介面(LVTTL)是符合SDRAM存儲(chǔ)器模塊的需求；而為了使數(shù)據(jù)傳輸速度更加快速，一種傳輸速度為SDRAM兩倍的雙倍數(shù)據(jù)速率(DDRDouble DataRate)SDRAM被開發(fā)出來，而由于DDR RAM的工藝大部分沿用SDRAM的工藝，且大小設(shè)計(jì)也與SDRAM不相上下，因此其開發(fā)過程并不困難且制作成本也僅較SDRAM略高一些，但其傳輸效能卻比SDRAM要好很多，所以預(yù)計(jì)DDR RAM將會(huì)以其極佳的傳輸效率很快地成為市場(chǎng)主流但是，因?yàn)镈DR RAM存儲(chǔ)器模塊具有184只腳墊(PAD)而無法適用于具有168只接腳的SDARM插槽的主機(jī)板，而且，由于DDRRAM所使用的電氣介面(SSTL-2)也與SDRAM的不同，而其中主要的差別是在于DDRRAM存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)線必需通過一終端電阻(一般為27歐姆)連接至一1.25伏特的拉升電壓，以借助該拉升電壓提供一工作電流給DDR RAM，因此為了匹配DDR RAM使用，業(yè)者必須開發(fā)另一種適用DDR RAM的主機(jī)板，然而該主機(jī)板卻無法供目前較受歡迎且易于取得的SDRAM存儲(chǔ)器模塊同時(shí)使用，因此，就算使用者有意愿買這樣的主機(jī)板，卻可能會(huì)因?yàn)槟壳吧形磸V泛使用的DDR RAM存儲(chǔ)器模塊的取得困難而打消買意。
本實(shí)用新型的目的在于提供一種DDR RAM與SDRAM共存于主機(jī)板的裝置，可使DDRRAM與SDRAM均可于同一主機(jī)板上使用。
依據(jù)上述的自的，本實(shí)用新型的DD RAM與SDRAM共存于主機(jī)板的裝置，其特點(diǎn)是，它包括設(shè)于主機(jī)板上的第一插槽及第二插槽；分別與該第一插槽及第二插槽連接的一組數(shù)據(jù)線；數(shù)個(gè)電阻，各該電阻一端是分別與該組數(shù)據(jù)線的各條數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)連接；數(shù)個(gè)開關(guān)，各該開關(guān)一端是分別與所述電阻另一端對(duì)應(yīng)連接；以及一電壓源是與所述開關(guān)另一端連接。
采用本實(shí)用新型的上述方案，可通過控制所述開關(guān)ON、OFF選擇該專電阻與電壓源連接與否，從而實(shí)現(xiàn)DDR RA存儲(chǔ)器模塊與SDRAM存儲(chǔ)器模塊兩者能共存于同一主機(jī)板上的功效。
為能進(jìn)一步理解本實(shí)用新型的目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的說明。
請(qǐng)參閱
圖1，它是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的電路示意圖，本實(shí)施例的DDR RAM與SDRAM共存于主機(jī)板的裝置包括設(shè)置于一主機(jī)板(圖中未示)上的第一插槽1及第二插槽2、一組數(shù)據(jù)線3、數(shù)個(gè)電阻4、數(shù)個(gè)開關(guān)5以及一電壓源VTT；其中，第一插槽1及第二插槽2可以是一個(gè)以上并列設(shè)置，但在本實(shí)施例中，為方便說明是皆以一個(gè)為例，第一插槽1主要是供一168PIN的SDRAM存儲(chǔ)器模塊(圖中未示)插置，而該第二插槽2主要是供一更高速的184PIN的DDR RAM存儲(chǔ)器模塊(圖中未示)插置；該組數(shù)據(jù)線3是為一數(shù)據(jù)總線，其分別與第一插槽1及第二插槽2連接，且該組數(shù)據(jù)線3一端是連接至一存儲(chǔ)器控制器(北橋)7，使CPU8可通過該存儲(chǔ)器控制器7對(duì)插置于第一插槽1或第二插槽2上的存儲(chǔ)器模塊進(jìn)行存取動(dòng)作；各該電阻4的一端分別與該組數(shù)據(jù)線3的每一數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)連接，且其電阻值一般為27歐姆，而所述電阻4另一端則分別與所述開關(guān)5一端對(duì)應(yīng)連接，且所述開關(guān)5在本實(shí)施例中可以是一跳線器(Jumper)、-MOSFET或者是電子式開關(guān)等具有ON、OFF兩段選擇的元件，而該電壓源VTT是與所述開關(guān)5的另一端連接，且在本實(shí)施例中該電壓源VTT的電壓值是為1.25伏特；籍此，當(dāng)所述開關(guān)5未關(guān)上(OFF)時(shí)，所述電阻4與電壓源VTT是處于不連通狀態(tài)，此時(shí)，主機(jī)板處于SDRAM適用環(huán)境，故第一插槽1可供插置SDRAM存儲(chǔ)器模塊使用，第二插槽2則閑置，因此CPU8可借助一存儲(chǔ)器控制器7通過該組數(shù)據(jù)線3對(duì)第一插槽1上的SDRAM存儲(chǔ)器模塊進(jìn)行存取控制；而當(dāng)所述開關(guān)5被同時(shí)關(guān)上(ON)時(shí)，所述電阻4即與電壓源VTT相連通，此時(shí)，主機(jī)板變成符合DDR RAM使用的環(huán)境，DDR RAM存儲(chǔ)器模塊即可被插置于第二插槽2中使用，而換第一插糟1閑置，因此CPU8可借助存儲(chǔ)器控制器7通過該組數(shù)據(jù)線3對(duì)第二插槽2中的DDR RAM存儲(chǔ)器模塊進(jìn)行存取控制。
由此可知，借助設(shè)于所述電阻4與電壓源VTT之間的所述開關(guān)5，使用者僅需設(shè)定開關(guān)5的狀態(tài)(ON或OFF)，即可任意選擇主機(jī)板是使用DDR RAM存儲(chǔ)器模塊或SDRAM存儲(chǔ)器模塊，不但克服了現(xiàn)有主機(jī)板由于本身設(shè)計(jì)而無法提供兩種不同DRAM使用的缺點(diǎn)，同時(shí)可使所述兩種不同特性的DRAM均能在同一塊主機(jī)板上使用。
上面以舉例的方式通過較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了說明，但應(yīng)理解到，凡是熟悉本技術(shù)的人員根據(jù)本實(shí)用新型的精神還可作出各種局部的等效變換，這些等效變換都應(yīng)包含在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種DDR RAM與SD RAM共存于主機(jī)板的裝置，其特征在于，它包括設(shè)於主機(jī)板上的第一插槽；設(shè)於主機(jī)板上的第二插槽分別與上述第一插槽及第二插槽連接的一組數(shù)據(jù)線；數(shù)個(gè)電阻，各該電阻一端分別與該組數(shù)據(jù)線中的二條數(shù)據(jù)線分別對(duì)應(yīng)連接；數(shù)個(gè)開關(guān)，各該開關(guān)一端分別與所述電阻另一端對(duì)應(yīng)連接及一電壓源，它與所述開關(guān)另一端連接。
2.如權(quán)利要求1所述的DDR RAM與SD RAM共存于主機(jī)板的裝置，其特征在于，該組數(shù)據(jù)線一端連接至一存儲(chǔ)器控制器。
3.如權(quán)利要求1所述的DDR RAM與SD RAM共存于主機(jī)板的裝置，其特征在于，所述電阻的電阻值視需求為在27至33歐姆之間。
4.如權(quán)利要求3所述的DDR RAM與SD RAM共存于主機(jī)板的裝置，其特征在于，該電壓源的電壓值為1.25伏特。
專利摘要本實(shí)用新型有關(guān)一種DDR RAM與SDRAM共存于主機(jī)板的裝置,它包括設(shè)置于一主機(jī)板上供SDRAM存儲(chǔ)器模塊插置的第一插槽及供DDR RAM存儲(chǔ)器模塊插置的第二插槽,并設(shè)有分別連接至第一插槽及第二插槽的一組數(shù)據(jù)線,且于各該數(shù)據(jù)線上依序連接一電阻、開關(guān)及一電壓源,通過所述開關(guān)ON、OFF決定所述電阻與電壓源連接與否,以實(shí)現(xiàn)DDR RAM存儲(chǔ)器模塊與SDRAM存儲(chǔ)器模塊兩者能共存于同一主機(jī)板上的功效。
文檔編號(hào)G06F1/16GK2490618SQ0120895
公開日2002年5月8日 申請(qǐng)日期2001年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月19日
發(fā)明者何溪軒 申請(qǐng)人:神達(dá)電腦股份有限公司