一種電流反饋式精確過溫保護電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開一種電流反饋式精確過溫保護電路，該電路包括一運算放大器OP、第一電阻R0、第二電阻R1、第一NMOS管N0、第二NMOS管N1、第一PMOS管P0、第二PMOS管P1、第三PMOS管P2、第四PMOS管P3、第一NPN三極管Q0、第二NPN三極管Q1、一比較器COMP、第一反相器、第二反相器及第三反相器。本實用新型通過采用負溫度系數器件的電壓與基準電壓比較，輸出過溫信號，可減少溫度系數依賴器件，即降低溫度影響因素及工藝的影響；通過調整相同類型電阻的比例，實現更精確調整熱關斷溫度；本實用新型采用電流反饋方式，通過調整鏡像MOS的寬長比比例，實現可精確調節溫度磁滯量。
【專利說明】
一種電流反饋式精確過溫保護電路
技術領域
[0001]本實用新型涉及電子技術領域，特別涉及一種應用于無線充電控制芯片的電流反饋式精確過溫保護電路。
【背景技術】
[0002]隨著半導體集成電路技術的不斷發展以及半導體工藝的進步，集成電路的集成度越來越高，功耗也越來越大，從而使得芯片局部溫度過高，對芯片損壞較大。為使集成電路芯片免受高溫的損壞，需要設計專門的過溫保護電路。溫度超過一定閾值時，過溫保護電路輸出關斷信號，從而使芯片部分或完全停止工作。
[0003]傳統的過溫保護電路一般通過電壓比較器來實現，通過比較正負溫度系數器件的電壓，輸出過溫信號，通過反饋調節電阻壓降的方式調節溫度磁滯量，這種過溫保護電路，同時受正負溫度系數器件影響，影響因素多，而且受工藝影響較大，不容易調節到精確的熱關斷溫度及溫度磁滯量。
【實用新型內容】
[0004]因此，針對上述的問題，本實用新型提出一種應用于無線充電控制芯片的電流反饋式精確過溫保護電路，該過溫保護電路通過采用負溫度系數器件的電壓與基準電壓比較，輸出過溫信號，可減少溫度系數依賴器件，即降低溫度影響因素及工藝的影響；通過調整相同類型電阻的比例，實現更精確調整熱關斷溫度；同時本實用新型采用電流反饋方式，通過調整鏡像MOS的寬長比比例，實現可精確調節溫度磁滯量。
[0005]為了解決上述技術問題，本實用新型所采用的技術方案如下:
[0006]一種電流反饋式精確過溫保護電路，該電路包括一運算放大器0P、第一電阻R0、第二電阻Rl、第一匪OS管NO、第二NMOS管N1、第一PMOS管PO、第二PMOS管Pl、第三PMOS管P2、第四PMOS管P3、第一 NPN三極管QO、第二 NPN三極管Ql、一比較器COMP、第一反相器、第二反相器及第三反相器;運算放大器OP的正輸入端連接基準電壓Vref，運算放大器OP的負輸入端與第一匪OS管NO的源極及第一電阻RO的輸入端連接;運算放大器OP的輸出端連接第一 NMOS管NO的柵極;第一 NMOS管NO的漏極與第一 PMOS管PO的漏極及柵極連接;第一 PMOS管PO的柵極分別與第二 PMOS管Pl的柵極、第三PMOS管P2的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接;第一 PMOS管PO的源極與電源電壓VDD、第二 PMOS管Pl的源極、第三PMOS管P2的源極及第四PMOS管P3的源極連接;第一電阻RO的輸入端與運算放大器OP的負輸入端及第一 NMOS管NO的源極連接，第一電阻RO的輸出端接地，第一電阻RO的輸出端與第二電阻Rl的輸出端及第二 NPN三極管Ql的發射極連接;第二 PMOS管Pl的柵極與第一 PMOS管PO的漏極及柵極、第一WOS管NO的漏極、第三PMOS管P2的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接；第二 PMOS管Pl的源極與電源電壓VDD、第一 PMOS管PO的源極、第三PMOS管P2的源極及第四PMOS管P3的源極連接;第二 PMOS管Pl的漏極作為比較器COMP的正輸入端Vinp并與第二電阻Rl的輸入端及第二 NMOS管NI的源極連接;第二電阻Rl的輸入端與第二 PMOS管Pl的漏極、第二 NMOS管NI的源極及比較器COMP的正輸入端Vinp連接，第二電阻Rl的輸出端與第一電阻RO的輸出端及第二 NPN三極管Ql的發射極連接，并接地，第三PMOS管P2的柵極與第一 PMOS管PO的漏極及柵極、第一 NMOS管NO的漏極、第二 PMOS管Pl的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接;第三PMOS管P2的源極與電源電壓VDD、第一PMOS管PO的源極、第二PMOS管PI的源極及第四PMOS管P3的源極連接;第三PMOS管P2的漏極與第二 NMOS管NI的漏極連接，第二 NMOS管NI的柵極與第二反相級的輸出端及第三反相器的輸入端連接，第二WOS管NI的源極與第二 PMOS管Pl的漏極、第二電阻Rl的輸入端及比較器COMP的正輸入端Vinp連接;第四PMOS管P3的柵極與第一 PMOS管PO的漏極及柵極、第一 NMOS管NO的漏極、第二 PMOS管Pl的柵極及第三PMOS管P2的柵極連接;第四PMOS管P3的源極與電源電壓VDD、第一 PMOS管PO的源極、第二 PMOS管Pl的源極及第三PMOS管P2的源極連接，第四PMOS管P3的漏極與比較器COMP的負輸入端Vinn及第一 NPN三極管QO的集電極和基極連接，第一三極管QO的集電極和基極與第四PMOS管P3的漏極及比較器COMP的負輸入端Vinn連接，第一 NPN三極管QO的發射極與第二 NPN三極管Ql的集電極和基極連接，第二 NPN三極管Ql的發射極與第一電阻RO的輸出端及第二電阻Rl的輸出端連接，并接地，比較器COMP的正輸入端Vinp與第二電阻Rl的輸入端、第二 PMOS管Pl的漏極及第二匪OS管NI的源極連接，比較器COMP的負輸入端Vinn與第一NPN三極管QO的集電極和基極及第四PMOS管P3的漏極連接，比較器COMP的輸出端Vout與第一反相器的輸入端連接，第一反相器的輸出端與第二反相器的輸入端連接，第二反相器的輸出端與第二 NMOS管NI的柵極及第三反相器的輸入端連接，第三反相器的輸入端與第二反相器的輸出端及第二 NMOS管NI的柵極連接，第三反相器的輸出端輸出TSD。
[0007]作為優選方式，R0 = R1，也即第一電阻RO和第二電阻Rl為相同工藝類型且具有相同溫度系數的電阻。
[0008]作為優選方式，三極管QO和三極管Ql的基極、發射極電壓差為負溫度系數，即其隨著絕對溫度上升，電壓絕對值減小。
[0009]作為優選方式，第一 PMOS管PO寬長比與第二 PMOS管Pl寬長比及第四PMOS管P3寬長比相等，第一 PMOS管PO寬長比是第三PMOS管P2寬長比的K倍，其中K為正自然數，設定第η個PMOS管P(n—D的寬長比為(W/L)P(n—υ，其中η為1，2，3，4;則:(￥/υΡο=(￥/υΡ1 = Κ*(￥/1)Ρ2 =(W/L)p3o
[0010]本實用新型采用上述方案，與現有技術相比，具有如下有益效果:1、通過采用負溫度系數器件的電壓與基準電壓比較，輸出過溫信號，可減少溫度系數依賴器件，即降低溫度影響因素及工藝的影響；2、通過調整相同類型電阻的比例，實現更精確調整熱關斷溫度;本實用新型采用電流反饋方式，通過調整鏡像MOS的寬長比比例，實現可精確調節溫度磁滯量。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型的電流反饋式精確過溫保護電路的電路原理圖；
[0012]圖2為本實用新型的實施例的比較器￥^隨￥_變化的輸出波形示意圖；
[0013]圖3為本實用新型的實施例的TSD隨溫度變化的輸出波形示意圖。
【具體實施方式】
[0014]現結合附圖和【具體實施方式】對本實用新型進一步說明。
[0015]參見圖1，本實用新型的一種應用于無線充電控制芯片的電流反饋式精確過溫保護電路，包括一運算放大器OP、第一電阻RO、第二電阻Rl、第一 NMOS管NO、第二匪OS管N1、第一PMOS管PO、第二 PMOS管Pl、第三PMOS管P2、第四PMOS管P3、第一 NPN三極管QO、第二 NPN三極管Q1、第一比較器C0MP、第一反相器、第二反相器及第三反相器。
[0016]各元器件的連接關系如下:運算放大器OP的正輸入端連接基準電壓Vref，運算放大器OP的負輸入端與第一 NMOS管NO的源極及第一電阻RO的輸入端連接;運算放大器OP的輸出端連接第一 NMOS管NO的柵極;第一匪OS管NO的漏極與第一 PMOS管PO的漏極及柵極連接；第一 PMOS管PO的柵極分別與第二 PMOS管Pl的柵極、第三PMOS管P2的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接;第一 PMOS管PO的源極與電源電壓VDD、第二 PMOS管Pl的源極、第三PMOS管P2的源極及第四PMOS管P3的源極連接;第一電阻RO的輸入端與運算放大器OP的負輸入端及第一匪OS管NO的源極連接，第一電阻RO的輸出端接地，第一電阻RO的輸出端與第二電阻Rl的輸出端及第二 NPN三極管Ql的發射極連接;第二 PMOS管Pl的柵極與第一 PMOS管PO的漏極及柵極、第一NMOS管NO的漏極、第三PMOS管P2的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接;第二PMOS管PI的源極與電源電壓VDD、第一 PMOS管PO的源極、第三PMOS管P2的源極及第四PMOS管P3的源極連接;第二 PMOS管Pl的漏極作為比較器COMP的正輸入端Vinp并與第二電阻Rl的輸入端及第二NMOS管NI的源極連接;第二電阻Rl的輸入端與第二 PMOS管Pl的漏極、第二匪OS管NI的源極及比較器COMP的正輸入端Vinp連接，第二電阻Rl的輸出端與第一電阻RO的輸出端及第二NPN三極管Ql的發射極連接，并接地，第三PMOS管P2的柵極與第一 PMOS管PO的漏極及柵極、第一 NMOS管NO的漏極、第二 PMOS管Pl的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接;第三PMOS管P2的源極與電源電壓VDD、第一 PMOS管PO的源極、第二 PMOS管Pl的源極及第四PMOS管P3的源極連接;第三PMOS管P2的漏極與第二 NMOS管NI的漏極連接，第二 NMOS管NI的柵極與第二反相級的輸出端及第三反相器的輸入端連接，第二WOS管NI的源極與第二 PMOS管Pl的漏極、第二電阻Rl的輸入端及比較器COMP的正輸入端Vinp連接;第四PMOS管P3的柵極與第一 PMOS管PO的漏極及柵極、第一 NMOS管NO的漏極、第二 PMOS管Pl的柵極及第三PMOS管P2的柵極連接;第四PMOS管P3的源極與電源電壓VDD、第一PMOS管PO的源極、第二PMOS管PI的源極及第三PMOS管P2的源極連接，第四PMOS管P3的漏極與比較器COMP的負輸入端Vinn及第一 NPN三極管QO的集電極和基極連接，第一三極管QO的集電極和基極與第四PMOS管P3的漏極及比較器COMP的負輸入端Vinn連接，第一 NPN三極管QO的發射極與第二 NPN三極管Ql的集電極和基極連接，第二 NPN三極管QI的發射極與第一電阻RO的輸出端及第二電阻Rl的輸出端連接，并接地，比較器COMP的正輸入端Vinp與第二電阻Rl的輸入端、第二PMOS管Pl的漏極及第二NMOS管NI的源極連接，比較器COMP的負輸入端Vinn與第一NPN三極管QO的集電極和基極及第四PMOS管P3的漏極連接，比較器COMP的輸出端Vout與第一反相器的輸入端連接，第一反相器的輸出端與第二反相器的輸入端連接，第二反相器的輸出端與第二 NMOS管NI的柵極及第三反相器的輸入端連接，第三反相器的輸入端與第二反相器的輸出端及第二 NMOS管NI的柵極連接，第三反相器的輸出端輸出TSD。
[0017]其中，第一電阻RO和第二電阻Rl為相同工藝類型且具有相同溫度系數的電阻。NPN三極管QO和NPN三極管Ql的Vbe為負溫度系數，即其隨著絕對溫度上升，Vbe電壓絕對值減小。
[0018]為了實現更精確調整過溫保護溫度，本實用新型通過采用負溫度系數器件的電壓與基準電壓比較及調整相同類型電阻的比例，輸出過溫信號，可減少溫度系數依賴器件，即降低溫度影響因素及工藝的影響，實現更精確調整過溫保護溫度。
[0019]如圖1所示，下面闡述本實用新型的運行原理。假設常溫條件下，系統通電。根據運算放大器OP正負輸入端虛短，第一電阻RO的壓降為基準電壓Vref，則流過第一電阻RO的電流 lRQ = Vref/R0。
[0020]優選的，第一PMOS管PO寬長比與第二PMOS管Pl寬長比及第四PMOS管P3寬長比相等，第一 PMOS管PO寬長比是第三PMOS管P2寬長比的K倍(其中K為正數)，設定第η個PMOS管
)Ρ3ο
[0021 ] 若第一 PMOS管PO、第二PMOS管Pl、第三PMOS管Ρ2、第四PMOS管Ρ3全部導通，則Ids.Po=Ids.pi = K*Ids.p2 = Ids.P3 = Iro = Vref/RO，其中 Ids.pq 為流過第 I個 PMOS 管PO 的源漏極電流，Ids.pA流過第2個PMOS管Pl的源漏極電流，IDS.P2為流過第3個PMOS管P2的源漏極電流，IDS.P3為流過第4個PMOS管P3的源漏極電流。
[0022]常溫條件下，當第二匪OS管NI導通時，流過Rl的電流為(IDS.P1+IDS.P2) = (1 + 1/K)*
lDs.pi=(l+l/K)*Vref/R0。
[0023]比較器101正、負輸入端電壓:
[0024]Vinpi= (Ids.pi+Ids.p2)*R1 = (1+1/K)*Vref*(RI/RO)，
[0025]vinn=x*|vBE|，(χ=?，2，3...5),
[0026]常溫條件下，當第二NMOS管NI關斷時，流過Rl的電流為:
[0027]Ids.P1 = l*Vref/R0
[0028]Vinp2 = Ids.P1*R1 = l*Vref*(Rl/RO)，
[0029]vinn=x*|vBE|，(χ=ι，2，3...5),
[0030]因此，常溫條件下，第二NMOS管在導通、關斷條件下，比較器101正輸入端電壓磁滯量為 Δ Vl= (Vinpl~Vinp2)即
[0031 ] Δ Vi= (Ids.pi+Ids.p2)*R1-1ds.pi*R1 = (l/K)*Vref*(Rl/R0) ο
[0032]常溫條件下，假定￥1即<￥11111，8口(1仍』1+1仍12)*1?1<父*|￥冊，(x= I，2，3...5)，其中Vbe為三極管基極發射極電壓，呈負溫度系數(隨絕對溫度上升，電壓絕對值減小)，Χ代表三極管個數，以圖1為例，圖1中三極管分別為第一NPN三極管QO和第二NPN三極管Ql ,BPX =2，則
[0033](I+1/K)*(Vref/RO)*R1 <2* | Vbe ；
[0034]因為l*(Vref/R0)*Rl<(l+l/K)*(Vref/R0)*Rl<2*|VBE，
[0035]所以由上式可知，常溫條件下，(IDS.P1+IDS.P2)*R1 <2* I Vbe I，系統通電初始階段，無論第二NMOS管NI是否導通，比較器101的正輸入端電壓小于負輸入端電壓，S卩Vinp<Vinn，比較器101的輸出端Vout輸出低電平，第二 NMOS管NI柵極被拉低至低電平，即第二 NMOS管NI關斷，那么，流過第二電阻Rl的電流只有Ids.pi = l*Vref/RO，此時，電路輸出端TSD輸出高電平。
[0036]因此，常溫條件下，NI關斷，流過Rl的電流為Ids.P1= l*Vref/R0，比較器101的正、負輸入端電壓:
[0037]Vinp = Ids.pi*R1 = l*Vref*(Rl/R0), (I)
[0038]Vinn = 2* I Vbe I ο
[0039]作為優選方案，第一電阻RO和第二電阻Rl為相同工藝類型且具有相同溫度系數的電阻(阻值根據設計需要選取)。
[0040]因此，由上述式(I)可知，Rl、R0受溫度變化產生的偏差將相互抵消，即比較器101正輸入端電壓Vinp不受溫度影響。
[0041]常溫條件下，Vinp<Vinno
[0042]由于Vbe為三極管基極發射極電壓，呈負溫度系數(隨絕對溫度上升，電壓絕對值減小)，所以，當溫度不斷上升，νιηη=2*|νΒΕ|，數值不斷減小。
[0043]當溫度超過過溫保護溫度TsHUTDom時，出現Vinp>Vinn，比較器101輸出端Vout輸出高電平，NI柵極變為高電平，TSD變為低電平。NI導通，此時，流過Rl的電流為(IDS.P1+IDS.P2) =(1 + 1/K)*IDS.P1=( l + l/K)*Vref/R0，則
[0044]當溫度超過過溫保護溫度TSHUTDQ?時，比較器101正、負輸入端電壓分別為:
[0045]V inp = (Ids.pi+Ids.p2)*R1 = (l+l/K)*Vref*(Rl/R0), (2)
[0046]V7 ^ = be I ,
[0047]其中，^ inp大于常溫的Vinp，^ inn小于常溫的Vinn。
[0048]由上述式(I)(2)可知V^npSVinp，此時，比較器101輸出端Vout穩定輸出高電平，TSD穩定輸出低電平。
[0049]當溫度超過TSHUTD_之后開始降低，隨著溫度下降，Vinn= 2* I Y BE |數值逐漸增大。當溫度下降到釋放溫度(即退出過溫保護的溫度)Trelease時，即V inn = 2*|f冊|增大至[(1+l/K)*Vref*(Rl/R0)]，比較器101輸出端Vout從高電平翻轉為低電平，NI柵極變為低電平，TSD變為高電平。NI關斷，流過Rl的電流重新變為IDS.P1 = l*Vref/R0，比較器101的正輸入端電壓減小為[I *Vref * (Rl /RO)]，比較器1I輸出端Vout穩定輸出低電平，TSD穩定輸出高電平，具體參照圖2。
[0050]由于比較器101正輸入端電壓的變化，TSD輸出波形存在磁滯現象，參照圖3。
[0051 ]比較器101正輸入端電壓磁滯量為:
[0052]AV2= (V7 inp-Vinp) = [ ( l + l/K)*Vref*(Rl/R0) ]-[ l*Vref*(Rl/R0)]
[0053]=(l/K)*Vref*(Rl/R0) (3)
[0054]綜上，由式(1)(2)可知，本實用新型通過采用具有相同工藝類型、相同溫度系數的電阻，調整電阻(R1/R0)的比例，實現R1、R0受溫度變化產生的偏差相互抵消，保證比較器101的正輸入端電壓Vinp不受溫度影響，進而，可精確調整比較器Vinp的電壓，對比較器而言，僅負輸入端電壓Vinr^P (X* I Vbe I，X = I，2，3...5)是受溫度影響，大大減少了溫度影響的變量，實現更精確調整過溫保護溫度。
[0055]比較器101正輸入端產生電壓磁滯量是由于溫度變化導致VBE變化，引起比較器1I負輸入端Vinn ((X* I Vbe I，X = I，2，3...5))電壓變化，進而使比較器1I輸出端發生翻轉，通過反饋信號控制調整101正輸入端Vinp電壓變化，使比較器101正輸入端電壓產生磁滯。
[0056]由式(3)可知，比較器101正輸入端電壓磁滯量AV=(V^np-Vinp) = (l/K)*Vref*(RI /RO )，本實用新型通過調整第三PMOS管P2的寬長比(W/L) P2，即調整K值，可精確調整比較器1I正輸入端電壓磁滯量。
[0057]相應地，導致比較器101正輸入端電壓發生變化的溫度變化量也會變化即溫度磁滯量。
[0058]本實用新型通過調整鏡像MOS的寬長比比例調整鏡像電流，調整比較器正輸入端電壓的磁滯量，進而實現更精確調節溫度磁滯量。
[0059]盡管結合優選實施方案具體展示和介紹了本實用新型，但所屬領域的技術人員應該明白，在不脫離所附權利要求書所限定的本實用新型的精神和范圍內，在形式上和細節上可以對本實用新型做出各種變化，均為本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種電流反饋式精確過溫保護電路，其特征在于:包括一運算放大器0P、第一電阻RO、第二電阻Rl、第一 NMOS管NO、第二匪OS管N1、第一 PMOS管PO、第二PMOS管Pl、第三PMOS管P2、第四PMOS管P3、第一NPN三極管QO、第二NPN三極管Ql、一比較器COMP、第一反相器、第二反相器及第三反相器;運算放大器OP的正輸入端連接基準電壓Vref，運算放大器OP的負輸入端與第一 NMOS管NO的源極及第一電阻RO的輸入端連接;運算放大器OP的輸出端連接第一NMOS管NO的柵極;第一匪OS管NO的漏極與第一 PMOS管PO的漏極及柵極連接;第一 PMOS管PO的柵極分別與第二 PMOS管Pl的柵極、第三PMOS管P2的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接;第一PMOS管PO的源極與電源電壓VDD、第二PMOS管PI的源極、第三PMOS管P2的源極及第四PMOS管P3的源極連接;第一電阻RO的輸入端與運算放大器OP的負輸入端及第一 NMOS管NO的源極連接，第一電阻RO的輸出端接地，第一電阻RO的輸出端與第二電阻Rl的輸出端及第二 NPN三極管Ql的發射極連接;第二 PMOS管Pl的柵極與第一 PMOS管PO的漏極及柵極、第一 NMOS管NO的漏極、第三PMOS管P2的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接;第二 PMOS管Pl的源極與電源電壓VDD、第一 PMOS管PO的源極、第三PMOS管P2的源極及第四PMOS管P3的源極連接;第二 PMOS管Pl的漏極作為比較器COMP的正輸入端Vinp并與第二電阻Rl的輸入端及第二 NMOS管NI的源極連接；第二電阻Rl的輸入端與第二 PMOS管Pl的漏極、第二匪OS管NI的源極及比較器COMP的正輸入端Vinp連接，第二電阻Rl的輸出端與第一電阻RO的輸出端及第二 NPN三極管Ql的發射極連接，并接地，第三PMOS管P2的柵極與第一 PMOS管PO的漏極及柵極、第一 NMOS管NO的漏極、第二 PMOS管Pl的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接;第三PMOS管P2的源極與電源電壓VDD、第一PMOS管PO的源極、第二PMOS管Pl的源極及第四PMOS管P3的源極連接；第三PMOS管P2的漏極與第二 NMOS管NI的漏極連接，第二 NMOS管NI的柵極與第二反相級的輸出端及第三反相器的輸入端連接，第二 NMOS管NI的源極與第二 PMOS管Pl的漏極、第二電阻Rl的輸入端及比較器COMP的正輸入端Vinp連接;第四PMOS管P3的柵極與第一 PMOS管PO的漏極及柵極、第一 NMOS管NO的漏極、第二 PMOS管Pl的柵極及第三PMOS管P2的柵極連接;第四PMOS管P3的源極與電源電壓VDD、第一 PMOS管PO的源極、第二 PMOS管Pl的源極及第三PMOS管P2的源極連接，第四PMOS管P3的漏極與比較器COMP的負輸入端Vinn及第一 NPN三極管QO的集電極和基極連接，第一三極管QO的集電極和基極與第四PMOS管P3的漏極及比較器COMP的負輸入端Vinn連接，第一 NPN三極管QO的發射極與第二 NPN三極管Ql的集電極和基極連接，第二 NPN三極管Ql的發射極與第一電阻RO的輸出端及第二電阻Rl的輸出端連接，并接地，比較器COMP的正輸入端Vinp與第二電阻Rl的輸入端、第二 PMOS管Pl的漏極及第二 NMOS管NI的源極連接，比較器COMP的負輸入端Vinn與第一NPN三極管QO的集電極和基極及第四PMOS管P3的漏極連接，比較器COMP的輸出端Vout與第一反相器的輸入端連接，第一反相器的輸出端與第二反相器的輸入端連接，第二反相器的輸出端與第二 NMOS管NI的柵極及第三反相器的輸入端連接，第三反相器的輸入端與第二反相器的輸出端及第二 NMOS管NI的柵極連接，第三反相器的輸出端輸出TSD。2.根據權利要求1所述的一種電流反饋式精確過溫保護電路，其特征在于:R0= R1。3.根據權利要求1或2所述的一種電流反饋式精確過溫保護電路，其特征在于:三極管QO和三極管Ql的基極、發射極電壓差為負溫度系數。4.根據權利要求1所述的一種電流反饋式精確過溫保護電路，其特征在于:第一PMOS管PO、第二 PMOS管Pl和第四PMOS管P3的寬長比相等，第一 PMOS管PO的寬長比是第三PMOS管P2的寬長比的K倍，其中K為正數，設定第η個PMOS管ρ(η-υ的寬長比為(W/Dp^-d，其中η為1，2，.3,4；M:(W/L)po=(ff/L)pi = K*(ff/L)p2 = (ff/L)p3o
【文檔編號】G05F1/569GK205540381SQ201620102889
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年2月2日
【發明人】楊瑞聰, 林桂江, 廖建平, 劉玉山, 任連峰, 沈濱旭, 楊鳳炳
【申請人】廈門新頁微電子技術有限公司