專利名稱：參考電壓產生電路的制作方法
技術領域：
本發明涉及集成電路技術領域，特別涉及一種參考電壓產生電路。
背景技術：
近年來，隨著便攜式電子產品在市場上占有越來越大的份額，對低電壓、低功耗的參考電壓源的需求量大大增加。參考電壓在電子電路或電子系統中起著至關重要的作用，穩定的參考電壓一般具有兩種特性，一是對溫度的高穩定性；二是對電源電壓變化的高抵抗力。能隙參考電壓電路以其高穩定性，被廣泛的應用在模擬/數字轉換器、數字/模擬轉換器以及電壓整流器等電子系統上。
圖1示出了現有的一種參考電壓產生電路。參考圖1，所述參考電壓產生電路包括:誤差放大器OPA、PMOS管Mil、PMOS管M12、PMOS管M13、第一三極管Q11、第二三極管Q12、第三三極管Q13、電阻Rll和電阻R12。各個器件的具體連接方式如圖1所示，在此不再贅述。繼續參考圖1，由于誤差放大器OPA的鉗位作用，使得Vx與Vy兩點的電壓基本相等，即VX=VY=VBE2，Vbe2 為所述第二三極管Q12的基極與發射極之間的電壓差；同時，兩邊電路
中的電流也相等，即
權利要求
1.種參考電壓產生電路，其特征在于，包括:電流鏡單元、第一電阻、第二電阻和溫度系數補償單元，其中， 所述電流鏡單元包括第一節點、第二節點和第三節點，所述第一節點處的電流、第二節點處的電流及第三節點處的電流分別成比例關系，所述第三節點作為所述參考電壓產生電路的輸出端； 所述溫度系數補償單元包括:第一 NMOS管、第二 NMOS管和第三NMOS管，所述第一 NMOS管的柵極與漏極相連并連接所述第一電阻的第二端，源極接地；所述第二 NMOS管的柵極與漏極相連并連接所述電流鏡單元的第一節點，源極接地；所述第三NMOS管的柵極與漏極相連并連接所述第二電阻的第二端，源極接地；所述第一 NMOS管、第二 NMOS管和第三NMOS管工作在亞閾值區或飽和區； 所述第一電阻的第一端連接所述電流鏡單元的第二節點； 所述第二電阻的第一端連接所述電流鏡單元的第三節點。
2.權利要求1所述的參考電壓產生電路，其特征在于，所述電流鏡單元包括: 第一子電流鏡單元，包括第一 PMOS管、第二 PMOS管和第三PMOS管，所述第一 PMOS管、第二 PMOS管及第三PMOS管的源極均連接至電源電壓，柵極均連接至所述第三PMOS管的漏極；所述第一 PMOS管的漏極作為所述電流鏡單元的第三節點； 第二子電流鏡單元，包括:第四NMOS管和第五NMOS管，所述第四NMOS管的柵極與漏極相連，并連接至所述第二 PMOS管的漏極；所述第四NMOS管的源極作為所述電流鏡單元的第一節點；所述第五NMOS管的柵極連接所述第四NMOS管的柵極，漏極耦接所述第三PMOS管的漏極，源極作為所述電流鏡單元的第二節點。
3.權利要求2所述的參考電壓產生電路，其特征在于，所述第一PMOS管的寬長比、第二PMOS管的寬長比和第三PMOS管的寬長比相等。
4.權利要求2所述的參考電壓產生電路，其特征在于，所述第四NMOS管的寬長比與第五NMOS管的寬長比相等。
5.權利要求2所述的參考電壓產生電路，其特征在于，所述電流鏡單元還包括:第一ZMOS管,所述第五NMOS管的漏極通過所述第一 ZMOS管連接所述第三PMOS管的漏極。
6.權利要求5所述的參考電壓產生電路，其特征在于，所述第一ZMOS管的柵極連接所述第四NMOS管的柵極，源極連接所述第五NMOS管的漏極，漏極連接所述第三PMOS管的漏極。
7.權利要求1所述的參考電壓產生電路，其特征在于，所述電流鏡單元包括:第一子電流鏡單元和箝位單元； 所述第一子電流鏡單元包括第一 PMOS管、第二 PMOS管和第三PMOS管，所述第一 PMOS管、第二 PMOS管及第三PMOS管的柵極相連，且源極均連接至電源電壓；所述第二 PMOS管的漏極作為所述電流鏡單元的第一節點，所述第三PMOS管的漏極作為所述電流鏡單元的第二節點；所述第一 PMOS管的漏極作為所述電流鏡單元的第三節點； 所述箝位單元包括誤差放大器，所述誤差放大器的負向輸入端連接第二 PMOS管的漏極，正向輸入端連接第三PMOS管的漏極，輸出端連接所述第一 PMOS管的柵極。
8.權利要求1所述的參考電壓產生電路，其特征在于，所述電流鏡單元的第一節點處的電流、第二節點處的電流及第三節點處的電流之間的比例關系為1:1:1。
全文摘要
一種參考電壓產生電路。所述電路包括電流鏡單元、第一電阻、第二電阻和溫度系數補償單元，所述溫度系數補償單元包括第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，所述第一NMOS管的柵極與漏極相連并連接所述第一電阻的第二端，源極接地；所述第二NMOS管的柵極與漏極相連并連接所述電流鏡單元的第一節點，源極接地；所述第三NMOS管的柵極與漏極相連并連接所述第二電阻的第二端，源極接地；所述第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管工作在亞閾值區或飽和區；所述第一電阻的第一端連接所述電流鏡單元的第二節點；所述第二電阻的第一端連接所述電流鏡單元的第三節點。本發明參考電壓產生電路的工作電壓范圍較寬且該電路的功耗低。
文檔編號G05F3/26GK103092253SQ201310030518
公開日2013年5月8日 申請日期2013年1月25日 優先權日2013年1月25日
發明者徐光磊 申請人:上海宏力半導體制造有限公司