專利名稱：一種設(shè)置有半導(dǎo)體制冷器件的恒溫晶體波片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及晶體波片，尤其涉及一種一種設(shè)置有半導(dǎo)體制冷器件的恒溫晶體波片。
背景技術(shù)：
在目前要求較高的晶體波片的使用場(chǎng)合，尤其是在對(duì)晶體波片的折射率的精度要求很高的測(cè)量場(chǎng)合，環(huán)境溫度的變化會(huì)對(duì)晶體波片的折射率產(chǎn)生較大的影響，使之不穩(wěn)定。
實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提出一種設(shè)置有半導(dǎo)體制冷器件的恒溫晶體波片，以在較大程度上排除環(huán)境溫差對(duì)晶體波片的折射率的影響。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下一種設(shè)置有半導(dǎo)體制冷器件的恒溫晶體波片，包括晶體波片本體、在該晶體波片兩個(gè)相對(duì)的非通光面的兩側(cè)膠合的兩個(gè)TEC制冷片、設(shè)置于兩個(gè)TEC制冷片外側(cè)的散熱片、 以及接于每個(gè)TEC制冷片的電極的一路恒溫控制電路。進(jìn)一步的，所述的一路恒溫控制電路包括傳感器、TEC制冷片驅(qū)動(dòng)電路，該傳感器設(shè)置于晶體波片上靠近該恒溫控制電路所控制的TEC制冷片的一側(cè)。本實(shí)用新型通過(guò)采用上述的技術(shù)方案，具有的有益效果能夠顯著地排除環(huán)境溫差范圍為5-50攝氏度在對(duì)晶體波片的折射率的影響，使得晶體波片適用于精度要求更高的場(chǎng)合。
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。一種設(shè)置有半導(dǎo)體制冷器件的恒溫晶體波片，由晶體波片本體1、在該晶體波片兩個(gè)相對(duì)的非通光面的兩側(cè)膠合的兩個(gè)TEC制冷片2、設(shè)置于兩個(gè)TEC制冷片外側(cè)的散熱片 3、以及接于每個(gè)TEC制冷片的電極的一路恒溫控制電路4構(gòu)成。進(jìn)一步的，所述的一路恒溫控制電路4是由傳感器401和TEC制冷片驅(qū)動(dòng)電路402 構(gòu)成的閉環(huán)控制系統(tǒng)，該傳感器401設(shè)置于晶體波片1上靠近該恒溫控制電路4所控制的 TEC制冷片2的一側(cè)，所述TEC制冷片2和溫度傳感器401分別接于TEC制冷片驅(qū)動(dòng)電路 402，作為一優(yōu)選的實(shí)施方式，該TEC制冷片驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)IC的型號(hào)是ADN8831，所述的另一路恒溫控制電路同于上述恒溫控制電路4，其接于另一個(gè)TEC制冷片，在此不再贅述。盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本實(shí)用新型，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上可以對(duì)本實(shí)用新型做出各種變化，均為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種設(shè)置有半導(dǎo)體制冷器件的恒溫晶體波片，包括晶體波片本體、在該晶體波片兩個(gè)相對(duì)的非通光面的兩側(cè)膠合的兩個(gè)TEC制冷片、設(shè)置于兩個(gè)TEC制冷片外側(cè)的散熱片、 以及接于每個(gè)TEC制冷片的電極的一路恒溫控制電路。
2.如權(quán)利要求1所述的一種設(shè)置有半導(dǎo)體制冷器件的恒溫晶體波片，其特征在于所述的一路恒溫控制電路包括傳感器、TEC制冷片驅(qū)動(dòng)電路，該傳感器設(shè)置于晶體波片上靠近該恒溫控制電路所控制的TEC制冷片的一側(cè)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及晶體波片，尤其涉及一種一種設(shè)置有半導(dǎo)體制冷器件的恒溫晶體波片。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種設(shè)置有半導(dǎo)體制冷器件的恒溫晶體波片，包括晶體波片本體、在該晶體波片兩個(gè)相對(duì)的非通光面的兩側(cè)膠合的兩個(gè)TEC制冷片、設(shè)置于兩個(gè)TEC制冷片外側(cè)的散熱片、以及接于每個(gè)TEC制冷片的電極的一路恒溫控制電路。本實(shí)用新型通過(guò)采用上述的技術(shù)方案，具有的有益效果較大程度地排除環(huán)境溫差對(duì)晶體波片的折射率的影響，使得晶體波片適用于精度要求更高的場(chǎng)合。
文檔編號(hào)G05D23/20GK201974608SQ201120036090
公開(kāi)日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2011年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月30日
發(fā)明者林德升 申請(qǐng)人:福建中策光電科技有限公司