專利名稱：具有電壓調節功能的gpu芯片及其制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體芯片，特別涉及GPU芯片及其制作方法。
背景技術：
在計算機中，為了對大量圖像數據進行高速顯示，除了顯示器之外，顯示系統往往還安裝有圖像處理器件。圖像處理器件往往由專用于圖像處理的運算處理器件(GPU，即圖像處理單元)、作為存儲器件的用來存儲圖像數據的視頻隨機存取存儲器(VRAM)、顯示處理器件等構成。此處，顯示系統表示一種系統，它具有對中央處理器中執行的運算過程的結構進行解釋處理并顯示圖像的功能。而且，圖像處理器件表示一種器件，它接收GPU中執行的運算的結構，并形成要送到顯示系統中的顯示器件的圖像數據。而且，顯示器件表示一種器件，它將圖像處理器件中形成的圖像數據顯示為顯示部分中的圖像。顯示部分表示一個區域，它由多個像素組成，并在其中顯示圖像。GPU是相對于CPU (中央處理單元)的一個概念，它能夠從硬件上支持多邊形轉換與光源處理的圖像顯示硬件。目前在GPU上進行的主要運算包括光罩計算、深度檢測、光柵化等。由于GPU采用的是單指令多數據的處理器設計模式，而且它不需要進行內存管理、對系統的輸入輸出做出響應等，所以它在圖形處理方面的性能遠遠大于CPU。因此，GPU已經逐漸成為組成電腦不可缺少的一部分，對于GPU芯片的工藝要求也越來越高。然而，一般的情況下，在半導體集成電路的晶片工序中，不僅不同芯片間，而且同一晶圓上的同時制作出來的具有相同結構的多個芯片之間也有一定的差異，這是由于制作過程中的工藝偏差造成的，例如光刻工序中的掩模錯位、成膜工序和平坦化工序中的膜厚控制的偏差等各種要素而產生的。這樣，在批量制作GPU芯片時，由于這些差異，會導致每個GPU芯片在性能參數上略有差別，但仍屬于合格的范圍內。例如，有的GPU芯片可能是在 0. 9V的工作電壓下處于最佳工作狀態，而有的GPU芯片可能是在1. OV的工作電壓下處于最佳工作狀態。然而，當GPU安裝到圖形卡并配備電源為其供電時，為GPU芯片供電的電源輸出的電壓往往是恒定的，因此對于性能參數略有差別的每個GPU芯片來說所供應的電壓是一樣的。這就會導致并非每個GPU芯片都能工作在其最佳狀態所需要的工作電壓下。因此，需要一種新的GPU芯片以及為GPU芯片供壓的方法，能夠解決傳統工藝中由于供壓源一致導致大多數GPU芯片不能工作在最佳狀態的問題。
發明內容
在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式
部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。根據本發明的一個方面，提供了一種具有電壓調節功能的半導體芯片及其制造方法，所述半導體芯片通過一供電裝置進行供電，所述半導體芯片包括電壓調節模塊，所述電壓調節模塊用于根據所述半導體芯片的最優工作電壓調節所述供電裝置輸出給所述半導體芯片的供電電壓。根據本發明的另一個方面，提供了一種制作具有電壓調節功能的半導體芯片的方法，包括如下步驟a 提供半導體芯片，所述半導體芯片通過一供電裝置進行供電，所述半導體芯片包括電壓調節模塊，所述電壓調節模塊用于根據所述半導體芯片的最優工作電壓調節所述供電裝置輸出給所述半導體芯片的供電電壓；b 確定所述半導體芯片的最優工作電壓；c 調節所述電壓調節模塊的輸出信號；d 封裝所述半導體芯片。本發明的半導體芯片可根據其最佳工作電壓進行調節，從而反饋至為其供電的供電裝置，使供電裝置輸出一個能使得芯片工作在其最佳工作狀態的電壓，解決傳統工藝中由于供壓源輸出單一以及芯片參數的個體差異導致大多數芯片不能工作在其最佳狀態的問題。
本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用于理解本發明。附圖中示出了本發明的實施方案及其描述，用來解釋本發明的原理。在附圖中，圖1是根據本發明的具有電壓調節功能的半導體芯片的方框圖；圖2是根據本發明一個具體實施例的具有電壓調節功能的GPU芯片的示意框圖；圖3A是根據本發明一個實施方案的GPU芯片上的電壓調節熔絲陣列的示意圖；圖;3B是根據本發明又一實施方案的GPU芯片上的電壓調節熔絲陣列的示意圖；圖3C是根據本發明再一實施方案的GPU芯片上的電壓調節熔絲陣列的示意圖；圖4是根據本發明制作具有電壓調節功能的GPU芯片的工藝流程圖。
具體實施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細節以便提供對本發明更為徹底的理解。然而，對于本領域技術人員來說顯而易見的是，本發明可以無需一個或多個這些細節而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發明發生混淆，對于本領域公知的一些技術特征未進行描述。現在，將對根據本發明的實施例進行詳細描述，其示例圖示于附圖中。雖然將結合優選實施例對本發明進行描述，但是要理解的是它們并非意圖將本發明限于這些實施例。 相反，本發明旨在涵蓋可包括在由所附權利要求書限定的本發明的精神和范圍內的替換、 修改及等效內容。此外，在本發明實施例的下列詳細描述中，闡述了大量具體細節，以便提供對本發明的透徹理解。然而，對于本領域中的一個普通技術人員而言將顯而易見的是，可以在沒有這些具體細節的情況下施行本發明。在其他例子中，為了不混淆本發明的各個方面，不對公知的方法、程序、部件和電路進行詳細描述。對于計算機存儲器中數據比特上的程序、邏輯塊、處理及操作的其他符號表示，介紹以下詳細描述的某些部分。這些描述和表示是由數據處理領域中的普通技術人員使用的手段，以最有效地將他們工作的實質傳達給本領域的其他技術人員。這里的程序、邏輯塊、 處理等通常被認為是一系列前后一致的導致期望結果的步驟或指令。這些步驟包括物理量的物理操控。通常，盡管不是必須地，但這些物理量采用可以在計算機系統中存儲、傳送、組合、比較以及其他操控的電、磁、光或量子信號的形式。主要由于常用的原因，已經多次證明提及這些信號時用比特、數值、元件、符號、字符、術語、數字等是方便的。然而，應當記住的是，所有這些以及相似的術語都是與適當的物理量相關聯的，并且僅是適用于這些量的方便的稱號。除非下面的討論中清楚而具體地做出其他聲明，否則可以理解的是，貫穿本發明使用諸如“處理”、“計算”、“判定”、“顯示”、“存取”、“寫入”、“包括”、“存儲”、“傳輸”、“遍歷”、“關聯”、“識別”等的術語的討論，指的是計算機系統或類似的處理設備(例如，電學、光學或量子計算設備)的動作和處理，其對在計算機系統的寄存器和存儲器中以物理(例如，電子)量表示的數據進行操控。這些術語是指下述處理設備的動作和處理，所述處理設備對計算機系統的部件(例如，寄存器、存儲器或其他這類信息存儲、傳輸或顯示設備等)內的物理量進行操控或將其轉換成其他部件內的相似地表示為物理量的其他數據。圖1是根據本發明的具有電壓調節功能的半導體芯片的方框圖。本發明中的示意圖僅為示意性的目的，且其并不限定本發明的可能的實施方案。如圖1所示，提供GPU 122，GPU 122包括電壓調節模塊101以及等效負載模塊 102。此處的等效負載模塊102表示GPU 122工作時的其上所有單元的等效工作負載之和。 GPU 122外接的供電模塊103為GPU 122提供工作電壓。該供電裝置103可以是本領域技術人員所公知的任何一種用于為GPU輸入電壓的具有反饋功能的電源設備或模塊。例如， 所述電源模塊103包括反饋模塊104、運算放大器105以及參考電壓源106。這里的反饋模塊104例如可以為晶體管構成的多級放大電路，在此不詳細示出。根據本發明，通過根據不同的GPU各自的最佳工作電壓、工作溫度等參數對電壓調節模塊101進行調節，從而調整輸入到運算放大器205的反相端的輸入信號，使得運算放大器的輸出信號根據GPU各自的最佳工作電壓發生變化，再通過反饋模塊104輸出經調整的電壓給GPU 122，從而為GPU 122提供最佳的工作電壓，以使GPU 222工作在最佳狀態。實施例1圖2是根據本發明一個具體實施例的具有電壓調節功能的GPU芯片的示意框圖。 如圖2所示，提供GPU 222，GPU 222包括電壓調節模塊201以及等效負載模塊202。此處的等效負載模塊202表示GPU工作時的GPU上所有單元的等效負載之和。GPU 222外接的供電裝置203為GPU 222提供工作電壓。該供電裝置203可以是本領域技術人員所公知的任何一種用于為GPU 222輸入電壓的具有反饋功能的電源設備或模塊。例如，所述電源模塊203包括反饋模塊204、運算放大器205以及參考電壓源206。具體地，電壓調節模塊201包括串聯連接的第一電壓調節模塊207和第二電壓調節模塊208。其中，運算放大器205的同相輸入端與參考電壓源206相連，反相輸入端連接于第一電壓調節模塊207與第二電壓調節模塊208之間的連接點，用于接收電壓調節模塊 201經調節的輸入信號。第一電壓調節模塊207的一端接地，另一端與運算放大器205的反相輸入端相連；第二電壓調節模塊208 —端與第一電壓調節模塊207和運算放大器205反相輸入端相連的一端相連，另一端與反饋模塊204相連；反饋模塊204的輸入端連接運算放大器205的輸出端，經運算放大器205調節后的信號轉化為GPU 222的電壓輸入信號，輸入到等效負載模塊202從而為GPU 222供電。等效負載模塊202的另一端接地。具體地，第一電壓調節模塊207和第二電壓調節模塊208可由多個并聯的電阻陣列實現，并且每個電阻I^n均有一個熔絲Fn與之串聯，用于控制是否接通I n。熔絲的材料可以是但不限于鉛銻合金、銅合金、銀合金。其中η為整數且η >1。電阻和熔絲組成的陣列也可以是由多個子陣列通過串并聯結合的混聯方式連接。第一電壓調節模塊207和第二電壓調節模塊208所具有的電阻Ι η的數量可以是任選的，例如為1 8個。電阻Ι η的阻值可以選擇為1000 20000歐姆，例如2000歐姆、4000歐姆、8000歐姆或16000歐姆。根據GPU 222的最佳工作電壓通過計算，選擇熔斷哪些電阻的熔絲，從而保留剩下的電阻以調節輸入到運算放大器205反相輸入端的電壓。例如，當第一電壓調節模塊207 的等效總阻值為R1，第二電壓調節模塊208的等效總阻值為&(這里的等效總阻值為根據 GPU的最優工作電壓計算得到并選擇保留下來的所有電阻的等效電阻值之和)，參考電壓源206的提供的電壓為Vref時，通過檢測得到的負載模塊202的最佳工作電壓為\，則通過選擇R1和&的阻值比使由反饋模塊204提供給等效負載模塊202的工作電壓等于\，使得 GPU 222工作在最佳工作電壓八下，即Vref/VL = ^/( + )(1)這里的R1和&無需選定為特定的電阻值，只需選擇為使其比例關系滿足公式(1) 即可。實施例2圖3A是根據本發明一個實施方案的GPU芯片上的電壓調節熔絲陣列的示意圖。 如圖3A所示，提供GPU芯片300，包括電壓調節模塊301和負載模塊302，外接的供電裝置 303為GPU芯片300供電，供電裝置包括反饋模塊304、運算放大器305和參考電壓源306。 其中，電壓調節模塊301包括第一電壓調節模塊301A和第二電壓調節模塊301B。第一電壓調節模塊301A的一端接地，另一端與運算放大器305的反相輸入端相連；第二電壓調節模塊301B的一端與運算放大器305的反相輸入端相連，另一端與反饋模塊304相連接；負載模塊302的一端與反饋模塊304相連，用于接收輸入電壓信號，另一端接地。第一電壓調節模塊301A包括5個并聯的電阻，例如分別為1000歐姆的R1A、2000 歐姆的I 2A、4000歐姆的R3A、8000歐姆的R4a以及16000歐姆的R5A。類似地，第二電壓調節模塊301B也包括5個并聯的電阻，例如分別為1000歐姆的I 1B、2000歐姆的R2B、4000歐姆的R3B、8000歐姆的R4b以及16000歐姆的R5B。每個電阻具有相應的熔絲與其串聯。熔絲Fia 與Ria串聯、熔絲F2a與R2a串聯、熔絲F3a與R3a串聯、熔絲F4a與R4a串聯以及熔絲F5a與R5a 串聯。第二電壓調節模塊301B也具有分別與Rib> R2B、R3b> R4b與R5b相串聯的熔絲Fib, F2B、 F3B、F4B與F5B。確定GPU 300的最佳工作電壓后，熔斷電壓調節模塊301中的部分熔絲，得到一適當的阻值比，以保證為該GPU芯片提供最佳工作電壓。具體舉例為，當供電裝置303 的內的參考電壓源306的電壓VMf為0. 8伏，而該GPU芯片最佳工作電壓八為IV時，需要使得R1/( + ) = 0. 8/1 = 0. 8，可以選擇為熔斷第一電壓調節模塊301A的Fia, F2A、F3a以及F5a，僅保留8000歐姆的R4a，并熔斷第二電壓調節模塊301B的F1B、F3b> F4b以及F5b，僅保留2000歐姆的R2b。實施例3根據本發明一個方面的再一實施方案如圖:3B所示。在圖;3B中，對于第一或第二電壓調節模塊，可以采用串并聯相結合的混聯方式連接的電阻-熔絲陣列。具體地，GPU芯片 300包括電壓調節模塊301和負載模塊302，外接的供電裝置303為GPU芯片300供電，供電裝置包括反饋模塊304、運算放大器305和參考電壓源306。電壓調節模塊301包括第一電壓調節模塊30IA和第二電壓調節模塊301B。第一電壓調節模塊30IA包括2個串聯的電阻-熔絲陣列311A與311A’，其中第一電壓調節模塊301A —端接地，另一端與第二電壓調節模塊301B和運算放大器305的反相輸入端相連；第二電壓調節模塊301B包括由四個并聯的電阻-熔絲構成的陣列，其一端與運算放大器305相連的一端相連，另一端與反饋模塊 304相連。負載模塊302的一端與反饋模塊304相連的一端相連，另一端接地。電阻-熔絲陣列311A分別包括4個并聯的電阻R1A、I 2A、R3A與R4a以及與Ria串聯的熔絲Fia、與R2a串聯的熔絲F2a、與R3a串聯的熔絲F3a和與R4a串聯的熔絲F4a，電阻-熔絲陣列311A’分別包括4 個并聯的電阻Ria,、Ka,、R3a,與R4a,以及與Ria,串聯的熔絲Fia,、與R2a,串聯的熔絲F2a,、與R3a, 串聯的熔絲F3a,和與R4a,串聯的熔絲F4a,。電阻-熔絲陣列311A與311A’中的電阻值可根據各自的需要選取為相同的或者是不同的。第二電壓調節模塊301B包括4個并聯的電阻 Rib>R2b>R3B與R4b以及與Rib串聯的熔絲Fib、與R2b串聯的熔絲i^B、與R3b串聯的熔絲F3b和與 R4b串聯的熔絲F4B。具體的阻值選擇以及根據GPU的最佳工作電壓選擇具體電阻的方式同圖3A所示的實施例相似，這里就不再贅述。但是，與圖3A所示的實施例相比，圖:3B所示的本實施例中的第一電壓調節模塊301A的等效總阻值應為電阻-熔絲陣列311A與311A’的電阻值之和。這樣，R1ARAR2)可通過將第一電壓調節模塊301A分成電阻-熔絲陣列311A 與311A’兩部分而得到更為精細的比值。實施例4根據本發明一個方面的另一實施方案如圖3C所示。在圖3C中，第一和第二電壓調節模塊中包含的電阻-熔絲陣列中電阻的數目可以是不相同，只要能進行組合得出適當的比例關系即可。具體地，GPU芯片300包括電壓調節模塊301和負載模塊302，外接的供電裝置303為GPU芯片300供電，供電裝置包括反饋模塊304、運算放大器305和參考電壓源306。電壓調節模塊301包括第一電壓調節模塊301A和第二電壓調節模塊301B。第一電壓調節模塊301A的一端接地，且另一端與運算放大器305的反相輸入端相連；第二電壓調節模塊301B的一端與運算放大器305的反相輸入端相連的一端相連，且另一端與反饋模塊304相連。負載模塊302的一端與反饋模塊304的輸出端相連，另一端接地。第一電壓調節模塊301A包括4個并聯的電阻I 1A、R2A、R3A與R4a以及與Ria串聯的熔絲Fia、與R2a串聯的熔絲F2a、與R3a串聯的熔絲F3a和與R4a串聯的熔絲F4A。第二電壓調節模塊301B包括3個并聯的電阻R1b、&b與R3b以及與Rib串聯的熔絲Fib、與R2b串聯的熔絲F2b和與R3b串聯的熔絲F3B。具體的阻值選擇以及根據GPU的最佳工作電壓選擇具體電阻的方式同圖3A所示的實施例相似，這里就不再贅述。根據本發明熔斷特定的電阻以便為GPU提供最佳工作電壓的過程在GPU封裝之前的測試階段進行。在未封裝GPU芯片之前，對GPU芯片進行檢測，以便測出GPU芯片在最佳工作狀態下所應提供的電壓。檢測方法為，測試電壓從GPU芯片所能承受的最高電壓開始， 以一定的步長逐漸降低直到GPU芯片工作不穩定為止，確定最后一個可以穩定工作的電壓為該GPU芯片的最佳工作電壓。具體舉例為，在GPU芯片測試的階段，如果該GPU芯片的目標頻率為600MHz，則用630MHz的頻率運行特定的測試向量，以保證有5%的余量。測試電壓從GPU芯片所能承受的最高電壓，例如1. 2V，以0. 025V為步長逐漸降低直到GPU芯片工作不穩定為止。則最后一個可以穩定工作的電壓為該GPU芯片的最佳工作電壓。接著根據測定的最佳工作電壓，斷開部分電壓調節模塊的熔絲。
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圖4的流程圖示出了根據本發明一個方面的實施方案的制作能夠在最佳電壓下工作的GPU芯片的工藝流程圖。在步驟401中，提供GPU芯片，GPU芯片包括電壓調節模塊和負載模塊。其中，電壓調節模塊包括第一電壓調節模塊和第二電壓調節模塊，第一電壓調節模塊和第二電壓調節模塊均具有多個以并聯、串聯或混聯方式連接的電阻以及與每個電阻串聯的熔絲。在步驟402中，確定GPU芯片的最佳工作電壓。在步驟403中，調節所述電壓調節模塊的輸出信號。具體地，根據在步驟402中確定的GPU芯片的最佳工作電壓計算出第一電壓調節模塊和第二電壓調節模塊相應的等效電阻值，熔斷部分熔絲，以得到能為GPU 芯片提供最佳工作電壓的電阻值。在步驟404中，封裝GPU芯片。本領域技術人員可以理解的是，本發明不限于為GPU芯片提供可調的最佳工作電壓，本發明還可作為GPU以外的任何半導體芯片供電策略。只要半導體芯片由于生產工藝等導致其參數發生在誤差允許范圍內的個體差異時，都可以利用本發明的電壓調節模塊及方法為各個半導體芯片選擇適當的工作電壓，以使其工作在最佳狀態。本發明已經通過上述實施方案進行了說明，但應當理解的是，上述實施方案只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發明限制于所描述的實施方案范圍內。此外本領域技術人員可以理解的是，本發明并不局限于上述實施方案，根據本發明的教導還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發明所要求保護的范圍以內。本發明的保護范圍由附屬的權利要求書及其等效范圍所界定。
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權利要求
1.一種具有電壓調節功能的半導體芯片，所述半導體芯片通過一供電裝置進行供電， 所述半導體芯片包括電壓調節模塊，所述電壓調節模塊用于根據所述半導體芯片的最優工作電壓調節所述供電裝置輸出給所述半導體芯片的供電電壓。
2.如權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述半導體芯片為圖形處理單元。
3.如權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述供電裝置包括運算放大器，所述運算放大器的同相輸入端連接一參考電壓源，反相輸入端接收由所述電壓調節模塊輸入的信號；以及反饋模塊，所述反饋模塊接收所述運算放大器的輸出信號作為輸入，并輸出一電壓信號以便為所述半導體芯片供電。
4.如權利要求3所述的半導體芯片，其特征在于，所述電壓調節模塊包括第一電壓調節模塊和第二電壓調節模塊。
5.如權利要求4所述的半導體芯片，其特征在于，所述第一電壓調節模塊包括第一組多個彼此并聯、串聯或混聯的電阻，所述第二電壓調節模塊包括第二組多個彼此并聯、串聯或混聯的電阻，所述每個電阻具有與之串聯連接的熔絲。
6.如權利要求5所述的半導體芯片，其特征在于，所述第一組電阻的數目與所述第二組電阻的數目是相等的。
7.如權利要求5所述的半導體芯片，其特征在于，所述第一組電阻的數目與所述第二組電阻的數目是不相等的。
8.如權利要求5所述的半導體芯片，其特征在于，所述電阻的阻值選自1000歐姆、2000 歐姆、4000歐姆、8000歐姆或16000歐姆。
9.如權利要求5所述的半導體芯片，其特征在于，當所述半導體芯片的最優工作電壓為\時，按照如下公式選擇所述第一組電阻的等效電阻值R1和第二組電阻的等效電阻值 R2 VrefAL = R1Z(R^R2)其中Vref是所述參考電壓源的電壓。
10.如權利要求9所述的半導體芯片，其特征在于，通過熔斷第一組電阻和第二組電阻中的一部分電阻所連接的熔絲，達到所述等效電阻值。
11.一種制作具有電壓調節功能的半導體芯片的方法，包括如下步驟a 提供半導體芯片，所述半導體芯片通過一供電裝置進行供電，所述半導體芯片包括 電壓調節模塊，所述電壓調節模塊用于根據所述半導體芯片的最優工作電壓調節所述供電裝置輸出給所述半導體芯片的供電電壓； b 確定所述半導體芯片的最優工作電壓； c 調節所述電壓調節模塊的輸出信號； d:封裝所述半導體芯片。
12.如權利要求11所述的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述半導體芯片為圖形處理單元。
13.如權利要求11所述的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述供電裝置包括運算放大器，所述運算放大器的同相輸入端連接一參考電壓源，反相輸入端接收由所述電壓調節模塊輸入的信號；以及反饋模塊，所述反饋模塊接收所述運算放大器的輸出信號作為輸入，并輸出一電壓信號以便為所述半導體芯片供電。
14.如權利要求13所述的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述電壓調節模塊包括第一電壓調節模塊和第二電壓調節模塊。
15.如權利要求14所述的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述第一電壓調節模塊包括第一組多個彼此并聯、串聯或混聯的電阻，所述第二電壓調節模塊包括第二組多個彼此并聯、串聯或混聯的電阻，所述每個電阻具有與之串聯連接的熔絲。
16.如權利要求11所述的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述確定所述半導體芯片的最優工作電壓包括為所述半導體芯片施加所能承受的最高電壓；以一步長逐漸降低所施加的電壓直到所述半導體芯片工作至不穩定為止；以及確定最后一個可以穩定工作的電壓為所述半導體芯片的最優工作電壓。
17.如權利要求15所述的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述第一組電阻的數目與所述第二組電阻的數目是相等的或不相等的。
18.如權利要求15所述的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述電阻的阻值選自 1000歐姆、2000歐姆、4000歐姆、8000歐姆或16000歐姆。
19.如權利要求15所述的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述調節所述電壓調節模塊的輸出信號包括當所述半導體芯片的最優工作電壓為\時，按照如下公式選擇所述第一組電阻的等效電阻值R1和第二組電阻的等效電阻值& VrefAL = R1Z(R^R2)其中Vref是所述參考電壓源的電壓。
20.如權利要求19所述的半導體芯片制作方法，其特征在于，通過熔斷第一組電阻和第二組電阻中的一部分電阻所連接的熔絲，達到所述等效電阻值。
全文摘要
本發明提供了一種具有電壓調節功能的半導體芯片及其制造方法，所述半導體芯片通過一供電裝置進行供電，所述半導體芯片包括電壓調節模塊，所述電壓調節模塊用于根據所述半導體芯片的最優工作電壓調節所述供電裝置輸出給所述半導體芯片的供電電壓。本發明的半導體芯片及其制造方法能夠解決傳統工藝中由于供壓源一致導致大多數芯片不能工作在其最佳狀態的問題。
文檔編號G05F1/46GK102213967SQ20101014480
公開日2011年10月12日 申請日期2010年4月12日 優先權日2010年4月12日
發明者徐爽 申請人:輝達公司