疏水閥的制作方法

專利名稱：疏水閥的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及微流體裝置(microfluidic device)上的疏水閥(hydrophobic valve)0
背景技術(shù)：
在近十年來，引入了小型化的樣品制備和分析單元，所謂的“芯片實驗室 (lab-on-a-chip,L0C)"o這些裝置將一種或數(shù)種實驗室功能整合在僅毫米到幾平方厘米尺寸的單個芯片上。它們的引入至少部分是由引入核酸雜交技術(shù)用于診斷、分析和法醫(yī)目的和由越來越大的樣品數(shù)量所需要的對高處理量能力的增加的需求所激發(fā)的。這些裝置的開發(fā)已經(jīng)得到了基于平版印刷的技術(shù)的進展以及表面涂覆技術(shù)的新發(fā)展的支持。然而，由于制造問題以及對微米和納米尺度中的液體行為可控性的缺乏，液體流動和/或液體分散的控制仍是芯片實驗室裝置中的問題。Liu等(2004)描述了用于微流體應用的單次使用的熱動作的石蠟閥，其具有 “關(guān)一開”功能，即其僅能夠開啟一次(非夾斷(non-pinch-off)，或激勵動作模式(tonic actuation mode))。然而這種閥需要使用熱量，而熔融石蠟可能污染位于該裝置上的樣品或堵塞該裝置上的微通道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供允許控制微流體裝置中的液體流動和/或液體分散而沒有上述缺點的裝置。本發(fā)明的另一目的是提供用于微流體裝置中的閥，一經(jīng)致動其能夠不可逆地打開。本發(fā)明的另一目的是提供這種裝置的制造和使用方法。通過獨立權(quán)利要求提出的方法實現(xiàn)了這些目的。所述獨立權(quán)利要求指出了優(yōu)選的實施方式。在本文中值得提及的是以下給出的所有范圍都應當理解為它們包括限定這些范圍的值。


在從屬權(quán)利要求、附圖和以下對各附圖和實施例的描述中公開了本發(fā)明的目的的其他細節(jié)、特征、特性和優(yōu)點，附圖和實施例以示例的方式顯示了依照本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。應當認識到實施例絕不表示限制本發(fā)明的范圍。圖1顯示了在固體表面上的流體/流體界面(例如液體/氣體或液體/液體)的接觸角。圖2顯示了依照本發(fā)明的裝置的示意圖。圖3顯示了設置在不同基體之間的水/空氣界面(或水/油)的接觸角。圖4顯示了依照本發(fā)明的另一裝置的示意圖。
圖5顯示了依照圖4的裝置的橫截面。圖6顯示了來自視頻文件的片段，顯示了依照本發(fā)明的裝置。圖7顯示了依照圖4的另一裝置的橫截面。圖8顯示了來自視頻文件的片段，顯示了依照本發(fā)明的另一裝置。圖9顯示了依照本發(fā)明的裝置的不同實施方式。圖10顯示了依照本發(fā)明的裝置的磁致動器的不同實施方式。圖11在分解圖中顯示了依照本發(fā)明的裝置。
具體實施例方式依照本發(fā)明，提供了用于包括磁性顆粒的具有顯著(appreciable)表面張力的液體的疏水閥，所述裝置包括
a)至少兩個平面的(planar)固體基體(substrates)，各自具有功能化的表面，其中
b)至少第一固體基體具有包括至少兩個由至少一個疏水區(qū)域彼此分開的親水區(qū)域的圖案化表面，
c)其中所述兩個平面的基體彼此間隔一定距離以夾層平行方式設置，設置方式使得所述功能化的表面彼此面對，
d)所述閥進一步包括磁致動器(magneticactuator)。如本文中所用的那樣，術(shù)語“具有顯著表面張力的液體”是指特征在于液體的分子之間通過各種分子間力的吸引的液體。這例如適用于由極性分子構(gòu)成的液體。在液體的本體(bulk)中，各分子在所有方向被相鄰的液體分子相等地牽引，造成零凈力。在液體的表面處，分子被在該液體內(nèi)部更深處的其他分子向內(nèi)拉動，并且沒有被相鄰介質(zhì)(其為真空、 空氣或其他液體)中的分子同樣強烈地吸引。因此，在表面處的所有分子經(jīng)受向內(nèi)的分子吸引力，其僅被液體的抗壓縮性平衡，這意味著沒有凈向內(nèi)力。這種液體傾向于聚集成滴，嘗試盡可能實現(xiàn)最低的表面積。這些液體的實例包括但不局限于水和含水液體(見下文)以及具有官能團的有機液體，特別是有機酸、酮、醛和醇，例如乙醇、甘油、丙酮、乙腈、二甲基甲酰胺、乙酸、正丁醇、異丙醇、正丙醇、乙醇、甲醇和甲酸，以及其他有機液體，例如1，4-二氧六環(huán)、四氫呋喃、二氯甲烷或二甲亞砜。如本文中所用的那樣，術(shù)語“疏水”是指具有大于90°的接觸角的基體表面。術(shù)語 “超疏水(superhydrophobic)”是指具有大于150°的接觸角的基體表面。如本文中所用的那樣，術(shù)語“親水”是指具有小于90°的接觸角的基體表面。如本文中所用的那樣，術(shù)語“接觸角”是指流體/流體界面(例如液體/氣體或液體/液體)與固體表面交會處的角度。術(shù)語“氣體”在本文中包括氣態(tài)流體，例如空氣、蒸氣或任何其他氣體。術(shù)語“液體/液體界面”是指由于其表面張力的不同而在不混溶的液體之間建立的界面。在一個優(yōu)選實施方式中，該術(shù)語“液體/液體界面”是指在極性液體和非極性液體之間建立的界面，優(yōu)選在含水液體和油之間。接觸角對任何給定的系統(tǒng)都是特定的，且由三個界面之間的相互作用確定。最通常接觸角概念是用停在平坦水平固體表面上的小液滴來解釋的。由^img-Laplace方程確定液滴的形狀。如果液體非常強地吸引到固體表面上(例如在強親水性固體上的水)，那么液滴將完全展開在固體表面上，接觸角將接近0°。不太強親水的固體將具有最高90°的接觸角。在很多高度親水的表面上，水滴將顯示0° -30°的接觸角。如果固體表面是疏水的，接觸角將大于90°。在高度疏水的表面上，表面具有高達150°或甚至接近180°的水接觸角。在這些表面上，水滴僅僅停留在表面上，沒有實際潤濕到任何顯著的程度。在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方式中，提供了所述液體是含水液體(aqueous liquids)。本文中所用的術(shù)語“含水液體”是指具有水作為主要溶劑的液體。上述疏水區(qū)域充當屏障以防止該至少兩個親水區(qū)域之間的自由液體流動。所述磁致動器在其靜止位置設置在第一親水區(qū)域和疏水區(qū)域(分隔區(qū)域)的邊界之下。其存在造成磁性顆粒聚集在設置該磁致動器的區(qū)域中。一旦該磁致動器動作，后者移動到第二親水區(qū)域的方向。因此迫使包含磁性顆粒的含水液體以如下所述的方式構(gòu)建跨越(bridging)該疏水區(qū)域的含水液體的通道，由此連接兩個親水區(qū)域。只要建造了所述通道，該疏水閥就處于“打開”位置。一旦該驅(qū)動器通過所述疏水區(qū)域并在第二親水區(qū)域中停止，該疏水閥是否返回 “關(guān)閉”位置取決于第二固體基體的功能化。在第二固體基體具有親水表面的情況中，跨越該疏水區(qū)域的含水液體的所述通道保持完整(閥保持在“開啟，，位置)，而在該第二固體基體具有疏水表面的情況中，跨越該疏水區(qū)域的含水液體的所述通道發(fā)生破壞(回到“關(guān)閉”位置)。后者也稱作“夾斷行為(pinch off behaviour)，，。這些行為差異的原因是不同的接觸角總和。位于親水基體和疏水基體之間的含水液體的接觸角總和為約180°。由兩個角導致的毛細力彼此中和，這意味著沒有凈力作用在液滴的彎液面上。因此，該彎液面將不移動，產(chǎn)生穩(wěn)定的情形。與此相反，位于兩個疏水基體之間的含水液體的接觸角總和總是>180°。這意味著毛細力作用在彎液面上，其導致夾斷。這些現(xiàn)象的解釋參見圖3。如本文中所用的那樣，術(shù)語“功能化的表面”是指已經(jīng)具有給定功能的表面，例如疏水或親水表面。關(guān)于具有疏水性質(zhì)的功能化的表面，最容易的實施方式是不進行特定的功能化， 因為很多基體天生的狀態(tài)就是疏水的。例如聚丙烯具有約105°的接觸角。于是可以在這種基體上產(chǎn)生親水圖案。然而，如果天生的疏水性質(zhì)不足夠好，或者如果因為一些原因使用具有親水性質(zhì)的基體，那么能夠例如通過施加疏水涂層實現(xiàn)疏水功能化。由此得到的功能化的表面的實例包括
硅烷化基體， 涂覆有碳氟化合物的基體， 具有荷葉效應(Lotus effect)的基體， 涂覆有硫醇的基體，和/或 自組裝單層。本文中所用的術(shù)語“自組裝單層”(SAM)應指基體上的由分子單層構(gòu)成的表面。自組裝單層能夠簡單地通過添加所需分子的溶液到基體表面上并洗去過量的部分或通過蒸發(fā)來制備。一些通常使用的SAM包括8-氨基-1-辛硫醇鹽酸鹽、6-氨基己硫醇鹽酸鹽、10-羧基-1-癸硫醇、7-羧基-1-庚硫醇。優(yōu)選地，在金表面上制備基于硫醇的SAM，而在玻璃表面上制備基于硅烷的SAM。在兩種情況中，相應SAM構(gòu)建分子的剩余部分決定親水性或疏水性。硅烷例如可以包含碳氟鏈，并從而是疏水的，或者它們包含碳氧鏈(如聚乙二醇)， 并從而是親水的。對于金或銀基體例如可以使用硫醇涂層。本文中一種優(yōu)選的硫醇是十八烷硫醇， 其具有約110°的接觸角。本文中所用的術(shù)語“荷葉效應”應指由于表面的復雜微觀構(gòu)造而具有超疏水性質(zhì)的基體，前者具有高度為5-40 Mffl且寬度為5_30Mffl的突起的圖案。以這種方式裝備的表面顯示出高達170°的接觸角。解決玻璃或SiOx表面的疏水功能化的試劑例如是氟化硅烷，例如全氟癸基-三-乙氧基硅烷。其中，硅烷基團結(jié)合到玻璃表面，碳氟尾部產(chǎn)生疏水環(huán)境。這種富氟 SAM具有約105°的接觸角。技術(shù)人員可以從公知常識或從教科書和數(shù)據(jù)庫在不需要創(chuàng)造性的情況下選擇其他氟化硅烷。解決玻璃或SiOx表面的疏水功能化的試劑例如是氟化硅烷，例如全氟癸基-三-乙氧基硅烷。其中，硅烷基團結(jié)合到玻璃表面，碳氟尾部產(chǎn)生疏水環(huán)境。這種富氟 SAM具有約105°的接觸角。技術(shù)人員可以從公知常識或從教科書和數(shù)據(jù)庫在不需要創(chuàng)造性的情況下選擇其他氟化硅烷?？捎糜诒疚闹械钠渌柰榘?br> 1H, 1H, 2H，2H-全氟己基三氯硅烷、1H, 1H，2H，2H-全氟己基三甲氧基硅烷、 1H, 1H, 2H, 2H-全氟己基三乙氧基硅烷；
1H, 1H, 2H，2H-全氟辛基三氯硅烷、1H, 1H，2H，2H-全氟辛基三甲氧基硅烷、 1H, 1H, 2H, 2H-全氟辛基三乙氧基硅烷；
1H, 1H，2H，2H-全氟癸基三氯硅烷、1H，1H，2H，2H-全氟癸基三甲氧基硅烷、 1H, 1H, 2H, 2H-全氟癸基三乙氧基硅烷；
1H, 1H，2H，2H-全氟十二烷基三氯硅烷、1H，1H，2H，2H-全氟十二烷基三甲氧基硅烷、1H, 1H, 2H, 2H-全氟十二烷基三乙氧基硅烷。此外，乙氧基硅烷可用于本文中。這組尤其包括烷基(二甲基)乙氧基硅烷、四乙
氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷和二甲基二乙氧基硅烷。碳氟化合物涂覆的基體的一個實例是在"Tetrafluoethylen ("Teflon",例如 Teflon AF 1600)中旋涂過的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)載玻片。這種表面具有約115°的接觸角。另一實例是四氟甲烷(CF4)。盡管Teflon涂層是由旋涂或浸涂實現(xiàn)的，然而四氟甲烷涂層是由等離子體沉積實現(xiàn)的。關(guān)于具有親水性質(zhì)的功能化的表面，最容易的實施方式是不進行特定的功能化， 因為很多基體天生的狀態(tài)就是親水的(玻璃、金屬、很多聚合物等)。例如，玻璃基體具有約 45°的接觸角，而聚甲基丙烯酸甲酯基體具有約75°的接觸角。于是可以在這種基體上產(chǎn)生疏水圖案。然而，如果天生的親水性質(zhì)不足夠好，或者如果由于一些原因使用具有疏水性質(zhì)的基體，那么例如能夠通過以下實現(xiàn)親水功能化
聚(乙二醇)硅烷處理(“PEG-硅烷”，其中該硅烷基團尤其結(jié)合玻璃表面，該PEG基團產(chǎn)生親水環(huán)境)，或 等離子體聚合(plasma polymerization)。等離子體聚合是使用等離子體源產(chǎn)生氣體放電，其提供能量以活化或打碎氣體或液體單體(通常包含乙烯基)以引發(fā)聚合的方法。該方法能夠用于在表面上沉積薄聚合物膜。通過選擇單體類型和能量密度/單體(稱作^suda參數(shù))，所得到的薄膜的化學組成和結(jié)構(gòu)能夠在寬范圍內(nèi)變化。例如通過產(chǎn)生由己烷聚合的薄膜，其為由N-乙烯基-2-吡咯烷酮聚合的外層提供共價鍵合位點，能夠得到親水聚合物復合材料。提供在該第一固體基體上的疏水和親水區(qū)域的圖案例如可以通過以下實現(xiàn)
1)用提供疏水性質(zhì)的試劑涂覆基體，例如通過旋涂、浸涂、化學氣相沉積或生長SAM，和
2)以圖案化的方式從假定具有親水性質(zhì)的那些區(qū)域上除去所述試劑，通過例如等離子體蝕刻。關(guān)于步驟(1)，生長SAM是優(yōu)選的，因為由此得到的表面更容易通過等離子體蝕刻以圖案化的方式除去。旋涂或浸涂例如能夠用于產(chǎn)生Teflon涂覆的表面(見上文)?；瘜W氣相沉積(CVD)技術(shù)也是非常適合的。該方法包括例如本領域技術(shù)人員公知的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)的技術(shù)。由其得到的表面涂層也能夠通過等離子體蝕刻以圖案化的方式除去。通過PECVD能夠產(chǎn)生例如包含SiOC的涂層，但同樣能夠產(chǎn)生 Teflon 涂層。如本文中所用的那樣，術(shù)語“等離子體蝕刻”應指由等離子體實施材料去除的任意方法。這些包括例如反應離子蝕刻(reactive ion etching，RIE)，其中除了離子轟擊之外， 所用氣體氣氛的反應性組分也是活性的。反應離子蝕刻特別允許各向異性蝕刻。ICP (感應耦合的等離子體(inductively coupled plasma))方法也包括在術(shù)語等離子體蝕刻內(nèi)。 進一步地，RIE和ICP方法的組合也是可以的。產(chǎn)生疏水和親水區(qū)域的圖案的另一種可能性是以圖案化方式在天生親水的基體上僅局部施加疏水表面改性(例如通過旋涂、浸涂、化學氣相沉積或生長SAM)，或反之亦然。另一種可能性是使用光刻技術(shù)用光致抗蝕劑限定圖案。在整個基體上施加涂層之后，能夠用剝離方法(lift-off process)除去非圖案化區(qū)域中的涂覆材料。在微流體裝置環(huán)境中通常使用磁性顆粒，其中它們實現(xiàn)多種作用
能夠用捕獲劑(例如抗生蛋白鏈菌素、甲殼質(zhì)、寡核苷酸探針或抗體)涂覆磁性珠， 其允許結(jié)合生物學實體，例如細胞(磁性珠基細胞分離)、核酸或蛋白質(zhì)(磁性珠基免疫沉淀)。然后，用磁力收集攜帶所述生物學實體的磁性珠?！び猛扛灿卸趸璧拇判灾檫M行類似的方法。這些珠在離液鹽(chaotropic salts)存在下結(jié)合核酸(“激增原理(boom principle)”)。·磁性珠可以用于借助磁力攪拌微流體裝置內(nèi)的液體。這可以幫助攪拌反應室或破壞待被溶解的細胞以釋放它們的內(nèi)容物。如本文中所用的那樣，術(shù)語“磁性”是指這樣的材料，其是 磁性的(即它們產(chǎn)生磁場，也稱作鐵磁性的)；
順磁性的(即它們自身不產(chǎn)生磁場，但被吸引到磁場，即它們具有大于1的相對磁導率)；
超順磁性的(即由小的鐵磁性簇(能夠在熱起伏下無規(guī)地翻轉(zhuǎn)方向)構(gòu)成，使得該材
8料作為整體只有在外部施加的磁場中才能被磁化)；和/或 反磁性的(即它們產(chǎn)生與外部施加的磁場相反的磁場)。在另一實例中，所述珠可以包括鐵的氧化物，例如磁鐵礦(Fe3O4)或磁赤鐵礦 (Y !^e2O3，兩者均為超順磁性或鐵磁性的)。在一個優(yōu)選實施方式中，所述珠的直徑在> 3 nm且彡1000 Mm的范圍。特別優(yōu)選地，所述珠的直徑在> 10 nm且彡IOOMm的范圍。更優(yōu)選地，所述珠的直徑在> 50 nm 且彡10 Mm的范圍。在一個優(yōu)選實施方式中，所述磁致動器選自由以下構(gòu)成的組 至少一個永磁體；
至少一個電磁體。通常，電磁體僅包括當電流通過其時產(chǎn)生磁場的線。在一些更復雜的情況中，該線繞在磁性材料芯周圍，優(yōu)選金屬芯。后者增強了磁場。在一個優(yōu)選實施方式中，該磁致動器包括移動機構(gòu)，其允許以相對于固體基體平行的方式移動所述機構(gòu)。涉及所述移動機構(gòu)的一些優(yōu)選實施方式在下面給出。在另一優(yōu)選實施方式中，該磁致動器由電磁體的陣列構(gòu)成，其以協(xié)調(diào)方式開和關(guān)以得到移動磁場。在本實施方式中，該磁致動器沒有可移動的部件。這導致較少的維修問題，并以更低的成本導致更高的精度，同時切換速度提高并且制造成本降低。在另一優(yōu)選實施方式中，使用產(chǎn)生靜態(tài)磁場的至少一個強永磁體和/或至少一個強電磁體以產(chǎn)生靜態(tài)磁場，而較小的磁體(永磁體、電磁體、電磁體陣列或線圈)用于驅(qū)動磁性珠，并由此開和/或關(guān)所述疏水閥。在這種情況中，該永久均勻磁場給出順磁性或超順磁性珠的最大磁化，而非均勻場給出磁場的大梯度。在另一優(yōu)選實施方式中，所述第二固體基體具有親水表面。在這種實施方式中(參見實施例1的裝置2)，甚至在該驅(qū)動器已經(jīng)通過該疏水區(qū)域并停止在該第二親水區(qū)域中時，該疏水閥仍保持在“打開”狀態(tài)。跨越該疏水區(qū)域的含水液體的通道在這種情況中保持穩(wěn)定，沒有觀察到夾斷。這種閥動作模式也稱作“激勵閥動作模式”。這種模式例如在要混合兩個室的內(nèi)容物的情況中是特別有用的。在另一優(yōu)選實施方式中，該第二固體基體具有疏水表面。基本上，在這種實施方式中(參見實施例1的裝置1)，只要驅(qū)動器保持在接近分隔兩個相鄰親水區(qū)域的疏水區(qū)域的位置，該疏水閥就保持在“打開”位置。一旦該驅(qū)動器已經(jīng)通過所述疏水區(qū)域并停止在第二親水區(qū)域中，跨越該疏水區(qū)域的含水液體的通道就發(fā)生破壞，且該閥返回到“關(guān)閉”位置，觀察到夾斷。這種閥動作模式也稱作“相位閥動作模式(phasic valve actuation mode)”或 “夾斷”模式。這種模式例如在要將磁性顆粒或與其結(jié)合的化合物或物質(zhì)從一個室輸送到另一個室而不混合所述室的內(nèi)容物由此使交叉污染最小化的情況中是特別有用的。特別優(yōu)選該第一固體基體和/或第二固體基體的至少一個疏水表面以使其具有大接觸角滯后的方式進行選擇。該實施方式支持上述的“激勵閥動作模式”，原因如下
如果在液滴體積增加的同時測量液滴的接觸角一實際上這在潤濕線剛要開始前進之前進行時一得到所謂的“前進接觸角”(ΘΑ)。如果降低已經(jīng)潤濕表面的液滴的體積并剛好在潤濕線后退之前測定接觸角，那么測得所謂的“后退接觸角”(θκ)。通常，著高于θκ。差ΘΑ-ΘΚ (或Δ θ )稱作接觸角滯后。平衡接觸角(θ。)能夠由9,和9^ 照以下
方程計算
權(quán)利要求
1.用于包含磁性顆粒的具有顯著表面張力的液體的疏水閥，所述裝置包括a)至少兩個平面的固體基體，各自具有功能化的表面，其中b)至少第一固體基體具有包括至少兩個由至少一個疏水區(qū)域彼此分開的親水區(qū)域的圖案化表面，c)其中所述兩個平面的基體彼此間隔一定距離以夾層平行方式設置，設置方式使得所述功能化的表面彼此面對，d)所述閥進一步包括磁致動器。
2.權(quán)利要求1的疏水閥，其特征在于至少一個具有疏水性質(zhì)的表面包括選自由以下構(gòu)成的組的至少一種材料 硅烷化的基體， 涂覆有碳氟化合物的基體， 具有Lotus效應的基體， 涂覆有硫醇的基體， 自組裝的單層， 聚四氟乙烯(PTFE)， 結(jié)構(gòu)無定形金屬(SAM)。
3.權(quán)利要求1的疏水閥，其特征在于所述液體是含水液體。
4.權(quán)利要求1的疏水閥，其特征在于該磁致動器選自由以下構(gòu)成的組 至少一個永磁體， 至少一個電磁體， 至少一個金屬線或線圈。
5.權(quán)利要求1的疏水閥，其特征在于第二固體基體具有親水表面。
6.權(quán)利要求1的疏水閥，其特征在于第二固體基體具有疏水表面。
7.權(quán)利要求5或6的疏水閥，其特征在于該第一固體基體和/或該第二固體基體的至少一個疏水表面以使其具有大接觸角滯后的方式選擇。
8.包括權(quán)利要求1的閥的微流體裝置。
9.權(quán)利要求8的微流體裝置，其特征在于至少一個疏水區(qū)域的寬度小于其相鄰親水區(qū)域的寬度。
10.權(quán)利要求8的微流體裝置，其特征在于該裝置是芯片實驗室環(huán)境的一部分。
11.芯片實驗室裝置，包括權(quán)利要求8的微流體裝置和/或權(quán)利要求1的閥。
12.權(quán)利要求11的芯片實驗室裝置，其特征在于其另外包括選自由以下構(gòu)成的組的至少一個裝置 細胞樣品制備裝置 取樣器攪拌單元(攪拌器) 核酸分離裝置 核酸凈化裝置 核酸提取裝置 樣品制備裝置 免疫測定 電泳裝置 核酸雜交單元 PCR溫度循環(huán)器 熒光讀出單元 芯片上化學反應應用。
13.用于控制權(quán)利要求8的微流體裝置和/或權(quán)利要求11的芯片實驗室裝置中的液體流動的方法，其中至少一個第一親水區(qū)域加載有包含磁性顆粒的含水液體，所述方法包括a)在接近第一親水區(qū)域的位置產(chǎn)生磁場； b)將該磁場以平行于所述兩個平面的固體基體的方向的方向從接近第一親水區(qū)域的位置移動到接近第二親水區(qū)域的位置；b)該移動的磁場在其路徑上經(jīng)過接近分隔所述親水區(qū)域的疏水區(qū)域的位置；c)由此至少臨時產(chǎn)生跨越分隔所述親水區(qū)域的該疏水區(qū)域的含水液體的通道； 這樣該含水液體可以至少臨時從該第一親水區(qū)域通到該第二親水區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于包括磁性顆粒的具有顯著表面張力的液體的疏水閥，所述裝置包括至少兩個平面的固體基體，各自具有功能化的表面，其中至少第一固體基體具有包括至少兩個由至少一個疏水區(qū)域彼此分開的親水區(qū)域的圖案化表面，其中所述兩個平面的基體彼此間隔一定距離以夾層平行方式設置，設置方式使得所述功能化的表面彼此面對，所述閥進一步包括磁致動器。
文檔編號G05D7/06GK102256690SQ200980150680
公開日2011年11月23日 申請日期2009年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月16日
發(fā)明者W. J. 普林斯 M., C. 鄧杜爾克 R. 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司