專利名稱：低電壓cmos帶隙基準(zhǔn)電壓源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電源及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種低電源電壓下工作的CMOS帶隙基準(zhǔn)電 壓源。
背景技術(shù)：
一般來說，從芯片外部引入的供電電壓都存在一定的波動，而高精度的模擬電路對偏置 電壓的穩(wěn)定性要求較高。因此，在模擬電路中一般會使用一個基準(zhǔn)電壓源，它可以將電源電 壓轉(zhuǎn)化為一個具有良好電壓穩(wěn)定性和溫度穩(wěn)定性的電壓，為電路的其它部分提供良好的參考 電壓。
基準(zhǔn)電壓源通常是指在電路中做電壓基準(zhǔn)的精確、穩(wěn)定的電壓源。隨著集成電路規(guī)模的 不斷增大，尤其是系統(tǒng)集成技術(shù)的發(fā)展，基準(zhǔn)電壓源成為大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路和幾乎 所有數(shù)字模擬系統(tǒng)中不可缺少的基本電路模塊。
基準(zhǔn)電壓源以其輸出參考電壓的精確性和穩(wěn)定性，被廣泛地應(yīng)用于高精度模擬電路及數(shù) ?；旌想娐分?，例如高精度比較器、高精度A/D和D/A轉(zhuǎn)換器、線性穩(wěn)壓器，以及DC/DC變換 器。在A/D和D/A轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)以及各種測量設(shè)備中，都需要高精度、高穩(wěn)定性的基 準(zhǔn)電壓源，并且基準(zhǔn)電壓源的精度和穩(wěn)定性決定了整個系統(tǒng)的工作性能?；鶞?zhǔn)電壓源主要有 基于正向VBE的電壓基準(zhǔn)、基于齊納二極管反向擊穿特性的電壓基準(zhǔn)、帶隙電壓基準(zhǔn)等多種 實現(xiàn)方式，其中帶隙基準(zhǔn)電壓源具有低溫度系數(shù)、高電壓抑制比、低基準(zhǔn)電壓等優(yōu)點，因而 得到了廣泛的應(yīng)用。
一種傳統(tǒng)的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的工作原理是利用雙極性晶體管的基極-發(fā)射極電壓 VBE (具有負(fù)溫度系數(shù))和它們的差值A(chǔ)VBE (具有正溫度系數(shù))進(jìn)行相互補(bǔ)償，從而達(dá)到電 路的溫度系數(shù)為零的目的。圖1示出了這種現(xiàn)有的CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源的電路圖。在圖1中， 運算放大器OTA的作用是使電路處于深度負(fù)反饋狀態(tài)，從而讓運算放大器OTA兩輸入端電壓相 等。因此，在電路穩(wěn)定輸出時
IlRl+VBEl= VBE2 (1)
Vref = VBE3+ I3R2 (2)
由于基準(zhǔn)電壓輸出電路鏡像了基礎(chǔ)電路的電流，因此該基準(zhǔn)電壓輸出電路的電流l3滿足 下列關(guān)系式工1=工3 (3)
通常，溫度對二極管的伏安特性有較大的影響，溫度升高，保持二極管電流不變時所需 要的正向偏壓減小，艮口
Vbe=VT1ii (I/Is) (4)
其中，VT表示溫度的電壓當(dāng)量，Is為三極管的反向飽和電流。
由公式(1) 、 (2)和(3)可以進(jìn)一步地推導(dǎo)出
Ii= (Vbe2—Vbei) /Ri=VT/Rilnai/I2) (5)
Vref= VBE3+R2/R工XVTXln(I工/工2) (6)
其中，1i和l2的比值為三極管Ql和Q2的發(fā)射區(qū)面積的比值。可見， 一方面，三極管Q1和
Q2的兩個PN結(jié)電壓差在電阻I^上產(chǎn)生了與絕對溫度成正比的電流IPTAT;另一方面，基準(zhǔn)電壓
只與PN結(jié)的正向壓降、電阻的比值以及三極管Q1和Q2的發(fā)射極面積的比值有關(guān)，所以，在實 際的工藝制作中將會有很高的精度。VBE3具有負(fù)的溫度系數(shù)，在室溫時大約為一2mV/。C; VT 具有正的溫度系數(shù)，在室溫時大約為+0.085 mV廣C。通過設(shè)定合適的工作點，可以使兩項之 和在某一溫度下達(dá)到零溫度系數(shù)，從而得到具有較好溫度特性的基準(zhǔn)電壓。適當(dāng)?shù)剡x取Ri和 R2，以及Q1和Q2發(fā)射區(qū)面積的比值即可得到具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓。
但是，這種傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電壓源，其放大器的輸入電壓為三級型晶體管Q2的VBE電壓 ，由于Vbe電壓一般小于相關(guān)工藝中NMOS輸入管放大器的所需的最小輸入電壓，因此通常使 用PMOS管作為放大器的輸入級，而PMOS管作為輸入級，為保證放大器正常工作，其輸入端與
電源之間需要有一點的余量VoTA。因此，基準(zhǔn)電壓正常工作的最小電壓為VBE和VoTA之和，這
個值通常比較大，無法滿足低電壓工作的要求。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種低電壓CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源，用于解決帶隙基準(zhǔn) 電壓源的基準(zhǔn)電壓無法在低電壓下工作的問題。
本發(fā)明的實施例提供了一種低電壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源，包括 低電壓放大器，用于在低電源電壓下實現(xiàn)負(fù)反饋；
一階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路，與所述低電壓放大器相連，用于在低電源電壓下，產(chǎn)生進(jìn)行一 階溫度補(bǔ)償?shù)碾娏黜棧?br>
高階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路，與所述低電壓放大器相連，用于在低電源電壓下，產(chǎn)生進(jìn)行高 階溫度補(bǔ)償?shù)碾娏黜棧?br>
輸出電壓產(chǎn)生電路，與所述一階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路和高階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路相連，用于
6產(chǎn)生輸出電壓。
本發(fā)明提供的低電源電壓下工作CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)，可以在很低的電源電壓下工 作，滿足便攜式設(shè)備低電壓應(yīng)用的要求；采用一階補(bǔ)償和高階補(bǔ)償相結(jié)合，進(jìn)而能夠提高輸 出參考電壓的溫度穩(wěn)定性。
本發(fā)明提供的基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)，采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝即可實現(xiàn)帶隙基準(zhǔn)電壓，有效地降低 了對工藝的要求，容易在各種CMOS集成電路(如參考電壓芯片、電能計量芯片、電壓調(diào)整芯 片、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換芯片)中使用，具有很高的實用價值。
圖l是現(xiàn)有技術(shù)中的一階溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電壓源的電路原理圖2是本發(fā)明實施例中帶隙低電壓CM0S基準(zhǔn)電壓源的結(jié)構(gòu)圖3是本發(fā)明實施例中低電壓運算放大器的電路原理圖4是本發(fā)明實施例中一種高階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路的電路原理圖5是本發(fā)明實施例中一種CTAT補(bǔ)償電流產(chǎn)生電路的電路原理圖6是本發(fā)明實施例中一種CL補(bǔ)償電流產(chǎn)生電路的電路原理圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì) 描述。
本實施例提供的在低電源電壓下工作CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源，將低電壓放大器分別引入基 準(zhǔn)電壓源的一階補(bǔ)償項和高階補(bǔ)償項中，然后比例求和并輸出參考電壓，從而保證了整個電 路工作在很低的電源電壓下。
圖2是本發(fā)明實施例提供的帶隙低電壓CM0S基準(zhǔn)電壓源，具體包括
低電壓放大器，是在低電壓下工作的運算放大器，用于在低電源電壓下實現(xiàn)負(fù)反饋。運 算放大器是常用基準(zhǔn)電壓源的所需的單元，常規(guī)運算放大器無法在低電源電壓下工作，而低 電源電壓運算放大器可以在很低的電源電壓下工作，本實施例將低電源電壓運算放大器引入 基準(zhǔn)電路，使整個電路能夠在低電源電壓下工作。
一階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路，此電路結(jié)合低電壓放大器可以在很低電源電壓下工作，用于產(chǎn) 生可以進(jìn)行一階溫度補(bǔ)償?shù)碾娏黜?。通過對一階補(bǔ)償電路的分析可以看出，電路的最小工作 電源取決于VBE和VoTA之和，而VBE是取決于工藝的，因此通過將如圖l中的放大器改為低電源 電壓的放大器，就可以實現(xiàn)整個一階溫度補(bǔ)償電路低電源電壓下工作。
高階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路，此電路結(jié)合低電壓放大器可以在很低電源電壓下工作，用于產(chǎn)生可以進(jìn)行高階溫度補(bǔ)償?shù)碾娏黜?。高階補(bǔ)償電路有很多種，本實施例采用放大器實現(xiàn)高階 補(bǔ)償電路，通過將運算放大器改為低電源電壓的放大器，可以實現(xiàn)整個高階溫度補(bǔ)償電路低 電源電壓下工作。
輸出電壓產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生輸出電壓。
其中，低電壓放大器的實現(xiàn)可以采用電平移位電路、襯底驅(qū)動電路或利用CMOS管的亞閾 值區(qū)電路來生成低電壓下工作的運算放大器，也可以采用低閾值CMOS工藝來實現(xiàn)低電壓下工 作的運算放大器。
一種采用襯底驅(qū)動電路的低電壓放大器的實現(xiàn)原理如圖3所示，包括 第一級放大器，用于在低電壓下實現(xiàn)電路負(fù)反饋，包括PM0S晶體管M1、 M2及M3和麗0S晶 體管M5及M6，構(gòu)成襯底輸出的第一級放大器。M2和M3的源極分別與M1的漏極相連，M2和M3的 源極相連，柵極也相連；M5的漏極與M2的漏極相連，M6的漏極與M3的漏極相連，M6的柵極與 M5的柵極及漏極相連。其中，VB為偏置電壓，PM0S晶體管M1為電流源，PM0S晶體管M2和M3的 柵極采用固定偏置，偏置電壓為VB2，獨立襯底作為差分信號輸入端。M1管為輸入差分對M2 和M3提供偏置電流，M2和M3的偏置電壓VB2設(shè)為比較低的值(VB2=VDD-VSAT1-VGS2)，其中Vi)D為 電源電壓，VsM!為晶體管Ml的過飽和電壓，VGS2為晶體管M2的柵源電壓)，從公式中可以看 出，電源電壓VDD在很低的情況下，VB2相應(yīng)的取比較小的值，M2和M3仍然可以工作在飽和區(qū) ，同時，M2和M3的襯底作為信號輸入端，M5和M6為電流源負(fù)載，信號經(jīng)過放大器從M6管的漏 端輸出。
PM0S晶體管M0和NM0S晶體管M4為第二級放大器，M0和M4的漏極相連，MO管提供偏置電流 ，M4管實現(xiàn)放大，第一級放大器和第二級放大器級聯(lián)。由于第一級放大器為信號從襯底輸入 ，其跨導(dǎo)比較小，因此第一級放大器的放大倍數(shù)不夠大，因此級聯(lián)第二級放大器進(jìn)一步提高 放大倍數(shù)。
電容C1為米勒補(bǔ)償電容，用于提高整體放大器的穩(wěn)定性(米勒補(bǔ)償電容為常用的放大器 的頻率補(bǔ)償方法，基本原理是通過極點分裂，提高相位裕度，從而提供放大器的穩(wěn)定性)， 最終輸出VO。
第一級放大器采用襯底驅(qū)動實現(xiàn)了低電壓工作，而第二級放大器可以進(jìn)一步提高放大增 益，因此整體電壓可以在很低電壓工作。
此放大器采用襯底作為輸入，因此可以大幅降低工作電壓。同時也可以采用電平移位， 亞閾值工作區(qū)電路或低閾值電路的方法來實現(xiàn)低電壓工作的放大器，用于低電壓基準(zhǔn)源。
一階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路可以參照常規(guī)的如圖1的方法，將其中的放大器改為低電源電壓的運算放大器，從而可以實現(xiàn)低電源電壓工作的一階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路。
一種高階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路的實施例如圖4，圖中CTAT補(bǔ)償電流產(chǎn)生電路與低電源電壓 放大器相結(jié)合，整體電路可工作于低電源電壓下，產(chǎn)生一種高階補(bǔ)償電流IcTAT; CL補(bǔ)償電流 產(chǎn)生電路與低電源電壓放大器相結(jié)合，整體電路可工作于低電源電壓下，產(chǎn)生一種高階補(bǔ)償 電流ICL，最后將CTAT補(bǔ)償電流和CL補(bǔ)償電流比例求和從而將關(guān)于溫度的高階項抵消掉。比 例求和電路可以采用常規(guī)的電流鏡比例復(fù)制然后求和的方法實現(xiàn)。CTAT補(bǔ)償電流產(chǎn)生電路和 CL補(bǔ)償電流產(chǎn)生電路如圖5和圖6給出一種實施例。
如圖5為一種CTAT補(bǔ)償電流產(chǎn)生電路的實施例，圖中兩個放大器為低電壓放大器。PM0S 晶體管M1和M2， M1和M2的柵極相連，接一放大器的輸出端；三極型晶體管Q1和Q2，電阻R1， Ql的發(fā)射極與R1串聯(lián)，接M1的漏極和一放大器的正輸入端，Q2的發(fā)射極接M2的漏極和一放大 器的負(fù)輸入端，Q1和Q2的基極及集電極接地，結(jié)合低電壓放大器，這部分工作原理如圖l相 似，產(chǎn)生與溫度成正比例的PTAT電流。PM0S晶體管M3和M4， M3的柵極接另一放大器的輸出端 ，漏極與R2串聯(lián)，并接所述另一放大器的正輸入端，M4的柵極接所述一放大器的輸出端，漏 極與所述另一放大器的負(fù)輸入端和三極型晶體管Q3的發(fā)射極相連，Q3的基極和集電極接地。 M4將PTAT電流復(fù)制過來，三極型晶體管Q3、電阻R2和低電壓放大器產(chǎn)生CTAT電流，低電壓放 大器作為負(fù)反饋放大器，使得兩個輸入端的電壓相等，流過電阻R2的電流即為CTAT電流。
如圖6為一種CL補(bǔ)償電流產(chǎn)生電路的實施例，圖中兩個放大器為低電壓放大器。包括 PM0S晶體管M0、 M1及M2，兩個低電壓放大器，電阻R0和R1，以及三極型晶體管QO，其中， MO的柵極接一放大器的輸出端，漏極與R0串聯(lián)，并接所述一放大器的正輸入端，Ml的柵極接 另一放大器的輸出端，漏極接QO的發(fā)射極，并接所述一放大器的負(fù)輸入端，M2的柵極接所述 另一放大器的輸出端，漏極與R1串聯(lián)，并接所述另一放大器的正輸入端。第二個放大器的一 個輸入端接整個基準(zhǔn)電壓的輸出端Vout，通過電阻R1，將輸出電壓轉(zhuǎn)換為電流，PM0S晶體管 Ml將電流復(fù)制過來，三極型晶體管Q0、電阻RO和低電壓放大器產(chǎn)生CL電流，低電壓放大器作 為負(fù)反饋放大器，使得兩個輸入端的電壓相等，流過電阻RO的電流即為CL電流。
由于溫度的一階項和高階項都抵消掉以后，就可以產(chǎn)生不隨溫度變化的輸出電壓，最后 根據(jù)需要可以采用低電壓放大器作為緩沖器直接輸出。
圖4所示的高階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路作為一種實施例，在具體的應(yīng)用中并不限于這一種實 施方式，原則上只要采用放大器來實現(xiàn)的高階溫度補(bǔ)償?shù)姆椒ǎ伎梢圆捎帽景l(fā)明的方法改 造為低電源電壓的高階溫度補(bǔ)償電路。
本發(fā)明提供的在低電源電壓下工作CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)，可以在很低的電源電壓下
9工作，滿足便攜式設(shè)備低電壓應(yīng)用的要求。采用一階補(bǔ)償和高階補(bǔ)償相結(jié)合，進(jìn)而提高輸出 參考電壓的溫度穩(wěn)定性；并可以采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝即可實現(xiàn)帶隙基準(zhǔn)電壓，有效地降低了對 工藝的要求，容易在各種CMOS集成電路(如參考電壓芯片、電能計量芯片、電壓調(diào)整芯片、 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換芯片)中使用，具有很高的實用價值。
總之，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種低電壓CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征在于，包括低電壓放大器，用于在低電源電壓下實現(xiàn)負(fù)反饋；一階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路，與所述低電壓放大器相連，用于在低電源電壓下，產(chǎn)生進(jìn)行一階溫度補(bǔ)償?shù)碾娏黜?；高階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路，與所述低電壓放大器相連，用于在低電源電壓下，產(chǎn)生進(jìn)行高階溫度補(bǔ)償?shù)碾娏黜?；輸出電壓產(chǎn)生電路，與所述一階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路和高階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路相連，用于產(chǎn)生輸出電壓。
2 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征在于，所述低電壓放大器采 用電平移位電路、襯底驅(qū)動電路、利用CMOS管的亞閾值區(qū)電路或低閾值CMOS工藝來實現(xiàn)。
3 根據(jù)權(quán)利要求2所述的低電壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征在于，當(dāng)采用襯底驅(qū)動電路 實現(xiàn)所述低電壓放大器時，該放大器包括第一級放大器，用于在低電壓下實現(xiàn)電路負(fù)反饋； 第二級放大器，與所述第一級放大器級聯(lián)，用于提高放大增益； 電容，用于通過極點分裂，提高相位裕度及放大器的穩(wěn)定性。
4 根據(jù)權(quán)利要求3所述的低電壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征在于，所述第一級放大器具 體包括PM0S晶體管(Ml) 、 (M2)和(M3)，所述晶體管(M2)和(M3)的源極分別與所述晶 體管(Ml)的漏極相連，所述晶體管(M2)和(M3)的柵極相連；麗OS晶體管(M5)和(M6)，所述晶體管(M5)的漏極與所述晶體管(M2)的漏極相連，所述晶體管(M6)的漏極與所述晶體管(M3)的漏極相連，所述晶體管(M6)的柵極與 所述晶體管(M5)的柵極及漏極相連；其中，所述PMOS晶體管(Ml)為電流源，所述PMOS晶體管(M2)和(M3)的柵極采用 固定偏置，偏置電壓為(VB2)，所述PMOS晶體管(M2)和(M3)的襯底作為差分信號輸入 端；所述PMOS晶體管(Ml)為所述晶體管(M2)和(M3)提供偏置電流；所述NMOS晶體管( M5)和(M6)為電流源負(fù)載。權(quán)利要求5
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的低電壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征在于，所述第二級放大 器具體包括PMOS晶體管(MO)和NMOS晶體管(M4)，所述晶體管(MO)禾n (M4)的漏極相連，所 述PMOS晶體管(MO)提供偏置電流，所述麗OS晶體管(M4)實現(xiàn)放大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項所述的低電壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征在于，所述 高階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路具體包括CTAT補(bǔ)償電流產(chǎn)生電路，與所述低電壓放大器相連，用于在低電源電壓下，產(chǎn)生高階 補(bǔ)償電流(ICTAT);CL補(bǔ)償電流產(chǎn)生電路，與所述低電壓放大器相連，用于在低電源電壓下，產(chǎn)生高階補(bǔ) 償電流(ICL);比例求和電路，與所述CTAT補(bǔ)償電流產(chǎn)生電路和CL補(bǔ)償電流產(chǎn)生電路相連，用于將所 述高階補(bǔ)償電流(ICTAT)和(ICL)比例求和。權(quán)利要求7
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低電壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征在于，所述CTAT補(bǔ)償電流產(chǎn) 生電路具體包括PMOS晶體管(Ml)和(M2)，所述晶體管(Ml)和(M2)的柵極相連，接一放大器的 輸出端，三極型晶體管(Ql)和(Q2)，電阻(Rl)，用于產(chǎn)生與溫度成正比例的PTAT電流 ，其中，(Ql)的發(fā)射極與(Rl)串聯(lián)，并接所述晶體管(Ml)的漏極和所述一放大器的正 輸入端，(Q2)的發(fā)射極接所述晶體管(M2)的漏極和所述一放大器的負(fù)輸入端，(Ql)和 (Q2)的基極及集電極接地；PMOS晶體管(M3)和(M4)，所述晶體管(M3)的柵極接另一放大器的輸出端，漏極 與電阻(R2)串聯(lián)，并接所述另一放大器的正輸入端，所述晶體管(M4)的柵極接所述一放大器的輸出端，漏極與所述另一放大器的負(fù)輸入端和三極型晶體管(Q3)的發(fā)射極相連，( Q3)的基極和集電極接地，所述晶體管(M4)將所述PTAT電流復(fù)制，所述三極型晶體管(Q3)和 電阻(R2)產(chǎn)生CTAT電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低電壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征在于，所述CL補(bǔ)償電流產(chǎn)生 電路具體包括PMOS晶體管(MO)、 (M1)及(M2)，兩個放大器，電阻(R0)和(R1)，以及三極型晶體管 (QO)，其中，所述晶體管(MO)的柵極接一放大器的輸出端，漏極與電阻(RO)串聯(lián)，并接 所述一放大器的正輸入端，所述晶體管(Ml)的柵極接另一放大器的輸出端，漏極接(QO) 的發(fā)射極，并接所述一放大器的負(fù)輸入端，所述晶體管(M2)的柵極接所述另一放大器的輸 出端，漏極與電阻(Rl)串聯(lián)，并接所述另一放大器的正輸入端；電阻(Rl)，將輸出電壓轉(zhuǎn)換為電流，所述PMOS晶體管(Ml)將所述電流復(fù)制；所述 三極型晶體管(QO)和電阻(RO)產(chǎn)生CL電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低電壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征在于，所述比例求和電路采 用電流鏡比例復(fù)制并求和的方式實現(xiàn)比例求和。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低電壓CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源，屬于電源及微電子技術(shù)領(lǐng)域。所述CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源包括低電壓放大器，用于在低電源電壓下實現(xiàn)負(fù)反饋；一階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路，與低電壓放大器相連，用于在低電源電壓下，產(chǎn)生能夠進(jìn)行一階溫度補(bǔ)償?shù)碾娏黜?；高階溫度補(bǔ)償產(chǎn)生電路，與低電壓放大器相連，用于在低電源電壓下，產(chǎn)生能夠進(jìn)行高階溫度補(bǔ)償?shù)碾娏黜棧惠敵鲭妷寒a(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生輸出電壓。本發(fā)明提供的在低電源電壓下工作CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源，將低電壓放大器分別引入基準(zhǔn)電壓源的一階補(bǔ)償項和高階補(bǔ)償項中，然后比例求和并輸出參考電壓，從而保證了整個電路工作在很低的電源電壓下。
文檔編號G05F3/30GK101630176SQ20091030488
公開日2010年1月20日 申請日期2009年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月28日
發(fā)明者濤 范, 袁國順 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所;北京中科微電子技術(shù)有限公司