專利名稱：保護集成電路元件的電路及包含其的集成電路元件的制作方法
技術領域：
本發明是有關于一種保護集成電路元件的電路及包含其的集成電路元件，且特別是有關于一種可正反接而不至于燒毀的集成電路元件。
背景技術：
隨著科技的進步，儲存資料的方法已經由最早的真空管、晶體管，進展到集成電路芯片，體積小容量大，用途十分的廣泛，生活中的各項電器產品大多有一個控制開關，從最簡單的電流阻斷裝置到較復雜的微電腦控制系統，每一項都需要芯片的控制。
然而，傳統的集成電路都有明確的電源腳位與接地腳位定義，如圖1。在封裝有集成電路芯片100的集成電路零件10之中，由于集成電路元件10的電源腳位Power必須固定連接到集成電路芯片100的電路腳位102上，而且集成電路元件10的接地腳位Ground也必須固定連接到集成電路芯片100的接地腳位104上，因此電源腳位Power與接地腳位Ground必須分別固定接到工作電壓(正電位)與接地電壓(一般為0)，如此才不會使集成電路芯片100因電位反向偏壓而燒毀。
然而，將集成電路不小心反向焊接于電路板上而導致集成電路燒毀的情形，卻經常發生在產品制造生產過程中。對于生產廠商而言，由于此種錯誤而造成的損失是應該盡可能去避免的，但不論是利用機器或人工，在沒有特殊的外型設計下都不可能使這種情形完全絕跡。因此對于目前的系統整合廠商來說，一個能夠在接錯腳位后仍能進行補救的集成電路元件是十分必須的。
發明內容
本發明的目的就是在提供一種具有保護電路的集成電路元件，可使集成電路不小心反向焊接于電路板上，仍不至于燒毀。
本發明的再一目的就是在提供一種保護集成電路元件的電路，具有一第一電源輸入端與一第二電源輸入端，無論此兩端電源正接或反接，仍不至于使集成電路燒毀。
本發明提出一種包含保護集成電路元件的電路的集成電路元件，此集成電路元件應用單向性導通元件，包括第一單向性導通元件，其第一端連接至內部接地腳位，且其第二端連接至外部電源腳位、第二單向性導通元件，其第一端連接至外部電源腳位，且第二單向性導通元件的第二端連接至內部電源腳位、第三單向性導通元件，其第一端連接至外部接地腳位，且其第二端連接至內部電源腳位。第四單向性導通元件，其第一端連接至內部接地腳位，且其第二端連接至外部接地腳位。其中，所有單向性導通元件，電流導通方向皆為從第一端至第二端，使得將輸入電源無論電源腳位或接地腳位正確連接或者反向連接，于集成電路芯片內部的電源腳位與接地腳位皆不受影響。
依照本發明的較佳實施例所述，經由單向性導通元件整流后內部供應電壓會較低于外部供應電壓，此時可于整流電路的內部電源輸出端連接一電荷泵(charge pump)升壓到集成電路內部所需求的電壓。
本發明提出一種保護集成電路元件的電路，具有一第一電源輸入端與一第二電源輸入端，包括集成電路元件、第一單向性導通元件、第二單向性導通元件、第三單向性導通元件與第四單向性導通元件。其中，集成電路元件，具有外部電源腳位與外部接地腳位。第一單向性導通元件的第一端連接至集成電路元件的外部接地腳位，且其第二端連接至第一電源輸入端，其中，電流導通方向為從該第一單向性導通元件的第一端至第二端的方向。第二單向性導通元件的第一端連接至第一電源輸入端，且其第二端連接至該集成電路元件的外部電源腳位，其中，電流導通方向為從第二單向性導通元件的第一端至第二端的方向。第三單向性導通元件的第一端連接至第二電源輸入端，且其第二端連接至集成電路元件的外部電源腳位，其中，電流導通方向為從第三單向性導通元件的第一端至第二端的方向。第四單向性導通元件的第一端連接至該集成電路元件的外部接地腳位，且其第二端連接至第二電源輸入端，其中，電流導通方向為從第四單向性導通元件的第一端至第二端的方向。
本發明因電源輸入端采用單向性導通元件整流，因此即使外部電源端與地端反接，對于集成電路內部的電源與地端不受影響。
圖1所示為現有習知的集成電路腳位定義示意圖。
圖2所示為根據本發明第一實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖3所示為根據本發明第二實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖4所示為根據本發明第三實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖5所示為根據本發明第四實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖6所示為根據本發明第五實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖7所示為根據本發明第六實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖8所示為根據本發明第七實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖9所示為根據本發明第八實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖10所示為根據本發明第九實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖11所示為根據本發明第十實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖12所示為根據本發明第十一實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖13所示為根據本發明第十二實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖14所示為根據本發明第十三實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖15所示為根據本發明第十四實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖16所示為根據本發明第十五實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖17所示為根據本發明第十六實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖18所示為根據本發明第十七實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖19所示為根據本發明第十八實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖20所示為根據本發明第十九實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖21所示為根據本發明第二十實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖22所示為根據本發明第二十一實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖23所示為根據本發明第二十二實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖24所示為根據本發明第二十三實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖25所示為根據本發明第二十四實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖26所示為根據本發明第二十五實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖27所示為根據本發明第二十六實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖28所示為根據本發明第二十七實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖29所示為根據本發明第二十八實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖30所示為根據本發明第二十九實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
圖31所示為根據本發明第三十實施例的集成電路元件的電路方塊圖。
S1、S2、S3、S4、SD1、SD2、SD3、SD4單向性導通元件D1、D2、D3、D4二極管MN1、MN2、MN3、MN4N型金屬氧半導體場效應晶體管MP1、MP2、MP3、MP4P型金屬氧半導體場效應晶體管
BN1、BN2、BN3、BN4N型雙載子接面晶體管BP2、BP3P型雙載子接面晶體管Power、1604、1704、1804、1904、2004、2104、2204、2304、2404、2504、2604、2704、2804、2904、3004、3104外部電源腳位Ground、1606、1706、1806、1906、2006、2106、2206、2306、2406、2506、2606、2706、2806、2906、3006、3106外部接地腳位10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190、200、210、220、230、240、250、260、270、280、290、300、310集成電路元件100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1400、1500集成電路芯片102、202、302、402、502、602、702、802、902、1002、1102、1202、1302、1402、1502內部電源腳位104、204、304、404、504、604、704、804、904、1004、1104、1204、1304、1404、1504內部接地腳位1501電荷泵具體實施方式
為讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。
圖2為根據本發明一較佳實施例所得的集成電路元件的電路方塊圖。在此實施例中，集成電路元件20包含了第一單向性導通元件S1、第二單向性導通元件S2、第三單向性導通元件S3、第四單向性導通元件S4，以及集成電路芯片200。其中，在集成電路芯片200上定義了一個內部電源腳位202與一個內部接地腳位204，而相應的，在集成電路元件20上也定義了一個外部電源腳位Power與一個外部接地腳位Ground。如圖所示，第一單向性導通元件S1的第一端連接至集成電路芯片200的內部接地腳位204與第四單向性導通元件S4的第一端，而其第二端則連接至外部電源腳位Power與第二單向性導通元件S2的第一端。第二單向性導通元件S2的第二端連接至集成電路芯片200的內部電源腳位202與第三單向性導通元件S3的第二端，而第三單向性導通元件S3的第一端則連接至外部接地腳位Ground與第四單向性導通元件S4的第二端上，其中，所有的單向性導通元件電流方向僅可從第一端流至第二端。
在本實施例中，當電源(正電位)由集成電路元件20的外部電源腳位Power接入之后，將會經由第二單向性導通元件S2傳送至集成電路200的內部電源腳位202。由于第一單向性導通元件S1與第三單向性導通元件S3僅容許電流從第一端流至第二端，所以此正電壓將不會經過第一單向性導通元件S1而傳送到內部接地腳位204，也不會經過第三單向性導通元件S3而與外部接地腳位Ground產生短路現象。
類似的，在集成電路元件20的外部接地腳位Ground接地時(電位為0)，第四單向性導通元件S4的第二端與第三單向性導通元件S3的第一端將同時轉為0電位。在此狀態下，由于第二單向性導通元件S2與第三單向性導通元件S3的第二端都為正電位，而單向性導通元件僅容許電流從第一端流至第二端，因此接地的0電位將不會被傳導到內部電源腳位202上。
很明顯的，在外部電源腳位Power與外部接地腳位Ground分別被輸入了預設中的電位的時候，電流將借著外部電源腳位Power以及第二單向性導通元件S2而到達內部電源腳位202。另一方面，由內部接地腳位204流出的電流將借著第四單向性導通元件S4而到達集成電路元件20的外部接地腳位Ground。于是，集成電路芯片200可以正常的藉由外界所提供的電路來進行種種操作。
在集成電路接反時，當電源(正電位)由集成電路元件20的外部接地腳位Ground接入之后，將會經由第三單向性導通元件S3傳送至集成電路芯片200的內部電源腳位202。由于第二單向性導通元件S2與第四單向性導通元件S4僅容許電流從第一端流至第二端流通，所以此正電壓將不會經過第四單向性導通元件S4而傳送到內部接地腳位204，也不會經過第二單向性導通元件S2而與外部電源腳位Power產生短路現象。
再者，電源反接時，集成電路元件20的外部電源腳位Power為接地(電位為0)，第一單向性導通元件S1的第二端與第二單向性導通元件S2的第一端將同時轉為0電位。在此狀態下，第二單向性導通元件S2與第三單向性導通元件S3的第二端都為正電位，而單向性導通元件僅容許電流從第一端流至第二端流通，因此接地的0電位將不會被傳導到內部電源腳位202上。
根據上述，在外部電源腳位Power與外部接地腳位Ground分別被反向輸入了預設中的電位的時候，電流將借著外部接地腳位Ground以及第三單向性導通元件S3而到達內部電源腳位202。另一方面，由內部接地腳位204流出的電流將借著第一單向性導通元件S1而到達集成電路元件20的外部電源腳位Power。于是，集成電路元件20不會因為反向焊接導致燒毀，甚至對于某些設計方面，由于集成電路元件20可以反向焊接，在印刷電路板布局設計上可以更有彈性。
由上所述，上述單向性導通元件可以利用二極管陽極作為第一端，陰極作為第二端來實現，如圖3所示。由于二極管在理想狀況下僅需要些微的順向偏壓電位就可以執行操作，因此內部電源與內部接地腳位上的電位在理想狀況下應幾乎等同于外部供應電源。
另外，如圖4所示，上述單向性導通元件分別可以，S1用N型金屬氧半導體場效應晶體管MN1實施，S2用P型金屬氧半導體場效應晶體管MP2實施，S3用P型金屬氧半導體場效應晶體管MP3實施，S4用N型金屬氧半導體場效應晶體管MN4實施，N型金屬氧半導體場效應晶體管MN1的閘極連接至外部接地腳位，N型金屬氧半導體場效應晶體管MN1的第一源汲極連接至內部接地腳位404，N型金屬氧半導體場效應晶體管MN1的第二源汲極連接至外部電源腳位Power，P型金屬氧半導體場效應晶體管MP2的閘極連接至外部接地腳位Ground，P型金屬氧半導體場效應晶體管MP2的第一源汲極連接至外部電源腳位Power，P型金屬氧半導體場效應晶體管MP2的第二源汲極連接至內部電源腳位402，P型金屬氧半導體場效應晶體管MP3的閘極連接至外部電源腳位Power，P型金屬氧半導體場效應晶體管MP3的第一源汲極連接至外部接地腳位Ground，P型金屬氧半導體場效應晶體管MP3的第二源汲極連接至內部電源腳位402，N型金屬氧半導體場效應晶體管MN4的閘極連接至外部電源腳位Power，N型金屬氧半導體場效應晶體管MN4的第一源汲極連接至內部接地腳位404，N型金屬氧半導體場效應晶體管MN4的第二源汲極連接至外部接地腳位Ground。
當電源(正電位)由集成電路元件40的外部電源腳位Power接入，外部接地腳位Ground接地(電位為0)時，此時P型金屬氧半導體場效應晶體管MP2與N型金屬氧半導體場效應晶體管MN4導通，N型金屬氧半導體場效應晶體管MN1與P型金屬氧半導體場效應晶體管MP3截止，電流由外部電源腳位Power經由P型金屬氧半導體場效應晶體管MP2傳送至集成電路400的內部電源腳位402。由于P型金屬氧半導體場效應晶體管MP3與N型金屬氧半導體場效應晶體管MN1截止，因此接地的0電位將不會經由P型金屬氧半導體場效應晶體管MP3而傳導到內部電源腳位402上，也不會經過N型金屬氧半導體場效應晶體管MN1而與外部電源腳位Power(正電位)產生短路現象。由于P型金屬氧半導體場效應晶體管MP3與N型金屬氧半導體場效應晶體管MN1截止，所以此正電壓將不會經過N型金屬氧半導體場效應晶體管MN1而傳送到內部接地腳位404，也不會經由P型金屬氧半導體場效應晶體管MP3與外部接地腳位Ground(電位為0)產生短路現象。
同理，當集成電路接反時，此時電源(正電位)由集成電路元件40的外部接地腳位Ground接入，外部電源腳位Power接地(電位為0)，此時P型金屬氧半導體場效應晶體管MP3與N型金屬氧半導體場效應晶體管MN1導通，N型金屬氧半導體場效應晶體管MN4與P型金屬氧半導體場效應晶體管MP2截止，電流由外部接地腳位Ground經由P型金屬氧半導體場效應晶體管MP3傳送至集成電路400的內部電源腳位402。由于P型金屬氧半導體場效應晶體管MP2與N型金屬氧半導體場效應晶體管MN4截止，因此接地的0電位將不會經由P型金屬氧半導體場效應晶體管MP2而傳導到內部電源腳位402上，也不會經過N型金屬氧半導體場效應晶體管MN4而與外部接地腳位Ground(正電位)產生短路現象。由于P型金屬氧半導體場效應晶體管MP2與N型金屬氧半導體場效應晶體管MN4截止，所以此正電壓將不會經過N型金屬氧半導體場效應晶體管MN4而傳送到內部接地腳位404，也不會經由P型金屬氧半導體場效應晶體管MP2與外部電源腳位Power(電位為0)產生短路現象。
上述實施例，于熟知此技藝者，當知道實施方式不限于此，仍可將上述圖2的第一單向性導通元件用P型金屬氧半導體場效應晶體管MP1實施，如圖5，其第一源汲極為第一單向性導通元件S1的第一端，其第二源汲極為第一單向性導通元件S1的第二端，其閘極連接第二源汲極。亦或是用N型雙載子接面晶體管BN1實施，如圖6，其集極為第一單向性導通元件S1的第一端，其射極為第一單向性導通元件S1的第二端，其基極連接外部接地腳位Ground。
另外，第二單向性導通元件亦可以用N型金屬氧半導體場效應晶體管MN2實施，如圖7，其第一源汲極為第二單向性導通元件S2的第一端，其第二源汲極為第二單向性導通元件S2的第二端，其閘極連接第一源汲極。亦或是利用P型雙載子接面晶體管BP2實施，如圖8，其射極為第二單向性導通元件S2的第一端，其集極為第二單向性導通元件S2的第二端，其基極連接外部接地腳位Ground。亦可以用N型雙載子接面晶體管BN2實施，如圖9，其集極為第二單向性導通元件S2的第一端，其射極為第二單向性導通元件S2的第二端，其基極連接集極。
同樣道理，第三單向性導通元件亦可以用N型金屬氧半導體場效應晶體管MN3實施，如圖10，其第一源汲極為第三單向性導通元件S3的第一端，其第二源汲極為第三單向性導通元件S3的第二端，其閘極連接第一源汲極。亦或是用P型雙載子接面晶體管BP3實施，如圖11，其射極為第三單向性導通元件S3的第一端，其集極為第三單向性導通元件S3的第二端，其基極連接外部電源腳位。或是用N型雙載子接面晶體管BN3，如圖12，其集極為第三單向性導通元件S3的第一端，其射極為第三單向性導通元件S3的第二端，其基極連接集極。
相同的，第四單向性導通元件用P型金屬氧半導體場效應晶體管MP4實施，如圖13，其第一源汲極為第四單向性導通元件S4的第一端，其第二源汲極為第四單向性導通元件S4的第二端，其閘極連接第二源汲極。亦或是用N型雙載子接面晶體管BN4，如圖14，其集極為第四單向性導通元件S4的第一端，其射極為第四單向性導通元件S4的第二端，其基極連接外部電源腳位。
若要補償由單向性導通元件產生的壓降，更可以如圖15，將電荷泵1501輸入耦接在第二單向性導通元件S2的第二端與第三單向性導通元件S3的第二端，輸出耦接在集成電路芯片1500的內部電源腳位1502，用來升壓以供應集成電路芯片1500足夠的工作電壓。
保護集成電路元件的電路，可由圖16的方式實施，其具有第一電源輸入端1600與第二電源輸入端1602、集成電路元件160外部電源腳位1604、集成電路元件160外部接地腳位1606與單向性導通元件SD1、SD2、SD3、SD4。單向性導通元件SD1的第一端連接至集成電路元件160外部接地腳位1606，SD1的第二端連接至第一電源輸入端1600。單向性導通元件SD2的第一端連接至第一電源輸入端1600，SD2的第二端連接至外部電源腳位1604。單向性導通元件SD3的第一端連接第二電源輸入端1602，SD3的第二端連接外部電源腳位1604。單向性導通元件SD4第一端連接外部接地腳位1606，第二端連接第二電源腳位1602。若將本實施例與圖2對照，將外部電源腳位Power對應第一電源輸入端1600，外部接地腳位Ground對應第二電源輸入端1602，內部電源腳位202對應外部電源腳位1604，內部接地腳位204對應外部接地腳位1606，其操作方法如同圖2，因此不予贅述。如此，利用此方法，可以做到輸入電源無論經由第一電源輸入端1600輸入，亦或是經由第二電源輸入端1602輸入，不會改變其電源供應。
然而，上述保護集成電路元件的電路實施例，于熟知此技藝者，當知道實施方式不限于此，仍可將上述保護集成電路元件的電路圖16的單向性導通元件SD1、SD2、SD3、SD4改變其實施方式，亦可以有圖16的功能。例如，SD1、SD2、SD3與SD4分別用二極管D1、D2、D3、D4實施，如圖17，二極管的陽極為第一端，二極管的陰極為第二端。或SD1可以用P型金屬氧半導體場效應晶體管MP1實施，如圖18，其第一源汲極為SD1的第一端，其第二源汲極為SD1的第二端，其閘極連接第二源汲極。亦或用N型雙載子接面晶體管BN1實施，如圖19，其集極為SD1的第一端，其射極為SD1的第二端，其基極連接第二電源輸入端1902。亦或是使用一N型屬氧半導體場效應晶體管MN1實施，如圖20，其第一源汲極為SD1的第一端，其第二源汲極為SD1的第二端，其閘極連接至第二電源輸入端2002。而SD2實施方式可以用N型金屬氧半導體場效應晶體管MN2實施，如圖21，其第一源汲極為SD2的第一端，其第二源汲極為SD2的第二端，其閘極連接第一源汲極。亦或利用P型雙載子接面晶體管BP2實施，如圖22，其射極為SD2的第一端，其集極為SD2的第二端，其基極連接第二電源輸入端2202。亦可以用N型雙載子接面晶體管BN2實施，如圖23，其集極為SD2的第一端，其射極為SD2的第二端，其基極連接集極。亦可以用P型金屬氧半導體場效應晶體管MP2實施，如圖24，其第一源汲極為SD2的第一端，其第二源汲極SD2的第二端，其閘極連接至第二電源輸入端2402。
同理，其SD3實施方式可以用N型金屬氧半導體場效應晶體管MN3實施，如圖25，其第一源汲極為SD3的第一端，其第二源汲極為SD3的第二端，其閘極連接第一源汲極。亦或是用P型雙載子接面晶體管BP3實施，如圖26，其射極為SD3的第一端，其集極為SD3的第二端，其基極連接第一電源輸入端2600。或是用N型雙載子接面晶體管BN3，如圖27，其集極為SD3的第一端，其射極為SD3的第二端，其基極連接集極。亦可以用P型金屬氧半導體場效應晶體管MP3實施，如圖28，其第一源汲極為SD3的第一端，其第二源汲極為SD3的第二端，其閘極連接第一電源輸入端2800。其SD4實施方式可以用P型金屬氧半導體場效應晶體管MP4實施，如圖29，其第一源汲極為SD4的第一端，其第二源汲極為SD4的第二端，其閘極連接第二源汲極。亦或是用N型雙載子接面晶體管BN4，如圖30，其集極為SD4的第一端，其射極為SD4的第二端，其基極連接第一電源輸入端3000。亦或是用N型金屬氧半導體場效應晶體管MN4實施，如圖31，其第一源汲極為SD4的第一端，其第二源汲極為SD4的第二端，其閘極連接第一電源輸入端3100。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本發明的保護范圍當視后附的申請專利范圍所界定者為準。
權利要求
1.一種包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其包括一外部電源腳位；一外部接地腳位；一集成電路芯片，包括一內部電源腳位與一內部接地腳位；一第一單向性導通元件，具有第一端與第二端，該第一單向性導通元件的第一端連接至該內部接地腳位，且其第二端連接至該外部電源腳位，其中，電流導通方向為從該第一單向性導通元件的第一端至第二端的方向；一第二單向性導通元件，具有第一端與第二端，該第二單向性導通元件的第一端連接至該外部電源腳位與第一單向性導通元件第二端，且其第二端連接至該內部電源腳位，其中，電流導通方向為從該第二單向性導通元件的第一端至第二端的方向；一第三單向性導通元件，具有第一端與第二端，該第三單向性導通元件的第一端連接至該外部接地腳位，且其第二端連接至該內部電源腳位與第二單向性導通元件的第二端，其中，電流導通方向為從該第三單向性導通元件的第一端至第二端的方向；以及一第四單向性導通元件，具有第一端與第二端，該第四單向性導通元件的第一端連接至該內部接地腳位，且其第二端連接至該外部接地腳位，其中，電流導通方向為從該第四單向性導通元件的第一端至第二端的方向。
2.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第一、第二、第三與第四單向性導通元件分別包括一二極管，該二極管的陽極為第一端，該二極管的陰極為第二端。
3.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第一單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管第一源汲極為第一端，該N型晶體管第二源汲極為第二端，該N型晶體管閘極連接至該外部接地腳位。
4.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第二單向性導通元件包括一P型晶體管，該P型晶體管第一源汲極為第一端，該P型晶體管第二源汲極為第二端，該P型晶體管閘極連接至該外部接地腳位。
5.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第三單向性導通元件包括一P型晶體管，該P型晶體管第一源汲極為第一端，該P型晶體管第二源汲極為第二端，該P型晶體管閘極連接至該外部電源腳位。
6.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第四單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管第一源汲極為第一端，該N型晶體管第二源汲極為第二端，該N型晶體管閘極連接至該外部電源腳位。
7.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第一單向性導通元件包括一P型晶體管，該P型晶體管第一源汲極為第一端，該P型晶體管第二源汲極為第二端，該P型晶體管閘極連接至該P型晶體管第二源汲極。
8.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第二單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管第一源汲極為第一端，該N型晶體管第二源汲極為第二端，該N型晶體管閘極連接至該N型晶體管第一源汲極。
9.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第三單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管第一源汲極為第一端，該N型晶體管第二源汲極為第二端，該N型晶體管閘極連接至該N型晶體管第一源汲極。
10.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第四單向性導通元件包括一P型晶體管，該P型晶體管第一源汲極為第一端，該P型晶體管第二源汲極為第二端，該P型晶體管閘極連接至該P型晶體管第二源汲極。
11.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第一單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管集極為第一端，該N型晶體管射極為第二端，該N型晶體管基極連接至該外部接地腳位。
12.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第二單向性導通元件包括一P型晶體管，該P型晶體管射極為第一端，該P型晶體管集極為第二端，該P型晶體管基極連接至該外部接地腳位。
13.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第三單向性導通元件包括一P型晶體管，該P型晶體管射極為第一端，該P型晶體管集極為第二端，該P型晶體管基極連接至該外部電源腳位。
14.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第四單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管集極為第一端，該N型晶體管射極為第二端，該N型晶體管基極連接至該外部電源腳位。
15.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第二單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管集極為第一端，該N型晶體管射極為第二端，該N型晶體管基極連接至該N型晶體管集極。
16.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其中所述的第三單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管集極為第一端，該N型晶體管射極為第二端，該N型晶體管基極連接至該N型晶體管集極。
17.根據權利要求1所述的包含保護集成電路元件電路的集成電路元件，其特征在于其更包括一電荷泵，輸入端耦接至該第二單向性導通元件的第二端與該第三單向性導通元件的第二端，輸出端則耦接至該集成電路芯片的該內部電源腳位，用以將由輸入端所接收的電壓提升至一預設電壓，以供應該集成電路芯片內部所需的電壓。
18.一種保護集成電路元件的電路，具有一第一電源輸入端與一第二電源輸入端，其特征在于其包括一集成電路元件，具有一外部電源腳位與一外部接地腳位；一第一單向性導通元件，具有第一端與第二端，該第一單向性導通元件的第一端連接至該集成電路元件的外部接地腳位，且其第二端連接至該第一電源輸入端，其中，電流導通方向為從該第一單向性導通元件的第一端至第二端的方向；一第二單向性導通元件，具有第一端與第二端，該第二單向性導通元件的第一端連接至該第一電源輸入端與第一單向性導通元件第二端，且其第二端連接至該集成電路元件的外部電源腳位，其中，電流導通方向為從該第二單向性導通元件的第一端至第二端的方向；一第三單向性導通元件，具有第一端與第二端，該第三單向性導通元件的第一端連接至該第二電源輸入端，且其第二端連接至該集成電路元件的外部電源腳位與第二單向性導通元件的第二端，其中，電流導通方向為從該第三單向性導通元件的第一端至第二端的方向；以及一第四單向性導通元件，具有第一端與第二端，該第四單向性導通元件的第一端連接至該集成電路元件的外部接地腳位，且其第二端連接至該第二電源輸入端，其中，電流導通方向為從該第四單向性導通元件的第一端至第二端的方向。
19.根據權利要求18所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的第一、第二、第三與第四單向性導通元件分別包括一二極管，該二極管的陽極為第一端，該二極管的陰極為第二端。
20.根據權利要求18所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的第一單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管第一源汲極為第一端，該N型晶體管第二源汲極為第二端，該N型晶體管閘極連接至該第二電源輸入端。
21.根據權利要求18所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的第二單向性導通元件包括一P型晶體管，該P型晶體管第一源汲極為第一端，該P型晶體管第二源汲極為第二端，該P型晶體管閘極連接至該第二電源輸入端。。
22.根據權利要求19所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的第三單向性導通元件包括一P型晶體管，該P型晶體管第一源汲極為第一端，該P型晶體管第二源汲極為第二端，該P型晶體管閘極連接至該第一電源輸入端。。
23.根據權利要求18所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的第四單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管第一源汲極為第一端，該N型晶體管第二源汲極為第二端，該N型晶體管閘極連接至該第一電源輸入端。。
24.根據權利要求18所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的第一單向性導通元件包括一P型晶體管，該P型晶體管第一源汲極為第一端，該P型晶體管第二源汲極為第二端，該P型晶體管閘極連接至該P型晶體管第二源汲極。
25.根據權利要求18所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的第二單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管第一源汲極為第一端，該N型晶體管第二源汲極為第二端，該N型晶體管閘極連接至該N型晶體管第一源汲極。
26.根據權利要求18所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的第三單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管第一源汲極為第一端，該N型晶體管第二源汲極為第二端，該N型晶體管閘極連接至該N型晶體管第一源汲極。
27.根據權利要求18所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的四單向性導通元件包括一P型晶體管，該P型晶體管第一源汲極為第一端，該P型晶體管第二源汲極為第二端，該P型晶體管閘極連接至該P型晶體管第二源汲極。
28.根據權利要求1 8所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的第一單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管集極為第一端，該N型晶體管射極為第二端，該N型晶體管基極連接至該第二電源輸入端。
29.根據權利要求18所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的第二單向性導通元件包括一P型晶體管，該P型晶體管射極為第一端，該P型晶體管集極為第二端，該P型晶體管基極連接至該第二電源輸入端。
30.根據權利要求18所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的第三單向性導通元件包括一P型晶體管，該P型晶體管射極為第一端，該P型晶體管集極為第二端，該P型晶體管基極連接至該第一電源輸入端。
31.根據權利要求18所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的第四單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管集極為第一端，該N型晶體管射極為第二端，該N型晶體管基極連接至該第一電源輸入端。
32.根據權利要求18所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的第二單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管集極為第一端，該N型晶體管射極為第二端，該N型晶體管基極連接至該N型晶體管集極。
33.根據權利要求18所述的保護集成電路元件的電路，其特征在于其中所述的第三單向性導通元件包括一N型晶體管，該N型晶體管集極為第一端，該N型晶體管射極為第二端端，該N型晶體管基極連接至該N型晶體管集極。
全文摘要
一種保護集成電路元件的電路及包含其的集成電路元件，該集成電路元件是將集成電路的電源輸入端與地端連接單向性導通元件整流裝置，單向性導通元件整流裝置在連接集成電路封裝的電源腳位與接地腳位，使封裝后的集成電路反向焊接于電路板上，仍不至于燒毀。
文檔編號G05B9/02GK1841731SQ20051006300
公開日2006年10月4日 申請日期2005年4月1日 優先權日2005年4月1日
發明者盧叔東, 陳吉元, 黃崇仁 申請人:智元科技股份有限公司