插式晶體傳感器的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及晶體傳感器，具體涉及插式晶體傳感器。
【背景技術】
[0002]石英晶體傳感器的發展始于上世紀60年代初期，它是一種非常靈敏的質量檢測儀器，其測量精度可達納克級，比靈敏度在微克級的電子微天平高100倍，理論上可以測到的質量變化相當于單分子層或原子層的幾分之一。石英晶體微天平利用了石英晶體諧振器的壓電特性，將石英晶振電極表面質量變化轉化為石英晶體振蕩電路輸出電信號的頻率變化，進而通過計算機等其他輔助設備獲得高精度的數據。現有的石英晶體微天平傳感器都是按照設計要求焊接在其他部件上，且結構比較復雜，靈敏性低，穩定性差，且不耐腐蝕。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是針對現有技術存在的問題，提供一種插式晶體傳感器，解決現有的石英晶體傳感器都是按照設計要求焊接在其他部件上，可以適應不同尺寸的壓電晶體片，且結構比較復雜，靈敏性低，穩定性差，且不耐腐蝕的問題。
[0004]本實用新型的通過下述技術方案實現:
[0005]插式晶體傳感器，包括傳感器殼體，傳感器殼體的頂面設置有第一盲孔，傳感器殼體的側面設置有第二盲孔，傳感器殼體內部設置有第一電極導線和第二電極導線，第一電極導線的左端和第二電極導線的左端均延伸到第二盲孔內，在第二盲孔內插入有電信號接頭，電信號接頭均與第一電極導線的左端和第二電極導線的左端連接，第一電極導線的右端連接有第一導線尾部，第二電極導線的右端連接有第二導線尾部，第一導線尾部和第二導線尾部均延伸到第一盲孔內，在第一盲孔內從上至下依次設置上電極盤，壓電晶體片、下電極盤，上電極盤與第一導線尾部接觸，下電極盤與第二導線尾部接觸，還包括設置在盲孔上方的封閉蓋板、封閉蓋板面向上電極盤的一面設置有頂壓塊。
[0006]壓電晶體片的一般常用頻率為5ΜΗζ、7ΜΗζ、9ΜΗζ、1MHz等，也可以根據用戶使用要求進行設計(3—30MHz)，由于頻率與壓電晶體片的厚度有關，當更換壓不同頻率的壓電晶體片時，因此，需要設計一種能適應不同厚度壓電晶體片的結構來適應這種需求，上述結構中，米用盲孔結構來適應這種變化，先在第一盲孔底部設置下電極盤，然后在第一盲孔內插入壓電晶體片，再在壓電晶體片上放置上電極盤，最后采用封閉蓋板封閉盲孔，而封閉蓋板采用頂壓塊插入到第一盲孔內與上電極盤接觸，當我們更換一個薄的壓電晶體片時，我們可以設置一個更厚的上電極盤，來適應這種厚度的變化，或者調整封閉蓋板的高度來適應這種變化，這樣就可以在第一盲孔內設置不同厚度的壓電晶體片，而傳統結構都采用2個對稱的PCB板，2個PCB板之間的間隙是固定的，因此無法適應不同厚度的壓電晶體片。
[0007]頂壓塊與上電極盤為圓柱體，且頂壓塊面向上電極盤的一面的面積大于或等于上電極盤上端面的2/3。
[0008]所述壓電晶體片包括晶體片本體、設置在晶體片本體兩側的中間電極，中間電極與晶體片本體之間設置有過渡電極，位于晶體片本體上方的中間電極與上電極盤接觸，位于晶體片本體下方的中間電極與下電極盤接觸。
[0009]晶體片本體為AT切石英晶片或者YX切LSG晶片。
[0010]所述晶體片本體表面的粗糙度小于或等于0.4nm，翹曲度小于或等于8μπι。
[0011]中間電極為金或銀或鋁制成的電極。
[0012]過渡電極為鉻或鈦制成的過渡電極。
[0013]本實用新型與現有技術相比，具有如下的優點和有益效果:使用方便，即插即用，免焊接，設計巧妙、簡單，靈敏度高，穩定性好，耐腐蝕，其中用LGS晶體片制作的傳感器可以實現500°C以上的高溫應用，可以適應不同厚度的壓電晶體片。
【附圖說明】
[0014]此處所說明的附圖用來提供對本實用新型實施例的進一步理解，構成本申請的一部分，并不構成對本實用新型實施例的限定。在附圖中:
[0015]圖1為本實用新型結構不意圖。
[0016]附圖中標記及相應的零部件名稱:
[0017]1、電信號接頭;2、傳感器殼體;3、第一電極導線;4、第二電極導線；5、第一導線尾部;6、第二導線尾部;7、封閉蓋板;8、上電極盤;9、晶體片本體;10、過渡電極；11、中間電極；12、下電極盤。
【具體實施方式】
[0018]為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚明白，下面結合實施例和附圖，對本實用新型作進一步的詳細說明，本實用新型的示意性實施方式及其說明僅用于解釋本實用新型，并不作為對本實用新型的限定。
實施例
[0019]如圖1所示，插式晶體傳感器，包括傳感器殼體2，傳感器殼體2的頂面設置有第一盲孔，傳感器殼體的側面設置有第二盲孔，傳感器殼體內部設置有第一電極導線3和第二電極導線4，第一電極導線3的左端和第二電極導線4的左端均延伸到第二盲孔內，在第二盲孔內插入有電信號接頭I，電信號接頭均與第一電極導線3的左端和第二電極導線4的左端連接，第一電極導線3的右端連接有第一導線尾部5，第二電極導線4的右端連接有第二導線尾部6，第一導線尾部5和第二導線尾部6均延伸到第一盲孔內，在第一盲孔內從上至下依次設置上電極盤8，壓電晶體片、下電極盤12，上電極盤8與第一導線尾部5接觸，下電極盤12與第二導線尾部6接觸，還包括設置在盲孔上方的封閉蓋板7、封閉蓋板面向上電極盤的一面設置有頂壓塊。
[0020]壓電晶體片的一般常用頻率為5ΜΗζ、7ΜΗζ、9ΜΗζ、1MHz等，也可以根據用戶使用要求進行設計(3—30MHz)，由于頻率與壓電晶體片的厚度有關，當更換壓不同頻率的壓電晶體片時，因此，需要設計一種能適應不同厚度壓電晶體片的結構來適應這種需求，上述結構中，米用盲孔結構來適應這種變化，先在第一盲孔底部設置下電極盤，然后在第一盲孔內插入壓電晶體片，再在壓電晶體片上放置上電極盤，最后采用封閉蓋板封閉盲孔，而封閉蓋板采用頂壓塊插入到第一盲孔內與上電極盤接觸，當我們更換一個薄的壓電晶體片時，我們可以設置一個更厚的上電極盤，來適應這種厚度的變化，或者調整封閉蓋板的高度來適應這種變化，這樣就可以在第一盲孔內設置不同厚度的壓電晶體片，而傳統結構都采用2個對稱的PCB板，2個PCB板之間的間隙是固定的，因此無法適應不同厚度的壓電晶體片。
[0021]頂壓塊與上電極盤為圓柱體，且頂壓塊面向上電極盤的一面的面積大于或等于上電極盤上端面的2/3。
[0022]所述壓電晶體片包括晶體片本體9、設置在晶體片本體兩側的中間電極11，中間電極11與晶體片本體之間設置有過渡電極1，位于晶體片本體上方的中間電極11與上電極盤接觸，位于晶體片本體下方的中間電極11與下電極盤接觸。
[0023]晶體片本體為AT切石英晶片或者YX切LSG晶片。
[0024]所述晶體片本體表面的粗糙度小于或等于0.4nm，翹曲度小于或等于8μπι。
[0025]中間電極為金或銀或鋁制成的電極。
[0026]過渡電極為絡或鈦制成的過渡電極。
[0027]本實施例中，如圖1所示，為了提高傳感器的靈敏度和穩定性，晶體片本體的表面均經過嚴格的拋光處理，當粗糙度Ra < 0.4nm,翹曲度warp < 8μηι時，靈敏度和穩定性效果最好。晶體片本體的一般常用頻率為5MHz、7MHz、9MHz、1MHz等，也可以根據用戶使用要求進tx設計(3一3OMHz)。
[0028]晶體片本體的正反面分別依次設有過渡電極和中間電極。過渡電極采用鉻、鈦等金屬制成，過渡電極的主要作用是增強電極的附著力，因為拋光后的晶片表面附著力很弱。電極可以采用金、銀、鋁等金屬制成。
[0029]以上所述的【具體實施方式】，對本實用新型的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本實用新型的【具體實施方式】而已，并不用于限定本實用新型的保護范圍，凡在本實用新型的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.插式晶體傳感器，其特征在于，包括傳感器殼體(2)，傳感器殼體(2)的頂面設置有第一盲孔，傳感器殼體的側面設置有第二盲孔，傳感器殼體內部設置有第一電極導線(3)和第二電極導線(4)，第一電極導線(3)的左端和第二電極導線(4)的左端均延伸到第二盲孔內，在第二盲孔內插入有電信號接頭(1)，電信號接頭均與第一電極導線(3)的左端和第二電極導線(4)的左端連接，第一電極導線(3)的右端連接有第一導線尾部(5)，第二電極導線(4)的右端連接有第二導線尾部(6)，第一導線尾部(5)和第二導線尾部(6)均延伸到第一盲孔內，在第一盲孔內從上至下依次設置上電極盤(8)，壓電晶體片、下電極盤(12)，上電極盤(8)與第一導線尾部(5)接觸，下電極盤(12)與第二導線尾部(6)接觸，還包括設置在盲孔上方的封閉蓋板(7)、封閉蓋板面向上電極盤的一面設置有頂壓塊。2.根據權利要求1所述的插式晶體傳感器，其特征在于，頂壓塊與上電極盤為圓柱體，且頂壓塊面向上電極盤的一面的面積大于或等于上電極盤上端面的2/3。3.根據權利要求1所述的插式晶體傳感器，其特征在于，所述壓電晶體片包括晶體片本體(9)、設置在晶體片本體兩側的中間電極(11)，中間電極(11)與晶體片本體之間設置有過渡電極(1 )，位于晶體片本體上方的中間電極(11)與上電極盤接觸，位于晶體片本體下方的中間電極(11)與下電極盤接觸。4.根據權利要求1所述的插式晶體傳感器，其特征在于，晶體片本體為AT切石英晶片或者YX切LSG晶片。5.根據權利要求1所述的插式晶體傳感器，其特征在于，所述晶體片本體表面的粗糙度小于或等于0.4nm，翹曲度小于或等于8μηι。6.根據權利要求3所述的插式晶體傳感器，其特征在于，中間電極為金或銀或鋁制成的電極。7.根據權利要求3所述的插式晶體傳感器，其特征在于，過渡電極為鉻或鈦制成的過渡電極。
【專利摘要】本實用新型公開了插式晶體傳感器，包括傳感器殼體，傳感器殼體的頂面設置有第一盲孔，傳感器殼體的側面設置有第二盲孔，傳感器殼體內部設置有第一電極導線和第二電極導線，第一電極導線的左端和第二電極導線的左端均延伸到第二盲孔內，在第二盲孔內插入有電信號接頭，電信號接頭均與第一電極導線的左端和第二電極導線的左端連接，第一電極導線的右端連接有第一導線尾部，第二電極導線的右端連接有第二導線尾部，第一導線尾部和第二導線尾部均延伸到第一盲孔內，在第一盲孔內從上至下依次設置上電極盤，壓電晶體片、下電極盤，上電極盤與第一導線尾部接觸，下電極盤與第二導線尾部接觸，封閉蓋板面向上電極盤的一面設置有頂壓塊。
【IPC分類】G01G3/13, G01G3/16
【公開號】CN205228601
【申請號】CN201521092736
【發明人】王顯波, 王天雄, 周祿雄, 饒紹兵
【申請人】四川省三臺水晶電子有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2015年12月25日