二次電子檢測器的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種檢測器，尤其是一種二次電子檢測器。
【背景技術】
[0002]現有技術的檢測器中，由高電壓而被吸引至閃爍體附近的二次電子的一部分會被環狀電極吸收。因此，閃爍體的二次電子的檢測量會減少，無法獲得充分的信號雜訊比。
【發明內容】
[0003]本實用新型要解決的技術問題是克服現有技術缺陷，提供一種二次電子檢測器。
[0004]為解決上述技術問題采用的技術方案是:一種二次電子檢測器，包括:閃爍體，吸收二次電子并轉換為光；導光體與閃爍體連接；以及光電轉換裝置，將閃爍體導出的光轉換為電子后放大，且閃爍體包括:基板，配置于上述導光體上；導電膜設置于基板上，發光膜設置于導電膜上，閃爍體還包括配線，配線與上述導電膜連接。
[0005]導電膜是透明氧化物。
[0006]上述光電轉換裝置是光電倍增管或半導體受光元件。
[0007]該實用新型的有益效果是:本發明能抑制自試樣表面發出的二次電子的檢測量。
【附圖說明】
[0008]圖1是本發明的實施形態的概略圖；
[0009]圖2是本發明的結構概略圖；
[0010]圖3是圖2的A-A剖面圖。
【具體實施方式】
[0011]電子束裝置包括鏡筒部10及試樣室18。鏡筒部10包括產生電子束(一次帶電粒子)EB的電子槍12、以及將電子束EB照射至安裝在試樣室18內的試樣16的電子光學系統14。電子光學系統14中含有聚焦透鏡(focusing lens)、掃描線圈(scannina coil、)、物鏡(objective lens)等。試樣室I 8中設置對二次電子SE進行檢測的二次電子檢測器20。如圖2所示，二次電子檢測器20包括閃爍體22、導光體24以及光電轉換裝置26。閃爍體22吸收自照射了電子束EB的試樣16表面所發出的二次電子SE后將二次電子SE轉換為光。導光體24使經轉換的光穿透PMT26。光電轉換裝置26將通過導光體24而導出的光轉換為電子后放大，以生成電信號。作為光電轉換裝置26，可使用光電倍增管(photomultipliertube，PMT)、或光電二極體(photo d1de)、光電晶體(phototransistor)等半導體受光元件等。如圖2及圖3所示，閃爍體22包括配置于導光體24上的厚度為100 μm左右的基板2、置于基板2上的厚度1nm?I μ m左右的導電膜4、以及設置于導電膜4上的厚度為1nm?10nm左右的發光膜6。由二次電子SE的射入而由發光膜6所發出的光，穿透導電膜4及基板2后射入至導光體24。于發光膜6的外緣部的一部分設置使導電膜4露出的多個連接部8。連接部8與配線28連接，該配線28將用以吸引二次電子的電壓供給至導電膜4。作為導電膜4，可使用對由發光膜6所發出的光為透明的氧化鋅、氧化鈦等的透明氧化物。
【主權項】
1.一種二次電子檢測器，其特征在于包括:閃爍體，吸收二次電子并轉換為光；導光體與閃爍體連接；以及光電轉換裝置，將閃爍體導出的光轉換為電子后放大，且閃爍體包括:基板，配置于上述導光體上；導電膜設置于基板上，發光膜設置于導電膜上，閃爍體還包括配線，配線與上述導電膜連接。
2.如權利要求1所述的二次電子檢測器，其特征在于:導電膜是透明氧化物。
3.如權利要求1所述的二次電子檢測器，其特征在于:上述光電轉換裝置是光電倍增管或半導體受光元件。
【專利摘要】一種二次電子檢測器，包括：閃爍體，吸收二次電子并轉換為光；導光體與閃爍體連接；以及光電轉換裝置，將閃爍體導出的光轉換為電子后放大，且閃爍體包括：基板，配置于上述導光體上；導電膜設置于基板上，發光膜設置于導電膜上，閃爍體還包括配線，配線與上述導電膜連接。本實用新型能抑制自試樣表面發出的二次電子的檢測量。
【IPC分類】G01N23-225
【公開號】CN204287085
【申請號】CN201420711766
【發明人】侯晶
【申請人】成都唯昂新材料有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年11月24日