具有高靈敏度和高精確度的壓力傳感器器件的制作方法

具有高靈敏度和高精確度的壓力傳感器器件的制作方法
【專利摘要】本發明涉及一種具有高靈敏度和高精確度的壓力傳感器器件。具體地，通過增加該傳感器的靈敏度，增加從低壓MEMS傳感器輸出的電壓。通過使具有轉角溝槽的低壓傳感器器件的膜板變薄，增加靈敏度。通過同時創建交叉加強件到膜板的底側，降低通過使膜板變薄而增加的非線性。還可以添加緣邊、錨固件和加強件襯墊，以進一步加固較薄的膜板并進一步降低壓力非線性。
【專利說明】
具有高靈敏度和高精確度的壓力傳感器器件
【背景技術】
[0001 ]固態微機電系統(MEMS)壓力傳感器是眾所周知的。例如，給Kurtz等人的美國專利號4,236，137公開了一種半導體壓力轉換器。給Johnson等人的美國專利號5，156 ,052也公開了一種固態壓力轉換器。給Bryzek等人的美國專利號6，006，607公開了一種使用壓阻器件的壓力傳感器。美國專利號5，178,016和6，093，579也公開了固態壓力傳感器。
[0002]眾所周知的關于使用形成到薄硅膜板的壓阻器件的現有技術的MEMS壓力傳感器的問題是壓力非線性或PNL。該PNL是硅膜板偏轉的功能。膜板偏轉越大，輸出的非線性的程度越大，無論壓電電阻是否作為電壓或電流進行檢測和測量。
[0003]輸出的非線性在意在檢測低壓力(例如低于1kPa的壓力)的傳感器中更有問題。由于低壓傳感器件需要非常薄的硅膜板，薄膜板中的膜板偏轉趨于加重經設計測量低壓的壓力傳感器中的PNL。關于薄硅膜板的另一個問題是它們是脆弱的。主要的挑戰是創建一種降低或減小PNL的膜板，同時提供壓力靈敏度而不增加低壓傳感器的模具尺寸。可以在低壓中使用并具有改進的輸出線性且比現有技術中的那些更堅固和更靈敏的固態壓阻式壓力傳感器將是一個進步。
【附圖說明】
[0004]圖1和圖2是壓力傳感器的透視圖；
圖3是圖1和圖2中所示的壓力傳感器的剖視圖；
圖4示出惠斯通電橋電路的拓撲結構；
圖5是具有高靈敏度、高精確度并具有薄膜板和交叉加強件的壓力傳感元件的透視圖； 圖6-1是圖5中所示的壓力傳感元件的底視圖的透視圖；
圖6-2是壓力傳感元件的替代實施例的底部的平面圖；
圖7是圖5和圖6-1中所示的壓力傳感元件的剖視圖；
圖8是示出由沉積到外延層的頂側的壓電電阻器形成的分布式惠斯通電橋的壓力傳感元件的頂側的平面圖；
圖9是壓力傳感元件的優選實施例的底部的透視圖；
圖10是圖9中所示的壓力傳感元件的底部的平面圖；
圖11是差壓傳感器的剖視圖；
圖12是頂側絕對壓力傳感器的剖視圖；
圖13是背側絕對壓力傳感器的剖視圖；
圖14-1至圖14-4是傳感元件的替代實施例的平面圖;且
圖15是示出使用交叉加強件形成具有高靈敏度和高精確度的壓力傳感器器件的方法的步驟的流程圖。
【具體實施方式】
[0005]圖1是用于在汽車和工業壓力傳感應用中使用的壓力傳感器10的透視圖。圖2是壓力傳感器10的側視圖。圖3是圖1和圖2中所示的壓力傳感器10的剖面圖。
[0006]在圖1、圖2和圖3中，傳感器10包括注射成型塑料殼體12，其包括長形的中空護罩部分13。護罩13接收陽性連接器并保護一個或多個引線框24，其穿過制成殼體12的塑料材料。引線框24提供電通路到殼體12內的凹處(p0Cket)16中，其中由參考標號14標識的壓力傳感元件用模具安裝式粘合劑安裝在穿過基體26形成的孔18上方。孔18與端口 32的敞開通道30對準。壓力將由壓力傳感元件14測量的液體或氣體能夠穿過基體26中的通道30和孔18并在制成壓力傳感元件的膜板上施加壓力。
[0007]壓力傳感元件14是位于殼體12的凹處16內的膜板型壓力傳感元件14。也位于凹處16內的專用集成電路(ASICH8包括電子器件，以輸出電壓，所述電壓與形成于傳感元件14的一個或多個“分布式”壓阻器件的電阻變化成比例，并且彼此電連接以形成惠斯通電橋電路。
[0008]圖4示出在壓力傳感元件14中使用的惠斯通電橋電路400的拓撲結構。電路400包括四個單獨壓阻電阻器402、404、406和408，其彼此連接，從而“首尾相連地”形成具有其中四個壓阻電阻器連接在一起的四個節點的回路。壓阻電阻器402、404、406和408通過將P-半導體材料沉積到由N外延層制成的薄膜板的頂表面中而形成。壓阻電阻器402、404、406和408與導體互連。所述導體通過將P +半導體材料沉積到外延層的頂表面中而形成。包括電阻器的P-半導體材料被限制到小的區域且因此被局部化。電阻器通過沉積到膜板的頂表面上的導體和金屬滑道彼此連接。兩個對角相對的節點410、412被認為是輸入端子;另外兩個對角相對的節點414、416被認為是輸出端子。
[0009]本領域的普通技術人員將認識到施加到輸入端子410、412的電壓的大小將由穿過輸出端子414、416的壓阻電阻器的電阻值和輸出的比劃分。由于壓阻電阻器402、404、406和408形成到當向其施加壓力時偏轉的薄硅膜板，壓阻電阻器402、404、406和408的物理尺寸、形狀和電阻將響應于由施加到膜板的壓力引起的膜板偏轉而變化。
[0010]再次參考圖3，ASIC 18包括向輸入端子410、412施加電壓并測量輸出端子414、416處的輸出電壓的電路。因此，ASIC 18產生可電測量的輸出信號，該輸出信號響應于形成到包括傳感元件14的薄膜板的一個或多個電阻器的電阻變化而變化。如圖3中最佳地看到，來自ASIC 18內的電子器件的電信號通過引線框24穿過殼體12布線，所述引線框24延伸至包圍引線框24的護罩13中。
[0011]如本文所用，矩形是其各鄰邊形成直角的平行四邊形。方形是其各邊具有相等長度的矩形。如下所述，壓力傳感元件14由具有交叉加強件的薄且基本方形的硅膜板形成，其可以定尺寸、定形狀并布置成通過控制薄膜板的偏轉來降低非線性。膜板和交叉加強件一起形成，即同時，通過從相對厚的硅基體的一側蝕刻材料直到達到N外延層，然后蝕刻該外延層以由外延層材料形成膜板和交叉加強件。
[0012]圖5是從上方觀看的硅基體500的透視圖。圖6-1是圖5中所示的基體500的底部的透視圖。圖7是從剖面線7-7截取的基體500的剖視圖。
[0013]膜板606的厚度優選地在約2.5微米和約5.0微米之間。當壓力施加到膜板606時，具有厚度在該范圍內的膜板606容易偏轉。如下所述并且如在其他附圖中可以看到，在膜板下方形成的交叉加強件限制膜板偏轉并降低從使用此類壓力傳感元件構造的壓力傳感器輸出的信號的非線性。[0014I現在參考圖5，壓力傳感元件14包括由P型單晶體娃制成的基本長方體狀基體502。基體502具有基本平面的頂側504和相對的基本平面的底側506。基體502也具有四個基本垂直的側面或邊緣508、510、512和514。使用常規過程形成的外延層516在基體502的頂側504上生長或沉積。通常由氮化硅形成的一個或多個鈍化層517可以沉積在外延層516上方。
[0015]圖6-1是圖5中所示的基體502(即當從下面觀看時的基體502)的底部506的透視圖。基體502具有通過第一蝕刻形成到底側506的腔體602，所述第一蝕刻優選地是深反應離子蝕刻(DRIE)或使用氫氧化鉀(KOH)執行的“濕”蝕刻。第一蝕刻移除基體材料一直“向下”到在基體502的頂側504上形成的外延層516。以另一種方式說明，第一蝕刻將腔體602形成到從基體502的底側506向上延伸至外延層516的基本502的底側506中。
[0016]在形成基體502的P型單晶體硅被移除以形成腔體602并露出外延層516之后，在腔體602內并靠著外延層516的底表面604執行第二“干”蝕刻。所述干蝕刻優選地使用為半導體處理技術中的普通技術人員熟知的“SF6”執行。第二蝕刻將材料從外延層移除至薄的外延層且因此形成非常薄的膜板606，該膜板606也具有在圖6-1中最佳地看到和在圖7中的截面中所示的交叉加強件608。
[0017]在優選的實施例中，在濕蝕刻之后并在干蝕刻之前執行轉角圓化蝕刻步驟。所述轉角圓化蝕刻消除或至少減少由濕蝕刻形成的相交表面之間的銳角轉角，并且因此減少或消除相交表面處的應力集中。
[0018]仍然參考圖5、圖6-1和圖7，交叉加強件608基本上包括兩個固定梁608A和608B，即每個梁608A、608B的兩端部是固定的。梁608A、608B支撐并加固膜板606，并且加壓流體(SP液體或氣體)靠著其施加壓力。因此交叉加強件608支撐穿過膜板606分布的膜板606上的負載。
[0019]梁608A、608B的端部609被認為是“固定的”，因為梁608A、608B和它們的端部609被形成為緣邊618的一部分，也是外延層516的一部分，其圍繞膜板606的周邊延伸。
[0020]雖然梁608A、608B通過蝕刻掉外延層516而形成，但是所述梁在本文被認為是在其相應的中點610處彼此連接的，并且彼此成直角。因此交叉加強件608在本文被認為是復雜的固定梁。它加固膜板606，從而當壓力施加到該膜板時減少膜板606的偏轉。
[0021]圖6-2是壓力傳感元件500的替代實施例600的底部的平面圖。與具有圍繞膜板的周邊延伸并支撐膜板的周邊的緣邊618的圖6-1中所示的外延層516不同，在圖6-2中由外延層516形成的交叉加強件629不具有緣邊。交叉加強件629反而完全穿過膜板607延伸至該交叉加強件的臂被接合到傾斜側壁620、622、624和626或從其延伸的地方，所述傾斜側壁620、622、624和626包圍腔體603且在第一蝕刻期間形成。以另一種方式說明，圖6-2中所示的壓力傳感元件600包括硅基體503，其底側507被蝕刻掉以形成腔體603并露出外延層516。然后外延層516通過SF6蝕刻成需要的交叉加強件629的厚度水平。用覆蓋所蝕刻的硅基體的背側并與交叉加強件629的特征部組成圖案的光致抗蝕劑，與SF6的進一步蝕刻提供一種轉角溝槽，以形成無緣邊的交叉加強件629。如同圖6-1中所示的實施例一樣，當壓力施加到膜板607時，圖6-2中所示的交叉加強件629加固和因此減少膜板607的偏轉。
[0022]在一個實施例中，傳感元件能夠測量在約1.0千帕和約10.0千帕之間的壓力。在每個實施例中，交叉加強件的剛性和剛度由其尺寸以及形成交叉加強件的材料的特性所確定。
[0023]交叉加強件的尺寸經由實驗設計(DOE)通過分析和實驗確定。對于具有厚度在約2.5微米和約5.0微米之間的膜板，交叉加強件608的高度應該在約7.0微米和約10.0微米之間且優選地約8.5微米。
[0024]圖8是外延層516的頂表面802的平面圖。該外延層基本上是具有四個側的方形。夕卜延層516的膜板區域或部分606也是方形。它也具有四個側804、806、808和810。
[0025]四個壓電電阻器812、814、816和818通過將P-型半導體材料沉積到N外延層516中而在頂表面802中的小的局部區域中或在膜板區域606內形成。如在該圖中可以看到，壓電電阻器812、814、816和818位于方形膜板區域606的每個側804、806、808和810的中點820處。
[0026]壓電電阻器812、814、816和818被認為是“分布式”元件，因為它們不局限于膜板606的一側或一邊，而是反而彼此分離并沿方形膜板606的邊804、806、808和810定位。
[0027]壓電電阻器由導體824彼此連接，所述導體824由沉積到N外延層中的P+導電材料形成。P+導體824從壓電電阻器的每個端部向外延伸至金屬滑道826，所述金屬滑道826連接到金屬接合襯墊830、832、834、836用于輸入電壓和輸出電壓，以形成惠斯通電橋電路。
[0028]兩個P+連接器連接到從它們延伸至可以施加輸入信號金屬接合襯墊830和832的金屬滑道。兩個其他的P+導體連接到其他金屬滑道834、836，所述金屬滑道834、836延伸至可以從惠斯通電橋取得的輸出信號的第二對金屬襯墊。
[0029]圖9是傳感元件900的優選實施例的底部的透視圖。圖10是傳感元件900的同一優選實施例的平面圖。
[0030]如圖9中最佳地看到，形成交叉加強件908的兩個基本正交的臂904、906的相對端部902被形成，并且延伸遠離四個交叉加強件錨固件910。以另一種方式說明，錨固件910、交叉加強件908和緣邊920通過對沉積到單晶體硅基體916的頂表面914上的外延層912進行蝕刻而一起形成，如上所述，腔體918被蝕刻到其中。
[0031]錨固件910基本上是平行六面體形塊并靠著緣邊920定位且從緣邊920延伸，所述緣邊920也通過蝕刻外延層912而形成。錨固件910被形成為直接位于壓電電阻器(參見圖8)下方，所述壓電電阻器形成到圖9或圖10中不可見的外延層912的頂表面中。錨固件910具有經選擇防止泄漏電流通過P-N接合點穿過P+和P-到N外延層912中的厚度。
[0032]如圖10中最佳地看到，交叉加強件908穿過錨固件910附接到緣邊920。如上所述，交叉加強件908是支撐通過使外延層1012變薄而形成的膜板824的梁。交叉加強件1008限定四個轉角溝槽926。
[0033]緣邊920支撐并加固膜板924的周邊。形成溝槽926的“底部”的變薄的外延層將響應于施加到它們的壓力而偏轉，并從而改變在該外延層的頂表面中形成的壓電電阻器的形狀或尺寸。交叉加強件908減少膜板924的偏轉，所述交叉加強件908是支撐或加固膜板的
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[0034]圖11是差壓傳感器1100的剖面圖。壓力傳感器1100可以由具有緣邊618的圖5中所示的傳感元件500形成，或者由無緣邊的圖6-2中所示的傳感元件600形成，或者由具有緣邊和四個銷固件的圖9中所示的傳感元件900形成。在圖11中，包括如圖6-2中所述的傳感元件的第一基體1102在第一基體1102中形成，其然后被附接到第二基體1108并由第二基體1108支撐。第二基體1108通常是玻璃，但也可以由硅形成。第二基體1108附接到第一基體1102的底側1110。
[0035]孔1112穿過第二基體形成。孔1112與在第一基體1102中形成的膜板1114對準。孔1112被定尺寸、定形狀和布置成引導流體(即液體或氣體)到形成到第一基體1102的底側1110中的腔體1116中。流體將因此在膜板1114的底側上施加壓力。因此膜板1114的偏轉取決于施加到膜板1114的頂側的壓力(即頂腔體1006內的壓力)和施加到該膜板的底側的壓力(即底腔體或下腔體1116內的壓力)之間的差。
[0036]改變支撐膜板1114的交叉加強件1124的高度1120和/或寬度1122響應于施加到它們的壓力和因此傳感器的靈敏度來確定膜板和交叉加強件1124的偏轉。因此改變交叉加強件1124的尺寸允許精確地控制壓力靈敏度和非線性。傳感元件500中的緣邊618的尺寸或傳感元件900中的緣邊920和錨固件910的尺寸也影響壓力靈敏度和非線性。
[0037]圖12是絕對壓力傳感器1200的剖視圖。絕對壓力傳感器1200具有與圖11中所示且在上面所述的第一基體1102相同的頂或第一基體1102。第二基體1202被附接到第一基體1102的底側1110。第二基體1202不具有孔;其關閉形成到第一基體1120的底側1110中的腔體1116。
[0038]如果當第二基體1202被附接時腔體1116被排空，則施加到第一基體1102的頂側1103的壓力或真空將引起膜板1114偏轉，從而改變形成到膜板中的壓電電阻器的電阻。
[0039]圖13是背側絕對壓力傳感元件1300的剖視圖。施加到圖11中所示的第一基體1102的頂側1103的帽部1302在膜板1114上方提供排空的腔體1304。施加到第一基體1102的底側1110的第二基體1306具有與膜板1114對準的孔1308，其中流體可以通過其而穿到在第一基體1102中形成的腔體1116中。孔1308使加壓流體能夠在膜板1114的底部或背側1115上施加壓力。膜板1114的凈偏轉由頂腔體1304和底或背側腔體1116中的壓力確定。
[0040]實驗表明，如上所述和圖3-13中所示的交叉加強件也可以與位于中心的膜板加固襯墊形成。圖14-1至圖14-4是交叉加強件的替代實施例的底視圖。在圖14-1中，交叉加強件1402被形成為不帶銷固件，但從位于中心的方形襯墊1404向外延伸至圍繞膜板1408的周邊而延伸的緣邊1406。
[0041]在圖14-2中，交叉加強件1402從基本近似圓形或圓形的襯墊1410延伸至緣邊1406ο
[0042]在圖14-3中，交叉加強件1402從位于緣邊1406的每側的中點處的錨固件1412向內延伸至基本方形的襯墊1404。
[0043]最后在圖14-4中，位于中心的襯墊1410也是圓形的或近似圓形的。交叉加強件1402從其向外延伸至錨固件1412。
[0044]在優選的實施例中，膜板厚度在約2.5微米和約5微米之間。然而，交叉加強件具有在約5.0微米和約10.0微米之間的厚度，但厚度可以高達15.0微米。
[0045]如上所述，加強件和膜板由相同的外延層形成。然而在替代實施例中，加強件可以沉積到使用其中形成膜板的不同材料的外延層的底側上。
[0046]圖15是示出形成上述壓力傳感元件的方法的步驟的流程圖。
[0047]在第一步驟1502，外延層在單晶體硅基體的頂側上形成。該外延層的厚度是薄的，優選地小于約20微米。
[0048]在第二步驟1504，單晶體硅層的底側被蝕刻，以限定或形成腔體。第一蝕刻移除所有單晶體層材料“向下”至外延層，露出該外延層的底表面用于隨后的蝕刻步驟。
[0049]在第三步驟1506，在外延層上執行第二蝕刻，以從該外延層移除材料來限定交叉加強件、緣邊或錨固件，并且如果需要，限定上述加強件襯墊。
[0050]在優選的實施例中，在腔體蝕刻到基體的底側中之后并在蝕刻外延層之前，任選地執行轉角圓化蝕刻步驟1505。該轉角圓化蝕刻步驟大體上圓化內轉角并減少將在無轉角蝕刻步驟情況下發展的應力集中。
[0051]在第五步驟1508，具有外延層的基體附接到被視為第一基體的支撐件的第二基體。第二基體可以具有根據所得的壓力傳感元件是否是差壓傳感器或頂側絕對壓力傳感器而穿過其形成的孔。
[0052]最后在步驟1510，帽部施加到第一基體的頂側，以在膜板上方限定排空的腔體。
[0053]本領域的普通技術人員將理解的是，如上所述的交叉加強件將支撐和因此控制薄膜板的偏轉。交叉加強件尺寸(高度、寬度和長度)可以通過實驗或通過計算機建模確定，以根據需要加固膜板。因此，與交叉加強件、緣邊和/或錨固件結合，膜板可以被做得非常薄，以增加其靈敏度和精確度，如上面更詳細描述。
[0054]前面的描述僅是為了說明的目的。本發明的真實范圍在隨附的權利要求中闡述。
【主權項】
1.一種壓力傳感元件，包括: 第一基體，其具有相對的頂側和底側； 膜板，其形成到所述第一基體的底部中，所述膜板具有相對的頂側和底側，所述膜板的所述頂側包括彼此耦接以形成惠斯通電橋的間隔開的壓電電阻器;和 交叉加強件，其在所述膜板的所述底側上形成為所述膜板的一部分。2.如權利要求1所述的壓力傳感元件，其還包括附接到所述第一基體的底部的第二基體。3.如權利要求1所述的壓力傳感元件，其還包括附接到所述第一基體的底部的第二基體，所述第二基體具有孔，其與所述膜板對準并被構造成引導流體朝向所述膜板的所述底側。4.如權利要求3所述的壓力傳感元件，其還包括帽部，所述帽部覆蓋所述膜板的所述頂側并且其在所述膜板的所述頂側的上方限定腔體。5.如權利要求1所述的壓力傳感元件，其還包括緣邊，所述緣邊形成為所述膜板的所述底部的一部分并且其支撐和加固所述膜板的所述底部的周邊區域。6.如權利要求5所述的壓力傳感元件，其中，所述膜板基本上是方形的，并且其中，所述交叉加強件包括在所述緣邊之間延伸的第一和第二基本正交梁段。7.如權利要求1所述的壓力傳感元件，其還包括: 緣邊，其形成為所述膜板的所述底部的一部分并且其支撐和加固所述膜板的所述底部的周邊區域； 交叉加強件，其包括形成為所述膜板的所述底部的一部分的第一和第二基本正交梁段，每個梁段具有第一和第二相對端部;和 錨固件，其形成為所述膜板的所述底部的一部分并位于所述緣邊和梁段的端部之間。8.如權利要求7所述的壓力傳感元件，其中，所述壓電電阻器形成到所述膜板的所述頂側中并位于形成為所述膜板的所述底側的一部分的所述錨固件上方。9.如權利要求5所述的壓力傳感元件，其還包括形成為所述膜板的所述底部的一部分并基本上集中在所述膜板的所述底側上的加強件襯墊，并且其中，所述交叉加強件從所述加強件襯墊延伸至所述緣邊。10.如權利要求9所述的壓力傳感元件，其中，所述加強件襯墊具有基本方形的形狀。11.如權利要求9所述的壓力傳感元件，其中，所述加強件襯墊具有基本圓形的形狀。12.如權利要求7所述的壓力傳感元件，其還包括形成為所述膜板的所述底部的一部分并基本上集中在所述膜板的所述底側上的加強件襯墊，并且其中，所述交叉加強件從所述加強件襯墊延伸至所述錨固件。13.如權利要求12所述的壓力傳感元件，其中，所述加強件襯墊具有基本方形的形狀。14.如權利要求12所述的壓力傳感元件，其中，所述加強件襯墊具有基本圓形的形狀。15.如權利要求1所述的壓力傳感元件，其中所述膜板具有在約2.5微米和約5.0微米之間的厚度，并且其中，所述交叉加強件具有在約5.0微米和約15.0微米之間的不同的厚度。16.如權利要求1所述的壓力傳感元件，其中，所述加強件由與形成所述膜板的材料不同的材料形成。17.—種壓力傳感器，其包括: 殼體，其具有凹處;和 壓力傳感元件，其位于所述凹處中，所述壓力傳感元件包括: 第一基體，其具有相對的頂側和底側； 膜板，其形成到所述第一基體的底部中，所述膜板具有相對的頂側和底側，所述膜板的所述頂側包括彼此耦合以形成惠斯通電橋的間隔開的壓電電阻器;和 交叉加強件，其在所述膜板的所述底側上形成為所述膜板的一部分。18.—種形成壓力傳感元件的方法，所述方法包括以下步驟: 在第一基體的頂側上形成外延層，所述第一基體包括硅； 在所述第一基體的底側上執行第一蝕刻，所述第一蝕刻在所述第一基體中向上延伸至所述外延層的所述第一基體的底側中形成腔體;以及 執行由所述腔體露出的所述外延層的第二蝕刻的一部分，所述第二蝕刻從所述外延層移除材料，以限定由相同材料形成的交叉加強件和膜板。19.如權利要求18所述的方法，其還包括以下步驟: 在所述第一和第二蝕刻步驟之間執行轉角圓化蝕刻步驟，所述轉角圓化蝕刻步驟包括圓化由所述第一蝕刻步驟形成的內轉角的干蝕刻。20.如權利要求18所述的方法，其中，執行第二蝕刻的步驟將膜板厚度限定在約2.5微米和5.0微米之間并將交叉加強件厚度限定在約5.0微米和15.0微米之間。21.如權利要求18所述的方法，其還包括以下步驟:將所述第一基體附接到支撐所述第一基體的第二基體。22.如權利要求18所述的方法，其還包括將所述第一基體附接到具有與所述膜板對準的孔的第二基體的步驟，其中所述孔允許將流體施加到所述膜板。23.如權利要求22所述的方法，其還包括將帽部附接到所述第一基體的所述頂側的步驟，其中所述帽部在所述膜板的所述頂側的上方限定腔體。
【文檔編號】G01L9/06GK106092428SQ201510247245
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2015年5月15日
【發明人】J-H.A.邱, S-H.S.陳
【申請人】大陸汽車系統公司