電容型mems慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，包括輸入共模反饋模塊、第一放大模塊和第二放大模塊；輸入共模反饋模塊的反相輸入端和反饋輸出端與電容型MEMS慣性傳感器的輸出端和第一放大模塊的輸入端電連接，輸入共模反饋模塊的正相輸入端接地；第一放大模塊的輸出端與第二放大模塊的輸入端電連接；第一放大模塊還與第一復位信號輸入端連接，第二放大模塊還與第二復位信號輸入端連接；在第一復位信號輸入端停止輸入第一復位信號預設時間后，第二復位信號輸入端再停止輸入第二復位信號。上述電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，檢測準確性高、噪聲低且轉換精度高。
【專利說明】
電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路
技術領域
[0001]本發明涉及傳感器技術領域，特別是涉及一種電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路。
【背景技術】
[0002]電容型MEMS(Micro-Electro_Mechanical Systems，微機電系統)慣性傳感器包含MEMS陀螺和加速度計，是將物體運動角速度或加速度轉換為電容值的微型傳感器，具有微型化、低功耗、低成本等優勢。目前常見電容型MEMS慣性傳感器接口電路有開環檢測和閉環檢測兩種方式。閉環檢測是將電容檢測結果通過靜電力反饋到傳感器敏感質量塊上構成負反饋環路，達到傳感器質量塊在中心位置附近變化的效果。閉環檢測相對于開環檢測具有線性度高、可靠性高、精度高等優勢。
[0003]閉環檢測時，驅動脈沖可以通過寄生電容耦合到檢測端口，影響檢測準確性，現有的電容-電壓轉換電路缺少針對于這種耦合現象的克服措施。另外現存技術中電容-電壓的噪聲過高，轉換精度不夠，能檢測的電容一般只能達到f F級別。
【發明內容】
[0004]本發明要解決的技術問題是針對上述現有技術的不足，提供一種電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，檢測準確性高、噪聲低且轉換精度高。
[0005]為解決上述技術問題，本發明所采取的技術方案是:一種電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，包括輸入共模反饋模塊、第一放大模塊和第二放大模塊；
所述輸入共模反饋模塊的反相輸入端與電容型MEMS慣性傳感器的輸出端和所述第一放大模塊的輸入端電連接;所述輸入共模反饋模塊的反饋輸出端與所述電容型MEMS慣性傳感器的輸出端和所述第一放大模塊的輸入端電連接;所述輸入共模反饋模塊的正相輸入端接地；
所述第一放大模塊的輸出端與所述第二放大模塊的輸入端電連接；
所述第一放大模塊還與第一復位信號輸入端連接，所述第二放大模塊還與第二復位信號輸入端連接;在所述第一復位信號輸入端停止輸入第一復位信號預設時間后，所述第二復位信號輸入端再停止輸入第二復位信號。
[0006]優選的，所述輸入共模反饋模塊包括第一放大器、第一電容Cl和第二電容C2; 所述第一放大器的反相輸入端分別與所述電容型MEMS慣性傳感器的兩個輸出端電連接，正相輸入端接地；
所述第一電容Cl的一端連接所述第一放大器的輸出端，另一端電連接所述電容型MEMS慣性傳感器的第一輸出端和所述第一放大模塊的輸入端；
所述第二電容C2的一端連接所述第一放大器的輸出端，另一端電連接所述電容型MEMS慣性傳感器的第二輸出端和所述第一放大模塊的輸入端。
[0007]優選的，所述第一放大模塊包括第二放大器、第三電容C3和第四電容C4; 所述第二放大器的反相輸入端和正相輸入端與所述電容型MEMS慣性傳感器的兩個輸出端電連接;所述第二放大器的正相輸出端通過所述第三電容器C3與所述第二放大器的反相輸入端電連接;所述第二放大器的反相輸出端通過所述第四電容器C4與所述第二放大器的正相輸入端電連接；
所述第三電容C3兩端和所述第四電容C4兩端均還與第一復位信號輸入端連接。
[0008]優選的，所述第二放大模塊包括第三放大器、第五電容C5和第六電容C6;
所述第三放大器的正相輸出端通過所述第五電容C5與所述第三放大器的反相輸入端電連接;所述第三放大器的反相輸出端通過所述第六電容C6與所述第三放大器的正相輸入端電連接；
所述第五電容C5兩端和所述第六電容C6兩端均還與第二復位信號輸入端連接。
[0009]優選的，所述第二放大模塊還包括第七電容C7和第八電容C8;所述第三放大器的反相輸入端通過所述第七電容C7與所述第二放大器的正相輸出端電連接;所述第三放大器的正相輸入端通過所述第八電容CS與所述第二放大器的反相輸出端電連接。
[0010]優選的，還包括斬波模塊;所述斬波模塊的輸入端與所述電容型MEMS慣性傳感器的輸出端電連接;所述斬波模塊的輸出端與所述輸入共模反饋模塊的輸入端和所述第一放大模塊的輸入端電連接。
[0011 ]優選的，所述斬波模塊包括多個自舉開關;每個所述自舉開關的控制信號端與外接控制信號電連接;每個所述自舉開關的輸入/輸出端分別與電容型MEMS慣性傳感器的輸出端和第一放大模塊的輸入端電連接。
[0012]優選的，每個所述自舉開關包括第一匪OS管、第二匪OS管、第三匪OS管、第四匪OS管、第五匪OS管麗5、第六NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第^^一電容Cl I和反相器INV;
所述第一 WOS管的源極與所述第十一電容Cll的第一端、所述第四WOS管的漏極和所述第五匪OS管的源極電連接;所述第一匪OS管的柵極與所述第一 PMOS管的柵極、所述第二PMOS管的柵極、所述第二 PMOS管的漏極和所述第六WOS管的柵極連接;所述第一WOS管的漏極與所述第六NMOS管的漏極連接，并與所述自舉開關的輸入端電連接；
所述第一 PMOS管的源極接外部電源，所述第一 PMOS管的漏極與所述第十一電容Cll的第二端電連接；
所述第二 PMOS管的源極與所述第十電容Cll的第二端電連接;所述第二 PMOS管的漏極還與所述第二匪OS管的漏極電連接;所述第二 PMOS管的柵極還與所述第三PMOS管的漏極和所述第二NMOS管的漏極電連接；
所述第二 NMOS管的柵極與外部電源連接，所述第二 NMOS管的源極與所述第三NMOS管的漏極電連接；
所述第三匪OS管的柵極與所述第四WOS管的柵極和所述反相器INV的輸出端電連接，所述第三NMOS管的源極接地；
所述第四NMOS管的柵極還與所述反相器的輸出端電連接，所述第四NMOS管的源極接地，所述第四NMOS管的漏極還與所述第五NMOS管的源極電連接；
所述第五匪OS管的柵極與所述反相器INV的輸入端和所述第三PMOS管的柵極電連接，并與所述自舉開關的輸入端電連接;所述第五NMOS管的漏極還與所述第三PMOS管的漏極電連接；
所述第三PMOS管的源極接外部電源；
所述第六NMOS管的源極作為所述自舉開關的輸出端。
[0013]優選的，還包括配平電容模塊;所述配平電容模塊的輸出端與所述電容型MEMS慣性傳感器的輸出端電連接;所述配平電容模塊的輸入端與外部信號設備連接。
[0014]優選的，所述配平電容模塊包括相并聯的第九電容C9和第十電容C10。
[0015]采用上述技術方案所產生的有益效果在于:上述電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，輸入共模反饋模塊能夠將由電容型MEMS慣性傳感器傳送來的信號經過處理后反饋回去，然后兩個放大模塊對經過反饋后的信號進行處理，在第一復位信號輸入端停止輸入第一復位信號預設時間后，第二復位信號輸入端再停止輸入第二復位信號，使得整個電路的檢測精度高且能夠降低噪聲。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發明電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路一個實施例中的電路不意圖；
圖2是本發明電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路一個實施例中的自舉開關的電路不意圖；
圖3是本發明電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路一個實施例中控制時序不意圖。
【具體實施方式】
[0017]下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明作進一步詳細的說明。
[0018]參見圖1，一個實施例中，電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路可以包括輸入共模反饋模塊100、第一放大模塊200和第二放大模塊300。輸入共模反饋模塊100的反相輸入端與電容型MEMS慣性傳感器600的輸出端和第一放大模塊200的輸入端電連接。輸入共模反饋模塊100的反饋輸出端與電容型MEMS慣性傳感器600的輸出端和第一放大模塊200的輸入端電連接。輸入共模反饋模塊100的正相輸入端接地。第一放大模塊200的輸出端與第二放大模塊300的輸入端電連接。第一放大模塊200還與第一復位信號輸入端連接，第二放大模塊300還與第二復位信號輸入端連接。在第一復位信號輸入端停止輸入第一復位信號預設時間后，第二復位信號輸入端再停止輸入第二復位信號。
[0019]作為一種可實施方式，輸入共模反饋模塊100可以包括第一放大器Al、第一電容Cl和第二電容C2。第一放大器Al的反相輸入端分別與電容型MEMS慣性傳感器600的兩個輸出端電連接。第一放大器Al的正相輸入端接地。第一電容Cl的一端連接第一放大器Al的輸出端，另一端電連接電容型MEMS慣性傳感器600的第一輸出端和第一放大模塊200的輸入端。第二電容C2的一端連接第一放大器Al的輸出端，另一端電連接電容型MEMS慣性傳感器600的第二輸出端和第一放大模塊200的輸入端。
[0020]作為一種可實施方式，第一放大模塊200可以包括第二放大器A2、第三電容C3和第四電容W。第二放大器A2的反相輸入端和正相輸入端與電容型MEMS慣性傳感器600的兩個輸出端電連接。第二放大器A2的正相輸出端通過第三電容器C3與第二放大器A2的反相輸入端電連接。第二放大器A2的反相輸出端通過第四電容器C4與第二放大器A2的正相輸入端電連接。第三電容C3兩端和第四電容C4兩端均還與第一復位信號輸入端連接。
[0021]作為一種可實施方式，第二放大模塊300可以包括第三放大器、第五電容C5和第六電容C6。第三放大器A3的正相輸出端通過第五電容C5與第三放大器A3的反相輸入端電連接。第三放大器A3的反相輸出端通過第六電容C6與第三放大器A3的正相輸入端電連接。第五電容C5兩端和第六電容C6兩端均還與第二復位信號輸入端連接。
[0022]其中，第二放大模塊300的復位信號在第一放大模塊200的復位信號結束一段時間后再結束，可以將第一級低頻噪聲存儲在第二級的輸入電容上，完成對低頻噪聲的相關雙采樣，從而降低整體噪聲。
[0023]進一步的，第二放大模塊300還可以包括第七電容C7和第八電容C8。第三放大器A3的反相輸入端通過第七電容C7與第二放大器A2的正相輸出端電連接。第三放大A3的正相輸入端通過第八電容C8與第二放大器A2的反相輸出端電連接。
[0024]優選的，電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路還可以包括斬波模塊400 ο斬波模塊400的輸入端與電容型MEMS慣性傳感器600的輸出端電連接。斬波模塊400的輸出端與輸入共模反饋模塊100的輸入端和第一放大模塊200的輸入端電連接。采用斬波技術，將有用信號兩次調制，低頻噪聲一次調制高頻信號處，然后通過濾波可以降低電路整體噪聲。
[0025]優選的，斬波模塊400可以包括多個自舉開關。每個自舉開關的控制信號端與外接控制信號電連接。每個自舉開關的輸入/輸出端分別與電容型MEMS慣性傳感器的輸出端和第一放大模塊200的輸入端電連接。自舉開關的輸入/輸出端包括輸入端和輸出端。其中，自舉開關的輸入端和輸出端可互換。
[0026]參見圖1，一個實施例中，自舉開關可以包括第一NMOS管MNl、第二匪OS管MN2、第三WOS管麗3、第四WOS管麗4、第五匪OS管麗5、第六匪OS管MN6、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第^^一電容Cll和反相器INV。
[0027]其中，第一NMOS管MNl的源極與第^^一電容ClI的第一端、第四NMOS管MN4的漏極和第五NMOS管MN5的源極電連接。第一NMOS管MNl的柵極與第一 PMOS管MPI的柵極、第二 PMOS管的柵極MP2、第二 PMOS管的漏極MP2和第六WOS管MN6的柵極連接。第一WOS管MNl的漏極與第六匪OS管MN6的漏極連接，并與自舉開關的輸入端電連接。第一 PMOS管MPI的源極接外部電源VDD，第一 PMOS管MPl的漏極與第^^一電容Cll的第二端電連接。第二 PMOS管MPl的源極與第十電容Cl I的第二端電連接。第二PMOS管MPI的漏極還與第二NMOS管MN2的漏極電連接。第二 PMOS管MP2的柵極還與第三PMOS管MP3的漏極和第二 NMOS管MN2的漏極電連接。
[0028]第二匪OS管麗2的柵極與外部電源連接，第二WOS管麗2的源極與第三匪OS管麗3的漏極電連接。第三NMOS管麗3的柵極與第四匪OS管麗4的柵極和反相器INV的輸出端電連接。第三NMOS管麗3的源極接地。第四匪OS管麗4的柵極還與反相器INV的輸出端電連接。第四匪OS管MN4的源極接地。第四匪OS管麗4的漏極還與第五匪OS管MN5的源極電連接。第五WOS管麗5的柵極與反相器INV的輸入端和第三PMOS管MP3的柵極電連接，并與自舉開關的輸入端電連接。第五NMOS管麗5的漏極還與第三PMOS管MP3的漏極電連接。第三PMOS管MP3的源極接外部電源。第六NMOS管MN6的源極作為自舉開關的輸出端。
[0029]可以理解的，電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，主要采用電荷轉移的方法完成電容的測量，需要采用多個開關，為降低開關漏電以及開關電阻噪聲的影響，以及提高開關的輸入輸出范圍，采用自舉開關產生負壓以嚴格關閉MOS開關，產生高于電源電壓的電壓開啟開關，降低阻抗，增加輸入范圍。
[0030]參見圖1，一個實施例中，電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路還可以配平電容模塊500。配平電容模塊500的輸出端與電容型MEMS慣性傳感器600的輸出端電連接。配平電容模塊500的輸入端與外部信號設備連接。其中，配平電容模塊500可以包括相并聯的第九電容C9和第十電容C10。第九電容C9與第二放大器A2的正相輸入端電連接。第十電容ClO與第二放大器A2的反相輸入端電連接。其中，與檢測電容構成全橋的配平電容模塊500中的電容單獨可調，可以靈活調節檢測零位。
[0031 ]另外，電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路的檢測端口構成全橋檢測，檢測電路采用全差分結構，能夠提高電路的抗噪能力。
[0032]進一步的，合理設計電容檢測時的時序控制，在驅動信號跳變時，對電容-電壓轉換電路進行復位，消除驅動信號對檢測信號的影響。具體的，參見圖1和圖2，容型MEMS慣性傳感器中EM對應輸入EM信號，電容Cl I對應輸入驅動信號I，電容C12對應輸入驅動信號2。第一復位信號即為復位信號1，第二復位信號即為復位信號2。第一放大模塊200的第一復位信號輸入端對應輸入復位信號I。第二放大模塊300的第二復位信號輸入端對應輸入復位信號2 ο配平電容模塊500的輸入端EMB對應輸入EMB信號。
[0033]由圖2可知，在驅動信號的電平發生變化時，復位信號進行復位，使驅動信號耦合至IJ檢測端口的電壓不影響到檢測。然后在復位結束后，使電容型MEMS慣性傳感器的質量塊上的脈沖信號跳變，完成電荷轉移，測得可變電容的變化。而且復位信號2在復位信號I結束一段時間后再結束，可以將第一級低頻噪聲存儲在第二級的輸入電容上，完成對低頻噪聲的相關雙米樣，從而降低整體噪聲。其中，第一放大模塊200對應存儲第一級低頻噪聲。第二放大模塊300對應存儲第二級低頻噪聲。
[0034]上述電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，可以實現較高動態范圍、極低的噪聲基底，以及對閉環檢測中交叉耦合干擾的抑制能力，形成IP核，用作高精度電容型MEMS慣性傳感器的專用集成電路開發。
[0035]在抑制噪聲影響上:首先該電路采用全差分結構，消除共模噪聲的影響，也可以有效的減弱襯底噪聲等外界噪聲的影響;然后采用斬波技術，將有用信號兩次調制，低頻噪聲一次調制高頻信號處，然后通過濾波可以降低電路整體噪聲；另外第二級放大復位信號在第一級放大復位結束一段時間后再結束，可以將第一級低頻噪聲存儲在第二級的輸入電容上，完成對低頻噪聲的相關雙采樣，從而降低整體噪聲。
[0036]在控制時序設計上:設計電容-電壓轉換電路時序，使該電路在驅動脈沖信號發生跳變時復位，使驅動信號耦合到檢測端口的電壓不影響到檢測。然后在復位結束后，使質量塊上的脈沖信號跳變，完成電荷轉移，測得可變電容的變化。
[0037]在自舉開關上:電容-電壓電路主要采用電荷轉移的方法完成電容的測量，需要采用多個開關，為降低開關漏電以及開關電阻噪聲的影響，以及提高開關的輸入輸出范圍，采用自舉開關產生負壓以嚴格關閉MOS開關，產生高于電源電壓的電壓開啟開關，降低阻抗，增加輸入范圍。
[0038]以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，其特征在于，包括輸入共模反饋模塊、第一放大模塊和第二放大模塊； 所述輸入共模反饋模塊的反相輸入端與電容型MEMS慣性傳感器的輸出端和所述第一放大模塊的輸入端電連接;所述輸入共模反饋模塊的反饋輸出端與所述電容型MEMS慣性傳感器的輸出端和所述第一放大模塊的輸入端電連接;所述輸入共模反饋模塊的正相輸入端接地； 所述第一放大模塊的輸出端與所述第二放大模塊的輸入端電連接； 所述第一放大模塊還與第一復位信號輸入端連接，所述第二放大模塊還與第二復位信號輸入端連接;在所述第一復位信號輸入端停止輸入第一復位信號預設時間后，所述第二復位信號輸入端再停止輸入第二復位信號。2.根據權利要求1所述的電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，其特征在于，所述輸入共模反饋模塊包括第一放大器、第一電容Cl和第二電容C2; 所述第一放大器的反相輸入端分別與所述電容型MEMS慣性傳感器的兩個輸出端電連接，正相輸入端接地； 所述第一電容Cl的一端連接所述第一放大器的輸出端，另一端電連接所述電容型MEMS慣性傳感器的第一輸出端和所述第一放大模塊的輸入端； 所述第二電容C2的一端連接所述第一放大器的輸出端，另一端電連接所述電容型MEMS慣性傳感器的第二輸出端和所述第一放大模塊的輸入端。3.根據權利要求1所述的電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，其特征在于，所述第一放大模塊包括第二放大器、第三電容C3和第四電容C4; 所述第二放大器的反相輸入端和正相輸入端與所述電容型MEMS慣性傳感器的兩個輸出端電連接;所述第二放大器的正相輸出端通過所述第三電容器C3與所述第二放大器的反相輸入端電連接;所述第二放大器的反相輸出端通過所述第四電容器C4與所述第二放大器的正相輸入端電連接； 所述第三電容C3兩端和所述第四電容C4兩端均還與第一復位信號輸入端連接。4.根據權利要求3所述的電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，其特征在于，所述第二放大模塊包括第三放大器、第五電容C5和第六電容C6; 所述第三放大器的正相輸出端通過所述第五電容C5與所述第三放大器的反相輸入端電連接;所述第三放大器的反相輸出端通過所述第六電容C6與所述第三放大器的正相輸入端電連接； 所述第五電容C5兩端和所述第六電容C6兩端均還與第二復位信號輸入端連接。5.根據權利要求4所述的電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，其特征在于，所述第二放大模塊還包括第七電容C7和第八電容CS;所述第三放大器的反相輸入端通過所述第七電容C7與所述第二放大器的正相輸出端電連接;所述第三放大器的正相輸入端通過所述第八電容CS與所述第二放大器的反相輸出端電連接。6.根據權利要求1所述的電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，其特征在于，還包括斬波模塊;所述斬波模塊的輸入端與所述電容型MEMS慣性傳感器的輸出端電連接;所述斬波模塊的輸出端與所述輸入共模反饋模塊的輸入端和所述第一放大模塊的輸入端電連接。7.根據權利要求6所述的電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，其特征在于，所述斬波模塊包括多個自舉開關;每個所述自舉開關的控制信號端與外接控制信號電連接;每個所述自舉開關的輸入/輸出端分別與電容型MEMS慣性傳感器的輸出端和第一放大模塊的輸入端電連接。8.根據權利要求7所述的電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，其特征在于，所述自舉開關包括第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管MN5、第六NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第^^一電容Cl I和反相器INV ； 所述第一匪OS管的源極與所述第十一電容Cll的第一端、所述第四匪OS管的漏極和所述第五匪OS管的源極電連接;所述第一匪OS管的柵極與所述第一 PMOS管的柵極、所述第二PMOS管的柵極、所述第二 PMOS管的漏極和所述第六WOS管的柵極連接;所述第一WOS管的漏極與所述第六NMOS管的漏極連接，并與所述自舉開關的輸入端電連接； 所述第一 PMOS管的源極接外部電源，所述第一 PMOS管的漏極與所述第十一電容Cll的第二端電連接； 所述第二 PMOS管的源極與所述第十電容Cll的第二端電連接;所述第二 PMOS管的漏極還與所述第二匪OS管的漏極電連接;所述第二 PMOS管的柵極還與所述第三PMOS管的漏極和所述第二NMOS管的漏極電連接； 所述第二 NMOS管的柵極與外部電源連接，所述第二 NMOS管的源極與所述第三匪OS管的漏極電連接； 所述第三匪OS管的柵極與所述第四匪OS管的柵極和所述反相器INV的輸出端電連接，所述第三NMOS管的源極接地； 所述第四NMOS管的柵極還與所述反相器的輸出端電連接，所述第四NMOS管的源極接地，所述第四NMOS管的漏極還與所述第五NMOS管的源極電連接； 所述第五匪OS管的柵極與所述反相器INV的輸入端和所述第三PMOS管的柵極電連接，并與所述自舉開關的輸入端電連接;所述第五NMOS管的漏極還與所述第三PMOS管的漏極電連接； 所述第三PMOS管的源極接外部電源； 所述第六NMOS管的源極作為所述自舉開關的輸出端。9.根據權利要求1所述的電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，其特征在于，還包括配平電容模塊;所述配平電容模塊的輸出端與所述電容型MEMS慣性傳感器的輸出端電連接;所述配平電容模塊的輸入端與外部信號設備連接。10.根據權利要求9所述的電容型MEMS慣性傳感器閉環檢測的電容電壓轉換電路，其特征在于，所述配平電容模塊包括相并聯的第九電容C9和第十電容C10。
【文檔編號】G01C21/16GK106017466SQ201610559162
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月15日
【發明人】劉德盟, 任臣
【申請人】河北美泰電子科技有限公司