一種新型抗干擾超聲試塊的制作方法

一種新型抗干擾超聲試塊的制作方法
【專利摘要】一種新型抗干擾超聲試塊。涉及其中超聲試塊的結構的改進。結構精巧、使用效果好且抗干擾效果好，使用時可有效克服試塊兩端面的反射對人工缺陷回波識別。包括本體，所述本體上對稱的開設有兩圓弧槽，所述圓弧槽的槽底開設有若干短橫孔，所述本體的同一側端面上對稱設有兩對稱設置的弧形凸塊，所述弧形凸塊呈四分之一圓弧狀、且與本體連為一體，兩所述弧形凸塊相對設置且相接觸。結構精巧、使用效果好且抗干擾效果好。
【專利說明】
一種新型抗干擾超聲試塊
技術領域
[0001] 本發明涉及超聲波檢測領域，尤其涉及其中超聲試塊的結構的改進。
【背景技術】
[0002] 超聲檢測應用非常廣泛，尤其是機械制造、電力行業、國防工業。對比試塊(超聲試 塊)在超聲檢測中是不可缺少的。其中CSK-mA試塊具有非常重要的地位。為了克服試塊側 面和端面反射的影響，CSK-mA試塊在側面短橫孔處加工了兩個R10圓弧槽，但是端面反射 的影響仍然很大，嚴重的情況下無法區分人工缺陷信號與端面反射信號。
[0003] 具體的說，CSK-mA試塊是超聲檢測一種長240mm、寬150mm的基礎標準試塊，在中 華人民共和國行業標準JB/T4730-2005(NB/T47013)《承壓設備無損檢測》有詳細介紹。具體 的結構如圖1-2所示，其在使用時的干擾大多為以下兩種情況：
[0004] 情況一、如圖3所示，斜探頭橫波A1入射到端面產生變異縱波A2,變異縱波經A2底 面反射后產生反射縱波A3被探頭接收從而產生干擾，下文把這種情況的干擾簡稱為縱波入 射縱波反射干擾；圖中a表示A1與試塊上表面所成夾角、b表示A2的反射角、c表示A2的入射 角、d表示A3的反射角、Xw表示探頭入射點到端面的距離（即探頭位置）、Hw表示A1在人工缺 陷的垂直軸線(假想線）上可探測的深程、Hx表示探頭接收到反射波檢測設備顯示的深程。 根據聲波反射規律及相應位置關系，可列出相應關系式：
[0011 ] 從而可根據K值計算出Xw、Hw、Hx，如表1所示，
[0012]表1
[0015]由于實際使用時，Hw與Hx之差越大，縱波入射縱波反射干擾就越小：10mm之內對檢 測人員干擾非常大，檢測人員無法區分;Hw與Hx;20mm之內對檢測人員干擾很大，檢測人員 區分Hw與Hx需要非常豐富的操作經驗;30mm以上區分Hw與Hx非常容易。因此，根據上表1可 知除K = 1.0~1.7的探頭外，其余探頭均有各自干擾區，尤其是K值大于2.0的探頭。K值為 2.2至3.0探頭已很難區分試塊上60mm、70mm、80mm的人工缺陷回波與干擾回波，K值為2.3或 2.4的探頭已無法區分試塊上70mm的人工缺陷回波與干擾回波。也就是說CSK-HIA不適合K 值大于2.2以上探頭使用。
[0016]情況二、如圖4所示，斜探頭橫波A1入射到端面產生變異縱波A2,變異縱波A2經底 面反射后產生的變異橫波A4被探頭接收從而產生干擾，下文把這種情況的干擾簡稱為縱波 入射橫波反射干擾。圖中a表示A1與試塊上表面所成夾角、b表示A2的反射角、c表示A2的入 射角、d表示A4的反射角、Xw表示探頭入射點到端面的距離（即探頭位置）、Hw表示A1在人工 缺陷的垂直軸線(假想線）上可探測的深程、Hx表示探頭接收到反射波檢測設備顯示的深 程。根據聲波反射規律及相應位置關系，可列出相應關系式：
從而可根據K值計算出Xw、Hw、Hx，如表2所示，
[0024]表 2
[0026]
[0027] 從表(2)中可知，除K = 1.0~1.7的探頭外，其余探頭均有各自干擾區，尤其是K值 大于2.2的探頭。因為Hx與Hw之差較小（<30mm)，所以對于K值為2.4至3.0探頭區分這種干 擾回波與試塊上40mm、50mm的人工缺陷回波有一定難度，準確區分需要操作者有豐富經驗。
[0028] 綜上所述，現有技術的超聲試塊存在著反射干擾過大的問題，尤其受縱波入射縱 波反射干擾以及縱波入射橫波反射干擾嚴重，給超聲實驗的進行帶來了極大的難度，成為 了本領域技術人員亟待解決的技術問題。

【發明內容】

[0029]本發明針對以上問題，提出了一種結構精巧、使用效果好且抗干擾效果好，使用時 可有效克服試塊兩端面的反射對人工缺陷回波識別的干擾的新型抗干擾超聲試塊。
[0030]本發明的技術方案為:包括本體，所述本體上對稱的開設有兩圓弧槽，所述圓弧槽 的槽底開設有若干短橫孔，所述本體的同一側端面上對稱設有兩對稱設置的弧形凸塊，所 述弧形凸塊呈四分之一圓弧狀、且與本體連為一體，兩所述弧形凸塊相對設置且相接觸。 [0031 ]所述本體的兩側端面上分別設有兩弧形凸塊。
[0032]所述弧形凸塊背向與其處在本體同一側的弧形凸起的端面上開設有切槽，所述切 槽與弧形凸塊的該端面相垂直。
[0033] 所述切槽的深度為10mm，寬度為0.5mm，所述切槽與本體的間距為60mm。
[0034] 所述弧形凸塊遠離本體的一側頂角處開設有弧形沉臺。
[0035] 所述弧形沉臺的厚度為5_，所述弧形沉臺與弧形凸塊同軸心，所述弧形沉臺呈圓 心角為52°、寬度為30mm的弧形。
[0036] 本案通過兩四分之一圓弧面代替現有技術的平面狀的側端面，從而有效克服了現 有技術中試塊兩端面的反射對人工缺陷回波識別的干擾的問題，對縱波入射縱波反射干擾 以及縱波入射橫波反射干擾的消除效果好，具有結構精巧、使用效果好且抗干擾效果好的 特點。
【附圖說明】
[0037] 圖1是CSK-mA試塊的結構示意圖，
[0038] 圖2是圖1的俯視圖，
[0039]圖3是【背景技術】中情況一的示意圖，
[0040] 圖4是【背景技術】中情況二的示意圖，
[0041] 圖5是本案的結構示意圖，
[0042]圖6是圖5的俯視圖，
[0043] 圖7是本案的優化實施方式示意圖，
[0044] 圖8是圖7的俯視圖，
[0045] 圖9是本案的改進實施方式示意圖，
[0046] 圖10是【具體實施方式】中反射狀態一的示意圖一，
[0047] 圖11是【具體實施方式】中反射狀態一的示意圖二，
[0048] 圖12是【具體實施方式】中反射狀態二的示意圖，
[0049] 圖13是【具體實施方式】中反射狀態三的示意圖，
[0050] 圖14是【具體實施方式】中反射狀態四的示意圖一，
[0051] 圖15是【具體實施方式】中反射狀態四的示意圖二，
[0052]圖16是【具體實施方式】中反射狀態四的示意圖三，
[0053]圖17是【具體實施方式】中反射狀態四的示意圖四，
[0054]圖18是【具體實施方式】中反射狀態五的示意圖，
[0055]圖19是【具體實施方式】中反射狀態六的示意圖，
[0056]圖20是【具體實施方式】中反射狀態四的示意圖一，
[0057]圖21是【具體實施方式】中反射狀態四的示意圖二，
[0058]圖22是【具體實施方式】中反射狀態四的示意圖三，
[0059] 圖23是【具體實施方式】中反射狀態四的示意圖四；
[0060] 圖中1是本體，11是圓弧槽，12是短橫孔，13是弧形沉臺，2是弧形凸塊，20是切槽。
【具體實施方式】
[0061] 本發明如圖5-9所示，包括本體1，所述本體1上對稱的開設有兩個截面呈圓弧狀的 圓弧槽11，所述圓弧槽11的槽底開設有若干短橫孔12,所述本體1的同一側端面上對稱設有 兩對稱設置的弧形凸塊2,所述弧形凸塊2呈四分之一圓弧狀、且與本體1連為一體，兩所述 弧形凸塊2相對設置且相接觸。
[0062] 所述本體1的兩側端面上分別設有兩弧形凸塊2。
[0063] 本發明的優化實施方式如圖7-8所示，所述弧形凸塊2背向與其處在本體1同一側 的弧形凸起的端面上開設有切槽20,所述切槽20與弧形凸塊2的該端面相垂直。
[0064] 所述切槽的深度為10_，寬度為0.5_，所述切槽與本體的間距為60_。
[0065] 如圖9所示，所述弧形凸塊2遠離本體的一側頂角處開設有弧形沉臺13。
[0066] 所述弧形沉臺的厚度(深度)為5mm，所述弧形沉臺與弧形凸塊同軸心，所述弧形沉 臺呈圓心角為52°、寬度為30mm的弧形。
[0067] 本案通過兩四分之一圓弧面代替現有技術的平面狀的側端面，從而有效克服了現 有技術中試塊兩端面的反射對人工缺陷回波識別的干擾的問題，對縱波入射縱波反射干擾 以及縱波入射橫波反射干擾的消除效果好，具有結構精巧、使用效果好且抗干擾效果好的 特點。
[0068] 操作人員在實際工作中還發現以下特點：由于每次界面反射后不但界面上有損 耗，而且伴隨著變異波產生(垂直入射界面不產生變異波，除外），探頭接收到的回波其波幅 會有明顯降低，所以經過三次以上界面反射(垂直入射界面除外）后探頭接收到的回波其波 幅與人工缺陷的反射波幅相差很大不易產生干擾，因此可不考慮三次及以上界面反射情況 (垂直入射界面除外）。
[0069] 下面針對不同的反射狀態做具體分析(在此需解釋的是，本案全文中記載的一次 反射波/聲波/橫波/縱波依次為一次反射后產生的波/聲波/橫波/縱波的簡稱，同理二次反 射波/聲波/橫波/縱波依次為二次反射后產生的波/聲波/橫波/縱波的簡稱，同時下述所有 的初始位置入射波/聲波均為橫波）：
[0070] -、一次反射聲波斜入射到上表面，如圖10-11所不：其中B1為入射聲波，a為B1與 上表面的夾角，B2為一次反射聲波，B3為二次反射聲波，這樣，當一次反射聲波入射到上表 面時，二次反射聲波無法被探頭接收到，需三次以上才可；因此，此類情況下Hx和Hw易于區 分。
[0071]二、一次反射橫波垂直入射到上表面，如圖12所示:其中B1為入射聲波，a為B1與上 表面的夾角，b為B1的入射角，B2為一次反射聲波，B3為二次反射聲波與B2重合，B4為三次反 射橫波與B1重合，最后被探頭接收;根據聲波反射規律及相應位置關系，可列出相應關系 式：
[0076] 從而可根據K值計算出)(《、咖、版，如表3所示，
[0077] 表 3
[0080]實際該種情況下的干擾也經過了三次界面反射，會有明顯損耗，其波幅較小;再結 合表3中可知此類情況下Hx和Hw之差都在30mm之上，易于區分。
[0081]三、一次反射縱波垂直入射到上表面，如圖13所示:其中B1為入射聲波，a為B1與上 表面的夾角，b為B1的入射角，B2為一次反射縱波，B3為二次反射縱波與B2重合，B4為三次反 射橫波與B1重合，最后被探頭接收;根據聲波反射規律及相應位置關系，可列出相應關系 式：
[0087] 從而可根據K值計算出Xw、Hw、Hx，如表4所示，

[0091] 實際該種情況下的干擾也經過了三次界面反射，會有明顯損耗，其波幅較小;再結 合表4中可知此類情況下Hx和Hw之差都在30mm之上，易于區分。
[0092] 四、一次反射波斜入射到下端面，一次反射波斜入射到底面有四種情況：
[0093] (4.1)、一次反射橫波斜入射到下端面后再橫波反射至上端面，如圖14所示，其中 B1為入射聲波，a為B1與上表面的夾角，b為B1的入射角，B2為一次反射橫波，B3為二次反射 橫波，為計算方便，圖中還標示出了〇、A、B、C、D、E、F、GAfA:
[0094]圖中a為AC(聲波1)與試塊上、下端面的夾角;b也為B1在試塊下曲面的入射角;m為 0C(聲波1在試塊下曲面的法線）與0D的夾角；d為AD與0D的夾角；c為B2與試塊下端面的夾 角;n為AD與AC的夾角；
[0095] B2、B3都為同類型橫波，根據反射原理:B3與試塊下端面的夾角也為c。當c恒大于d 時，則聲波3永遠不會被探頭接收到。
[0096] A0DC的外接園的直徑 D = 0C/sin(c)。因為 0C = 75mm、c = b+m>b = a+m>a，所以 75/ sin(a)>A0DC的外接園的直徑D。
[0097] 在 AABG 中，AB=GB/sin(a)，因為 GB 恒大于 75mm，所以永遠有 AB>75/sin(a)。
[0098] 因為CA = CB+AB>AB，所以總有CA>75/sin(a)>A0DC的外接園的直徑D，因此A0DC 的外接園與AC(B1)在A、C兩點之間（不含A、C) 一定存在交點。
[0099] F為A0DC的外接園與AC(B1)的交點，據幾何4點共圓定理可知：ZC0D=ZDFC=m; 據幾何定理有:m>n。
[0100] 因為d = a+n、c = b+m>b = a+m，又有m>n，所以總有c>d。另因 B3與試塊下端面的夾角 為c，因此B3永遠都不會被在A處的探頭接收到，即一次反射橫波斜入射到下端面后再橫波 反射至上端面的干擾情況在本案的試塊中不會出現。
[0101] (4.2)、一次反射縱波斜入射到下端面后再縱波反射至上端面，如圖15所示，其中 B1為入射聲波，a為B1與上表面的夾角，b為B1的入射角，B2為一次反射縱波，B3為二次反射 縱波：
[0102]探頭發出的橫波B1入射到下曲面，據超聲波反射原理其反射縱波B2的反射角一定 大于入射角b，因此結合上述(4.1 )，一次反射縱波斜入射到底面后產生反射縱波也不可能 被探頭接收到，即一次反射縱波斜入射到下端面后再縱波反射至上端面的干擾情況在本案 的試塊中不會出現。
[0103] (4.3)、一次反射縱波斜入射到下端面后再橫波反射至上端面，如圖16所示，其中 B1為入射聲波，a為B1與上表面的夾角，b為B1的入射角，B2為一次反射縱波，B3為二次反射 橫波：
[0104] 反射縱波斜入射到底面后除反射縱波，還會反射變異橫波，據超聲波反射原理反 射橫波的反射角要小于反射縱波的反射角，所以B3與下端面的夾角也一定大于其B2與下端 面的夾角。因此結合(4.1 )、（4.2)，一次反射縱波斜入射到下端面后產生反射橫波不可能被 探頭接收到，即一次反射縱波斜入射到下端面后再橫波反射至上端面的干擾情況在本案的 試塊中不會出現。
[0105] (4.4)、一次反射橫波斜入射到下端面后再縱波反射至上端面，如圖17所示，其中 B1為入射聲波，a為B1與上表面的夾角，b為B1的入射角，B2為一次反射橫波，c為B2與試塊下 端面的夾角，B3為二次反射橫波，d為B3與試塊下端面的夾角；：
[0106] 當試塊不開切槽時，B1為探頭發出的橫波;B2為在下曲面的一次反射橫波，B3為聲 波斜射到下端面的反射縱波并被探頭接收。Hx為顯示深程，根據反射定律及相關定理可知：
[0114] 根據探頭的k值，可計算出Xw、Hw、Hx。計算結果見表5。
[0115]表5
[0118] 從表(5)可知：當K=1.6~3.0,顯示深程(Hx)、位置深程(Hw)之差從30左右減小至 3左右，即此種情況下產生的干擾回波由可分辨逐漸變得無法分辨。為了避免此種情況產 生，可在試塊上開4個深度為10mm、寬度為0.5mm、與本體間距60mm的切槽，具體分析如下：
[0119] 表5中，H60高表示聲波在切槽所在位置上（即與本體間距60mm處B2與下端面的直 線距離)所截得的高。當H60高小于等于切槽高度，即10mm時，切槽會阻止B2斜射到下端面或 者B3射向探頭，結合H60在表5的計算結果，表5中所有H60均小于10mm，因此由于開了切槽， 橫波斜入射到下端面后再縱波反射至上端面產生的干擾就不存在了。即本案進一步的通過 增加切槽的方式使得一次反射橫波斜入射到下端面后再縱波反射至上端面的干擾情況在 本案的試塊中不會出現。
[0120]五、一次反射橫波垂直入射到底面，如圖18所示:其中B1為入射聲波，a為B1與上表 面的夾角，b為B1的入射角，B2為一次反射聲波，B3為二次反射聲波與B2重合，B4為三次反射 橫波與B1重合，最后被探頭接收;根據聲波反射規律及相應位置關系，可列出相應關系式：
[0126] 從而可根據K值計算出\￥、咖、1^，如表6所示，
[0127]表6
L〇13〇」實際該種情況下的干擾也經過了三次界面反射，會有明顯損耗，其波幅較小；再結 合表5中可知此類情況下Hx和Hw之差都在30mm之上，易于區分。
[0131]六、一次反射縱波垂直入射到底面，如圖19所示:其中B1為入射聲波，a為B1與上表 面的夾角，b為B1的入射角，B2為一次反射縱波，B3為二次反射縱波與B2重合，B4位三次反射 橫波與B1重合，最后被探頭接收;根據聲波反射規律及相應位置關系，可列出相應關系式：
[0137] 從而可根據K值計算出)(《、咖、版，如表7所示，
[0138] 表7
[0141]實際該種情況下的干擾也經過了三次界面反射，會有明顯損耗，其波幅較小;再結 合表6中可知此類情況下Hx和Hw之差都在30mm之上，易于區分。
[0142]七、考慮到新增切槽后，切槽設置在弧形凸塊的端面上的"端角"也將產生反射波， 因此對各情況作出以下分析：
[0143] 切槽底部端角反射，切槽底部端角反射可分為2大類:第一類，聲波直射到切槽底 部端角;第二類，聲波經曲面反射到切槽底部端角。
[0144] 在第一類中，在儀器上顯示深程永遠都等于試塊的高（150mm)，超過了試塊中人工 缺陷的最大深程(140_)，所以不會影響對人工缺陷的分辨，因此不予討論這類情況。
[0145] 第二類又可分為以下四種情況：
[0146] (7.1)、一次反射橫波入射到上端面(與探頭同側)切槽的端角，如圖20所示：
[0147] B1為探頭發出的橫波，a為B1與上表面的夾角，b為B1的入射角，B2為在上曲面的一 次反射橫波，B3為B2斜射到上端面切槽底部端角的反射橫波，B4為B3斜射到上曲面的反射 橫波并被探頭接收。Hx為顯示深程。根據反射定律及相關定理可知：
[0153 ] 根據探頭的k值，可計算出Xw、Hw、Hx。計算結果見表8。
[0154]表8

[0157] 從表8可知:Hx與Hw之差都在30mm之上，因此該該種情況下的干擾對人工缺陷回波 識別不會產生影響。
[0158] (7.2)、一次反射縱波入射到上端面(與探頭同側)切槽的端角，如圖21所示：
[0159] B1為探頭發出的橫波，a為B1與上表面的夾角，b為B1的入射角，B2為在上曲面的一 次反射縱波，c為B2的反射角，B3為B2斜射到上端面切槽底部端角的反射縱波，B4為B3斜射 到上曲面的反射橫波并被探頭接收;Hx為顯示深程，根據反射定律及相關定理可知：

[0166] 根據探頭的k值，可計算出Xw、Hw、Hx。計算結果見表9。
[0167]表9
[0169] 從表9可知:Hx與Hw之差都在30mm之上，因此該該種情況下的干擾對人工缺陷回波 識別不會產生影響。
[0170] (7.3)、一次反射橫波入射到下端面(與探頭不同側)切槽的端角，如圖22所示： [0171] B1為探頭發出的橫波，a為B1與上表面的夾角，b為B1的入射角，B2為B1在下曲面的 一次反射橫波，B3為B2斜射到下端面切槽底部端角的反射橫波，B4為B3斜射到下曲面的反 射橫波并被探頭接收。Hx為顯示深程。根據反射定律及相關定理可知：
[0177] 根據探頭的k值，可計算出乂￥、咖、1^。計算結果見表10(當1(<1.8時，上述方程組無 解)。
[0178]表1〇
[0180] 從表10可知:Hx與Hw之差都在30mm之上，因此該該種情況下的干擾對人工缺陷回 波識別不會產生影響。
[0181] (7.4)、一次反射縱波入射到上端面(與探頭不同側)切槽的端角，如圖23所示：
[0182] 圖中CH為切槽，0B為經過H點的線段;G為CH延長線與下曲面的交點;A為探頭發出 的聲波(橫波)在下曲面上入射點；a為探頭發出的聲波與上、下端面的夾角；Z0BC = n;Z 0BF=m；Z0GC = t〇
[0183] 根據各線段長度（0G = 75;0C = 60;CH=10)可知：m = 9.4623° ;n = 31.9499° ;t = 53.1301°。根據《承壓設備無損檢測》(NB/T47013)推薦:焊縫檢測時K最大為3.0,此時對應 的a最小值為18.4349°。
[0184] 當聲波（橫波）在下曲面上入射點A在弧DB段上時，最小的入射角為27.8972° (m+ a)，對應27.8972°的最小橫波入射角，產生的縱波最小反射角為59.6172°，而整個圓弧DEI 點對0C的最大張角為t = 53.1301° (小于縱波最小反射角為59.6172° )，因此入射點A在弧DB 段時，產生反射縱波不可能掃到切槽端角C。
[0185] 當聲波(橫波)在下曲面上入射點A在弧BE段上時，最小的入射角為18.4349° (a)， 對應18.4349°的最小橫波入射角，產生的縱波最小反射角為35.6649°，而弧BE上點對0C的 最大張角為n = 31.9499° (小于縱波最小反射角為35.6649° )，因此入射點A在弧BE段時，產 生反射縱波也不可能掃到切槽端角C。
[0186] 綜上所述，探頭發出橫波聲波在下曲面反射產生的縱波聲波不可能掃到切槽端角 C，所以下曲面反射縱波切槽底部端角反射產生的干擾不存在。
[0187] 結合上述七種不同情況的具體分析可得，無論入射聲波怎樣入射，由兩四分之一 圓弧構成的側端面均不會干擾超聲實驗，可有效克服了因試塊兩端面的反射而對人工缺陷 回波識別造成干擾的問題。
[0188] 綜上所述，本發明的新試塊沒有改變CSK-HIA試塊人工缺陷的大小及其形狀，也沒 有改變CSK-HIA試塊人工缺陷與上面、底面的位置關系，所以完全繼承了CSK-mA試塊的功 能，但改變CSK-mA試塊兩端面的形狀，所以克服了上文描述的干擾，所有情況下Hw與Hx都 相差30mm以上，檢測人員能清晰區分。
[0189] 此外，在中華人民共和國行業標準NB/T47013-2015《承壓設備無損檢測》中，CSK-mA試塊在檢測時主要用制作距離-波幅曲線，當要調節儀器掃描速度、測量探頭前沿時則 需要使用另一試塊CSK-IA。本發明的CSK-mAZ具備與CSK-IA相類似的兩個不同弧面(R45、 R75)，因此也具備CSK-IA相類似的功能
[0190] a.前沿測量
[0191] 如圖9所示，探頭置于曲面圓心A處，前后移動探頭獲得最大回波時固定探頭，測量 探頭最前邊緣至曲面邊緣(L)。探頭前沿L0 = 75-L。
[0192] b.橫波掃描速度調節
[0193] 如圖9所示，探頭置于曲面圓心A處，前后移動探頭獲得075回波，左右移動探頭同 時獲得?45回波，移動探頭使075回波、045同時達到最大，調節儀器相關旋鈕回波將075 回波置于10處(或5處）、045回波置于6處(或3處）。儀器的掃描速度調節完畢。
[0194] 這樣，基于現有技術的CSK-MA不能直接測量探頭前沿、調節儀器的掃描速度，而 是需要借助另一試塊CSK-IA對調節儀器掃描速度、探頭前沿進行測量的問題。經本案的改 進后，使得本案中的CSK-MAZ試塊完全繼承了現有技術中CSK-MA功能，還具有現有技術中 CSK-IA功能，從而可大大方便檢測人員，給檢測人員的工作效率帶來了極大的提升。
【主權項】
1. 一種新型抗干擾超聲試塊，包括本體，所述本體上對稱的開設有兩圓弧槽，所述圓弧 槽的槽底開設有若干短橫孔，其特征在于，所述本體的同一側端面上對稱設有兩對稱設置 的弧形凸塊，所述弧形凸塊呈四分之一圓弧狀、且與本體連為一體，兩所述弧形凸塊相對設 置且相接觸。2. 根據權利要求1所述的一種新型抗干擾超聲試塊，其特征在于，所述本體的兩側端面 上分別設有兩弧形凸塊。3. 根據權利要求2所述的一種新型抗干擾超聲試塊，其特征在于，所述弧形凸塊背向與 其處在本體同一側的弧形凸起的端面上開設有切槽，所述切槽與弧形凸塊的該端面相垂 直。4. 根據權利要求3所述的一種新型抗干擾超聲試塊，其特征在于，所述切槽的深度為 10mm，寬度為0.5mm，所述切槽與本體的間距為60mm。5. 根據權利要求1所述的一種新型抗干擾超聲試塊，其特征在于，所述弧形凸塊遠離本 體的一側頂角處開設有弧形沉臺。6. 根據權利要求5所述的一種新型抗干擾超聲試塊，其特征在于，所述弧形沉臺的厚度 為5mm，所述弧形沉臺與弧形凸塊同軸心，所述弧形沉臺呈圓心角為52°、寬度為30mm的弧 形。
【文檔編號】G01N29/30GK105929028SQ201610514798
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年6月30日
【發明人】朱龍居
【申請人】朱龍居